KR960018775A - 티타닐옥시프탈로시아닌 결정, 그의 제조 방법 및 상기 결정을 사용한 전자사진 감광체 - Google Patents

티타닐옥시프탈로시아닌 결정, 그의 제조 방법 및 상기 결정을 사용한 전자사진 감광체 Download PDF

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Abstract

전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정은 방사선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절 스펙트럼에서, 최대 회절 강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 희절강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰된다. 이외에, 전자사진 감광체는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정을 전하 발생 물질로서 갖는다.

Description

티타닐옥시프탈로시아닌 결정, 그의 제조 방법 및 상기 결정을 사용한 전자사진 감광체
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제5도는 본 발명에 따른 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스펙트럼의 패턴.
제6도는 본 발명에 따른 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스펙트럼의 패턴, I-형 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스펙트럼의 패턴 및 α-형 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 X선 회절 스팩트럼의 패턴, 제7도는 본 발명에 따른 전자사진 감광체의 바람직한 태양 중 하나의 개략적 단면도.

Claims (20)

  1. 방사선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절 스펙트럼에서, 최대 회절강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 회절 강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰되는 것인, 전자사진 감광체의 전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정.
  2. 전도성 기판 ; 방서선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절 스펙트럼에서, 최대 회절 강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 회절 강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.6°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14,88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정인 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 포함하는 감광층으로 이루어진 전자사진 감광체.
  3. 제2항에 있어서, 상기 감광층이 상기 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층 및 상기 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층으로 이루어진 것인 전자사진 감광체.
  4. 제2항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 히드라존 화합물인 것인 전자사진 감광체.
  5. 제4항에 있어서, 상기 히드라존 화합물이 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 것인 전자사진 감광체.
    상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기, 아랄킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소 원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, R1및 R2는 함께 결합되어 고리를 형성할 수 있으며, 또한 R1또는 R2는 R5와 함께 결합되어 고리를 형성할 수도 있다.
  6. 제2항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 디스티릴 화합물인 것인 전자사진 감광체.
  7. 제6항에 있어서, 상기 디스티릴 화합물이 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 것인 전자사진 감광체.
    상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, Ar은 아릴기 또는 방향족 헤테로시클릭기이다.
  8. 제2항에 있어서, 하부 코팅층이 상기 전도성 기판 및 상기 감광층 사이에 형성되는 것인 전자사진 감광체.
  9. 제8항에 있어서, 상기 하부 코팅층이 멜라민 수지, 방향족 카르복실산 및 (또는) 방향족 카르복실산 무수물을 주성분으로 하고, 요오드가 그 위에 정착된 경화 필름인 것인 전자사진 감광체.
  10. 50℃의 온도에서 기계력하에, 이온성 물질이 용해되어 있는 수용액에 소정량의 비정질 티타닐옥시프탈로시아닌을 분산시켜 미세 분산액으로 이루어진 혼합물을 얻는 단계 ; 상기 혼합물에 비수성 유기 용매를 첨가하여 티타닐옥시프탈로시아닌의 분산액을 수성상으로부터 비수성 유기 용매상으로 이동시키는 단계 ; 및 상기 비수성 유기 용매상을 제거하여, 방사선원으로서 CuKa를 사용하는 X선 회절법을 수행함으로써 얻은 X선 회절스펙트럼에서, 최대 회절 강도가 9.6°±0.2°의 브랙 각(2θ)에서 관찰되고, 회절 강도의 명백한 피이크가 각각 7.22°±0.2°, 9.60°±0.2°, 11.60°±0.2°, 13.40°±0.2°, 14.88°±0.2°, 18.34°±0.2°, 23.62°±0.2°, 24.14°±0.2° 및 27.32°±0.2°에서 관찰되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 펠릿을 얻는 단계로 이루어진, 전자사진 감광체의 전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌의 제조 방법.
  11. 허용 오차 ±1%에서 a=16.3058Å, b=23.078Å, c=8.7155Å, α=101.352°, β=23.078° 및 γ=117.530°의 격자 상수를 갖는, 전자사진 감광체의 전하 발생층으로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정.
  12. 전도성 기판 ; 및 허용 오차 ±1%에서 a=16.3058Å, b=23.078Å, c=8.7155Å α=101.352°, β=23.078° 및 γ=117.530°의 격자 상수를 갖는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정인 전하 발생 물질과 전하 수송 물질을 포함하는 감광층으로 이루어진 전자사진 감광체.
  13. 제12항에 있어서, 상기 감광층이 상기 전하 발생 물질을 포함하는 전하 발생층 및 상기 전하 수송 물질을 포함하는 전하 수송층으로 이루어진 것인 전자사진 감광체.
  14. 제12항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 히드라존 화합물인 것인 전자사진 감광체.
  15. 제14항에 상기 히드라존 화합물이 하기 일반식 (Ⅱ)로 표시되는 것인 전자사진 감광체.
    상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기, 아릴킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, R1및 R2는 함께 결합되어 고리를 형성할 수 있으며, 또한 R1또는 R2는 R5와 함께 결합되어 고리를 형성할 수도 있다.
  16. 제12항에 있어서, 상기 전하 수송 물질이 디스티릴 화합물인 것인 전자사진 감광체.
  17. 제16항에 있어서, 상기 디스티릴 화합물이 하기 일반식 (Ⅲ)으로 표시되는 것인 전자사진 감광체.
    상기 식 중, R1, R2, R3및 R4는 각각 치환될 수 있는 알킬기 및 아릴기로부터 선택되는 기이고, R5는 수소원자, 할로겐 원자, 알킬기 및 알콕시기로부터 선택되는 원자 또는 기이며, Ar은 아릴기 또는 방향족 헤테로시클릭기이다.
  18. 제12항에 있어서, 하부 코팅층이 상기 전도성 기판 및 상기 감광층 사이에 형성되는 것인 전자사진 감광체.
  19. 제18항에 있어서, 상기 하부 코팅층이 멜라민 수지, 방향족 카르복실산 및 (또는) 방향족 카르복실산 무수물을 주성분으로 하고 요오드가 그 위에 정착된 경화 필름인 것인 전자사진 감광체.
  20. 50℃의 온도에서 기계력하에, 이온성 물질이 용해되어 있는 수용액에 소정량의 비정질 티타닐옥시프탈로시아닌을 분산시켜 미세 분산액으로 이루어진 혼합물을 얻는 단계 ; 상기 혼합물에 비수성 유기 용매를 첨가하여 티타닐옥시프탈로시아닌의 분산액을 수성상으로부터 비수성 유기 용매상으로 이동시키는 단계 ; 및 상기 비수성 유기 용매상을 제거하여 허용 오차 ±1%에서 a=16.3058Å, b=23.078Å, c=8.7155Å, α=101.352°, β=23.078° 및 γ=117.530°의 격자 상수를 갖는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 펠릿을 얻는 단계로 이루어진, 전자사진 감광체의 전하 발생 물질로서 사용되는 티타닐옥시프탈로시아닌 결정의 제조 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019950043218A 1994-11-24 1995-11-23 티타닐옥시프탈로시아닌결정,그의제조방법및상기결정을사용한전자사진감광체 KR100302427B1 (ko)

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