JP3160915B2 - Ｃｃｄ撮像素子 - Google Patents
Ｃｃｄ撮像素子Info
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- film
- transfer electrode
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＣＤ撮像素子、特に
転送速度を速くできしかもスミア抑止率を高くできるＣ
ＣＤ撮像素子に関する。
転送速度を速くできしかもスミア抑止率を高くできるＣ
ＣＤ撮像素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＣＣＤ撮像素子として図４の（Ａ）乃至
（Ｃ）に示すものが知られている。図面において、１は
半導体基板、２は第１層目のアルミニウム膜１Ａｌと転
送電極との間を絶縁する層間絶縁膜で、例えばＰＳＧか
らなる。３は第１層目あるいは第２層目の多結晶シリコ
ン層からなる転送電極、４は第３層目の多結晶シリコン
層からなるバッファ配線膜で、第１層目のアルミニウム
膜１Ａｌによるポテンシャルシフトを防止する役割を果
す。５は第１層目のアルミニウム膜１Ａｌ、６は第２層
目のアルミニウム膜２Ａｌである。
（Ｃ）に示すものが知られている。図面において、１は
半導体基板、２は第１層目のアルミニウム膜１Ａｌと転
送電極との間を絶縁する層間絶縁膜で、例えばＰＳＧか
らなる。３は第１層目あるいは第２層目の多結晶シリコ
ン層からなる転送電極、４は第３層目の多結晶シリコン
層からなるバッファ配線膜で、第１層目のアルミニウム
膜１Ａｌによるポテンシャルシフトを防止する役割を果
す。５は第１層目のアルミニウム膜１Ａｌ、６は第２層
目のアルミニウム膜２Ａｌである。
【０００３】図４の（Ａ）に示すものは、現在市販され
ている最も一般的なＮＴＳＣ用のＣＣＤ撮像素子であ
り、第１層目アルミニウム膜５を遮光膜としてのみ使用
するものである。このＣＣＤ撮像素子においては、第１
層目のアルミニウム膜５の転送電極３から食み出した部
分における厚さが薄くされており、また、上記層間絶縁
膜２の厚さも薄くされている。そして、層間絶縁膜２が
薄くされているので、スミアを小さくすることができ
る。というのは、外部から半導体基板１と第１層目のア
ルミニウム膜５との間で反射を繰返して層間絶縁膜２内
を侵入する光の反射回数が層間絶縁膜２が薄い程多くな
り、延いては侵入する光の減衰量が大きくなるからであ
る。尚、本ＣＣＤ撮像素子はＮＴＳＣ対応であり、転送
速度の高速化のための転送電極の低抵抗化の必要性がな
いのでシャント配線膜がない。
ている最も一般的なＮＴＳＣ用のＣＣＤ撮像素子であ
り、第１層目アルミニウム膜５を遮光膜としてのみ使用
するものである。このＣＣＤ撮像素子においては、第１
層目のアルミニウム膜５の転送電極３から食み出した部
分における厚さが薄くされており、また、上記層間絶縁
膜２の厚さも薄くされている。そして、層間絶縁膜２が
薄くされているので、スミアを小さくすることができ
る。というのは、外部から半導体基板１と第１層目のア
ルミニウム膜５との間で反射を繰返して層間絶縁膜２内
を侵入する光の反射回数が層間絶縁膜２が薄い程多くな
り、延いては侵入する光の減衰量が大きくなるからであ
る。尚、本ＣＣＤ撮像素子はＮＴＳＣ対応であり、転送
速度の高速化のための転送電極の低抵抗化の必要性がな
いのでシャント配線膜がない。
【０００４】図４の（Ｂ）に示すものは、第１層目のア
ルミニウム膜（１Ａｌ）５をシャント配線膜としても遮
光膜としても用いるようにしたもので、高速転送が可能
である。第１層目のアルミニウム膜５は低抵抗化の観点
から転送電極５から食み出した部分における厚さも転送
電極５上における厚さも厚くしてある。そして、それに
伴って上記層間絶縁膜２の厚さも厚くしてある。そうし
ないと、アルミニウムマク５のパターニングのためのエ
ッチングの際に半導体基板１が損傷されるのを層間絶縁
膜２によって防ぐことができないからである。つまり、
半導体基板１の損傷を防ぐにはアルミニウム膜５の厚さ
に比例して層間絶縁膜２を厚くすることが必要なのであ
る。
ルミニウム膜（１Ａｌ）５をシャント配線膜としても遮
光膜としても用いるようにしたもので、高速転送が可能
である。第１層目のアルミニウム膜５は低抵抗化の観点
から転送電極５から食み出した部分における厚さも転送
