JPH03288157A - 電子写真感光体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は電子写真感光体に関するものであり、更に詳し
くは、特定の化合物を電子写真感光体層の下引き層とし
て用いることにより、帯電性と感度が向上した電子写真
感光体に関する。

［従来の技術およびその課題］ 従来、電子写真方式において使用される感光体の光導電
材料として、セレン（Ｓｅ）、硫化カドミウム（ＣｄＳ
）　、酸化亜鉛（ＺｎＯ）　、アモルファスシリコ・ン
（ａ−８ｉ　）等の無機物質がある。

これらの無機系感光体は多くの長所を持っているが、そ
れと同時に種々の欠点、例えば有害であることや、コス
ト高であること等の欠点を持っている。このため、近年
になって、これらの欠点のない有機物質を用いた有機感
光体が数多く提案され、実用化に供されている。

また、これらの感光体の構造としては、電荷担体を発生
する材料（以下、電荷発生材料と呼称する。）と、発生
した電荷担体を受は入れ、これを移動させる材料（以下
、電荷移動材料と呼称する。）とを別々の層にした機能
分離型感光体を有する多層構造と、電荷担体発生と電荷
移動とを同一材料で行う単層タイプ感光体を有する単層
構造か挙げられるが、多層構造の方が材料の選択の幅が
大きく、かつ高感度になることから、多く採用されてい
る。

さらに、この電子写真感光体層の帯電位の保持率を上げ
るために、電子写真感光体層と導電性基体との間に下引
き層が設けられている。

［発明が解決しようとする課題］ ところで、上記の下引き層において、その膜厚を上げる
と表面電位の保持率が向上するが、露光を行った際に電
子写真感光体層から導電性基体へのキャリアの注入が悪
くなるため感度が低下し、残留電位が高くなるという問
題があった。

本発明は以上述べたような従来の事情に鑑みてなされた
もので、電子写真感光体層の表面電位の保持率が高く、
かつ露光時のキャリアの注入も良好な下引き材料を用い
た電子写真感光体を提供することを目的とする。

［課題を解決するための手段］ 本発明者らは従来の状況に鑑みて研究を続けた結果、ナ
イロン６のアミド結合を部分的にＮ−メトキシメチル化
することにより、膜厚を上げた場合にも感度の低下が少
なく、残留電位の上昇もない低級アルコール可溶性の下
引き材料が得られることを見い出した。

すなわち本発明は、導電性基体の表面に下引き層、電子
写真感光体層を順次積層してなる電子写真感光体におい
て、下引き層が一般式［■］：（式中、ｍ／ｎは０．１
より大きい実数を表し、かつｎはＯではない。） で示される高分子物質を含有することを特徴とする電子
写真感光体である。

また、電子写真感光体層中に含ませる電荷発生材料は、
無金属フタロシアニン窒素同構体、金属フタロシアニン
窒素同構体、無金属フタロシアニン、金属フタロシアニ
ン、無金属ナフタロシアニンまたは金属ナフタロシアニ
ン（ただし、無金属フタロシアニン窒素同構体、金属フ
タロシアニン窒素同構体、無金属フタロシアニンおよび
金属フタロシアニンはベンゼン核に置換基を有してもよ
く、また、無金属ナフタロシアニンおよび金属ナフタロ
シアニンはナフチル核に置換基を有してもよい。）のう
ちの１種もしくは２種以上を全体で５０重量部以下と、
チタニルフタロシアニンを１００重量部含む組成物結晶
を有効成分とし、該組成物結晶は、赤外吸収スペクトル
において、１４９０±２Ｃ１ｆｔ−１，１４１５±２ｃ
ｍ−Ｉ−’、１３３２±２Ｃｍ−’、１１１９±２　Ｃ
１ｆｔ−１，１０７２±２ＣＩＲ−’、１０６０±２　
ｃｍ−’　　９６１±２ｃｍ”　　　８９３±２　ｃｔ
ｎ−’　　　７８０±２　ｃｍ−’　　　７５１±２ｃ
Ｉｎ−１および７３０±２ＣＩＡ−’に特徴的な強い吸
収を有するものであることを好適とする。

