JPS63136665A - 固体撮像装置およびその製造方法 - Google Patents
固体撮像装置およびその製造方法Info
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
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- H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の目的〕
（産業上の利用分野）
本発明は固体撮像装置およびその製造方法に関する。
（従来の技術）
従来の縦形オーバフロードレイン構造を有するインクラ
イン転送方式のＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ）固体撮像装置の断面を第３図に示す。
イン転送方式のＣＣＤ （Ｃｈａｒｇｅ Ｃｏｕｐｌｅ
ｄＤｅｖｉｃｅ）固体撮像装置の断面を第３図に示す。
例えばＮ型シリコン基板から成る半導体基板１表面に不
純物濃度が低く接合が浅い第１のＰウェル領域２と不純
物濃度が比較的高く接合が深い第２のＰウェル領域３と
が形成されている。第１のＰウェル領域２表面には感光
画素部に対応して光電変換領域としてのＮ 不純物領域
４が形成され、第２のＰウェル領域３表面には電荷転送
部に対応して転送チャンネルとしてのＮ 不純物領域５
およびチャンネル争ストッパとしてのＰ 不純物領域７
が形成されている。接合の深さを異にした第１および第
２のＰウェル領域２，３を有する縦形オーバフロードレ
イン構造により、強い光が入射して感光画素部のＮ 不
純物領域４に過剰電荷が発生した場合、この過剰電荷が
第１および第２のＰウェル領域２，３のパンチスルー電
圧の差によって電荷転送部に流れ込むことなく、半導体
基板１の厚み方向に流れ込むようになっている。また半
導体基板１上は絶縁層１９が形成され、この絶縁層１７
の内部には第１の転送電極１７および第２の転送電極１
８が設けられている。この第２の転送電極１８は第１の
転送電極１７と対になって感光画素部のＮ 不純物領域
４に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を形成し
ている。これら第１および第２の転送電極１７．１８の
上方の絶縁層１９上には例えばＡ１層から成る光遮蔽膜
２０が形成され、感光画素部以外の部分に光が入射しな
いようになっている。
純物濃度が低く接合が浅い第１のＰウェル領域２と不純
物濃度が比較的高く接合が深い第２のＰウェル領域３と
が形成されている。第１のＰウェル領域２表面には感光
画素部に対応して光電変換領域としてのＮ 不純物領域
４が形成され、第２のＰウェル領域３表面には電荷転送
部に対応して転送チャンネルとしてのＮ 不純物領域５
およびチャンネル争ストッパとしてのＰ 不純物領域７
が形成されている。接合の深さを異にした第１および第
２のＰウェル領域２，３を有する縦形オーバフロードレ
イン構造により、強い光が入射して感光画素部のＮ 不
純物領域４に過剰電荷が発生した場合、この過剰電荷が
第１および第２のＰウェル領域２，３のパンチスルー電
圧の差によって電荷転送部に流れ込むことなく、半導体
基板１の厚み方向に流れ込むようになっている。また半
導体基板１上は絶縁層１９が形成され、この絶縁層１７
の内部には第１の転送電極１７および第２の転送電極１
８が設けられている。この第２の転送電極１８は第１の
転送電極１７と対になって感光画素部のＮ 不純物領域
４に蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部を形成し
ている。これら第１および第２の転送電極１７．１８の
上方の絶縁層１９上には例えばＡ１層から成る光遮蔽膜
２０が形成され、感光画素部以外の部分に光が入射しな
いようになっている。
しかしながら上記従来例においては、光が斜めから入射
した場合、第３図に示されるように、感光画素部以外の
場所で光電変換がなされ、発生した電荷が転送チャンネ