電極５上における厚さも厚くしてある。そして、それに
伴って上記層間絶縁膜２の厚さも厚くしてある。そうし
ないと、アルミニウムマク５のパターニングのためのエ
ッチングの際に半導体基板１が損傷されるのを層間絶縁
膜２によって防ぐことができないからである。つまり、
半導体基板１の損傷を防ぐにはアルミニウム膜５の厚さ
に比例して層間絶縁膜２を厚くすることが必要なのであ
る。
【０００５】図４の（Ｃ）に示すものは第１層目のアル
ミニウム膜５を遮光膜とし、第２層目のアルミニウム膜
６をシャント配線膜として用いたものである。尚、シャ
ント配線膜であるアルミニウム膜６と、転送電極３との
接続のために第３層目の多結晶シリコンからなるバッフ
ァ配線層４が利用されている。このようなＣＣＤ撮像素
子については特開平２−８７５７４号公報等により紹介
が為されている。このようなＣＣＤ撮像素子は、第１層
目のアルミニウム膜５からなる遮光膜を薄くして層間絶
縁膜２を薄く形成することを可能にし、層間絶縁膜２を
薄くすることによりスミアを少なくすることができる。
そして、第２層目のアルミニウム膜６を厚くすることに
より転送制御信号の経路の低抵抗化を図り、高速転送を
可能にすることができる。具体的には２００万画素を有
するＨＤＴＶ（ハイビジョン）対応が可能になる。
ミニウム膜５を遮光膜とし、第２層目のアルミニウム膜
６をシャント配線膜として用いたものである。尚、シャ
ント配線膜であるアルミニウム膜６と、転送電極３との
接続のために第３層目の多結晶シリコンからなるバッフ
ァ配線層４が利用されている。このようなＣＣＤ撮像素
子については特開平２−８７５７４号公報等により紹介
が為されている。このようなＣＣＤ撮像素子は、第１層
目のアルミニウム膜５からなる遮光膜を薄くして層間絶
縁膜２を薄く形成することを可能にし、層間絶縁膜２を
薄くすることによりスミアを少なくすることができる。
そして、第２層目のアルミニウム膜６を厚くすることに
より転送制御信号の経路の低抵抗化を図り、高速転送を
可能にすることができる。具体的には２００万画素を有
するＨＤＴＶ（ハイビジョン）対応が可能になる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところで、図４の
（Ａ）のＣＣＤ撮像素子は、シャント配線膜がないの
で、高速転送はできず、ＮＴＳＣ対応は可能であっても
ＨＤＴＶ（ハイビジョン）対応は不可能である。図４の
（Ｂ）に示すＣＣＤ撮像素子は、第１層目のアルミニウ
ム膜５がどの部分においても厚く形成する必要がある
が、それは段差を大きくし、微細化に向かず、２／３イ
ンチ光学系ＣＣＤ撮像素子によるハイビジョン対応の実
現に寄与することが難しい。それに、層間絶縁膜５が厚
くなってしまうので、スミアを少なくできにくいという
問題があった。それに対して、図４の（Ｃ）に示すＣＣ
Ｄ撮像素子は、高速転送ができるし、スミアも小さくで
きる。その点で優れているといえる。しかしながら、配
線構造がきわめて複雑であるという欠点を有する。とい
うのは、第１層目のアルミニウム膜５を遮光膜としての
み用いるので、転送電極と第２層目のアルミニウム膜６
との間の電気的接続は遮光膜たるアルミニウム膜５に形
成した開口７を通して行わなければならないからであ
る。そして、配線構造が複雑なのでより一層のセルの微
細化が難しくなる。２／３インチ光学系、更には１／２
インチ光学系のＣＣＤ撮像素子のＨＤＴＶ対応には相当
のセルの微細化が要求されるので、配線構造が複雑であ
ることは無視できない問題である。
（Ａ）のＣＣＤ撮像素子は、シャント配線膜がないの
で、高速転送はできず、ＮＴＳＣ対応は可能であっても
ＨＤＴＶ（ハイビジョン）対応は不可能である。図４の
（Ｂ）に示すＣＣＤ撮像素子は、第１層目のアルミニウ
ム膜５がどの部分においても厚く形成する必要がある
が、それは段差を大きくし、微細化に向かず、２／３イ
ンチ光学系ＣＣＤ撮像素子によるハイビジョン対応の実
現に寄与することが難しい。それに、層間絶縁膜５が厚
くなってしまうので、スミアを少なくできにくいという
問題があった。それに対して、図４の（Ｃ）に示すＣＣ
Ｄ撮像素子は、高速転送ができるし、スミアも小さくで
きる。その点で優れているといえる。しかしながら、配
線構造がきわめて複雑であるという欠点を有する。とい
うのは、第１層目のアルミニウム膜５を遮光膜としての
み用いるので、転送電極と第２層目のアルミニウム膜６
