KR980005987A - 박막 캐피시터를 갖는 반도체 디바이스 - Google Patents

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Abstract

박막 캐피시터를 갖고 저항 특정 소자를 포함하는 반도체 디바이스가 개시되어 있다. 박막 캐피시터는, 반도체 기판상의 층간 절연막과, 이 층간절연막의 소정 위치에서 기판과 전기접속되도록 형성된 다수의 접촉부중의 적어도 한 접촉부에 적층된 하부 전국, 고유전율의 유전체, 및 상부 전극을 포함한다. 하부 전극은 적어도 2층을 포함한다. 저항 특정 소자는, 층간절연막과, 다수의 접촉부중 위에서 언급된 박막캐패시터의 접촉부와는 다른 접촉부상에 적층된 제1 전극과, 고유전율의 유전막과, 제2 전극을 포함하는 것을 제외하고는 박막 캐피시터의 재료와 동일한 재료로 이루어지고, 박막 캐피시터의 크기와 동일한 크기를 갖고, 동시에 제1 전극과 제2 전극의 최상층은 유전막의 일부에 제공된 접촉부를 통해서 서로 접촉한다. 박막 캐피시터의 하부 전극의 저항치는 기판을 통해서 전기적 경로를 사용하여 측정된다.

Description

박막 캐피시터를 갖는 반도체 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예의 구조를 설명하는 반도체 디바이스 단면도.

Claims (9)

  1. 반도체 기판 위에 형성된 박막 캐피시터와 저항 측정 소자를 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 상기 기판위에 형성되고, 그 기판에 이르도록 관통된 다수의 접촉 구멍(contact holes)을 갖는 층간절연막; 상기 접촉 구멍중 적어도 한 구멍 위에 적층된 하부 전극-이때, 하부 전극은 적어도 2층을 갖는다-과, 유전막과 상부전극을 포함하는 박막 캐피시터; 상기 적어도 1개의 접촉 구멍과는 다른 접촉 구멍위에 적층된 제1 전극과, 상기 유전막과, 제2 전극을 포함하고, 동시에 상기 제1 전극과 제2 전극은 각각 상기 하부 전극과 상기 상부 전극을 형성하는 재료와 동일한 재료로 형성되고, 상기 제1 전극과 제2 전극의 최상층은 상기 유전막이 제거되는 부분을 통해서 서로 접속되는 저항 측정 소자를 포함하는 반도체 디바이스.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유전막이 제거된 상기 부분은 상기 유전막위에 형성된 개구인 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  3. 반도체 기판 위에 형성된 박막 캐피시터와 저항 측정 소자를 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 상기 기판 위에 형성되고, 그 기판에 이르도록 관통된 다수의 접촉 구멍(contact holes)을 갖는 층간 절연막; 상기 접촉 구멍중 적어도 한 구멍 위에 적층된 하부 전극-이때, 하부 전극은 적어도 2층을 갖는다-과, 유전막과 상부 전극을 포함하는 박막 캐피시터; 상기 적어도 1개의 접촉 구멍과는 다른 접촉 구멍위에 적층된 제1 전극과, 상기 유전막과, 제2 전극을 포함하고, 동시에 상기 제1 전극과 제2 전극은 각각 상기 하부 전극과 상기 상부 전극을 형성하는 재료와 동일한 재료로 형성되고, 상기 제1 전극은 상기 하부전극의 크기와 동일한 크기를 갖고, 상기 제1 전극과 제2 전극의 최상층은 상기 유전막이 제거되는 부분을 통해서 서로 접속되는 저항 측정 소자를 포함하는 반도체 디바이스.
  4. 반도체 기판 위에 형성된 박막 캐피시터와 저항 측정 소자를 포함하는 반도체 디바이스에 있어서, 상기 기판 위에 형성되고, 그 기판에 이르도록 관통된 다수의 접촉 구멍(contact holes)을 갖는 층간절연막; 상기 접촉 구멍중 적어도 한 구멍 위에 적층된 하부 전극-이때, 하부 전극은 적어도 2층을 갖는다-과, 유전막과 상부 전극을 포함하는 박막 캐피시터; 상기 적어도 1개의 접촉 구멍과는 다른 접촉 구멍위에 적층된 제1 전극과, 상기 유전막과, 제2 전극을 포함하고, 동시에 상기 제1 전극과 제2 전극은 각각 상기 하부 전극과 상기 상부 전극을 형성하는 재료와 동일한 재료로 형성되고 동일한 크기와 형상을 갖고, 상기 제1 전극과 제2 전극의 최상층은 상기 유전막이 제거되는 부분을 통해서 서로 접속되는 저항 측정 소자를 포함하는 반도체 디바이스.
  5. 제1항에 있어서, 상기 기판에 평행한 방향의 상기 제1 전극의 크기는 상기 하부 전극의 크기보다 작은 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  6. 제1항에 있어서, 상기하부 전극과는 다른 크기의 제1 전극을 갖는 다수의 상기 저항 측정 소자를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  7. 제1항에 있어서, 상기 저항 측정 소자는 선을 그은 영역(scribing area)위에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  8. 제3항에 있어서, 상기 저항 측정 소자는 선을 그은 영역 위에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
  9. 제4항에 있어서, 상기 저항 측정 소자는 선을 그은 영역 위에 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 디바이스.
    ※참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019970031026A 1996-06-26 1997-07-04 박막 캐패시터를 갖는 반도체 디바이스 KR100260986B1 (ko)

