JPH10112536A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPH10112536A JPH10112536A JP8283244A JP28324496A JPH10112536A JP H10112536 A JPH10112536 A JP H10112536A JP 8283244 A JP8283244 A JP 8283244A JP 28324496 A JP28324496 A JP 28324496A JP H10112536 A JPH10112536 A JP H10112536A
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- film
- solid
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Links
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- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 21
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims abstract description 4
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 15
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 19
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 abstract description 3
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 abstract 2
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
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Landscapes
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電荷転送速度が速く、感度が高く、白点不良
及びスミアが少ない固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 電荷転送用のゲート電極14の分路配線
17と遮光膜24とが互いに異なる種類の金属から成っ
ている。このため、透光性及び反射率に拘束されずに電
気抵抗が低い金属であるAl等を分路配線17用の金属
として用いることができ、電気抵抗に拘束されずに透光
性及び反射率が低い金属であるW等を遮光膜24用の金
属として用いることができる。
及びスミアが少ない固体撮像素子を提供する。 【解決手段】 電荷転送用のゲート電極14の分路配線
17と遮光膜24とが互いに異なる種類の金属から成っ
ている。このため、透光性及び反射率に拘束されずに電
気抵抗が低い金属であるAl等を分路配線17用の金属
として用いることができ、電気抵抗に拘束されずに透光
性及び反射率が低い金属であるW等を遮光膜24用の金
属として用いることができる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、電荷転送電極に分
路配線が設けられている固体撮像素子に関するものであ
る。
路配線が設けられている固体撮像素子に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】高精細度テレビジョン受像機用のビデオ
カメラ等に用いられていて電荷を高速で転送する必要が
ある固体撮像素子では、周辺回路部から電荷転送部の電
荷転送電極までの電気抵抗を低減させるために、金属製
の分路配線が電荷転送電極に設けられている。
カメラ等に用いられていて電荷を高速で転送する必要が
ある固体撮像素子では、周辺回路部から電荷転送部の電
荷転送電極までの電気抵抗を低減させるために、金属製
の分路配線が電荷転送電極に設けられている。
【0003】分路配線用の金属としては、電気抵抗の低
いAlが用いられていた。そして、初期に考えられた分
路配線は、感光部以外の領域を覆う遮光膜を兼ねていた
ので、遮光膜用の金属としても必然的にAlが用いられ
ていた。その後、垂直転送方向の画素間部分にも遮光膜
を形成してスミアを低減させるために、分路配線と遮光
膜とを互いに異なる層にして、これらの分路配線と遮光
膜とを電気的に互いに絶縁させた構造が考えられた。
いAlが用いられていた。そして、初期に考えられた分
路配線は、感光部以外の領域を覆う遮光膜を兼ねていた
ので、遮光膜用の金属としても必然的にAlが用いられ
ていた。その後、垂直転送方向の画素間部分にも遮光膜
を形成してスミアを低減させるために、分路配線と遮光
膜とを互いに異なる層にして、これらの分路配線と遮光
膜とを電気的に互いに絶縁させた構造が考えられた。
【0004】図2は、この様な構造の分路配線を有する
CCD固体撮像素子の一従来例を示している。この一従