との間の電気的接続は遮光膜たるアルミニウム膜５に形
成した開口７を通して行わなければならないからであ
る。そして、配線構造が複雑なのでより一層のセルの微
細化が難しくなる。２／３インチ光学系、更には１／２
インチ光学系のＣＣＤ撮像素子のＨＤＴＶ対応には相当
のセルの微細化が要求されるので、配線構造が複雑であ
ることは無視できない問題である。
【０００７】本発明はこのような問題点を解決すべく為
されたものであり、配線構造を徒らに複雑にすることな
く転送の高速化、低スミア化を図ることを目的とする。
されたものであり、配線構造を徒らに複雑にすることな
く転送の高速化、低スミア化を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明ＣＣＤ撮像素子
は、半導体層からなる転送電極側と第２層目の金属膜か
らなるシャント配線膜との間の電気的接続を第１層目の
金属からなる遮光膜を介して行うようにしたことを特徴
とする。
は、半導体層からなる転送電極側と第２層目の金属膜か
らなるシャント配線膜との間の電気的接続を第１層目の
金属からなる遮光膜を介して行うようにしたことを特徴
とする。
【０００９】
【実施例】以下、本発明ＣＣＤ撮像素子を図示実施例に
従って詳細に説明する。図１は本発明ＣＣＤ撮像素子の
一つの実施例を示す断面図である。図面において、１は
半導体基板、２は転送電極３と第１層目のアルミニウム
膜５との間の層間絶縁膜で、薄く形成されている。該層
間絶縁膜２を薄くするのは低スミア化のためである。３
は多結晶シリコン層からなる転送電極である。
従って詳細に説明する。図１は本発明ＣＣＤ撮像素子の
一つの実施例を示す断面図である。図面において、１は
半導体基板、２は転送電極３と第１層目のアルミニウム
膜５との間の層間絶縁膜で、薄く形成されている。該層
間絶縁膜２を薄くするのは低スミア化のためである。３
は多結晶シリコン層からなる転送電極である。
【００１０】第１層目のアルミニウム膜（１Ａｌ）５
は、遮光膜であり、遮光の機能を果すに必要な厚さは充
分にあるが、しかし図４の（Ｂ）に示すＣＣＤ撮像素子
における第１層目のアルミニウム膜５のように厚くは形
成されていない。具体的には、例えば０．４μｍ程度で
ある。このようにアルミニウム膜５を徒らに厚くしない
のは層間絶縁膜２を薄くて済むようにするためである。
第１層目のアルミニウム膜５を薄くする程、層間絶縁膜
２の厚さが薄くて済むことは前に述べたとおりであり、
また、層間絶縁膜２を薄くしようとするのは抵スミア化
のためであることも前に述べたとおりである。
は、遮光膜であり、遮光の機能を果すに必要な厚さは充
分にあるが、しかし図４の（Ｂ）に示すＣＣＤ撮像素子
における第１層目のアルミニウム膜５のように厚くは形
成されていない。具体的には、例えば０．４μｍ程度で
ある。このようにアルミニウム膜５を徒らに厚くしない
のは層間絶縁膜２を薄くて済むようにするためである。
第１層目のアルミニウム膜５を薄くする程、層間絶縁膜
２の厚さが薄くて済むことは前に述べたとおりであり、
また、層間絶縁膜２を薄くしようとするのは抵スミア化
のためであることも前に述べたとおりである。
【００１１】ところで、この第１層目のアルミニウム膜
（１Ａｌ）５は基本的には遮光膜であるが、転送電極３
と接続されたり、シャント配線膜である第２層目のアル
ミニウム膜（２Ａｌ）６と接続されたりし、転送電極３
とシャント配線膜との間の中継配線膜としての役割も果
す。そして、そのことの派生としてであるが、アルミニ
ウム膜５自身ある長さ、幅を有するので薄いとはいえシ
ャント配線膜としての役割も果す。８は該アルミニウム
膜５と転送電極３との間を電気的に接続するコンタクト
部であり、そして、層間絶縁膜９に形成されたコンタク
ト部１０は該アルミニウム膜５と第２層目のアルミニウ
ム膜６からなるシャント配線膜との間を接続する。
（１Ａｌ）５は基本的には遮光膜であるが、転送電極３
と接続されたり、シャント配線膜である第２層目のアル
ミニウム膜（２Ａｌ）６と接続されたりし、転送電極３
とシャント配線膜との間の中継配線膜としての役割も果
す。そして、そのことの派生としてであるが、アルミニ
ウム膜５自身ある長さ、幅を有するので薄いとはいえシ
ャント配線膜としての役割も果す。８は該アルミニウム
膜５と転送電極３との間を電気的に接続するコンタクト
部であり、そして、層間絶縁膜９に形成されたコンタク
ト部１０は該アルミニウム膜５と第２層目のアルミニウ