本発明の下引き層に用いられる部分Ｎ−メトキシメチル
化アミド樹脂は、ナイロン６とホルムアルデヒドおよび
メタノールを反応させることにより合成でき、その分子
量は１ｏｏｏ〜５０００００のものが適当である。メト
キシメチル置換度が上昇するにつれて、アミド樹脂は結
晶性が低下し、融点、軟化温度も低下する。メトキシメ
チル置換度が約３０％で軟化温度は約１５０〜１６０℃
となる。電子写真感光体の下引き材料としては、メトキ
シメチル置換度が１８％から６０％程度のものが適して
いる。

この部分Ｎ−メトキシメチル化アミド樹脂は、メチルア
ルコール、エチルアルコール、Ｎ−プロピルアルコール
、インプロピルアルコール等の脂肪族低級アルコールお
よびフェノール、クレゾール等の芳香族アルコールに可
溶である。溶剤への溶解方法としては、加温しながら１
時間程度攪拌するという方法が望ましい。

塗工は浸漬コーティング法、スプレーコーティング法、
ワイヤーバーコーティング法、ブレードコーティング法
、ローラーコーティング法などのコーティング法を用い
て行うことができる。下引き層の膜厚は、０．１〜２．
０／ｊＪｍ程度が望ましい。

本発明における感光体の構造としては、第１図に示すよ
うに、電子写真感光体層が電荷発生層３と電荷移動層４
とに機能分離したものが挙げられる。また、第２図に示
すように、電荷発生材料と電荷移動材料が電子写真感光
体層５中に分散した構造でもかまわない。これらの電子
写真感光体層はいずれも下引き層２を介して導電性基体
１上に形成される。

本発明で用いられる導電性基体としては、アルミニウム
、ニッケル、クロムなどからなる金属板。

金属ドラムまたは金属箔、およびアルミニウム。

酸化スズ、酸化インジウム、クロムなどの薄層を設けた
プラスチックフィルムおよび導電性物質を塗布または含
浸させた紙またはプラスチックフィルムなどが用いられ
る。

電荷発生材料としては公知の光導電材料であるＳｅ、Ｃ
ｄＳ、ＺｎＯ等の無機材料、あるいはＣｕ、ＡＩ　　Ｉ
ｎ、Ｔｉ、Ｐｂ、Ｖ等の金属原子を有するフタロシアニ
ン類、更にはアゾ系顔料。

ビスアゾ系顔料あるいはシアニン系顔料等の有機材料を
単独おるいは混合して使用できる。それらの中で、特に
特開平０１−１４４８８９号公報に開示されたチタニル
フタロシアニン組成物結晶を使用すると高い感度が得ら
れる。

電荷発生層を塗布により形成する際に用いられるバイン
ダ樹脂としては、種々の絶縁性樹脂から選択でき、また
ポリ−Ｎ−ビニルカルバゾール、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルピレンなどの有機光導電性ポリマーから
も選択できる。好ましく１ま、フェノール樹脂、ユリア
樹脂、メラミン樹脂、エポキシ樹脂、ケイ素樹脂、塩化
ビニル−酢酸ビニル共重合体、ブチラール樹脂、キシレ
ン樹脂、ウレタン樹脂、アクリル樹脂、ポリカーボネー
ト樹脂、ポリアクリレート樹脂、飽和ポリエステル樹脂
、フェノキシ樹脂などが挙げられる。

