KR960018775A - 티타닐옥시프탈로시아닌 결정, 그의 제조 방법 및 상기 결정을 사용한 전자사진 감광체 - Google Patents
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Abstract
전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정은 방사선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절 스펙트럼에서, 최대 회절 강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 희절강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰된다. 이외에, 전자사진 감광체는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정을 전하 발생 물질로서 갖는다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스펙트럼의 패턴.
제6도는 본 발명에 따른 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스펙트럼의 패턴, I-형 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스펙트럼의 패턴 및 α-형 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스팩트럼의 패턴, 제7도는 본 발명에 따른 전자사진 감광체의 바람직한 태양 중 하나의 개략적 단면도.
Claims (20)
- 방사선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절 스펙트럼에서, 최대 회절강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 회절 강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰되는 것인, 전자사진 감광체의 전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정.
- 전도성 기판 ; 방서선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절 스펙트럼에서, 최대 회절 강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 회절 강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.6°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14,88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정인 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 포함하는 감광층으로 이루어진 전자사진 감광체.
- 제2항에 있어서, 상기 감광층이 상기 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층 및 상기 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층으로 이루어진 것인 전자사진 감광체.
- 제2항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 히드라존 화합물인 것인 전자사진 감광체.
- 제4항에 있어서, 상기 히드라존 화합물이 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 것인 전자사진 감광체.상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기, 아랄킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, R1및 R2는 함께 결합되어 고리를 형성할 수 있으며, 또한 R1또는 R2는 R5와 함께 결합되어 고리를 형성할 수도 있다.
- 제2항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 디스티릴 화합물인 것인 전자사진 감광체.
- 제6항에 있어서, 상기 디스티릴 화합물이 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 것인 전자사진 감광체.상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, Ar은 아릴기 또는 방향족 헤테로시클릭기이다.
- 제2항에 있어서, 하부 코팅층이 상기 전도성 기판 및 상기 감광층 사이에 형성되는 것인 전자사진 감광체.
- 제8항에 있어서, 상기 하부 코팅층이 멜라민 수지, 방향족 카르복실산 및 (또는) 방향족 카르복실산 무수물을 주성분으로 하고, 요오드가 그 위에 정착된 경화 필름인 것인 전자사진 감광체.
- 50℃의 온도에서 기계력하에, 이온성 물질이 용해되어 있는 수용액에 소정량의 비정질 티타닐옥시프탈로시아닌을 분산시켜 미세 분산액으로 이루어진 혼합물을 얻는 단계 ; 상기 혼합물에 비수성 유기 용매를 첨가하여 티타닐옥시프탈로시아닌의 분산액을 수성상으로부터 비수성 유기 용매상으로 이동시키는 단계 ; 및 상기 비수성 유기 용매상을 제거하여, 방사선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절스펙트럼에서, 최대 회절 강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 회절 강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 펠릿을 얻는 단계로 이루어진, 전자사진 감광체의 전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌의 제조 방법.
- 허용 오차 ±1%에서 a=16.3058Å, b=23.078Å, c=8.7155Å, α=101.352°, β=23.078° 및 γ=117.530°의 격자 상수를 갖는, 전자사진 감광체의 전하 발생층으로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정.
- 전도성 기판 ; 및 허용 오차 ±1%에서 a=16.3058Å, b=23.078Å, c=8.7155Å α=101.352°, β=23.078° 및 γ=117.530°의 격자 상수를 갖는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정인 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 포함하는 감광층으로 이루어진 전자사진 감광체.
- 제12항에 있어서, 상기 감광층이 상기 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층 및 상기 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층으로 이루어진 것인 전자사진 감광체.
- 제12항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 히드라존 화합물인 것인 전자사진 감광체.
- 제14항에 상기 히드라존 화합물이 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 것인 전자사진 감광체.상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기, 아릴킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, R1및 R2는 함께 결합되어 고리를 형성할 수 있으며, 또한 R1또는 R2는 R5와 함께 결합되어 고리를 형성할 수도 있다.
- 제12항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 디스티릴 화합물인 것인 전자사진 감광체.
- 제16항에 있어서, 상기 디스티릴 화합물이 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 것인 전자사진 감광체.상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, Ar은 아릴기 또는 방향족 헤테로시클릭기이다.
- 제12항에 있어서, 하부 코팅층이 상기 전도성 기판 및 상기 감광층 사이에 형성되는 것인 전자사진 감광체.
- 제18항에 있어서, 상기 하부 코팅층이 멜라민 수지, 방향족 카르복실산 및 (또는) 방향족 카르복실산 무수물을 주성분으로 하고 요오드가 그 위에 정착된 경화 필름인 것인 전자사진 감광체.
- 50℃의 온도에서 기계력하에, 이온성 물질이 용해되어 있는 수용액에 소정량의 비정질 티타닐옥시프탈로시아닌을 분산시켜 미세 분산액으로 이루어진 혼합물을 얻는 단계 ; 상기 혼합물에 비수성 유기 용매를 첨가하여 티타닐옥시프탈로시아닌의 분산액을 수성상으로부터 비수성 유기 용매상으로 이동시키는 단계 ; 및 상기 비수성 유기 용매상을 제거하여 허용 오차 ±1%에서 a=16.3058Å, b=23.078Å, c=8.7155Å, α=101.352°, β=23.078° 및 γ=117.530°의 격자 상수를 갖는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 펠릿을 얻는 단계로 이루어진, 전자사진 감광체의 전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 제조 방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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