ルとしてのＮ 不純物領域に混入してしまう。これによ
り、電荷信号をＣＲＴ （ＣａＬｈｏｄ Ｒａｙ Ｔｕ
ｂｅ）上に再現する際に垂直方向に一様に広がる明るい
帯状の映像となって現われるスミア現象を生じる。
した場合、第３図に示されるように、感光画素部以外の
場所で光電変換がなされ、発生した電荷が転送チャンネ
ルとしてのＮ 不純物領域に混入してしまう。これによ
り、電荷信号をＣＲＴ （ＣａＬｈｏｄ Ｒａｙ Ｔｕ
ｂｅ）上に再現する際に垂直方向に一様に広がる明るい
帯状の映像となって現われるスミア現象を生じる。
この斜めからの入射光によるスミア現象の発生を防ぐた
めに、第４図に示されるように、第１および第２の転送
電極１７．１８を覆っている絶縁層１９の感光画素部に
隣接する部分を少し傾斜を付けてエツチング除去し、そ
の上にＡ１層から成る光遮蔽膜２１を形成して、光遮蔽
膜２１が第１および第２の転送電極１７．１８の上方の
みならず、その側方も感光画素部のＮ 不純物領域４の
すぐ近くまで覆っている固体撮像装置が考えられる。
めに、第４図に示されるように、第１および第２の転送
電極１７．１８を覆っている絶縁層１９の感光画素部に
隣接する部分を少し傾斜を付けてエツチング除去し、そ
の上にＡ１層から成る光遮蔽膜２１を形成して、光遮蔽
膜２１が第１および第２の転送電極１７．１８の上方の
みならず、その側方も感光画素部のＮ 不純物領域４の
すぐ近くまで覆っている固体撮像装置が考えられる。
しかしながら上記の場合、第４図のＣおよび０部に示さ
れる第１または第２の転送電極１７゜１８と光遮蔽膜２
１との間および感光画素部のＮ 不純物領域４と光遮蔽
膜２１との間に耐圧不良が起こり、最悪の場合は電気的
ショートを生じるという問題がある。
れる第１または第２の転送電極１７゜１８と光遮蔽膜２
１との間および感光画素部のＮ 不純物領域４と光遮蔽
膜２１との間に耐圧不良が起こり、最悪の場合は電気的
ショートを生じるという問題がある。
（発明が解決しようとする問題点）
上記従来の固体撮像装置は斜めからの入射光によるスミ
ア現象を発生させ、これを防ぐために光遮蔽膜が転送電
極の側方を感光画素部の半導体基板のすぐ近くまで覆う
ようにすると光遮蔽膜と転送電極あるいは半導体基板と
の間に耐圧不良を発生させるという問題がある。
ア現象を発生させ、これを防ぐために光遮蔽膜が転送電
極の側方を感光画素部の半導体基板のすぐ近くまで覆う
ようにすると光遮蔽膜と転送電極あるいは半導体基板と
の間に耐圧不良を発生させるという問題がある。
本発明は、斜めからの入射光によるスミア現象の発生を
低減すると共に、充分な耐圧特性を確保するようにした
固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的
とする。
低減すると共に、充分な耐圧特性を確保するようにした
固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的
とする。
（問題点を解決するための手段）
上記目的を達成するため、本発明は、半導体基板と、こ
の半導体基板上に配列され、入射した光により信号電荷
を生成し蓄積する感光画素部と、この感光画素部に隣接
して配列され、前記感光画素部に蓄積された信号電荷を
転送する電荷転送部とを有する固体撮像装置において、
前記感光画素部以外の部分に光が入射しないように前記
電荷転送部の転送電極の上方および側方に形成された光
遮蔽膜と前記転送電極と前記光遮蔽膜との間および前記
感光画素部の前記半導体基板と前記光遮蔽膜との間に形
成された絶縁層とを備えたことを特徴とする。
の半導体基板上に配列され、入射した光により信号電荷
を生成し蓄積する感光画素部と、この感光画素部に隣接
して配列され、前記感光画素部に蓄積された信号電荷を
転送する電荷転送部とを有する固体撮像装置において、
前記感光画素部以外の部分に光が入射しないように前記
電荷転送部の転送電極の上方および側方に形成された光
遮蔽膜と前記転送電極と前記光遮蔽膜との間および前記
感光画素部の前記半導体基板と前記光遮蔽膜との間に形