電荷発生層中に含有するフタロシアニン化合物等の電荷
発生材料の割合は、電荷発生層に対して０．０５〜９０
重量％、好ましくは３０〜６５重量％が適している。

また、これらの樹脂を溶解する溶剤は樹脂の種類によっ
て異なり、ざらに後述する電荷移動層や下引き層を溶解
しないものの中から選択することが望ましい。具体的な
有機溶剤としては、アセトン、メチルエチルケトン、シ
クロヘキサンなどのケトン類、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、　Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドなどのアミド
類、テトラヒドロフラン、ジオキサン、エチレングリコ
ールモノメチルエーテルなどのエーテル類、酢酸メチル
、酢酸エチルなどのエステル類、クロロホルム、塩化メ
チレン、ジクロロエチレン、四塩化炭素、トリクロロエ
チレンなどの脂肪族ハロゲン化炭化水素類、あるいはベ
ンゼン、トルエン、キシレン、モノクロルベンゼン、ジ
クロルベンゼンなどの芳香族類などを用いることができ
る。この際の電荷発生層の膜厚は、感度等の確保のため
０．１〜０．５ＪＪ！ｎ程度が望ましい。

電荷移動層は、電荷移動材料を単体または結着性樹脂に
溶解、分散させて形成される。電荷移動物質は、公知の
正孔移動型の電荷移動剤のいずれも用いることができる
。

具体的には、ピレン、Ｎ−エチルカルバゾール、Ｎ−イ
ソプロピルカルバゾール、Ｎ−メチル−Ｎ−フェニルヒ
ドラジノ−３−メチリデン−９−エチルカルバゾール、
Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−３〜メチリデン−９−
エチルカルバゾール、Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラジノ−
３−メチリデン−１０−エチルフェノチアジン、Ｎ、Ｎ
−ジフェニルヒドラジノ−３−メチリデン−１０−エチ
ルフェノキサジン、叶ジエチルアミノベンズアルデヒド
−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルアミノ
ベンズアルデヒド−Ｎ−α−ナフチル−Ｎ−フェニルヒ
ドラゾン、２−メチル−４−ジベンジルアミノベンズア
ルデヒド−１°−エチル−ベンゾチアゾリルヒドラゾン
、２−メチル−４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
−１°−プロピル−１゛−ベンゾチアゾリルヒドラゾン
、２−メチル−４−ジベンジルアミノベンズアルデヒド
−１’−１’−ジフェニルヒドラゾン。

９−■チルカルバゾールー −１−フェニルヒドラゾン、１−ベンジル−１．２，３
．４−テトラヒドロキノン−６−カルボキシアルデヒド
１゛，１−ジフェニルヒドラゾン、ｐ−ジエチルベンズ
アルデヒド−３−メチルベンズチアゾリノン−２−ヒド
ラゾン等のヒドラゾン類、２．５−ビス（ｐ−ジエチル
アミノフェニル）−１．３．４−オキサジアゾール、１
−フェニル−３〜（叶ジエチルアミノスチリル）　−５
−（１）−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリン、１−
［キノリル（２）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリ
ル）　−５−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラゾリ
ン、１−［ピリジル（２）］−３−（叶ジエチルアミノ
スチリル）−５＝（ｐ−ジエチルアミノフェニル）ピラ
ゾリン、１−［６−メドキシーピリジル（２）］−３−
　（叶ジエチルアミノスチリル）　−５−（叶ジエチル
アミノフェニル）ピラゾリン、１−［ピリジル（３）］
−３−（叶ジエチルアミノスチリル）　−５−（叶ジエ
チルアミノスチリル）ピラゾリン、１−［ピリジル（２
）］−３−（ｐ−ジエチルアミノスチリル）−４−メチ
ル−５−（叶ジエチルアミノフ工二ル）ピラゾリン、１
−［ピリジル（２）］−３−（α−メチル−ｐ−ジエチ
ルアミノスチリル）　−５−（ｐ−ジエチルアミノフェ
ニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（ｐ−ジエチル
アミノスチリル）−４−メチル−５−（叶ジエチルアミ
ノフェニル）ピラゾリン、１−フェニル−３−（α−ベ
ンジル−叶ジエチルアミノスチリル）−５−（叶ジエチ
ルアミノフェニル）−６−ピラゾリン。

