KR960015977A - 재충전식 전지를 위해 내부에 분산된 다수의 개공들을 갖는 음극 활성 물질유지 본체를 갖는 음극, 상기 음극이 구비된 재충전식 전지 및 상기 음극 제조 공정 - Google Patents

재충전식 전지를 위해 내부에 분산된 다수의 개공들을 갖는 음극 활성 물질유지 본체를 갖는 음극, 상기 음극이 구비된 재충전식 전지 및 상기 음극 제조 공정 Download PDF

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Abstract

음극, 양극, 상기 음극과 상기 양극 간에 배치된 분리자, 및 상기 음극 및 상기 양극과 접촉하도록 배치된 전해질 또는 전해질 용액을 포함하는 높은 신뢰성을 가진 재충전식 전지에 있어서, 상기 음극에, 가) 전기 전도성 물질, 및 전지 반응에 기여하는 이온은 통과시키지만 충전 동작시 배치되는 음극 활성 물질을 통과시키지 않는 특성이 있는 나) 절연체 또는 반도체 물질을 포함하는 음극 활성 물질 유지 본체를 제공하고, 상기 음극 활성 물질 유지 본체의 다공성 비가 10% 이상으로 다수의 개공을 갖도록 한 것을 특징으로 한다.

Description

재충전식 전지를 위해 내부에 분산된 다수의 개공들을 갖는 음극 활성 물질유지 본체를 갖는 음극, 상기 음극이 구비된 재충전식 전지 및 상기 음극 제조 공정
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에 따른 재충전식 전지용 음극(anode)의 예를 도시하는 개략적인 단면도,
제2도는 본 발명에 따른 재충전식 전지의 예에 대한 구성을 도시하는 개략적인 다이어그램,
제3도는 본 발명에 따른 단일층시스템(single-layer s)stem) 플래트(flat)형 재충전식 전지의 예를 도시하는 개략적인 단면도.

Claims (87)

