DE10325721B4 - Halbleiterbauelement - Google Patents

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Abstract

Halbleiterbauelement mit einer vor einem Emitter (13; 25) eines ersten Leitungstyps (p) in Richtung zu einer mit Dotierstoff eines zweiten Leitungstyps (n) niedrig dotierten Basiszone (11; 21) lateral durchgehend ausgebildeten Feldstoppzone (14,; 24), die mit Dotierstoff des zweiten Leitungstyps dotiert ist und insofern inhomogen ausgebildet ist, dass sie Stellen mit einer höheren Dotierung pro Flächeneinheit und Stellen (D) mit einer niedrigeren Dotierung pro Flächeneinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung pro Flächeneinheit der geringer dotierten Stellen (D) der Feldstoppzone (14; 24) kleiner als eine Differenz aus der Durchbruchsladung und der in der Basiszone (11; 21) pro Flächeneinheit vorhandenen Dotierung ist, so dass die Feldstoppzone (14; 24) im Sperrfall des Halbleiterbauelements einen Durchgriff des elektrischen Feldes in Richtung zum Emitter (13; 25) zulässt.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einer vor einem Emitter eines ersten Leitungstyps in Richtung zu einer mit Dotierstoff eines zweiten Leitungstyps niedrig dotierten Basiszone lateral durchgehend ausgebildeten Feldstoppzone, die mit Dotierstoff des zweiten Leitungstyps dotiert ist und insofern inhomogen ausgebildet ist, dass sie Stellen mit einer höheren Dotierung pro Flächeneinheit und Stellen mit einer niedrigeren Dotierung pro Flächeneinheit aufweist. Ein solches Halbleiterbauelement ist aus US 5,723,349 A bekannt.
  • Beim Abschalten von IGBTs oder Kommutieren von Dioden tritt am Bauelement eine durch den Stromrückgang an den immer vorhandenen parasitären Induktivitäten verursachte Überspannung auf. Diese Überspannung kann das Bauelement zerstören, wenn sie höher als die zulässige Betriebsspannung des Bauelements ist.
  • Bei der Messung der Durchbruchspannung von Halbleiterbauelementen wird dem Bauelement ein definierter Strom eingeprägt und die sich dabei ergebende Spannung gemessen. Dieser Messpunkt liegt üblicherweise im steilen Anstieg der Durchbruchskennlinie. Bei Feldstoppbauelementen kann sich dabei das Problem ergeben, dass die Durchbruchskennlinie bereits bei sehr kleinen Strömen einen negativen differentiellen Widerstand aufweist. In einem solchen Fall wird sich der Strom bei abnehmender. Spannung auf ein Filament zusammenziehen, wobei das Bauelement wegen der hohen lokalen Strom- und Verlustleistungsdichte im Allgemeinen zerstört wird.
  • Halbleiterbauelemente mit Feldstoppzone sind allgemein bekannt. So beschreibt das US-Patent 5 668 385 A ) ein Halbleiterschalterbauelement, zum Beispiel einen IGBT, MCT oder GTO oder auch eine Diode, bei der eine Feldstoppzone unmittelbar anschließend an einen Rückseitenemitter gebildet ist.
  • In einer vertikalen NPN-Struktur wird mit einem an der Vorderseite des Halbleiterbauelements befindlichen sperrenden PN-Übergang im niedrig dotierten n-Gebiet eine so geringe Dotierung verwendet, dass das elektrische Feld im Sperrfall bis zum rückseitigen p-Emitter durchgreifen würde. Dieser Felddurchgriff wird als Punch-Through bezeichnet und verringert die Durchbruchsspannung. Feldstoppbauelemente haben zwischen dem niedrig dotierten n-Gebiet (n-Basis) und dem rückseitigen p-Emitter die zusätzliche etwas höher n-dotierte Feldstoppzone, die das elektrische Feld über ihre Dicke vollständig abbaut, so dass der Punch-Through-Effekt sicher vermieden wird. Feldstoppbauelemente können zum Beispiel IGBTs, MCTs, GTOs, Thyristoren oder Bipolartransistoren sein. Auch Dioden können in dieser Art ausgelegt werden, wobei der rückseitige Emitter ein hochdotiertes n-Gebiet ist. Die vorgelagerte Feldstoppzone verhindert in diesem Fall das Eindringen der Raumladungszone in das hochdotierte Emittergebiet.