成された絶縁層とを備えたことを特徴とする。
また本発明は半導体基板表面に感光画素部及び電荷転送
部の転送チャンネルを形成する第１の工程と、前記半導
体基板上の全面に第１の絶縁層を形成する第２の工程と
、前記感光画素部上に前記第１の絶縁層を介して耐酸化
性物質である第２の絶縁層を形成する第３の工程と、前
記転送チャンネル上に前記第１の絶縁層を介して前記電
荷転送部の転送電極を形成する第４の工程と、全面に第
３の絶縁層を形成する第５の工程と、この第３の絶縁層
はエツチングされるが前記第２の絶縁層はエツチングさ
れないエツチング液を用いて、前記感光画素部上の第３
の絶縁層を除去すると共に前記転送電極の端部を露出さ
せる第６の工程と、この露出された前記転送電極の端部
をエツチング除去する第７の工程と、この端部をエツチ
ング除去された前記転送電極の側面に第４の絶縁層を形
成する第８の工程と、前記転送電極の上方および側方に
それぞれ前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層を介
して光遮蔽膜を形成する第９の工程とを有することを特
徴とする。
部の転送チャンネルを形成する第１の工程と、前記半導
体基板上の全面に第１の絶縁層を形成する第２の工程と
、前記感光画素部上に前記第１の絶縁層を介して耐酸化
性物質である第２の絶縁層を形成する第３の工程と、前
記転送チャンネル上に前記第１の絶縁層を介して前記電
荷転送部の転送電極を形成する第４の工程と、全面に第
３の絶縁層を形成する第５の工程と、この第３の絶縁層
はエツチングされるが前記第２の絶縁層はエツチングさ
れないエツチング液を用いて、前記感光画素部上の第３
の絶縁層を除去すると共に前記転送電極の端部を露出さ
せる第６の工程と、この露出された前記転送電極の端部
をエツチング除去する第７の工程と、この端部をエツチ
ング除去された前記転送電極の側面に第４の絶縁層を形
成する第８の工程と、前記転送電極の上方および側方に
それぞれ前記第３の絶縁層および前記第４の絶縁層を介
して光遮蔽膜を形成する第９の工程とを有することを特
徴とする。
（作 用）
本発明によれば、転送電極の上方のみならず、その側方
も感光画素部の半導体基板のすぐ近くまで覆うように光
遮蔽膜が形成されて、斜めからの光も感光画素部以外の
部分に入射しないようになっていると共に、転送電極と
光遮蔽膜との間および半導体基板と光遮蔽膜との間に絶
縁層が形成され充分な耐圧が確保されている。
も感光画素部の半導体基板のすぐ近くまで覆うように光
遮蔽膜が形成されて、斜めからの光も感光画素部以外の
部分に入射しないようになっていると共に、転送電極と
光遮蔽膜との間および半導体基板と光遮蔽膜との間に絶
縁層が形成され充分な耐圧が確保されている。
（実施例）
本発明の一実施例による固体撮像装置の断面を第１図に
示す。Ｎ型半導体基板１表面の感光画素部に対応する部
分には不純物濃度が低く接合の浅い第１のＰウェル領域
２が形成され、電荷転送部に対応する部分には不純物濃
度が高く接合の深い第２のＰウェル領域３が形成されて
いる。第１のＰウェル領域２表面には光電変換領域とし
てのＮ＋不純物領域４が形成され、第２のＰウェル領域
３表面には光電変換領域としてのＮ 不純物領域４から
の信号電荷を転送する転送チャンネルとしてのＮ 不純
物領域５が形成されている。これら光電変換領域として
のＮ 不純物領域４と転送＋ チャンネルとしてのＮ 不純物領域５とに挟まれた半導
体基板１表面がフィールドシフトゲート領域６となる。
示す。Ｎ型半導体基板１表面の感光画素部に対応する部
分には不純物濃度が低く接合の浅い第１のＰウェル領域
２が形成され、電荷転送部に対応する部分には不純物濃
度が高く接合の深い第２のＰウェル領域３が形成されて
いる。第１のＰウェル領域２表面には光電変換領域とし
てのＮ＋不純物領域４が形成され、第２のＰウェル領域
３表面には光電変換領域としてのＮ 不純物領域４から
の信号電荷を転送する転送チャンネルとしてのＮ 不純
物領域５が形成されている。これら光電変換領域として