ム膜６からなるシャント配線膜との間を接続する。
【００１２】アルミニウム膜（２Ａｌ）６はシャント配
線膜としての役割を果すべく充分な厚さに形成されてい
る。そして、前述のとおり、本来的には遮光膜として形
成された第１層目のアルミニウム膜５が、シャント配線
膜６と転送電極３との電気的接続のための中継をする中
継配線膜としての役割を果すことの派生としてシャント
配線膜としても機能する。従って、厚いアルミニウム膜
６程ではないにせよ低抵抗化に寄与し、転送速度を速め
るのに貢献する。
線膜としての役割を果すべく充分な厚さに形成されてい
る。そして、前述のとおり、本来的には遮光膜として形
成された第１層目のアルミニウム膜５が、シャント配線
膜６と転送電極３との電気的接続のための中継をする中
継配線膜としての役割を果すことの派生としてシャント
配線膜としても機能する。従って、厚いアルミニウム膜
６程ではないにせよ低抵抗化に寄与し、転送速度を速め
るのに貢献する。
【００１３】ところで、第１層目のアルミニウム膜５に
遮光膜としての役割を担わせただけでなくシャント配線
膜６と転送電極３とを中継する中継配線膜としての役割
をも担わせたことによる最大の意義は、配線構造が簡単
にできるということにある。即ち、遮光膜５に開口を設
け、その開口内を通してシャント配線膜と転送電極との
電気的接続をするということが必要でなくなるので、図
４の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子のように配線構造を複
雑にしなくても済む。従って、より一層の微細化を図る
ことができる。
遮光膜としての役割を担わせただけでなくシャント配線
膜６と転送電極３とを中継する中継配線膜としての役割
をも担わせたことによる最大の意義は、配線構造が簡単
にできるということにある。即ち、遮光膜５に開口を設
け、その開口内を通してシャント配線膜と転送電極との
電気的接続をするということが必要でなくなるので、図
４の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子のように配線構造を複
雑にしなくても済む。従って、より一層の微細化を図る
ことができる。
【００１４】しかして、本ＣＣＤ撮像素子によれば、図
４の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子と同様に低スミア化を
図ることができ、図４の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子以
上に転送速度の高速化を図ることができ、そして、図４
の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子よりも配線構造を簡単に
することができるのである。
４の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子と同様に低スミア化を
図ることができ、図４の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子以
上に転送速度の高速化を図ることができ、そして、図４
の（Ｃ）に示すＣＣＤ撮像素子よりも配線構造を簡単に
することができるのである。
【００１５】図２は本発明ＣＣＤ撮像素子の他の実施例
を示す断面図である。本ＣＣＤ撮像素子は、本発明を第
１層目のアルミニウム膜１Ａｌと転送電極との間に該ア
ルミニウム膜によるポテンシャルシフトを防止するため
のバッファ多結晶シリコン膜４を介在させたタイプのＣ
ＣＤ撮像素子（特開平２−８７５７４号公報に紹介され
ている）に適用したものである。従って、本ＣＣＤ撮像
素子における第１層目のアルミニウム膜５はバッファ多
結晶シリコン膜４を介して転送電極３に接続されてい
る。一方、シャント配線膜６には直接接続されている。
尚、バッファ多結晶シリコン膜４は第３層目又は第４層
目の多結晶シリコン膜により形成される。
を示す断面図である。本ＣＣＤ撮像素子は、本発明を第
１層目のアルミニウム膜１Ａｌと転送電極との間に該ア
ルミニウム膜によるポテンシャルシフトを防止するため
のバッファ多結晶シリコン膜４を介在させたタイプのＣ
ＣＤ撮像素子（特開平２−８７５７４号公報に紹介され
ている）に適用したものである。従って、本ＣＣＤ撮像
素子における第１層目のアルミニウム膜５はバッファ多
