KR940027154A - 고체촬상소자 및 그 제조방법 - Google Patents

고체촬상소자 및 그 제조방법 Download PDF

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Abstract

CCD 고체촬상소자에 있어서의 스미어(smear)성분의 저감화를 도모한다. 본원의 CCD 고체촬상소자는 매트릭스형으로 배열된 복수의 수광부(10)와, 각 수광부 열마다 배열된 전송전극(16)을 가지는 수직전송레지스터(5)와, 수직전송레지스터(5)상에 전송전극(16)에 접속된 션트용 배선층(33)과, 션트용 배선층(33)을 덮는 층간절연층(7)을 통해 수광부(10)를 에워싸도록 형성된 차광층(38)을 가지고, 이 차광층(38)의 수광부(10)측에의 돌출부(38a) 아래에는 상기 층간절연층(37)을 형성하지 않도록 하여 구성한다.

Description

고체촬상소자 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제4도는 본 발명에 관한 CCD 고체촬상소자의 일예를 나타낸 촬상부의 평면도, 제5도는 제4도의 V-V선상의 단면도, 제6도는 제4도의 VI-VI선상의 단면도.

Claims (15)

  1. 매트릭스형으로 배열된 복수의 수광부와, 수직방향의 각 수광소자 사이에 배열되고, 소정수의 상(相)을 가지는 전송게이트전극을 가지는 수직전송레지스터와, 상기 전송전극상에 배설된 차광층과, 동일상의 상기 전송전극에 접속된 션트용 배선층과, 상기 션트용 배선층과 상기 차광층을 절연하고, 상기 전송전극의 상부만을 덮도록 형성된 층간절연층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  2. 제1항에 있어서, 상기 차광층이 최소한 수직방향의 수광부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  3. 제1항에 있어서, 상기 차광층이 상기 수광부를 에어싸도록 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  4. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층이 질화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  5. 제1항에 있어서, 상기 층간절연층이 하층의 질화막과 상층의 산화막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  6. 제1항에 있어서, 상기 차광층이 2층막 구조로 형성되는 돌출부를 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  7. 제6항에 있어서, 상기 2층막 구조중 하층막의 두께가 상기 션트용 배선층의 막두께보다 두꺼운 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  8. 제1항에 있어서, 상기 차광층아래에 반사방지막이 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  9. 제1항에 있어서, 상기 차광층이 상기 수광부로 돌출하는 돌출부를 가지며, 스토퍼로서의 박막은 상기 전송전극 및 상기 션트용 배선층을 절연하는 상기 절연막과 상기 돌출부 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  10. 제1항에 있어서, 상기 차광층이 제1층막과 제2층막으로 형성되는 동시에, 수광부측으로 돌출한 상기 돌출부를 형성하고, 상기 션트용 배선층이 상기 제1층막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
  11. 복수의 수광부와 각 수광부열마다 전송전극을 가진 수직전송레지스터를 형성하는 제1의 공정과, 제1의 절연을 통해 상기 수직전송레지스터상에 전송전극과 접속하는 션트용 배선층을 형성하는 제2의 공정과, 상기 션트용 배선층상을 덮어 제2의 절연층을 형성하는 제3의 공정과, 상기 제2의 절연층의 상기 수광부상에 대응하는 부분을 선택적으로 제거하는 제4의 공정과, 차광층을 일부 상기 수광부측에 돌출하도록 상기 수직전송레지스터상 및 상기 수광부 주위부상에 형성하는 제5의 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제2의 공정에서는 제1층 금속막에 의한 션트용 배선층을 형성하는 동시에, 상기 제2의 절연층의 상기 수광부상에 상기 제1층 금속막을 선택적으로 남기고, 상기 제4의 공정에서의 상기 수광부상의 제1층 금속막을 스토퍼로서 상기 제2의 절연층의 수광부상에 대응하는 부분을 선택적으로 제거하고, 상기 제5의 공정전에 상기 수광부상의 제1층 금속막을 제거하는 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  13. 제11항에 있어서, 상기 제4의 공정 후, 제2층 금속막을 전체면에 형성하고, 상기 제1층 금속막 및 제2층 금속막을 선택적으로 패터닝하여 수광부에의 돌출부가 상기 제1층 금속막과 제2층 금속막의 2층막 구조로 되도록 상기 수직전송레지스터상 및 상기 수광부 주위부상에 차광막을 형성하는 제5의 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  14. 복수의 수광부와 각 수광부열마다 전송전극을 가진 수직전송레지스터를 형성하는 제1의 공정과 ,수광부 및 수직전송레지스터의 전체면에 제1의 절연층을 형성하고, 다시 이 제1의 절연층의 수광부에 대응하는 부분상에 선택적으로 스토퍼로 되는 박막을 형성하는 제2의 공정과, 상기 제1의 절연층을 통해 상기 수직전송레지스터상에 전송전극과 접속하는 션트용 배선층을 형성하는 제3의 공정과, 상기 션트용 배선층상을 덮어 제2의 절연층을 형성하는 제4의 공정과, 상기 박막을 스토퍼로서 상기 제2의 절연층의 수광부상에 대응하는 부분을 선택적으로 제거하는 제5의 공정과, 차광용의 층을 전체면에 형성한 후, 차광용의 층과 상기 박막을 패터닝하여, 일부 수광부측에 돌출하도록 상기 수직전송레짓터상 및 상기 수광부의 주위부상에 차광층을 형성하는 제6의 공정을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자의 제조방법.
  15. 매트릭스형으로 배열된 복수의 수광부와, 수직방향의 수광소자 사이에 배열되고, 소정수의 상을 가지는 전송게이트 전극을 가지는 수직전송레지스터와, 상기 전송전극상에 배설된 차광층과, 동일상의 상기 전송전극에 공통으로 접속된 션트용 배선층과, 상기 전송전극 및 상기 션트용 배선층을 절연하고, 상기 수광부의 위쪽 방향으로 돌출되는 제1의 절연층과, 상기 션트용 배선층과 상기 차광층을 절연하고, 상기 전송전극만을 실질적으로 덮는 제2의 절연층으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상소자.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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