のＮ 不純物領域４と転送＋ チャンネルとしてのＮ 不純物領域５とに挟まれた半導
体基板１表面がフィールドシフトゲート領域６となる。
また第２のＰウェル領域３表面にはチャンネル・ストッ
パとしてのＰ 不純物領域７が形成されている。
パとしてのＰ 不純物領域７が形成されている。
さらに光電変換領域としてのＮ＋不純物領域４上には膜
厚的３００Ａの酸化膜８が形成され、この酸化膜８上に
は膜厚的７００Ａのシリコン窒化膜（Ｓ１３Ｎ４）９が
形成されている。また転送チャンネルとしてのＮ 不純
物領域５、フィールドシフトゲート領域６およびチャン
ネル・ストッパとしてのＰ 不純物領域７上には、絶縁
層１０を介して第１の転送電極１１が形成され、さらに
この第１の転送電極１１上には絶縁層１２を介して第２
の転送電極１３が形成され、さらにまたこの第２の転送
電極１３上にはＣＶ Ｄ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による酸化膜１４が形成
されている。
厚的３００Ａの酸化膜８が形成され、この酸化膜８上に
は膜厚的７００Ａのシリコン窒化膜（Ｓ１３Ｎ４）９が
形成されている。また転送チャンネルとしてのＮ 不純
物領域５、フィールドシフトゲート領域６およびチャン
ネル・ストッパとしてのＰ 不純物領域７上には、絶縁
層１０を介して第１の転送電極１１が形成され、さらに
この第１の転送電極１１上には絶縁層１２を介して第２
の転送電極１３が形成され、さらにまたこの第２の転送
電極１３上にはＣＶ Ｄ （ＣｈｅｍｉｃａｌＶａｐｏ
ｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法による酸化膜１４が形成
されている。
そして例えばＡ１層からなる光遮蔽膜１５が第１および
第２の転送電極１１．１３上方の酸化膜１４上に形成さ
れていると共に、第１および第２の転送電極１１．１３
の側方にも形成されており、その端はシリコン窒化膜９
にまで至っていることに特徴がある。また第１および第
２の転送電極１１．１３と光遮蔽膜１５との間に充分な
厚さの酸化膜１６が形成されていることにも特徴がある
。
第２の転送電極１１．１３上方の酸化膜１４上に形成さ
れていると共に、第１および第２の転送電極１１．１３
の側方にも形成されており、その端はシリコン窒化膜９
にまで至っていることに特徴がある。また第１および第
２の転送電極１１．１３と光遮蔽膜１５との間に充分な
厚さの酸化膜１６が形成されていることにも特徴がある
。
このように本実施例によれば、光遮蔽膜１５が転送電極
１１．１３の上方を覆っているだけでなく、その側方も
光電変換領域としてのＮ 不純物領域４のすぐ近くまで
覆っているため、斜めからの光が光電変換領域以外の部
分に入射することを大幅に減少させることができ、従っ
て斜めからの入射光によるスミア現象の発生を減少させ
ることができる。
１１．１３の上方を覆っているだけでなく、その側方も
光電変換領域としてのＮ 不純物領域４のすぐ近くまで
覆っているため、斜めからの光が光電変換領域以外の部
分に入射することを大幅に減少させることができ、従っ
て斜めからの入射光によるスミア現象の発生を減少させ
ることができる。
また転送電極１１．１３と光遮蔽膜１５との間には充分
な厚さの酸化膜１６が形成されているため、転送電極１
１．１３と光遮蔽膜１５との間に耐圧不良が発生するこ
とはない。さらに光遮蔽膜１５が最も近接している光電
変換領域としてのＮ 不純物領域４上には酸化膜８およ
びシリコン窒化膜９が形成されているため、半導体基板
１と光遮蔽膜１５との間にも耐圧不良が発生することは
ない。
な厚さの酸化膜１６が形成されているため、転送電極１
１．１３と光遮蔽膜１５との間に耐圧不良が発生するこ
とはない。さらに光遮蔽膜１５が最も近接している光電
変換領域としてのＮ 不純物領域４上には酸化膜８およ
びシリコン窒化膜９が形成されているため、半導体基板
１と光遮蔽膜１５との間にも耐圧不良が発生することは
ない。
次に本発明の一実施例による固体撮像装置の製造方法を