結晶シリコン膜４を介して転送電極３に接続されてい
る。一方、シャント配線膜６には直接接続されている。
尚、バッファ多結晶シリコン膜４は第３層目又は第４層
目の多結晶シリコン膜により形成される。
【００１６】図３は本発明ＣＣＤ撮像素子の更に別の実
施例の断面図である。本実施例は、第１層目のアルミニ
ウム膜１Ａｌからなる遮光膜（そして中継配線及びシャ
ント配線膜）５と第２層目のアルミニウム膜２Ａｌから
なるシャント配線膜６とをコンタクトホールを介さない
で直接コンタクトさせるようにしたものである。尚、そ
れ以外の点では図２に示すＣＣＤ撮像素子と全く同じで
ある。このようにするのは、遮光膜５とシャント配線膜
６とのコンタクトホールを形成するためのマスク工程を
不要にし、製造工程数の低減を図るためである。
施例の断面図である。本実施例は、第１層目のアルミニ
ウム膜１Ａｌからなる遮光膜（そして中継配線及びシャ
ント配線膜）５と第２層目のアルミニウム膜２Ａｌから
なるシャント配線膜６とをコンタクトホールを介さない
で直接コンタクトさせるようにしたものである。尚、そ
れ以外の点では図２に示すＣＣＤ撮像素子と全く同じで
ある。このようにするのは、遮光膜５とシャント配線膜
６とのコンタクトホールを形成するためのマスク工程を
不要にし、製造工程数の低減を図るためである。
【００１７】即ち、元来、図１、図２に示すＣＣＤ撮像
素子は、第１層目のアルミニウム膜５とそれより上層で
ある第２層目のアルミニウム膜６とは同電位であり、そ
のように両アルミニウム膜が同電位になるようにするこ
とはイメージ部だけでなく周辺回路等においても可能で
ある。従って、第１層目と第２層目のアルミニウム膜５
・６間を絶縁する層間絶縁膜９には耐圧を持つことは要
求されないことになり、単に平坦性のみが要求されるの
である。そして、第１層目のアルミニウム膜形成後の段
階において段差が生じる場所で最も高いところはイメー
ジ部、ストレージ部のいずれにおいても第１層目のアル
ミニウム膜の上面であり、これはとりもなおさず第２層
目のアルミニウム膜を接続すべき領域である。
素子は、第１層目のアルミニウム膜５とそれより上層で
ある第２層目のアルミニウム膜６とは同電位であり、そ
のように両アルミニウム膜が同電位になるようにするこ
とはイメージ部だけでなく周辺回路等においても可能で
ある。従って、第１層目と第２層目のアルミニウム膜５
・６間を絶縁する層間絶縁膜９には耐圧を持つことは要
求されないことになり、単に平坦性のみが要求されるの
である。そして、第１層目のアルミニウム膜形成後の段
階において段差が生じる場所で最も高いところはイメー
ジ部、ストレージ部のいずれにおいても第１層目のアル
ミニウム膜の上面であり、これはとりもなおさず第２層
目のアルミニウム膜を接続すべき領域である。
【００１８】そこで、層間絶縁膜９を形成した後、平坦
化のためにこれをエッチバックするときに第１層目のア
ルミニウム膜５の上面が露出するまでエッチバックする
こととし、その後、第２層目のアルミニウム膜（２Ａ
ｌ）６を形成するのである。すると、層間絶縁膜９に対
するコンタクト部の形成のための一連の工程が省略でき
るのである。
化のためにこれをエッチバックするときに第１層目のア
ルミニウム膜５の上面が露出するまでエッチバックする
こととし、その後、第２層目のアルミニウム膜（２Ａ
ｌ）６を形成するのである。すると、層間絶縁膜９に対
するコンタクト部の形成のための一連の工程が省略でき
るのである。
【００１９】尚、ＣＣＤ撮像素子内には、周辺回路やパ
ッドの部分のように、第１層目のアルミニウム膜と第２
層目のアルミニウム膜との間のコンタクトをとるべきで
あるにも拘らずイメージ部やアルミニウム膜のように段
差がなく、そのため層間絶縁膜９に対するエッチバック
時に第１層目のアルミニウム膜の上面が露出し得ないと
ころがでてくる可能性がある。そこで、その場合には多
結晶シリコンからなる適当なダミーパターンを形成し、
段差を強制的につくり出して層間絶縁膜のエッチバック
の際に第１層目のアルミニウム膜の上面が露出するよう
な構造にすると良い。そして、ダミーパターンは多結晶
シリコンからなる転送転送電極やバッファ用多結晶シリ
コン膜と同時に形成することができ得るので、工程数の
増加は伴わない。しかして、図３に示すような構造にし
てコンタクト部形成工程を省略することの実用性は高
く、低コスト化に大きく寄与することができるのであ
る。
ッドの部分のように、第１層目のアルミニウム膜と第２