  • Die zum Oberbegriff des Patentanspruchs 1 zitierte US 5 723 349 A beschreibt einen IGBT mit einer Feldstoppzone, die aus lateral abwechselnd hoch und niedrig dotierten Gebieten besteht. Dabei wird durch die hochdotierten Gebiete ein Punch-Through-Effekt verhindert. Die US-Patente 5 569 941 A und 5 751 023 A , beschreiben IGBTs mit Feldstoppzone, wobei zwischen dieser und einem rückseitigen p-Emitter zusätzliche n+-Gebiete angeordnet sind, die den Wirkungsgrad des p-Emitters vor allem bei hohem Strom verringern sollen.
  • DE 102 05 324 A1 beschreibt einen IGBT, dessen Rückseitenemitter eine homogene Feldstoppschicht vorgelagert ist. Für diesen bekannten IGBT sagt diese Druckschrift im Abschnitt 14 und im Patentanspruch 9, dass es vorteilhaft ist, wenn die Spannung VA, bei der die Feldstoppschicht und die Basisschicht einen Durchgriff beginnen bzw. erleiden, kleiner als das 0,8-fache der Spannung VB beträgt, die durch den Lawinendurchbruch eines bei der ersten Hauptfläche des IGBTs vorhandenen pn-Übergangs bestimmt ist.
  • Bei all diesen bekannten Halbleiterbauelementen wird das elektrische Feld vollständig in der Feldstoppzone abgebaut. Deshalb können sie weder eine Zerstörung des Bauelements bei einer die zulässige Betriebsspannung überschreitenden Spannung am Bauelement verhindern, noch einen positiven differentiellen Widerstand in der Durchbruchskennlinie erreichen.
  • Bei einer in DE 198 23 944 A1 beschriebenen Leistungsdiodenstruktur bilden die floatenden Gebiete 6 keine Feldstoppzone, da deren Leitungstyp entgegengesetzt zum Leitungstyp des Halbleiterkörpers 1 ist.
  • Ein aus US 5,352,910 A bekanntes Leistungs-Halbleiterbauelement weist eine insofern inhomogen gestaltete Feldstoppzone auf, dass in dieser Feldstoppzone z. B. streifenförmig abwechselnd n+ und n–dotierte Abschnitte vorhanden sind. Gemäß der Beschreibung dieser Druckschrift in Spalte 10, Zeile 2 bis 9, blockiert diese Feldstoppschicht ausreichend ein elektrisches Feld hoher Feldstärke, d. h. das diese Feldstoppschicht keinen Durchgriff des elektrischen Feldes im Sperrzustand zum Emitter hin gestattet.
  • Ein aus DE 100 31 781 A1 bekanntes Halbleiterbauelement weist ähnlich wie das in der oben zitierten DE 102 05 324 A1 beschriebene Halbleiterbauelement eine diffundierte Feldstoppzone auf. Die Dotierstoffkonzentration pro Flächeneinheit in der Tail-Sperrschichtzone liegt zwischen einer minimalen und einer maximalen Flächendichte, wobei die maximale Dotierstoffkonzentration pro Flächeneinheit in Abhängigkeit von einer Abfalllänge des Dotierprofils in der Tail-Sperrschichtzone und die minimale Dotierstoffkonzentration pro Flächeneinheit in Abhängigkeit des Punch-Through-Grades gewählt wird, der als Verhältnis der Punch-Through-Spannung und der Lawinendurchbruchsspannung definiert ist.
  • WO 03/038860 A2 beschreibt einen sogenannten Quick-Punch-Through-IGBT, bei dem kein Durchgriff des elektrischen Feldes zum Emitter im Sperrzustand möglich ist, wie dies die 7A–7C und die zugehörige Beschreibung auf den Seiten 10 und 11 dieser Druckschrift zeigen.
  • Eine weitere bekannte Alternative sind Bauelemente ohne Feldstoppschicht, zum Beispiel so genannte NPT-IGBTs (Non-Punch-Through-IGBTs), in denen das niedrig dotierte n-Basisgebiet so dick gemacht wird, dass das elektrische Feld in einem hinreichend großen Abstand zum p-Emitter innerhalb des niedrig dotierten n-Basisgebiets stoppt. Derartige Bauelemente erfordern aber bei gleicher Spannungsfestigkeit eine deutlich größere Dicke und weisen daher erheblich größere Durchlass- und Schaltverluste auf. Allerdings weisen derartige NPT-IGBTs keinen negativen differentiellen Widerstand der Durchbruchskennlinie auf.