来例では、半導体基板11中に感光部12が形成されて
おり、半導体基板11の表面のゲート絶縁膜13を介し
て、垂直方向へ電荷を転送するためのゲート電極14が
半導体基板11上に形成されている。
CCD固体撮像素子の一従来例を示している。この一従
来例では、半導体基板11中に感光部12が形成されて
おり、半導体基板11の表面のゲート絶縁膜13を介し
て、垂直方向へ電荷を転送するためのゲート電極14が
半導体基板11上に形成されている。
【0005】感光部12及びゲート電極14等はPSG
膜等である保護膜15に覆われており、水平方向の何本
かのゲート電極14毎にこのゲート電極14に達するコ
ンタクト孔16が保護膜15に設けられている。ゲート
電極14にはコンタクト孔16を介してAl製の分路配
線17が接続されており、分路配線17等は層間絶縁膜
21に覆われている。
膜等である保護膜15に覆われており、水平方向の何本
かのゲート電極14毎にこのゲート電極14に達するコ
ンタクト孔16が保護膜15に設けられている。ゲート
電極14にはコンタクト孔16を介してAl製の分路配
線17が接続されており、分路配線17等は層間絶縁膜
21に覆われている。
【0006】ゲート電極14及びその近傍の部分と垂直
転送方向の画素間部分(図示せず)とはAl製の遮光膜
22に覆われており、遮光膜22のうちで感光部12上
の部分には開口部22aが設けられている。そして、プ
ラズマCVD法で堆積させたSiN膜等である保護膜2
3でパッド部(図示せず)等以外の全面が覆われてい
る。なお、カラーフィルタやオンチップマイクロレンズ
等の図示及び説明は省略されている。
転送方向の画素間部分(図示せず)とはAl製の遮光膜
22に覆われており、遮光膜22のうちで感光部12上
の部分には開口部22aが設けられている。そして、プ
ラズマCVD法で堆積させたSiN膜等である保護膜2
3でパッド部(図示せず)等以外の全面が覆われてい
る。なお、カラーフィルタやオンチップマイクロレンズ
等の図示及び説明は省略されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上述の説明
からも明らかな様に、図2に示した一従来例でも、分路
配線17と遮光膜22との両方が依然としてAl製であ
った。しかし、Alでは、電気抵抗は低いが透光性及び
反射率が高い。遮光膜22の透光性が高いと、その厚さ
t2 を厚くする必要があるが、その結果、開口部22a
から感光部12へ入射する光のけられが多くて、この一
従来例では感度が低かった。
からも明らかな様に、図2に示した一従来例でも、分路
配線17と遮光膜22との両方が依然としてAl製であ
った。しかし、Alでは、電気抵抗は低いが透光性及び
反射率が高い。遮光膜22の透光性が高いと、その厚さ
t2 を厚くする必要があるが、その結果、開口部22a
から感光部12へ入射する光のけられが多くて、この一
従来例では感度が低かった。
【0008】また、遮光膜22の厚さt2 が厚いと、こ
の遮光膜22に開口部22aを形成する際のオーバエッ
チング時に感光部12上の保護膜15もエッチングされ
て薄くなり易い。PSG膜等である保護膜15はゲッタ
リング機能を有しているので、この保護膜15が薄くな
ると、汚染物による発生再結合中心が感光部12に形成
され易くて、図2に示した一従来例では白点不良が多か
った。
の遮光膜22に開口部22aを形成する際のオーバエッ
チング時に感光部12上の保護膜15もエッチングされ
て薄くなり易い。PSG膜等である保護膜15はゲッタ
リング機能を有しているので、この保護膜15が薄くな
ると、汚染物による発生再結合中心が感光部12に形成
され易くて、図2に示した一従来例では白点不良が多か
った。
【0009】一方、遮光膜22に開口部22aを形成す
ることによって感光部12上の保護膜15が薄くなるこ
とを抑制するために、保護膜15を形成当初から予め厚
くしておくことも考えられる。しかし、保護膜15を形
成当初から予め厚くしておくと、保護膜15のうちで遮
光膜22下の部分は開口部22aを形成することによっ
ても薄くならないので、感光部12に斜めに入射してゲ
ート電極14下に入り込む光の量が多くなって、スミア
が多くなる。
ることによって感光部12上の保護膜15が薄くなるこ
とを抑制するために、保護膜15を形成当初から予め厚
くしておくことも考えられる。しかし、保護膜15を形
成当初から予め厚くしておくと、保護膜15のうちで遮
光膜22下の部分は開口部22aを形成することによっ
ても薄くならないので、感光部12に斜めに入射してゲ
ート電極14下に入り込む光の量が多くなって、スミア
が多くなる。
【0010】また、遮光膜22の反射率が高いと、この
遮光膜22で反射され後に感光部12に斜めに入射して
ゲート電極14下に入り込む光の量が多いので、このこ
とによっても、図2に示した一従来例ではスミアが多か
った。
遮光膜22で反射され後に感光部12に斜めに入射して
ゲート電極14下に入り込む光の量が多いので、このこ
とによっても、図2に示した一従来例ではスミアが多か
った。
【0011】
【課題を解決するための手段】本発明による固体撮像素
子は、電荷転送電極に分路配線が設けられている固体撮