  1. 음극, 양극, 상기 양극과 상기 양극 사이에 배치된 분리자, 및 상기 음극 및 상기 양극과 접촉하도록 배치된 전해질 또는 전해질 용액을 포함하는 재충전식 전지에 있어서, 상기 음극 및 상기 양극 중에서, 적어도 음극은 (가) 전기 전도성 물질과, (나) 전지 반응에 기여하는 이온은 통과시키되, 충 전 동작시 피착된 음극활성 물질은 실질적으로 통과시키지 않는 특성을 갖는 절연체 또는 반도체 물질을 포함하는 음극 활성 물질유지 본체를 갖고, 상기 음극 활성 물질 유지 본체에는 다공성 비 10% 이상으로 다수의 개공이 분산되어 있는것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  2. 제1항에 있어서, 상기 음극은 음극 콜렉터를 갖은 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  3. 제l항에 있어서, 상기 개공은 절연체 또는 반도체 물질에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  4. 제1항에 있어서, 상기 음극 활성 물질 유지 본체에 분산된 개공은 0.15nm 내지 100nm 영역에서 크기 분산 피크 값을 갖은 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 절연체 또는 반도체 물질에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  6. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 접속되어 통합 접속부(integrae connection)를 갖도록 음극 활성 물질 유지 본체에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  7. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 통합 접속부를 갖은 것과 동시에 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 피복되도록 상기 절연체 또는 반도체 물질에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지.
  8. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 통합 접속부를 갖고 있는복수의 아일랜드(island)를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  9. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 피복됨과 동시에 이물질내에 분산되어 있는 복수의 아일랜드를 갖고, 상기 복수의 아일랜드는 통합 접속부를 갖도록 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  10. 제1항에 있어서, 상기 음극은 충전 또는 방전 사이클이 반복되어 반복적으로 팽창 또는 수축될때 거의 변형되거나 깨지지 않도록 하는 완충 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  11. 제2항에 있어서, 상기 음극 환성 물질 유지 본체의 전기 전도성 물질은 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  12. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 접속되어 통합 접속부를 갖도록 음극 활성 물질 유지 본체 내에 분산되어 있고, 상기 전기 전도성 물질이 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  13. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 통합 접속부를 가지는 것과 동시에 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 피복되도록 이물질 내에 분산되어 있으며, 상기 전기 전도성 물질이 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  14. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 통합 접속부를 갖은 복수의 아일랜드를 갖고 있으며, 상기 전기 전도성 물질은 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  15. 제2항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 피복됨과 동시에 이물질내에 분산되어 있는 복수의 아일랜드를 갖고, 상기 복수의 아일랜드는 통합 접속부를 갖도록 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 서로 접속되며, 상기 전기 전도성 물질은 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  16. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 유기 고분자 물질, 무기 고분자 물질, 및 이들 유기고분자 물질 및 무기 고분자 물질의 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부제롤 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  17. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 라운드 형(round form), 박편형의 형태(flake-like form), 체인 형의 형태(chain-like form), 스폰지 형의 형태(sponge-like form), 및 이들 형태들을 2 또는 그 이상결합시킨 형태로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 형태를 포함하는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  18. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 l㎡/g 이상의 특정한 표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지.
  19. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 전지 반응에 기여하는 이온 직경보다 큰 크기의 갭을 가진 분자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  20. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 전지 반응에 기여하는 이온은 통과시키되 충전 동작시에 배치된 음극 활성 물질이 통과되는 것을 실질적으로 방지할 수 있는 분자 구조 또는 이소 미소 개공을 갖은 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  21. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 비가용성 내지 전해질 또는 전해질 용액과는 반응하지 않는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  22. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 전자 기부 특성(electron donating property)을 가진 엘리먼트 혹은 그룹을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  23. 제22항에 있어서, 상기 전자 기부 특성을 가진 엘리먼트는 언페어드 일렉트론(unpaired electron), 페어드 일렉트론(paired electron), 및 디-일렉트론(d- electron)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전자(electron)를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  24. 제22항에 있어서, 상기 전자 기부 특성을 갖는 그룹은 n-일렉트론을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  25. 제22항에 있어서, 상기 전자 기부 특성을 갖는 엘리먼트는 적어도, 산소, 질소, 및 황산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 엘리먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  26. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질을 대형 고리 분자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  27. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 방향쪽 고리 분자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  28. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 붕소 수지인 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  29. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 에테르 본드(ether bond)를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  30. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 카르보닐 구룹을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  31. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 인 또는 질소 원자에 의해 제공되는 2중 결합(double bond)을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  32. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 유리질 금속 산화 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  33. 제1항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 가교 결합된 분자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  34. 제1항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 탄소, 그래파이트, Ni, Al, Cu, Ti, Pt 로부터 선택된 하나 이상의 물질, 이들 금속의 합금, 및 스체인레스 스틸을 포함하는 재충전식 전지.
  35. 제1항에 있어서, 충전 동작시에 배치되는 음극 활성 물질은 리튬인 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  36. 제 1항에 있어서, 충전 동작시에 배치되는 음극 활성 물질은 아연인 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  37. 제1항에 있어서, 상기 양극은 음극 활성 물질, 전기 전도성 물질, 및 절연체 또는 반도체 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  38. 제1항에 있어서, 상기 음극은 5% 이상의 다공비로 분산된 다수의 개공을 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  39. 제38항에 있어서, 상기 분산된 개공은 0.2㎜ 내지 100㎜ 영역에서 크기 분산 피크 값을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  40. 제37항에 있어서, 상기 양극의 절연체 또는 반도체 물질은 유기 고분자 물질, 무기 고분자 물질, 및 이들 우기 고분자 물질 및 무기 고분자 물질의 조성물로 이루어진 그룹으로부터 선택된 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  41. 제37항에 있어서, 상기 양극의 전기 전도성 물질은 라운드 형태, 박편형의 형태, 체인 형의 형태로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 형태 및 이들 형태들을 둘 또는 그 이상 결합시킨 형태를 포함하는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  42. 제37항에 있어서, 상기 양극의 절연체 또는 반도체 물질은 전자 기부 특성을 가진 엘리먼트 또는 그룹을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  43. 제42항에 있어서, 상기 자 기부 특성을 갖은 엘리먼트는 언메이드 일렉트론, 페어드 일랙트론, 및 디-일렉트론으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 일렉트론을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  44. 제42항에 있어서, 상기l 전자 기부 특성을 갖는 그룹은 n-일렉트론을 갖은 것을 특징으로 하는 제충전식 전지.
  45. 제42항에 있어서, 상기 전자 기부 특성을 가진 엘리먼트는 적어도 산소, 질소 및 황산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 엘리먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지.
  46. 재충전식 전지의 음극에 있어서, 상기 음극은, (가) 전기 전도성 물질과, (나) 전지 반응에 기여하는 이온은 통과시키되, 충전 동작시에 배치된 음극 활성 물질은 실질적으로 통과시키지 않는 특성을 갖은 절연체 또는 반도체 물질을 포함하는 음극 활성 물질 유리 본체를 갖고, 상기 음극 활성 물질 유지 본체에는 다공성 비 1O% 이상으로 다수의 개공이 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  47. 제46항에 있어서, 상기 음극은 음극 콜렉터를 갖은 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  48. 제46항에 있어서, 상기 개공은 절연체 또는 반도체 물질에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  49. 제46항에 있어서, 상기 음극 활성 물질 유지 본체에 분산된 개공은 0.15nm 내지 100nm 영역에서 크기 분산 괴크 값을 갖는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  50. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 절연체 또는 반도체 물질에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  51. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 접속되어 통합 접속부를 갖도록 상기 음극 활성 물질 유지 본체에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  52. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 통합 접속부를 갖은 것과 동시에 상기 절연체 또는 반도체물질에 의해 피복되도록 상기 절연체 또는 반도체 물질에 분산되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  53. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 통합 접속부를 갖고 있는 복수의 아일랜드를 갖은 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  54. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 피복됨과 동시에 이물질 내에 분산되어 있는 복수의 아일랜드를 갖고, 상기 복수의 아일랜드는 통합 접속부를 갖도록 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 서로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  55. 제46항에 있어서, 상기 음극은 충전 또는 방전 사이콜이 반복되어 반복적으로 팽창 또는 수축될때 거의 변형되거나 깨지지 않도록 하는 완충 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  56. 제47항에 있어서, 상기 음극 활성 물질 유지 본체의 전기 전도성 물질은 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 재충전식 전지 음극.
  57. 제47항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 접속되어 통합 접속부를 갖도록 음극 활성 물질 유지 본체 내에 분산되어 있고, 상기 전기 전도성 물질이 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 제총전식 전지 음극.
