KR950015380A - 반도체 메모리장치의 워드라인구동회로 - Google Patents

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Abstract

메모리셀에 연결된 워드라인을 구동하여 상기 메모리셀에 대한 데이타억세스동작을 수행하는 반도체 메모리장치의 워드라인구동회로에 있어서, 상기 워드라인과 소정의 전위를 가지는 워드라인구동신호사이에 연결되고 절연게이트전계효과형의 전달트랜지스터를 통하여 로우디코딩신호에 연결된 게이트노드를 가지는 절연게이트전계효과형의 풀엎트랜지스터와, 소정의 제어신호에 응답하여 발생된 전달증폭신호를 상기 절연게이트전계효과트랜지스터의 게이트로 공급하여 적어도 상기 워드라인구동신호가 활성화되기 전과 후에 상기 게이트노드를 적어도 전원전압이상의 전위로 프리차아지시키는 수단을 구비함을 특징으로 하는 워드라인구동회로.

Description

반도체 메모리장치의 워드라인구동회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 워드라인구동회로의 실시예를 보여주는 회로도,
제3도는 제2도에 따른 동작을 설명하기 위한 타이밍도.

Claims (6)

  1. 메모리셀에 연결된 워드라인을 구동하여 상기 메모리셀에 대한 데이타억세스동작을 수행하는 반도체 메모리장치의 워드라인구동회로에 있어서, 상기 워드라인과 소정의 전위를 가지는 워드라인구동신호사이에 연결되고 절연게이트전계효과형의 전달트랜지스터를 통하여 로우디코딩 신호에 연결된 게이트노드를 가지는 절 연게이트전계효과형의 풀엎트랜지스터와, 소정의 제어신호에 응답하여 발생된 전달증폭신호를 상기 절연게이트전계효과 트랜지스터의 게이트로 공급하여 적어도 상기 워드라인구동신호가 활성화되기 전과 후에 상기 게이트노드를 적어도 전원전압 이상의 전위로 프리차아지시키는 수단을 구비함을 특징으로 하는 워드라인구동회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 소정의 제어신호가 승압활성화신호임을 특징으로 하는 워드라인구동회로.
  3. 메모리셀에 연결된 워드라인과, 상기 워드라인과 워드라인구동신호사이에 채널이 연결된 절연게이트전계효과형의 풀엎트랜지스터와, 상기 상기 워드라인과 기판전압사이에 채널이 연결된 절연게이트 전계효과형의 풀타운 트랜지스터와, 로우디코딩신호와 상기 풀엎트랜지스터의 게이트 사이에 채널이 연결된 절연게이트 전계효과형의 전달트랜지스터와, 상기 로우디코딩신호의 논리상태를 반전시켜 상기 풀다운트랜지스터의 게이트로 인가하는 인버터를 가지는 워드라인구동회로에 있어서, 소정의 제어신호에 응답하여 발생된 전달증폭신호를 상기 전달 트랜지스터의 게이트로 공급하여 적어도 상기 워드라인구동신호가 활성화되기전과 후에 상기 풀엎트랜지스터의 게이트를 적어도 전원전압이상의 전위로 프리차아지시키는 수단을 구비함을 특징으로 하는 워드라인구동회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 소정의 제어신호가 승압활성화신호임을 특징으로 하는 워드라인구동회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 전달증폭신호가 적어도 상기 워드라인구동신호의 전위와 동일함을 특징으로 하는 워드라인구동회로.
  6. 메모리셀에 연결된 워드라인과, 상기 워드라인과 워드라인구동신호사이에 채 널이 연결된 절연게이트전계효과형의 풀엎트랜지스터와, 상기 상기 워드라인과 기판전압사이에 채널이 연결된 절연게이트전계효과형의 풀다운 트랜지스터와, 로우디코딩신호와 상기 풀엎트랜지스터의 게이트사이에 채널이 연결된 절연게이트전계효과형의 전달트랜지스터와, 상기 로우디코딩신호의 논리상태를 반전시켜 상기 풀다운트랜지스터의 게이트로 인가하는 인버터를 가지는 반도체 메모리장치에 있어서, 서로의 게이트와 드레인이 교차접속되고 소오스가 펌핑전압에 공통으로 접속된 제1 및 제2풀엎수단과, 승압활성화신호에 따라 상보적으로 동작하며 상기 제1 및 제2풀엎수단의 각각과 기판전압사이에 연결된 제1 및 제2전류원수단과, 상기 제2풀엎수단과 상기 제2전류원수단사이에 위치하 는 제어노드와, 상기 제어노드의 전위에 따라 상보적으로 동작하여 상기 펌핑 전압을 상기 전달트랜지스터의 게이트로 공급하는 제3 및 제4풀엎수단을 구비함을 특징으로 하는 반도체 메모리장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임
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