  • Die nachveröffentlichte DE 102 14 176 A1 (Infineon Technologies AG) beschreibt ebenfalls ein Halbleiterbauelement mit Feldstoppzone, die Unterbrechungen aufweist und die in einem bestimmten Abstand vor einem n-dotierten rückseitigen Emitter liegt. Die in den 1 bis 3 gezeigte Feldstoppzone des aus dieser nachveröffentlichten Druckschrift bekannten Halbleiterbaulements, das ein IGBT sein kann, sorgt durch ihre abschnittsweise Ausbildung dafür, dass durch die schwächer dotierten Bereiche, das heißt durch die Unterbrechungen "Durchlässe" für freie Ladungsträger vorhanden sind, um den Ladungsträgerstrom in der Driftzone des Bauelements durch das Vorhandensein der Feldstoppzone nicht oder nur unwesentlich zu beeinflussen.
  • Aufgabe dieser Erfindung ist es, ein Halbleiterbauelement mit Feldstopp anzugeben, das die Spannung am Bauelement ohne zusätzliche Beschaltung begrenzt und das einen negativen differentiellen Widerstand der Durchbruchskennlinie vermeidet.
  • Diese Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst.
  • Die erfindungsgemäß gestaltete Feldstoppzone lässt einen Durchgriff des elektrischen Feldes durch den Feldstopp in Richtung zum Emitter zu.
  • Gemäß einem ersten wesentlichen Aspekt ist ein die obige Aufgabe lösendes Halbleiterbauelement mit einer vor einem Emitter eines ersten Leitungstyps in Richtung zu einer mit Dotierstoff eines zweiten Leitungstyps niedrig dotierten Basiszone lateral durchgehend ausgebildeten Feldstoppzone, die mit Dotierstoff des zweiten Leitungstyps dotiert ist und insofern inhomogen ausgebildet ist, dass sie Stellen mit einer höheren Dotierung pro Flächeneinheit und Stellen mit einer niedrigeren Dotierung pro Flächeneinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung pro Flächeneinheit der geringer dotierten Stellen der Feldstoppzone kleiner als eine Differenz aus der Durchbruchsladung und der in der Basiszone pro Flächeneinheit vorhandenen Dotierung ist, so dass die Feldstoppzone im Sperrfall des Halbleiterbauelements einen Durchgriff des elektrischen Feldes in Richtung zum Emitter zulässt.
  • Gemäß einem zweiten wesentlichen Aspekt der Erfindung ist ein die obige Aufgabe lösendes Halbleiterbauelement mit einem vor einem Emitter eines ersten Leitungstyps in Richtung zu einer mit Dotierstoff eines zweiten Leitungstyps niedrig dotierten Basiszone ausgebildeten Feldstoppzone, die mit Dotierstoff des zweiten Leitungstyps dotiert ist und insofern inhomogen ausgebildet ist, dass sie Stellen mit einer höheren Dotierung pro Flächeneinheit und Stellen mit einer niedrigeren Dotierung pro Flächeneinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldstoppzone in der Basiszone unmittelbar an den Emitter anschließt und dass die Stellen mit der geringeren Dotierung pro Flächeneinheit durch Unterbrechungen in der Feldstoppzone gebildet sind, wobei die Dotierung an den Unterbrechungen mit der Dotierung der Basiszone übereinstimmt, und dass die Dotierung pro Flächeneinheit der Feldstoppzone insgesamt so gewählt ist, dass sie im Sperrfall einen Durch griff des elektrischen Feldes in Richtung zum Emitter zulässt. Auf diese Weise wird die Abschaltüberspannung auf den Wert begrenzt, bei dem das elektrische Feld aufgrund des Durchgriffs zum Emitter den von den Streuinduktivitäten erzwungenen Strom generiert. Da der Strom beim Durchgreifen des elektrischen Feldes nicht plötzlich sondern erst allmählich mit zunehmender Spannung ansteigt, ergibt sich eine Durchbruchskennlinie mit positivem differentiellem Widerstand, so dass die Durchbruchsspannung des Halbleiterbauelements problemlos gemessen werden kann, ohne dass dieses zerstört wird.