  58. 제47항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질이 통합 접속부를 가지는 것과 동시에 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 피복되도록, 이물질 내에 분산되어 있으며, 상기 전기 전도성물질이 걱어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접목되는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  59. 제47항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 통합 접속부를 갖는 복수의 아일랜드를 갖고 있으며, 상기 전기 전도성 물질은 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  60. 제47항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 상기 절연테 또는 반도체 물질에 의해 피복됨과 동시에 이물질 내에 분산되어 있는 복수의 아일랜드를 갖고, 상기 북수의 아일랜드는 통합 접속부를 같도록 상기 절연체 또는 반도체 물질에 의해 서로 접속되며, 상기 전기 전도성 물질은 적어도 상기 음극 콜렉터와 전기적으로 접촉되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  61. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 유기 고뷴자 물질, 무기 고분자 물질, 및 이들 유기 고분자 물질 치 무기 고분자 물질의 조성물로 이루어지 그룹으로부터 선택된 부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  62. 제46항에 있어서, 상기 전도성 물질은 라운드 형, 박편형의 형태, 체인형의 형태, 스폰지형의 형태, 및 이들 형태들을 2 또는 그 이상 결합시킨 형태로부터 선택된 하나 또는 그 이상의 형태를 포함하는 구성을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  63. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은1㎡/g 이상의 특정한 표면적을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  64. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도에 물질은 전지 반응에 기여하는 이온 직경보다 큰 크기의 갭을 가진 분자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  65. 제46항에 있어서, 사기 절연체 또는 반도체 물질은 전지 반응에 기여하는 이온은 통과시키되 충전 동작시에 배치된 음극 활성 물질이 통과되는 것을 실질적으로 방지할 수 있는 부자 구조 또는 미소 개공을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  66. 제46향에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질을 비가용성 내지 전해질 또는 전해질 용액과는 반응하지 않는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  67. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 전자 기부 특성을 가진 엘리먼트 혹은 그룹을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  68. 제67항에 있어서, 상기 전자 기부 특성을 가진 엘리먼트는 언페어드 일렉트론, 페어드 일렉트론, 및 디-일렉트론으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 전자를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  69. 제67항에 있어서,상기 전자 기부 특성을 갖는 그룹은 n-일렉트론을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지.
  70. 제67항에 있어서, 상기 전자 기부 특성을 갖는 엘리먼트는 적어도 산소, 질소, 및 황산으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 엘리먼트를 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  71. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 대형 고리 분자 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  72. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 방향쪽 고리 분자 구조을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  73. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 붕소 수지인 것을 특징으로 하는 재충전 전지 음극.
  74. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 에테르 본드를 갖는 것을 특징으로 하는 재충전 전지 음극.
  75. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 카르보닐 그룹을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  76. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 인 또는 질소 원자에 의해 제공돠는 이중 결합을 갖는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  77. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 유리질 금속 산화 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  78. 제46항에 있어서, 상기 절연체 또는 반도체 물질은 가교 결합된 분자 구조를 갖은 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  79. 제46항에 있어서, 상기 전기 전도성 물질은 탄소, 그래파이트, Ni, A1, Cu, Ti, pt로부터 선택된 하나이상의 물질, 이들 금속의 합금, 및 스테인레스 스틸을 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  80. 제46항에 있어서, 재충전식 전지에 있어서 음극 활성 물질은 리튬이 사용되는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극.
  81. 제46항에 있어서, 재충전식 전지에 있어서 음극 활성 물질은 아연이 사용되는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 음극.
  82. 재충전식 전지의 음극을 제조하는 공정에 있어서, i) 음극 콜렉터로서 작용할 수 있는 기판과, 가) 전기 전도성 물질, 나)전지 반응에 기여하는 이온을 통과시키되 충전 동작시 배치되는 음극 활성 물질은 실질적으로 통과되지 못하게 하는 특성을 가진 절연체 또는 반도체 물질, 및 다) 개공을 형성할 수 있는 물질로 이루어지는 조성물을 제공하는 단계, ii) 상기 기판 상에 피복을 형성하기 의해 상기 기판의 면상에 조성물을 도포하는 단계, iii) 상기 피복에 이격 분산된 다수의 개공을 형성하도록 상기 피복에 포함된 (다) 상기 물질을 제거하는 단계를 포함하며, 이에 의해 상기 기판 상에 음극 활성 물질 유지 본체를 형성하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극 제조 공정.
  83. 제82항에 있어서, 상기 단계(ii)에서 기판 상에 형성된 피복에 열 처리 또는 반응 처리를 하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극 공정.
  84. 제82항에 있어서, 상기 단계(ii)에서 기판에 조성물을 도포하는 것을 침적 피복, 스프레이 피복, 쿠우터(coater) 피복, 스크린 프로세스 프린팅, 및 롤 피복(roll coating)으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 피복처리에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 음극 공정.
  85. 음극, 분리자, 양극, 전해질 또는 전해질 용액, 및 하우징을 포함하는 재충전식 전지를 제조하는 공정에 있어서, 상기 음극을 형성하는 단계는, i) 음극 콜렉터로서 작용할 수 있는 기판, 및 가) 전기 전도성 물질, 나) 전지 반응에 기여하는 이온은 통과시키되 충전 동작시 배치되는 음극 활성 물질은 통과시키지 않는 특성을 갖는 절연체 또는 반도체 물질, 및 마) 개공을 형성할 수 있는 물질로 이루어전 조성물을 제공하는 단계, ⅱ) 상기 기판 상에 피복을 형성하도록 상기 기판의 면상에 상기 조성물을 도포하는 단계; iii) 상기 피복에 이격 분산된 다수의 개공을 형성하도록 상기 피복에 포함된다) 상기 물질을 제거하는 단계를 포함하며, 이에 의해 상기 기판에 음극 활성 물질 유지 본체를 형성하는 것을 특징으로 하는 제충전식 전지 제조 공정.
  86. 제85항에 있어서, 상기 단계(ii)에서 기판에 형성된 피복에 열 처리 또는 반응 처리를 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 제조 공정.
  87. 제85항에 있어서, 상기 단계(ii)에서 기판 상에 조성물을 도포하는 것은 짐척 피복, 스프레이 피복, 코우터 피복, 스크린 프로세스 프린팅, 및 롤 피복으로 이루어전 그룹으로부터 선택된 피복 처리에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 재충전식 전지 제조 공정.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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