第２図を用いて説明する。感光画素部に対応するＮ型半
導体基板１表面に不純物濃度が低く接合の浅い第１のＰ
ウェル領域２と、感光画素部を分離する画素分離領域に
対応する半導体基板１表面に不純物濃度が比較的高く接
合の深い第２のＰウェル領域３とを形成する。次に第１
のＰウェル領域２表面に光電変換領域としてのＮ＋不純
物領域４と第２のＰウェル領域３表面に転送チャンネル
としてのＮ＋不純物領域５とを形成する。
第２図を用いて説明する。感光画素部に対応するＮ型半
導体基板１表面に不純物濃度が低く接合の浅い第１のＰ
ウェル領域２と、感光画素部を分離する画素分離領域に
対応する半導体基板１表面に不純物濃度が比較的高く接
合の深い第２のＰウェル領域３とを形成する。次に第１
のＰウェル領域２表面に光電変換領域としてのＮ＋不純
物領域４と第２のＰウェル領域３表面に転送チャンネル
としてのＮ＋不純物領域５とを形成する。
そして第２のＰウェル領域３表面にチャンネル・ストッ
パとしてのＰ 不純物領域７を形成する。
パとしてのＰ 不純物領域７を形成する。
次いでＨＣＩ酸化法を用いて温度１０００”Ｃの条件で
熱酸化を行ない、半導体基板ｌ上に膜厚約３００人の酸
化膜８を形成する。さらにこの酸化膜８上に耐酸化性物
質である例えばシリコン窒化膜９を約７００Ａ堆積した
後、リングラフィ法を用いて光電変換領域としてのＮ＋
不純物領域４上方のシリコン窒化膜９を除いて他の部分
のシリコン窒化膜９を除去する。続いて光電変換領域と
してのＮ 不純物領域４以外の半導体基板１上に絶縁層
１０を形成する。この絶縁層ｌｏ上の第２の ゛Ｐ
ウェル領域３に対応する所定の場所に例えばポリシリコ
ンから成る第１の転送電極１７を形成する。この第１の
転送電極１７表面を酸化して絶縁層１２を形成した後、
この絶縁層１２上のｍ２のＰウェル領域３に対応する所
定の場所に例えばポリシリコンから成る第２の転送電極
１８を形成する。そしてＣＶＤ法を用いて、全面に酸化
膜１４を形成する。
熱酸化を行ない、半導体基板ｌ上に膜厚約３００人の酸
化膜８を形成する。さらにこの酸化膜８上に耐酸化性物
質である例えばシリコン窒化膜９を約７００Ａ堆積した
後、リングラフィ法を用いて光電変換領域としてのＮ＋
不純物領域４上方のシリコン窒化膜９を除いて他の部分
のシリコン窒化膜９を除去する。続いて光電変換領域と
してのＮ 不純物領域４以外の半導体基板１上に絶縁層
１０を形成する。この絶縁層ｌｏ上の第２の ゛Ｐ
ウェル領域３に対応する所定の場所に例えばポリシリコ
ンから成る第１の転送電極１７を形成する。この第１の
転送電極１７表面を酸化して絶縁層１２を形成した後、
この絶縁層１２上のｍ２のＰウェル領域３に対応する所
定の場所に例えばポリシリコンから成る第２の転送電極
１８を形成する。そしてＣＶＤ法を用いて、全面に酸化
膜１４を形成する。
次いでＮＨ４Ｆ液をエツチング液として用い、光電変換
領域としてのＮ 不純物領域４上方の酸化ｌ１１４をエ
ツチングする。このときエツチングは横方向にも進行す
るため、酸化膜１４は斜めにエツチングされ、第２図（
ａ）のＡおよびＢ部に示されるように感光画素部に近い
転送電極１７゜１８の端部が露出される。また光電変換
領域としてのＮ 不純物領域４上方にはシリコン窒化膜
９が形成されているため、Ｎ Ｈ４Ｆ液によるエツチン
グはこのシリコン窒化膜９表面でストップする（第２図
（ａ））。
領域としてのＮ 不純物領域４上方の酸化ｌ１１４をエ
ツチングする。このときエツチングは横方向にも進行す
るため、酸化膜１４は斜めにエツチングされ、第２図（
ａ）のＡおよびＢ部に示されるように感光画素部に近い
転送電極１７゜１８の端部が露出される。また光電変換
領域としてのＮ 不純物領域４上方にはシリコン窒化膜
９が形成されているため、Ｎ Ｈ４Ｆ液によるエツチン
グはこのシリコン窒化膜９表面でストップする（第２図
（ａ））。
次いでＣＤ Ｅ （Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｄｒｙ Ｅｔｃ
ｈｉｎｇ）法を用いて、転送電極１７．１８の露出した