像素子において、感光部以外の領域を覆っている遮光膜
と前記分路配線とが互いに異なる種類の金属から成って
いることを特徴としている。
子は、電荷転送電極に分路配線が設けられている固体撮
像素子において、感光部以外の領域を覆っている遮光膜
と前記分路配線とが互いに異なる種類の金属から成って
いることを特徴としている。
【0012】本発明による固体撮像素子は、前記遮光膜
がWから成っていることが好ましく、前記分路配線がA
lから成っていることが好ましい。
がWから成っていることが好ましく、前記分路配線がA
lから成っていることが好ましい。
【0013】本発明による固体撮像素子では、電荷転送
電極の分路配線と遮光膜とが互いに異なる種類の金属か
ら成っているので、透光性及び反射率に拘束されずに電
気抵抗が低い金属を電荷転送電極の分路配線用の金属と
して用いることができ、電気抵抗に拘束されずに透光性
及び反射率が低い金属を遮光膜用の金属として用いるこ
とができる。
電極の分路配線と遮光膜とが互いに異なる種類の金属か
ら成っているので、透光性及び反射率に拘束されずに電
気抵抗が低い金属を電荷転送電極の分路配線用の金属と
して用いることができ、電気抵抗に拘束されずに透光性
及び反射率が低い金属を遮光膜用の金属として用いるこ
とができる。
【0014】この様に透光性が低い金属を遮光膜用の金
属として用いることができるので、遮光膜を薄くするこ
とができて、遮光膜の開口部から感光部へ入射する光の
けられを少なくすることができる。また、この様に遮光
膜を薄くすることができるので、感光部上の遮光膜に開
口部を形成する際のオーバエッチング時に感光部上の保
護膜もエッチングされて薄くなることを抑制することが
できて、汚染物による発生再結合中心が感光部に形成さ
れることを抑制することができる。
属として用いることができるので、遮光膜を薄くするこ
とができて、遮光膜の開口部から感光部へ入射する光の
けられを少なくすることができる。また、この様に遮光
膜を薄くすることができるので、感光部上の遮光膜に開
口部を形成する際のオーバエッチング時に感光部上の保
護膜もエッチングされて薄くなることを抑制することが
できて、汚染物による発生再結合中心が感光部に形成さ
れることを抑制することができる。
【0015】また、この様に感光部上の遮光膜に開口部
を形成するためのエッチング時に感光部上の保護膜もエ
ッチングされることを抑制することができるので、保護
膜の形成当初の厚さを薄くすることができて、感光部に
斜めに入射して電荷転送電極下に入り込む光の量を少な
くすることができる。
を形成するためのエッチング時に感光部上の保護膜もエ
ッチングされることを抑制することができるので、保護
膜の形成当初の厚さを薄くすることができて、感光部に
斜めに入射して電荷転送電極下に入り込む光の量を少な
くすることができる。
【0016】更に、反射率が低い金属を遮光膜用の金属
として用いることができるので、遮光膜で反射され後に
感光部に斜めに入射して電荷転送電極下に入り込む光の
量を少なくすることができる。
として用いることができるので、遮光膜で反射され後に
感光部に斜めに入射して電荷転送電極下に入り込む光の
量を少なくすることができる。
【0017】
【発明の実施の形態】以下、CCD固体撮像素子に適用
した本発明の一実施形態を、図1を参照しながら説明す
る。本実施形態の製造に際しても、保護膜15にコンタ
クト孔16を形成するまでは、図2に示した一従来例を
製造する際と実質的に同様の工程を実行する。
した本発明の一実施形態を、図1を参照しながら説明す
る。本実施形態の製造に際しても、保護膜15にコンタ
クト孔16を形成するまでは、図2に示した一従来例を
製造する際と実質的に同様の工程を実行する。
【0018】本実施形態を製造するためには、その後、
Alをスパッタ法やCVD法で全面に堆積させ、フォト
リソグラフィ及びエッチングによってAlをパターニン
グして、分路配線17を形成する。その後、絶縁物を全
面に形成し、再びフォトリソグラフィ及びエッチングに
よって絶縁物をパターニングして、分路配線17を完全
に覆う層間絶縁膜21を形成する。
Alをスパッタ法やCVD法で全面に堆積させ、フォト
リソグラフィ及びエッチングによってAlをパターニン
グして、分路配線17を形成する。その後、絶縁物を全
面に形成し、再びフォトリソグラフィ及びエッチングに
よって絶縁物をパターニングして、分路配線17を完全
に覆う層間絶縁膜21を形成する。
【0019】次に、Wをスパッタ法やCVD法で全面に
堆積させ、フォトリソグラフィ及びエッチングによって
Wをパターニングして、感光部12上に開口部24aを
有する遮光膜24を形成する。その後、プラズマCVD
法によるSiN膜等を堆積させて保護膜23を形成し、
この保護膜23をエッチングしてパッド部(図示せず)
等に対する開口部を形成する。なお、カラーフィルタや
オンチップマイクロレンズ等の図示及び説明は本実施形
態でも省略されている。
堆積させ、フォトリソグラフィ及びエッチングによって
Wをパターニングして、感光部12上に開口部24aを
有する遮光膜24を形成する。その後、プラズマCVD
法によるSiN膜等を堆積させて保護膜23を形成し、
この保護膜23をエッチングしてパッド部(図示せず)