層目のアルミニウム膜との間のコンタクトをとるべきで
あるにも拘らずイメージ部やアルミニウム膜のように段
差がなく、そのため層間絶縁膜９に対するエッチバック
時に第１層目のアルミニウム膜の上面が露出し得ないと
ころがでてくる可能性がある。そこで、その場合には多
結晶シリコンからなる適当なダミーパターンを形成し、
段差を強制的につくり出して層間絶縁膜のエッチバック
の際に第１層目のアルミニウム膜の上面が露出するよう
な構造にすると良い。そして、ダミーパターンは多結晶
シリコンからなる転送転送電極やバッファ用多結晶シリ
コン膜と同時に形成することができ得るので、工程数の
増加は伴わない。しかして、図３に示すような構造にし
てコンタクト部形成工程を省略することの実用性は高
く、低コスト化に大きく寄与することができるのであ
る。
【００２０】
【発明の効果】請求項１のＣＣＤ撮像素子は、半導体層
からなる転送電極の上側に第１層目の金属膜からなる遮
光膜を形成し、該遮光膜よりも上側に第２層目の金属膜
からなるシャント配線膜を形成し、該シャント配線膜と
上記転送電極との間を上記遮光膜を介して電気的に接続
してなることを特徴とする。従って、請求項１記載のＣ
ＣＤ撮像素子によれば、第１層目の金属膜からなる遮光
膜が転送電極とシャント配線膜との間を中継するので、
第１層目の金属膜からなる遮光膜に開口を形成しその開
口を通して転送電極と第２層目の金属からなるシャント
配線膜とを接続する必要性がなくなり、配線構造を簡単
にできる。そして、第１層目の金属膜からなる遮光膜が
シャント配線膜に接続されて転送制御信号ラインの低抵
抗化に寄与するので転送速度の高速化を図ることができ
る。また、遮光膜を薄くすることによりその下地たる層
間絶縁膜を薄くすることが許容されるので低スミア化を
図ることができる。請求項２のＣＣＤ撮像素子は、請求
項１のＣＣＤ撮像素子において、上記転送電極と上記遮
光膜との間に、該転送電極と電気的に接続されたポテン
シャルシフト防止用バッファ半導体層を介在させ、該ポ
テンシャルシフト防止用半導体層を介して上記転送電極
と上記遮光膜とを電気的に接続したことを特徴とする。
従って、請求項２記載のＣＣＤ撮像素子によれば、上記
ポテンシャルシフト防止用バッファ半導体層を設けてポ
テンシャルシフトの防止を図ったＣＣＤ撮像素子におい
て、請求項１記載のＣＣＤ撮像素子が享受する上記各効
果を奏することができる。
からなる転送電極の上側に第１層目の金属膜からなる遮
光膜を形成し、該遮光膜よりも上側に第２層目の金属膜
からなるシャント配線膜を形成し、該シャント配線膜と
上記転送電極との間を上記遮光膜を介して電気的に接続
してなることを特徴とする。従って、請求項１記載のＣ
ＣＤ撮像素子によれば、第１層目の金属膜からなる遮光
膜が転送電極とシャント配線膜との間を中継するので、
第１層目の金属膜からなる遮光膜に開口を形成しその開
口を通して転送電極と第２層目の金属からなるシャント
配線膜とを接続する必要性がなくなり、配線構造を簡単
にできる。そして、第１層目の金属膜からなる遮光膜が
シャント配線膜に接続されて転送制御信号ラインの低抵
抗化に寄与するので転送速度の高速化を図ることができ
る。また、遮光膜を薄くすることによりその下地たる層
間絶縁膜を薄くすることが許容されるので低スミア化を
図ることができる。請求項２のＣＣＤ撮像素子は、請求
項１のＣＣＤ撮像素子において、上記転送電極と上記遮
光膜との間に、該転送電極と電気的に接続されたポテン
シャルシフト防止用バッファ半導体層を介在させ、該ポ
テンシャルシフト防止用半導体層を介して上記転送電極
と上記遮光膜とを電気的に接続したことを特徴とする。
従って、請求項２記載のＣＣＤ撮像素子によれば、上記
ポテンシャルシフト防止用バッファ半導体層を設けてポ
テンシャルシフトの防止を図ったＣＣＤ撮像素子におい
て、請求項１記載のＣＣＤ撮像素子が享受する上記各効
果を奏することができる。
【図１】本発明ＣＣＤ撮像素子の一つの実施例を示す断
面図である。
面図である。
【図２】本発明ＣＣＤ撮像素子の他の実施例を示す断面
図である。
図である。
【図３】本発明ＣＣＤ撮像素子の更に他の実施例を示す
断面図である。
断面図である。
【図４】（Ａ）乃至（Ｃ）はＣＣＤ撮像素子の各別の従
来例を示す断面図である。
来例を示す断面図である。
