KR950034827A - 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법 - Google Patents

절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 관한 것으로, 문턱전압의 변동없이 래치업전류를 높이기 위하여, 래치업에 영향을 미치는 소오스영역 하부의 몸체영역에 상기 몸체보다 고농도의 불순물농도를 갖는 매몰영역을 고에너지의 이온주입으로 형성하여 줌으로써, 래치업이 발생되는 임계치전류가 높아지는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터를 제공한다.

Description

절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 구조 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 IGBT의 단면구조를 보이는 도면, 제2도는 제1도에 도시한 IGBT에서 도핑농도에 따른 프로파일을 보이는 도면.

Claims (8)

  1. 반도체기판상에 집적되는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터에 있어서, 동작전류가 공급되는 애노오드전극에 접속되는 제1도전형의 반도체기판(10)과, 상기 반도체기판(10)상에 형성된 제2도전형 반도체 에피층(14)과, 상기 에피층(14)의 주표면상에 형성된 제1도전형의 제1확산영역(16)과, 상기 제2확산영역(16)내에 형성되는 제2도전형의 제2확산영역(18)과, 상기 제2확산영역(18) 하부의 상기 제1확산영역(16)내에 형성되며 상기 제2확산영역(18)보다 높은 불순물농도를 가지는 제1도전형 매몰영역(20)과, 상기 에피층(14)과 제2확산영역(18)의 상부에 걸쳐 형성되며 제1확산영역(16)의 노출표면과 게이트절연막(24)을 개재하는 게이트전극(26)과, 상기 게이트전극(26)과 절연되게 형성되며 상기 제1확산영역(16) 및 상기 제2확산영역(18)과 공통연결되는 캐소오드전극(30)을 구비함을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터.
  2. 제1항에 있어서, 상기 캐소오드전극(22)에 접속되고 상기 제1 및 제2확산영역(16,18)과 면접되며 상기 매몰영역(20)보다 높은 불순물농도를 갖는 제1도전형의 제3확산영역(22)을 더 구비함을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터.
  3. 제2항에 있어서, 상기 에피층(14)과 상기 반도체기판(10) 사이에 상기 에피층(14)보다 높은 불순물농도를 갖는 제2도전형 버퍼층(12)을 더 구비함을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터.
  4. 제3항에 있어서, 상기 매몰영역(20)은 제2확산영역(18)의 저면과 면접됨을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터.
  5. 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법에 있어서, 제1도전형의 반도체기판(10)상에 제2도전형의 에피층(14)을 성장시키는 제1과정과, 상기 에피층(14)의 상부에 소자분리막을 형성한 후 패터닝하여 개구를 형성한 다음 제1도전형 불순물을 이온주입 및 확산시켜 제1확산영역(16)을 형성하는 제2과정과, 상기 제1확산 영역(16)내에 매몰영역형성을 위한 제1도전형 불순물을 이온주입함으로써 상기 제1확산영역(16)내에 매몰되며 상기 제1확산영역(16)보다 고농도의 제1도전형 매몰영역(20)을 형성하는 제3과정과, 상기 매몰영역(20)의 상부를 한정하여 제2도전형 이온주입 및 확산시켜 상기 매몰영역(20)의 상부에 제2확산영역(18)을 형성하는 제4과정과, 제1확산영역(16)의 노출표면과 게이트절연막(24)을 개재하는 게이트전극(26)을 상기 에피층(14)과 제2확산영역918)의 상부에 걸쳐 형성하는 제5과정과, 상기 게이트전극(26)과 절연되며 상기 제1확산 영역(16) 및 상기 제2확산영역(18)과 공통연결되는 캐소오드 전극(30)을 형성하는 제6과정을 구비함을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 제2과정이, 상기 제1확산영역(16)보다 높은 불순물농도를 가지는 제1도전형의 제3확산영역(22)을 형성한 다음 상기 제3확산영역(22)에 면접되는 제1확산영역(16)을 형성함을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  7. 제6항에 있어서, 상기 제1공정 이전에, 상기 반도체기판(10)의 상부에 상기 에피층(14)보다 높은 불순물 농도를 가지는 제2도전형의 버퍼층(12)을 형성하는 공정을 더 구비함을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 메몰영역(20)은 상기 제2확산영역(18)의 저면과 면접되도록 형성됨을 특징으로 하는 절연게이트 바이폴라 트랜지스터의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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