KR950021514A - 반도체 장치 및 그 제조방법 - Google Patents

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Abstract

NPN 바이폴라 트랜지스터의 제조에 있어서, N+매립층과 P형 진성 베이스 영역 사이의 N형 웰 영역 또는 N형 에피택셜 영역내에 형성된 N형 불순물 영역은 P헝 진성 베이스 영역 바로 밑에만 헝성된다. 상기 N형 불순물 영역의 불순물 농도는, 그 중앙 영역 주위를 감싸는 영역에서의 불순물 농도보다는 에미터 확산 영역 바로 밑에 위치한 그 중앙 영역이 더 높거나 균일하게 되어있다.

Description

반도체 장치 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제6도는 제1 실시예에서 N형 매립층 영역과 N형 에피택샬 충의 형성단계의 단면도,
제7도는 제1 실시예에서 N형 불순물 영역과 진성 베이스 영역 형성단계에서의 반도체 장치 단면도,
제8도는 제1 실시예에서 외인성 베이스 영역 형성 단계에서의 반도체 장치 단면도,
제9도는 제 1 실시예에서 에미터 전극형성 단계에서의 반도체 장치단면도,
제10도는 제1 실시예에서 에미터 전극 영역 형성 단계에서의 반도체 장치 단면도,
제 11 (a)도는 본 발명에 있어서 N형 불순물 영역과 진성 베이스 영역에 대한 주입 마스크의 개구부를 나타내는 평면도,
제11 (b)도는 마스크가 제공되었을 경우의 본 발명 반도체 장치의 단면도.

Claims (5)

  1. N+형 매립층 영역과 P형 진성 베이스 영역 사이의 N형 에피택셜 영역 또는 N형 웰 영역에 형성된 N형 불순물 영역을 갖는 NPN바이폴라 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치로서, 상기 N형 불순물 영역은 상기 P형 진성 베이스 영역 바로 밑에 존재하고, 상기 N형 불순물 영역은 상기 N+형 매립층 영역의 불순물 농도보다 낮지만 상기 N형 에피택셜 영역 또는 상기 N형 웰 영역의 불순물 농도보다는 높은 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
  2. N+형 매립층 영역과 P형 진성 베이스 영역 사이의 N형 에피택셜 영역 또는 N형 웰 영역에 형성된 N형 불순물 영역을 갖는 NPN바이폴라 트랜지스터를 구비하는 반도체 장치로서, 상기 N형 불순물 영역은 상기 P헝 진성베이스 영역 바로 밑에 제1및 제2의 상이한 농도로 존재하고. 에미터 확산 영역 바로 밑에 존재하는 상기 제2의 N형 불순물 영역은 상기 제2의 N형 불순물 영역 주위에 존재하는 상기 제1불순물 영역의 불순물 농도보다 더 높은 불순물 농도를 갖는 것을 특징으로하는 반도체 장치.
  3. 바이폴라 트랜지스터를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법에 있어서, P형 반도체 기판상에 N형 불순물을 갖는 제1 매립층 영역을 형성하는 단계, 반도체 기판상에 N형 에피택셜 영역을 형성하고 에피택셜 영역 내의 바이폴라 영역을 N형으로 도핑하는 단계, 반도체 기판상의 P형 진성 베이스 영역내에 N형 불순물 영역을 형성하고 마스크틀 사용하여 상기 N형 불순물 영역 바로 위에 P형 진성 베이스 영역을 형성하는 단계를 구비하는 것을 특징으로하는 반도체 장치의 제조 방법.
  4. 제3항에 있어서, 마스크를 사용하여 N형 불순물 영역을 형성하는 상기 단계는, 마스크를 사용하여 제1의 N형 불순물 영역을 형성하는 단계와, 상기 마스크의 개구부와는 다른 개구부를 갖는 다른 마스크를 사용하여, 상기 에미터 확산층 바로 밑에 제1의 N형 불순물 영역의 불순물 농도보다 더 높은 농도를 갖는 제2의 N형 불순물 영역을 형성하는 단계를 포함하는 반도체 장치의 제조 방법.
  5. 제4항에 있어서, 제1의 N형 불순물 영역을 형성하는 단계에서 사용된 상기 마스크와, 제2의 N형 불순물 영역을 형성하는 단계에서 사용된 상기 마스크의 상기 개구부가 서로 부분적으로 중첩하는 반도체 장치 제조방법..
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940034216A 1993-12-15 1994-12-14 반도체 장치 및 그 제조방법 KR0152680B1 (ko)

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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2779571B1 (fr) * 1998-06-05 2003-01-24 St Microelectronics Sa Procede de dopage selectif du collecteur intrinseque d'un transistor bipolaire vertical a base epitaxiee
DE10160511A1 (de) * 2001-11-30 2003-06-12 Ihp Gmbh Bipolarer Transistor
US10797132B2 (en) * 2018-06-29 2020-10-06 Newport Fab, Llc Heterojunction bipolar transistor fabrication using resist mask edge effects

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6084872A (ja) * 1983-10-17 1985-05-14 Hitachi Ltd 半導体装置およびその製造方法
JP2728671B2 (ja) * 1988-02-03 1998-03-18 株式会社東芝 バイポーラトランジスタの製造方法
JP2748420B2 (ja) * 1988-08-12 1998-05-06 ソニー株式会社 バイポーラトランジスタ及びその製造方法
US5015594A (en) * 1988-10-24 1991-05-14 International Business Machines Corporation Process of making BiCMOS devices having closely spaced device regions
US4868135A (en) * 1988-12-21 1989-09-19 International Business Machines Corporation Method for manufacturing a Bi-CMOS device
US5183768A (en) * 1989-04-04 1993-02-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor device by forming doped regions that limit width of the base
JPH04239760A (ja) * 1991-01-22 1992-08-27 Sharp Corp 半導体装置の製造法
US5455189A (en) * 1994-02-28 1995-10-03 National Semiconductor Corporation Method of forming BICMOS structures

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