  • Die nachstehende Beschreibung beschreibt Bezug nehmend auf die Zeichnung mehrere einen vertikalen IGBT und eine vertikale Diode betreffende Ausführungsbeispiele eines erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements. Die Zeichnungsfiguren zeigen im Einzelnen:
  • 1A einen schematischen Querschnitt durch einen vertikalen IGBT als nicht zur Erfindung gehörendes Vergleichsbeispiel, bei dem die Feldstoppschicht so ausgebildet ist, das das elektrische Feld beim Anlegen der höchsten zulässigen Spannung oder der Durchbruchsspannung nicht vollständig innerhalb der Feldstoppschicht abgebaut wird;
  • 1B graphisch die Feldverteilung in dem in 1A gezeigten IGBT im Sperrfall, wobei mit gestrichelter Linie die Feldverteilung in einem bekannten IGBT dargestellt ist;
  • 2 in schematischem Querschnitt ein erstes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäß gestalteten IGBT mit unterbrochener (inhomogener) Feldstoppschicht;
  • 3 schematisch im Querschnitt ein zweites Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäß gestalteten IGBTs mit an definierten Stellen niedriger dotierter Feldstoppschicht;
  • 4 schematisch im Querschnitt ein Beispiel eines in der nachveröffentlichten DE 102 14 176 A1 beschriebenen IGBTs mit abschnittsweise unterbrochener Feldstoppschicht, die als vergrabene Schicht realisiert ist;
  • 5 schematisch im Querschnitt ein drittes Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäß gestalteten IGBTs mit unterbrochen eingebrachter aber zusammen diffundierter vergrabener Feldstoppschicht und
  • 6 schematisch im Querschnitt ein weiteres Ausführungsbeispiel, dass sich auf eine erfindungsgemäß gestaltete vertikale Diode mit unterbrochener Feldstoppschicht bezieht.
  • Bei dem in 1A in schematischem Querschnitt dargestellten Vergleichsbeispiel eines mit 10 bezeichneten vertikalen IGBTs liegen auf der Vorderseite eines Halbleiterkörpers p-Bodyzonen 12, n-Sourcebereiche 19 innerhalb der p-Bodyzonen 12 und eine Gateelektrode 15, die durch ein Gateoxid 16 von den Sourcebereichen 19 und den p-Bodyzonen 12 getrennt ist. Schließlich ist die Vorderseite mit einer Vorderseitenmetallisierung 17 versehen. In der Tiefe des Halbleiterkörpers ist eine n-Basis 11 gebildet. Auf der Rückseite des IGBTs ist ein p-Emitter 13 und vor diesem in Richtung der n-Basis eine n-Feldstoppzone 14 gebildet. Die Rückseite weist ferner eine den p-Emitter 13 bedeckende Rückseitenmetallisierung 18 auf.
  • In 1B ist durch eine mit a bezeichnete ausgezogene Linie die Feldverteilung der elektrischen Feldstärke im Sperrfall des IGBT 10 dargestellt, während die durch die gestrichelt gezeichnete Linie b dargestellte Feldverteilung einen anderen IGBT charakterisiert, bei dem das elektrische Feld im Sperrfall vollständig in der Feldstoppzone 14 abgebaut wird.
  • Um den durch die durchgezogene Linie a repräsentierten Verlauf der Feldverteilung zu erreichen, ist die n-Feldstoppzone 14 so gestaltet, dass beim Anlegen der höchsten zulässigen Spannung oder der Durchbruchsspannung das elektrische Feld nicht vollständig innerhalb der Feldstoppzone 14 abgebaut wird. Dies kann dadurch erreicht werden, dass bei der homogen ausgebildeten Feldstoppzone 14 deren Dotierung pro Flächeneinheit kleiner als die Differenz aus der Durchbruchsladung und der im niedrig dotierten n-Basisgebiet 11 pro Flächeneinheit vorhandenen Dotierung ist.
  • Bei dem in 2 gezeigten ersten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen IGBTs ist die Feldstoppzone 14 ebenfalls so gestaltet, dass beim Anlegen der höchsten zulässigen Spannung das elektrische Feld nicht vollständig innerhalb der Feldstoppzone abgebaut wird, so dass die in 1B mit a bezeichnete Feldverteilung im Sperrfall erreicht wird. Die Feldstoppzone 14 ist mit einer stärkeren n-Dotierung als die Feldstoppzone 14 gemäß 1A ausgestattet, ist jedoch nicht ganzflächig oder homogen eingebracht, sondern mit Unterbrechungen U. Bei dem ersten in 2 dargestellten erfindungsgemäßen Ausführungsbeispiel fehlt die Feldstoppzone 14 an den Unterbrechungen U gänzlich, während bei dem in 3 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel die Feldstoppzone 14 zwar durchgehend vorhanden ist, aber in dem mit einem gestrichelten Kreis markierten Abschnitt D, wie bei dem ersten anhand der 1A erläuterten Beispiel in ihrer Dotierung pro Flächeneinheit kleiner als die Differenz aus der Durchbruchsladung und der in dem niedrig dotierten Basisgebiet 11 pro Flächeneinheit vorhandenen Dotierung ist.
  • Nach dem oben Gesagten wird auch bei dem in 3 dargestellten zweiten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen IGBTs 10 das elektrische Feld nicht vollständig innerhalb der Feldstoppzone 14 abgebaut.
  • Bei dem in 5 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel eines erfindungsgemäßen IGBTs 10 bildet die Feldstoppzone 14 eine vergrabene Schicht, das heißt dass sie zum n-Basisgebiet 11 hin gesehen in einem definierten Abstand d vom p-Emitter 13 eingebracht ist. Bei dem in 4 gezeigten und nicht von der Erfindung umfassten Beispiel ist die vergrabene und abschnittsweise unterbrochene Feldstoppzone 14 in einem bestimmten Abstand d vor dem Rückseitenemitter 13 eingebracht und weist ähnlich wie bei dem in 2 dargestellten ersten Ausführungsbeispiel Unterbrechungen U auf, bei denen die Feldstoppschicht 14 gänzlich fehlt. Dagegen ist bei dem in 5 dargestellten dritten Ausführungsbeispiel durch eine seitliche Diffusion innerhalb des durch einen gestrichelten Kreis umrahmten Abschnitts D die Dotierung pro Flächeneinheit kleiner gemacht ist als die Differenz aus der Durchbruchsladung und der in dem niedrig dotierten Basisgebiet 11 pro Flächeneinheit vorhandenen Dotierung. Bei dem in 5 gezeigten dritten Ausführungsbeispiel liegt die als vergrabene Schicht gebildete Feldstoppzone 14 ebenfalls in bestimmtem Abstand d vor dem Rückseitenemitter.
  • In allen weiteren Merkmalen stimmen die oben anhand der 2, 3 und 5 beschriebenen Ausführungsbeispiele eines erfindungsgemäßen IGBTs überein.
  • Hier muss erwähnt werden, dass ein erfindungsgemäßes Feldstoppbauelement mit Felddurchgriff in Richtung zum Emitter selbstverständlich nicht nur ein IGBT sein kann. Andere Feldstoppbauelemente mit erfindungsgemäß gestalteter Feldstoppzone können IGBTs, MCTs, GTO, Thyristoren und auch Bipolartransistoren sein. Ferner können auch Dioden in dieser Art ausgelegt werden, wobei der p-Emitter auf der Rückseite durch ein hoch dotiertes n-Gebiet ersetzt wird.
  • In 6 ist ein Ausführungsbeispiel eines als Diode 20 gestalteten erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements dargestellt. Die in 6 dargestellte erfindungsgemäße Diode 20 weist auf der Vorderseite eines eine Basiszone 21 bildenden Halbleiterkörpers einen p-Emitter 22 und eine Vorderseitenmetallisierung 27 über dem p-Emitter 22 auf. Um den Durchgriff des elektrischen Feldes in Richtung zum Rückseiten-n-Emitter 23 zu erreichen, weist die in 6 dargestellte Diode 20, ähnlich wie der in 2 dargestellte erfindungsgemäße IGBT 10 Unterbrechungen U in der unmittelbar an den n-Emitter 23 anschließenden n-Feldstoppzone 24 auf, wobei die Dotierung an den Unterbrechungen U mit der Dotierung der Basiszone 21 übereinstimmt und die Dotierung der Feldstoppzone 24 insgesamt so gewählt ist, dass sie im Sperrfall einen Durchgriff des elektrischen Feldes in Richtung zum Emitter 23 zulässt.
  • Die erwähnte durch die Unterbrechung U unterbrochene n-Feldstoppzone 24 liegt vor dem n-Emitter 23 in Richtung auf ein n-Basisgebiet 21 gesehen. Dabei ist der rückseitige n-Emitter 23 stellenweise, zum Beispiel gerade an den Unterbrechungsstellen U durch ein p-Gebiet 25 ersetzt. Auf der Rückseite der Diode 20 befindet sich ferner ein Rückseitenmetall 28.
  • Den einschlägigen Fachleuten ist ohne weiteres einsichtig, dass eine erfindungsgemäß gestaltete Feldstoppzone auch bei lateralen Feldstoppbauelementen realisiert werden kann.
  • Mit der erfindungsgemäß gestalteten Feldstoppzone eines Feldstoppbauelements ist es vorteilhafterweise möglich, dass die Spannung am Bauelement ohne zusätzliche Beschaltung begrenzt ist und dass die Durchbruchskennlinie bis zu relativ großen Strömen einen positiven differentiellen Widerstand aufweist.