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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1022476A (ja) * 1996-07-02 1998-01-23 Sony Corp 容量素子
US6906370B1 (en) * 1998-04-09 2005-06-14 Infineon Technologies Ag Semiconductor component having a material reinforced contact area
JP2000058786A (ja) 1998-08-11 2000-02-25 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置と半導体装置の製造方法およびそれに用いるレジストパターン形成方法
US6720604B1 (en) * 1999-01-13 2004-04-13 Agere Systems Inc. Capacitor for an integrated circuit
US6114865A (en) * 1999-04-21 2000-09-05 Semiconductor Diagnostics, Inc. Device for electrically contacting a floating semiconductor wafer having an insulating film
US6407004B1 (en) * 1999-05-12 2002-06-18 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Thin film device and method for manufacturing thin film device
US6498362B1 (en) 1999-08-26 2002-12-24 Micron Technology, Inc. Weak ferroelectric transistor
TW501270B (en) * 1999-11-30 2002-09-01 Hitachi Ltd Semiconductor device and its manufacturing method
US6261967B1 (en) * 2000-02-09 2001-07-17 Infineon Technologies North America Corp. Easy to remove hard mask layer for semiconductor device fabrication
JP2001235493A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Japan Organo Co Ltd 電気伝導度測定装置
US7023021B2 (en) * 2000-02-22 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
SG99939A1 (en) * 2000-08-11 2003-11-27 Casio Computer Co Ltd Semiconductor device
US6586792B2 (en) 2001-03-15 2003-07-01 Micron Technology, Inc. Structures, methods, and systems for ferroelectric memory transistors
US6503765B1 (en) * 2001-07-31 2003-01-07 Xilinx, Inc. Testing vias and contacts in integrated circuit fabrication
KR100632645B1 (ko) * 2005-08-03 2006-10-11 주식회사 하이닉스반도체 바저항 측정패턴을 갖는 플래쉬 메모리 소자 및 그의형성방법
JP4920335B2 (ja) * 2006-08-07 2012-04-18 新光電気工業株式会社 キャパシタ内蔵インターポーザ及びその製造方法と電子部品装置
JP4783692B2 (ja) 2006-08-10 2011-09-28 新光電気工業株式会社 キャパシタ内蔵基板及びその製造方法と電子部品装置
US7511939B2 (en) * 2006-08-24 2009-03-31 Analog Devices, Inc. Layered capacitor architecture and fabrication method
JP2009212299A (ja) * 2008-03-04 2009-09-17 Fujitsu Ltd 半導体装置及びその製造方法
CN101894776B (zh) * 2009-05-21 2012-01-04 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 测量电阻变化检测氮掺杂浓度的方法
CN113969424B (zh) * 2020-07-24 2022-10-14 中国科学院福建物质结构研究所 NaZnCO3(OH)化合物及其晶体的制备方法和应用
CN112979311B (zh) * 2021-04-30 2022-10-14 昆明理工大学 一种超低温烧结制备纳米晶a4b2o9型钽酸盐陶瓷及其方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04324951A (ja) * 1991-04-25 1992-11-13 Nec Corp 半導体装置
JPH04324952A (ja) * 1991-04-25 1992-11-13 Sanyo Electric Co Ltd 半導体装置の評価方法
JPH06318680A (ja) * 1993-05-10 1994-11-15 Nec Corp 半導体記憶装置およびその製造方法
JPH07161832A (ja) * 1993-12-08 1995-06-23 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体記憶装置およびその製造方法
WO1996010845A2 (en) * 1994-10-04 1996-04-11 Philips Electronics N.V. Semiconductor device comprising a ferroelectric memory element with a lower electrode provided with an oxygen barrier

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