スピロピラゾリンなどのピラゾリン類、２−（叶ジエチ
ルアミノスチリル）−６−ジニチルアミノベンズオキサ
ゾール、２−（ｐ−ジエチルアミノフェニル）−４−（
叶ジエチルアミノフェニル）　−５−（２−クロロフェ
ニル）オキサゾール等のオキサゾール系化合物、ビス（
４−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル）−フェニル
メタン等のトリアリールメタン系の化合物、１、１−ビ
ス（４−Ｎ，Ｎ−ジエチルアミノ−２−メチルフェニル
）へブタン、　１，１，２．２−テトラキス（４−Ｎ，
Ｎ−ジメチルアミン−２−メチルフェニル）エタン等の
ポリアリールアルカン類、１，１−ジフェニル−ｐ−ジ
フェニルアミノエチレン等のスチルベン系化合物、４、
４°−（３−メチルフェニル）フェニルアミノビフェニ
ル等のトリアリールアミン系化合物、ポリ−トビニルカ
ルバゾール、ポリビニルピレン、ポリビニルアントラセ
ン、ポリビニルアクシジン、ポリ−９−ビニルフェニル
アントラセン、ピレン−ホルムアルデヒド樹脂、ポリメ
チルフェニルシリレン等のポリシリレン樹脂等がある。

、 これらの電荷移動材料は、１種または２種以上組み合わ
せて用いることができる。電荷移動層に用いられる樹脂
は、シリコン樹脂，ケトン樹脂。

ポリメチルメタクリレート、ポリ塩化ビニル、アクリル
樹脂，ボリアリレート、ポリエステル、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、アクリロニトリル−スチレンコポリ
マー、アクリロニトリル−ブタジェンコポリマー、ポリ
ビニルブチラール、ポリビニルホルマール、ポリスルホ
ン、ポリアクリルアミド、ポリアミド、塩素化ゴムなど
の絶縁性樹脂、ポリ−Ｎ−ビニルアントラセン、ポリビ
ニルピレンなどが用いられる。

塗工は、前述した電荷発生層と同様な方法を用いて行う
ことができ、乾燥後膜厚は５１１ｍから５０柳、望まし
くは１０ｔＩＩｎから２０ＪＪＩｆＩになるように塗工
されるのが望ましい。

本発明の電子写真感光体は、レーザービームプリンタの
みでなく、半導体レーザ等の波長が７５０〜８５０　ｎ
ｍの光源を使用したその他の各種光記憶デバイスにも応
用することができる。

［実施例］ 以下、本発明を具体的に説明するが、本発明はその要旨
を越えない限り、以下の実施例に限定されるものではな
い。

実施例１ 部分Ｎ−メトキシメチル化ポリアミド樹脂（ユニチカ製
Ｔ−８．メトキシメチル置換度＝約３１％）１５０重量
部をメタノール８５０重量部に溶解し、０．２庫の膜厚
となるようにアルミニウム板上に浸漬コーティング法を
用いて塗布し、５０℃で１時間乾燥して下引き層を得た
。

この下引き層上にチタニルフタロシアニン組成物結晶（
特開平０１−１４４８８９号公報参照）４重量部とポリ
ビニルブチラール樹脂３重量部をＴＨＦ３００重量部に
分散した溶液を浸漬コーティング法を用いて膜厚０．２
．ｍとなるように塗布し、５０℃で２時間乾燥し、電荷
発生層を形成した。

さらにこの電荷発生層の上に叶ジエチルアミノベンズア
ルデヒド−Ｎ、Ｎ−ジフェニルヒドラゾン３０重量部と
ポリカーボネート樹脂（三菱ガス化学社製Ｚ−２００）
　　３０重量部を塩化メチレン２４０重量部に溶解した
溶液を浸漬コーティング法を用いて、膜厚が１５庫とな
るように塗布し、８０℃で１時間乾燥し、電荷移動層を
形成した。