３ 転送電極 ５ 第１層目の金属膜からなる遮光膜 ６ 第２層目の金属膜からなるシャント配線膜 ８ コンタクト部 １０ コンタクト部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 27/14 H01L 27/148 H04N 5/335
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体層からなる転送電極の上側に第１
層目の金属膜からなる遮光膜を形成し、 上記遮光膜よりも上側に第２層目の金属膜からなるシャ
ント配線膜を形成し、 上記シャント配線膜と上記転送電極との間を上記遮光膜
を介して電気的に接続してなることを特徴とするＣＣＤ
撮像素子 - 【請求項２】 上記転送電極と上記遮光膜との間に、該
転送電極と電気的に接続されたポテンシャルシフト防止
用バッファ半導体層を介在させ、該ポテンシャルシフト
防止用半導体層を介して上記転送電極と上記遮光膜とを
電気的に接続したことを特徴とする請求項１記載のＣＣ
Ｄ撮像素子
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01823791A JP3160915B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Ｃｃｄ撮像素子 |
| EP92100689A EP0495503B1 (en) | 1991-01-17 | 1992-01-16 | CCD imager |
| DE69218469T DE69218469T2 (de) | 1991-01-17 | 1992-01-16 | CCD-Bildaufnahmevorrichtung |
| US07/821,829 US5250825A (en) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | Smear supressing CCD imager |
| KR1019920000604A KR100214039B1 (ko) | 1991-01-17 | 1992-01-17 | 씨씨디 촬상기 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP01823791A JP3160915B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Ｃｃｄ撮像素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04279059A JPH04279059A (ja) | 1992-10-05 |
| JP3160915B2 true JP3160915B2 (ja) | 2001-04-25 |
Family
ID=11966073
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP01823791A Expired - Fee Related JP3160915B2 (ja) | 1991-01-17 | 1991-01-17 | Ｃｃｄ撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3160915B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2903812B2 (ja) * | 1991-12-10 | 1999-06-14 | 日本電気株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP5296406B2 (ja) | 2008-04-02 | 2013-09-25 | パナソニック株式会社 | 固体撮像装置及びその製造方法 |
| JP2010177599A (ja) | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Panasonic Corp | 固体撮像装置及びその製造方法 |
-
1991
- 1991-01-17 JP JP01823791A patent/JP3160915B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH04279059A (ja) | 1992-10-05 |
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |