KR970023453A - 플래쉬 메모리 장치 - Google Patents

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KR970023453A
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Abstract

본 발명은 플래쉬 메모리 장치에 관한 것으로서, 셀어레이를 다수의 셀 블럭으로 분할시켜 NQP 회로로 셀을 구동시킬때 걸리는 부하(loading)를 최소화시킬 수 있도록 하므로써, 원하는 레벨의 NQP 전압을 신속하게 얻을 수 있도록 한 플래쉬 메모리 장치에 관한 것이다.

Description

플래쉬 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 플래쉬 메모리 장치의 블럭도.

Claims (8)

  1. 플래쉬 메모리 장치에 있어서, 다수의 각기 다른 제어신호를 입력으로 하는 셀블럭 콘트롤 회로와, 상기 셀블럭 콘트롤회로의 출력 신호 및 소거신호의 입력에 따라 다수의 셀블럭중 어느 한 셀블럭을 선택하기 위한 셀블럭 선택회로와, 네가티브 챠지펌프 회로에 접속되며 상기 셀블럭 선택회로의 출력신호에 따라 셀 블럭을 선택적으로 구동시키는 네가티브 챠지펌프 바이어스 구동회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 셀블럭 콘트롤 회로는 블럭 소거신호 및 기준 클럭신호를 입력으로 하여 셀블럭 선택회로를 구동시키기 위한 클럭신호를 발생시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 셀블럭 콘트롤 회로는 새로운 셀블럭이 선택될때 소거상태를 소거 바이어싱 상태로 스테이트 카운터를 리셋시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 셀블럭 콘트롤 회로는 최종블럭의 소거동작이 끝났을때 소거종료 신호를 발생시키도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 셀블럭 선택회로는 소거신호를 입력으로 하는 라이징 엣지 검출회로와, 상기 라이징 엣지 검출회로의 출력신호 및 상기 셀블럭 콘트롤 회로의 출력신호인 클럭신호에 따라 상기 제1 및 제2플립플롭 회로의 출력신호가 변화되어 다수의 셀블럭중 어느 한 셀블럭을 선택하도록 하는 블럭선택 디코더로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 셀블럭 선택회로는 소거신호에 의해 스테이트 카운터 출력이 선택되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 네가티브 챠지펌프 바이어스 구동회로는 네가티브 챠지펌프의 출력단자로부터 다수의 네가티브 챠지펌프 구동회로의 출력신호를 입력으로 하는 다수의 패스 트랜지스터를 통해 다수의 셀블럭이 대응하여 접속 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
  8. 제7항에 있어서, 상기 다수의 네가티브 챠지펌프 구동회로는 상기 다수의 패스 트랜지스터의 입력단자 및 네가티브 챠지펌프의 출력단자간에 각각 직렬접속되며 캐패시터 및 낸드게이트를 통해 각각의 셀 블럭 선택 회로 및 기준클럭 신호의 입력에 따라 교호로 동작되며 PMOS 트랜지스터로 구성되는 것을 특징으로 하는 플래쉬 메모리 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950035938A 1995-10-18 1995-10-18 플래쉬 메모리 장치 KR0172532B1 (ko)

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