このようにして積層型の感光層を有する電子写真感光体
を得た。この感光体を静電複写紙試験装置（川口電機製
作所ＥＰＡ−８１００）を用いて、まず感光体を暗所で
−５，０ｋＶのコロナ放電により帯電させて放置し、５
秒間の電位保持率（Ｖ５／Ｖｏ）を測定した（ｖｏは初
期帯電位、ｖ５は５秒後の帯電位）。次いで、照度５（
ｌｕｘ）の白色光で露光し、表面電位が半分に減衰する
のに必要な露光量Ｅ　　　（ｌｕＸ−５）を求め、その
結果を第１表に１／２ 示した。

実施例２ 電荷発生剤として無金属フタロシアニンを用いた以外は
実施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、電位特
性を調べた。その結果を第１表に示す。

実施例３ 電荷移動剤としてトリアリールアミンを用いた以外は実
施例１と同様にして電子写真感光体を作製し、電位特性
を調べた。その結果を第１表に示す。

比較例１ 下引き層を用いない他は実施例１と同様にして電子写真
感光体を作製し、その電位特性を調べた。

その結果を第１表に示す。

比較例２ 下引き層としてポリカーボネート樹脂（三菱ガス化学社
製Ｚ−２００）を用いた他は実施例１と同様にして電子
写真感光体を作製し、その電位特性を調べた。その結果
を第１表に示す。

（以下余白） 第１表 Ｖｏ：コロナ放電による帯電位（Ｖ） Ｖ５　：５秒間放置後の表面電位（Ｖ）Ｅ　　：半減露
光量（ｌｕｘ−ｓ） １／２ ■、。、：露光後の残留電位（Ｖ） ［発明の効果］ 以上説明したように、本発明によれば部分Ｎ−メトキシ
メチル化ポリアミド樹脂を電子写真感光体層の下引き層
に用いることにより、帯電性に優れ、かつ感度も良好な
電子写真感光体が提供される。

それにより、工業的に極めて優れたレーザービ−ムプリ
ンタ等の光プリンタ用の電子写真感光体が得られる。

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図はそれぞれ本発明の電子写真感光体
の一例の部分断面図である。 １・・・導電性基体　　　　２・・・下引き層３・・・
電荷発生層　　　　４・・・電荷移動層５・・・電子写
真感光体層

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. （１）導電性基体の表面に下引き層、電子写真感光体層
   を順次積層してなる電子写真感光体において、下引き層
   が一般式［ I ］； ▲数式、化学式、表等があります▼・・・［ I ］ （式中、ｍ／ｎは０．１より大きい実数を表し、かつｎ
   は０ではない。） で示される高分子物質を含有することを特徴とする電子
   写真感光体。
2. （２）電荷発生材料が無金属フタロシアニン窒素同構体
   、金属フタロシアニン窒素同構体、無金属フタロシアニ
   ン、金属フタロシアニン、無金属ナフタロシアニンまた
   は金属ナフタロシアニン（ただし、無金属フタロシアニ
   ン窒素同構体、金属フタロシアニン窒素同構体、無金属
   フタロシアニンおよび金属フタロシアニンはベンゼン核
   に置換基を有してもよく、また、無金属ナフタロシアニ
   ンおよび金属ナフタロシアニンはナフチル核に置換基を
   有してもよい。）のうちの１種もしくは２種以上を全体
   で５０重量部以下と、チタニルフタロシアニンを１００
   重量部含む組成物結晶を有効成分とし、該組成物結晶は
   、赤外吸収スペクトルにおいて、１４９０±２ｃｍ＾−
   ＾１、１４１５±２ｃｍ＾−＾１、１３３２±２ｃｍ＾
   −＾１、１１１９±２ｃｍ＾−＾１、１０７２±２ｃｍ
   ＾−＾１、１０６０±２ｃｍ＾−＾１、９６１±２ｃｍ
   ＾−＾１、８９３±２ｃｍ＾−＾１、７８０±２ｃｍ＾
   −＾１、７５１±２ｃｍ＾−＾１および７３０±２ｃｍ
   ＾−＾１に特徴的な強い吸収を有することを特徴とする
   請求項（１）に記載の電子写真感光体。