KR970077740A - 반도체 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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Abstract

반도체 장치 및 그 제조 방법에 있어서, 반도체 장치는 n형 버퍼층(2)과 p형 콜렉터층(4) 사이에 n형 버퍼층(2)보다 높은 불순물 농도를 갖는 n+형층(3)이 마련 된다. 제1주면으로 향하는 p형 콜렉터층(4)의 확산 깊이는 제1영역(4a)보다 작으며, 제2영역(4b)보다 크다. 그 결과, 현저하게 감소된 턴 오프 손실을 갖는 반도체 장치를 구현할 수 있게 된다.

Description

반도체 장치 및 그 제조 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 기초한 실시예 1에 있어서의 IGBT의 단면 구조도.

Claims (12)

  1. 진성(an intrinsic) 또는 제1도전형(first conductivity type)의 반도체 기판(1)의 제1 및 제2주면(first and second main surfaces) 사이에 주전류(a main current)가 흐르는 반도체 장치에 있어서, 상기 제2주면측에 형성되며, 상기 반도체 기판(1)보다 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제1반도체층(2)과, 상기 제1반도체층의 일부 영역에 형성되며, 상기 제1반도체층보다 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제2반도체층(3)과, 상기 제1 및 제2반도체층(2,3)을 덮도록 형성되고 상기 제1도전형과는 반대의 도전형인 제2도전형의 제3반도체층(4)을 포함하며, 상기 제3반도체층(4)으로부터 상기 제1반도체층(2)으로의 홀의 주입이 억제되지 않고, 상기 제3반도체층(4)으로부터 상기 제2반도체층(3)으로의 홀의 주입이 억제되도록, 상기 제3반도체층(4)의 상기 제1주면측으로 향하는 불순물의 확산 깊이가, 상기 제2반도체층(3)과 대향하는 제1영역(4a)보다도 상기 제1반도체층(2)과 대향하는 제2영역(4b)쪽이 깊게 형성되는, 반도체 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체층(3)은, 상기 제1반도체층(2)의 영역내에서만 형성되는 반도체장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2반도체층(3)은, 상기 반도체 기판(1)의 일부 영역을 포함하는 영역에서 형성되는 반도체 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제3반도체층(4)에서의 제1영역(4a)은 상기 제2영역(4b)보다 높은 불순물 농도를 갖는 반도체 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제1주면은, 바이폴라 소자(a bipolar element)를 갖는 반도체 장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 바이폴라 소자는 트렌치형(a trench type) IGBT인 반도체 장치.
  7. 진성 또는 제1도전형의 반도체 기판(1)의 제1 및 제2주면 사이에 주전류가 흐르는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제2주면의 전체에, 상기 반도체 기판(1)보다도 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제1반도체층(2)을 형성하는 단계와, 상기 제1반도체층(2)의 소정의 영역으로만 제1도전형의 불순물을 도입하여 상기 제1반도체층보다 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제2반도체층(3)을 형성하는 단계와; 상기 제1 및 제2반도체층의 전면으로 제1도전형과는 반대인 제2도전형의 불순물을 도입하여 상기 제1주면측으로 확산되는 불순물의 확산 깊이를 갖는 제2도전형의 제3불순물층(4)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2반도체층(3)과 대향하는 영역에서의 상기 확산 깊이는 상기 제1반도체층(2)과 대향하는 영역에서의 확산 깊이보다 작은 반도체 장치의 제조 방법.
  8. 진성 또는 제1도전형의 반도체 기판(1)의 제1 및 제2주면 사이에 주전류가 흐르는 반도체 장치의 제조방법에 있어서, 상기 제2주면 전체로 제1도전형의 불순물을 도입하여 상기 반도체 기판(1)보다 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제1반도체층(2)을 형성하는 단계와, 상기 제1반도체층(2)의 소정의 영역으로만 제1도전형의 불순물을 도입하여 상기 제1반도체층(2)보다 높은 불순물 농도를 갖는 제1도전형의 제2반도체층(3)을 형성하는 단계와, 상기 제1 및 제2반도체층(2,3)의 전체 표면으로 제1도전형과 반대인 제2도전형의 불순물을 주입한 후, 상기 제1반도체층(2)으로만 제2도전형의 불순물을 주입하고, 열처리를 행하여 상기 제1주면으로 향하여 확산되는 불순물의 확산 깊이를 갖는 제2도전형의 제3불순물층(4)을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제2반도체층(3)과 대향하는 영역에서의 상기 확산 깊이는 상기 제1반도체층(2)과 대향하는 영역에서의 확산 깊이보다 작으며, 상기 제2반도체층(3)과 대향하는 영역에서의 불순물 농도는 상기 제1반도체층(2)과 대향하는 영역에서의 불순물 농도보다 낮은, 반도체 장치의 제조 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 제2반도체층(3)을 형성하는 상기 단계는, 상기 제2반도체층(3)이 상기 제1반도체층(2)내에서만 형성되도록 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 제2반도체층(3)을 형성하는 상기 단계는, 상기 제1반도체층(2)을 통해 연장하고 상기 반도체 기판(1)의 일부 영역을 포함하는 상기 제2반도체층(3)을 형성하도록 수행되는 반도체 장치의 제조 방법.
  11. 제8항에 있어서, 상기 제2반도체층(3)을 형성하는 상기 단계는 상기 제2반도체층(3)이 상기 제1반도체층(2)내에서만 형성되도록 수행되는 반도체 장치의 제조 방법.
  12. 제8항에 있어서, 상기 제2반도체층(30을 형성하는 상기 단계는 상기 제1반도체층(2)을 통해 연장하고상기 반도체 기판(1)의 일부 영역을 포함하는 상기 제2반도체층(3)을 형성하도록 수행되는 반도체 장치의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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