端部をエツチング除去する。こうして傾斜の付いた側面
を存する転送電極１１．１３が形成される（第２図（ｂ
））。
ｈｉｎｇ）法を用いて、転送電極１７．１８の露出した
端部をエツチング除去する。こうして傾斜の付いた側面
を存する転送電極１１．１３が形成される（第２図（ｂ
））。
次いで低温ウェット（ｗｅｔ）酸化法を用いて、転送電
極１１．１３側面に充分な厚さを有する酸化膜１６を形
成する。そして全面にＡ１層を蒸着した後、リソグラフ
ィ法を用いてシリコン窒化膜９上のＡ１層を除去する。
極１１．１３側面に充分な厚さを有する酸化膜１６を形
成する。そして全面にＡ１層を蒸着した後、リソグラフ
ィ法を用いてシリコン窒化膜９上のＡ１層を除去する。
こうして転送電極１１゜１３上方の酸化膜１４上および
転送電極１１゜１３側方の酸化膜１６上にＡ１層からな
る光遮蔽膜１５を形成する（第２図（Ｃ））。
転送電極１１゜１３側方の酸化膜１６上にＡ１層からな
る光遮蔽膜１５を形成する（第２図（Ｃ））。
このように本実施例によれば、光遮蔽膜１５が転送電極
１１．１３の上方のみならず、その側方も光電変換領域
としてのＮ 不純物領域４のすぐ近くまで覆っているた
め、斜めからの光が光電変換領域以外の部分に入射する
ことを大幅に減少させることができ、従って斜めからの
入射光によるスミア現象の発生を減少させることができ
る。
１１．１３の上方のみならず、その側方も光電変換領域
としてのＮ 不純物領域４のすぐ近くまで覆っているた
め、斜めからの光が光電変換領域以外の部分に入射する
ことを大幅に減少させることができ、従って斜めからの
入射光によるスミア現象の発生を減少させることができ
る。
また転送電極１１．１３と光遮蔽膜１５との間には充分
な厚さの酸化膜１６が形成されるため、転送電極１１．
１３と光遮蔽膜１５との間に耐圧不良が発生することは
ない。さらに先遮蔽膜１５が最も近接している光電変換
領域としてのＮ 不純物領域４上には酸化膜８およびシ
リコン窒化膜９が形成されているため、半導体基板１と
光遮蔽膜１５との間にも耐圧不良が発生することはない
。
な厚さの酸化膜１６が形成されるため、転送電極１１．
１３と光遮蔽膜１５との間に耐圧不良が発生することは
ない。さらに先遮蔽膜１５が最も近接している光電変換
領域としてのＮ 不純物領域４上には酸化膜８およびシ
リコン窒化膜９が形成されているため、半導体基板１と
光遮蔽膜１５との間にも耐圧不良が発生することはない
。
以上の通り本発明によれば、斜めからの入射光によるス
ミア現象の発生を低減することができると共に、充分な
耐圧特性を確保することができる。
ミア現象の発生を低減することができると共に、充分な
耐圧特性を確保することができる。
第１図は本発明の一実施例による固体撮像装置を示す断
面図、第２図は本発明の一実施例による固体撮像装置の
製造方法を示す工程図、第３図および第４図は従来の固
体撮像装置を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２，３・・・Ｐウェル領域、４゜
５・・・Ｎ 不純物領域、６・・・フィールドシフトゲ
ート領域、７・・・Ｐ 不純物領域、８．１４．１６・
・・酸化膜、９・・・シリコン窒化膜、１０．１２．１
９・・・絶縁層、１１．１３．１７．１８・・・転送電
極、１５．２０，２１・・・光遮蔽膜。 出願人代理人 佐 藤 −雄 ５１ 図 島２ 図
面図、第２図は本発明の一実施例による固体撮像装置の
製造方法を示す工程図、第３図および第４図は従来の固
体撮像装置を示す断面図である。 １・・・半導体基板、２，３・・・Ｐウェル領域、４゜
５・・・Ｎ 不純物領域、６・・・フィールドシフトゲ
ート領域、７・・・Ｐ 不純物領域、８．１４．１６・
・・酸化膜、９・・・シリコン窒化膜、１０．１２．１
９・・・絶縁層、１１．１３．１７．１８・・・転送電
極、１５．２０，２１・・・光遮蔽膜。 出願人代理人 佐 藤 −雄 ５１ 図 島２ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板と、この半導体基板上に配列され、入射