等に対する開口部を形成する。なお、カラーフィルタや
オンチップマイクロレンズ等の図示及び説明は本実施形
態でも省略されている。
【0020】以上の様な本実施形態では、透光性及び反
射率が低いWで遮光膜24を形成しているので、図1と
図2との比較からも明らかな様に、本実施形態における
遮光膜24の厚さt1 は、図2に示した一従来例におけ
る遮光膜22の厚さt2 よりも薄くすることができる。
なお、Wは透光性及び反射率が低くて遮光膜24の形成
に適しているが、透光性及び反射率が低い他の金属や複
数種類の金属膜の積層構造で遮光膜24が形成されてい
てもよい。
射率が低いWで遮光膜24を形成しているので、図1と
図2との比較からも明らかな様に、本実施形態における
遮光膜24の厚さt1 は、図2に示した一従来例におけ
る遮光膜22の厚さt2 よりも薄くすることができる。
なお、Wは透光性及び反射率が低くて遮光膜24の形成
に適しているが、透光性及び反射率が低い他の金属や複
数種類の金属膜の積層構造で遮光膜24が形成されてい
てもよい。
【0021】また、Alは電気抵抗が低くて分路配線1
7の形成に適しているが、電気抵抗が低い他の金属や複
数種類の金属膜の積層構造で分路配線17が形成されて
いてもよい。更に、図1に示した実施形態は、CCD固
体撮像素子に本発明を適用したものであるが、CCD固
体撮像素子以外の固体撮像素子にも本発明を適用するこ
とができる。
7の形成に適しているが、電気抵抗が低い他の金属や複
数種類の金属膜の積層構造で分路配線17が形成されて
いてもよい。更に、図1に示した実施形態は、CCD固
体撮像素子に本発明を適用したものであるが、CCD固
体撮像素子以外の固体撮像素子にも本発明を適用するこ
とができる。
【0022】
【発明の効果】本発明による固体撮像素子では、電気抵
抗が低い金属を電荷転送電極の分路配線用の金属として
用いることができるので電荷転送速度が速く、また、遮
光膜の開口部から感光部へ入射する光のけられを少なく
することができるので感度が高く、また、汚染物による
発生再結合中心が感光部に形成されることを抑制するこ
とができるので白点不良が少なく、更に、感光部に斜め
に入射して電荷転送電極下に入り込む光の量を少なくす
ることができるのでスミアが少ない。
抗が低い金属を電荷転送電極の分路配線用の金属として
用いることができるので電荷転送速度が速く、また、遮
光膜の開口部から感光部へ入射する光のけられを少なく
することができるので感度が高く、また、汚染物による
発生再結合中心が感光部に形成されることを抑制するこ
とができるので白点不良が少なく、更に、感光部に斜め
に入射して電荷転送電極下に入り込む光の量を少なくす
ることができるのでスミアが少ない。
【図1】本発明の一実施形態の側断面図である。
【図2】本発明の一従来例の側断面図である。
12 感光部 14 ゲート電極(電荷転送電
極) 17 分路配線 24 遮光膜
極) 17 分路配線 24 遮光膜
Claims (5)
- 【請求項1】 電荷転送電極に分路配線が設けられてい
る固体撮像素子において、 感光部以外の領域を覆っている遮光膜と前記分路配線と
が互いに異なる種類の金属から成っていることを特徴と
する固体撮像素子。 - 【請求項2】 前記遮光膜がWから成っていることを特
徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項3】 前記分路配線がAlから成っていること
を特徴とする請求項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項4】 互いに異なる複数種類の金属膜が積層さ
れて前記遮光膜が形成されていることを特徴とする請求
項1記載の固体撮像素子。 - 【請求項5】 互いに異なる複数種類の金属膜が積層さ
れて前記分路配線が形成されていることを特徴とする請
求項1記載の固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8283244A JPH10112536A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8283244A JPH10112536A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH10112536A true JPH10112536A (ja) | 1998-04-28 |
Family
ID=17662962
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8283244A Pending JPH10112536A (ja) | 1996-10-04 | 1996-10-04 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH10112536A (ja) |
-
1996
- 1996-10-04 JP JP8283244A patent/JPH10112536A/ja active Pending
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