KR960019736A - 반도체 기억장치 - Google Patents

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KR960019736A
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준이치 오카무라
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사토 후미오
가부시키가이샤 도시바
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Abstract

본 발명은 반도체 기억장치는 메모픽셀 어레이와, 열선택 트랜지스터 및 센스앰프회로를 열형태로 배치하여 구성한 코어부 주변회로를 복수개 교대로 배치하여 구성한 메모리셀 블럭, 복수의 메모리셀 어레이에 걸쳐 연장한 복수의 열선택선(CSL), 열선택선 선택회로(2), 코어부 주변회로에 걸쳐 배열설치된 제1 및 제2센스앰프 구동선(/SAN,/DSSA), 이를 구동하는 센스앰프 구동선 선택회로(4,5), 저항소자(Q6) 및, 센스앰프회로와 제2센스앰프 구동선(/DSSA)의 사이에 접속되고 열선택선(CSL)에 의해 구동되는 센스앰프 활성화 트랜지스터(Q5)를 구비한다.
본 발명을 이용함으로써 칩 면적을 증대시키지 않고, 소비전력을 증대시키지 않으면서 고속화를 달성한 반도체 기억장치를 제공할 수 있다.

Description

반도체 기억장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 주요부를 나타낸 회로도,
제2도는 본 발명의 실시예의 반도체 기억장치를 나타낸 평면도.

Claims (5)

  1. 복수의 메모리셀을 행렬형태로 배치하여 동일열에 존재하는 상기 메모리셀을 동일의 비트선쌍에서 접속하여 구성한 메모리셀 어레이(Cell)와, 상기 비트선장에 각각 접속된 복수의 열선택 트랜지스터 및 상기 비트선쌍에 각각 접속된 복수의 센스앰프회로를 열형태로 배치하여 구성한 코어부 주변회로(S/A, 1)를 복수개 교대로 배치하여 구성한 메모픽셀 블럭, 상기 복수의 메모리셀 어레이에 걸쳐 연장하여 상기 비트선쌍과 평행하게 배열설치되어 동일열에 존재하는 복수의 상기 열선택 트랜지스터를 선택 구동하는 복수의 열선택선(CSL), 이 열선택선(CSL)을 외부로부터 입력된 제1어드레스 신호에 기포하여 상기 열선택선(CSL)을 선택하고 이를 구동하는 열선택선 선택회로(2), 상기 코어부 주변회로에 걸쳐 배열설치된 각각 복수의 제1 및 제2센스앰프 구동선(/SAN,/DSSA), 외부로부터 입력된 제2어드레스 신호에 기초하여 상기 제1 및 제2센스앰프 구동선(/SAN,/DSSA)을 선택하고 이를 구동하는 센스앰프 구동선 선택회로(4,5), 상기 복수의 센스앰프회로와 상기 제1센스앰프 구동선(/SAN)의 사이에 각각 배치된 복수의 저항소자(Q6) 및, 상기 복수의 센스앰프회로와 상기 제2센스앰프 구동선(/DSSA)의 사이에 각각 접속되고, 상기 열선택선(CSL)에 의해 구동되는 복수의 센스앰프 활성화 트랜지스터(Q5)를 구비하여 구성된 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 저항소자는 게이트에 소정 전위가 인가된 MOS트랜지스터인 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 코어부 주변회로는 인접하는 2개의 메모리셀 어레이에 의해 공용되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 센스앰프 구동선 선택회로는 복수의 구동용 MOS트랜지스터를 분산하여 배치한 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 센스앰프 구동선 선택회로(4,5)의 구동능력은 제2센스앰프 구동선(/DSSA)보다도 제1센스앰프 구동선(/SAN) 쪽이 구동능력이 높은 것을 특징으로 하는 반도체 기억장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950040584A 1994-11-10 1995-11-10 반도체 기억장치 KR100197764B1 (ko)

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