した光により信号電荷を生成し蓄積する感光画素部と、
この感光画素部に隣接して配列され、前記感光画素部に
蓄積された信号電荷を転送する電荷転送部とを有する固
体撮像装置において、 前記感光画素部以外の部分に光が入射しないように前記
電荷転送部の転送電極の上方および側方に形成された光
遮蔽膜と、 前記転送電極と前記光遮蔽膜との間および前記感光画素
部の前記半導体基板と前記光遮蔽膜との間に形成された
絶縁層とを備えたこと を特徴とする固体撮像装置。 ２、半導体基板表面に感光画素部及び電荷転送部の転送
チャンネルを形成する第１の工程と、前記半導体基板上
の全面に第１の絶縁層を形成する第２の工程と、 前記感光画素部上に前記第１の絶縁層を介して耐酸化性
物質である第２の絶縁層を形成する第３の工程と、 前記転送チャンネル上に前記第１の絶縁層を介して前記
電荷転送部の転送電極を形成する第４の工程と、 全面に第３の絶縁層を形成する第５の工程と、この第３
の絶縁層はエッチングされるが前記第２の絶縁層はエッ
チングされないエッチング液を用いて、前記感光画素部
上の第３の絶縁層を除去すると共に前記転送電極の端部
を露出させる第６の工程と、 この露出された前記転送電極の端部をエッチング除去す
る第７の工程と、 この端部をエッチング除去された前記転送電極の側面に
第４の絶縁層を形成する第８の工程と、前記転送電極の
上方および側方にそれぞれ前記第３の絶縁層および前記
第４の絶縁層を介して光遮蔽膜を形成する第９の工程と を有することを特徴とする固体撮像装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283419A JPS63136665A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61283419A JPS63136665A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63136665A true JPS63136665A (ja) | 1988-06-08 |
Family
ID=17665286
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61283419A Pending JPS63136665A (ja) | 1986-11-28 | 1986-11-28 | 固体撮像装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63136665A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172277A (ja) * | 1988-12-25 | 1990-07-03 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US5763292A (en) * | 1993-05-17 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method of making a solid state imager with reduced smear |
-
1986
- 1986-11-28 JP JP61283419A patent/JPS63136665A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02172277A (ja) * | 1988-12-25 | 1990-07-03 | Nec Corp | 固体撮像素子 |
| US5763292A (en) * | 1993-05-17 | 1998-06-09 | Sony Corporation | Method of making a solid state imager with reduced smear |
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