    • 10
    IGBT
    11
    n-Basisgebiet
    12
    p-Bodyzone
    13
    p-Emitter
    14
    n-Feldstoppzone
    15
    Gate
    16
    Oxid
    17
    Vorderseitenmetall
    18
    Rückseitenmetall
    19
    n-Source
    20
    Diode
    21
    n-Basisgebiet
    22
    p-Emitter
    23
    n-Emitter
    24
    n-Feldstoppschicht
    25
    p-Emittergebiet
    27
    Vorderseitenmetall
    28
    Rückseitenmetall
    a
    Feldverteilung im Sperrfall eines erfindungsgemäßen IGBT
    b
    Feldverteilung im Sperrfall eines herkömmlichen IGBT
    U
    Unterbrechungsstelle
    D
    seitliches Diffusionsgebiet

Claims (10)

  1. Halbleiterbauelement mit einer vor einem Emitter (13; 25) eines ersten Leitungstyps (p) in Richtung zu einer mit Dotierstoff eines zweiten Leitungstyps (n) niedrig dotierten Basiszone (11; 21) lateral durchgehend ausgebildeten Feldstoppzone (14,; 24), die mit Dotierstoff des zweiten Leitungstyps dotiert ist und insofern inhomogen ausgebildet ist, dass sie Stellen mit einer höheren Dotierung pro Flächeneinheit und Stellen (D) mit einer niedrigeren Dotierung pro Flächeneinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Dotierung pro Flächeneinheit der geringer dotierten Stellen (D) der Feldstoppzone (14; 24) kleiner als eine Differenz aus der Durchbruchsladung und der in der Basiszone (11; 21) pro Flächeneinheit vorhandenen Dotierung ist, so dass die Feldstoppzone (14; 24) im Sperrfall des Halbleiterbauelements einen Durchgriff des elektrischen Feldes in Richtung zum Emitter (13; 25) zulässt.
  2. Halbleiterbauelement mit einem vor einem Emitter (13; 25) eines ersten Leitungstyps (p) in Richtung zu einer mit Dotierstoff eines zweiten Leitungstyps (n) niedrig dotierten Basiszone (11; 21) ausgebildeten Feldstoppzone (14; 24), die mit Dotierstoff des zweiten Leitungstyps dotiert ist und insofern inhomogen ausgebildet ist, dass sie Stellen mit einer höheren Dotierung pro Flächeneinheit und Stellen mit einer niedrigeren Dotierung pro Flächeneinheit aufweist, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldstoppzone (14; 24) in der Basiszone (11) unmittelbar an den Emitter (13; 25) anschließt und dass die Stellen mit der geringeren Dotierung pro Flächeneinheit durch Unterbrechungen (U) in der Feldstoppzone (14; 24) gebildet sind, wobei die Dotierung an den Unterbrechungen (U) mit der Dotierung der Basiszone (11; 21) übereinstimmt, und dass die Dotierung pro Flächeneinheit der Feldstoppzone (14; 24) insgesamt so gewählt ist, dass sie im Sperrfall einen Durchgriff des elektrischen Feldes in Richtung zum Emitter (13; 25) zulässt.
  3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die geringer dotierten Stellen (D) der Feldstoppzone (14) durch den aus Stellen der Feldstoppzone (14) mit höherer Dotierung lateral diffundierten Dotierstoff dotiert sind.
  4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Unterbrechungsstellen (U) in der Feldstoppzone (14; 24) streifenförmig oder kreisförmig oder polygonförmig, zum Beispiel quadratisch, ausgebildet sind.
  5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldstoppzone (14) in definiertem Abstand (d) vor dem Emitter (13) liegt.
  6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Feldstoppzone (14) an den Emitter (13) angrenzt.
  7. Halbleiterbauelement nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, dass es als ein vertikales Halbleiterelement gestaltet ist, dessen Emitter (13; 25) ein Rückseitenemitter ist.
  8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass es ein IGBT (10) ist und dass sein Emitter (14) p-dotiert ist.
  9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, dass es eine Diode (20) ist, deren n-dotierter Emitter (23) an bestimmten Stellen durch p-dotierte Gebiete (25) ersetzt ist.
  10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, dass die p-dotierten Gebiete (25) im n-dotierten Emitter (23) an den Unterbrechungsstellen (U) der Feldstoppzone (24) liegen.
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