KR940022790A - 반도체 소자의 분리막 형성 방법 - Google Patents

반도체 소자의 분리막 형성 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 제2도와 같이 반도체 기판(1)에 패드산화막(2), 실리콘질화막(3)을 각각 형성한 다음 강광막(4)을 사용한 마스크 단계를 거쳐 필드산화막이 형성될 부위를 오픈(open) 시키는 제1단계, 상기 실리콘 질화막(3), 패드산화막(2), 반도체 기판(1)을 차례로 식각하여 트랜치를 형성한 다음 산화막(5), 다결정실리콘층(6)을 형성하는 제2단계, 상다결정실리콘층(6)을 평탄화시킨뒤 상기 패드산화막 (2) 본 높게 다시 식각하는 제3단계, 실리콘질화막을 적층한 뒤 스페이서 식각하여 실리콘질화막 스페이서(7)를 형성하는 제4단계, 상기 실리콘질화막 스페이서(7)를 마스크로 하여 다결정 실리콘을 식각하여 다결정실리콘 스페이서(8)를 형성하는 제5단계, 필드 산화막(9)을 형성하고 상기 실리콘질화막(3)과 실리콘질화막 스페이서(7)를 제거하고 패드 산화막(2)을 제거하는 제6단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법에 관한 것이다.
따라서 본 발명의 반도체 장치의 소자 분리막은 질화막스페이서에 의해 더 넓은 능동영역을 확보할 수 있고, 다결정실리콘 스페이서의 사용에 의해 산화에 다른 스트레스를 완충하는 작용이 가능하고, 실리콘 인터스티셜(interstitial)을 줄여서 결함없는 소자의 분리가 가능하다. 또한, 본 발명은 게이트 공정후에도 반도체 기판보다 높게 필드 산화막을 유지할 수 있어서 소자의 분리 특성을 향상시킴으로서 64M DRAM 이상의 고집적 소자의 소자분리에 적합하다.

Description

반도체 소자의 분리막 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 필드 산화막 형성 공정 단면도.

Claims (7)

  1. 반도체 소자의 분리막 형성 방법에 있어서, 반도체 기판(1)에 패드산화막 (2 ), 실리콘질화막(3)을 각각 형성한 다음 감광막(4)을 사용한 마스크 단계를 거쳐 필드산화막이 형성될 부위를 오픈(open)시키는 제1단계, 상기 실리콘질화막(3), 패드산화막(2), 반도체 기판(1)을 차례로 식각하여 트랜치를 형성한 다음 산화막(5), 다결정실리콘층(6)을 형성하되 실리콘질화막(3) 상부 보다 높게 형성하는 제2단계, 상기 다결정 실리콘층(6)을 평탄화시킨 뒤 상기 패드산화막(2)의 높이 보다 높게 다시 식각 하는 제3단계, 실리콘질화막을 적층한 뒤 스페이서 식각하여 실리콘질화막 스페이서(7)를 형성하는 제4단계, 상기 실리콘질화막 스페이서(7)를 마스크로 하여 다결정 실리콘을 식각하여 다결정실리리콘 스페이서(8)을 형성하는 제5단계, 필드 산화막(9)을 형성하고 상기 실리콘질화막(3)과 실리콘질화막 스페이서(7)을 제거하고 패드 산화막(2)을 제거하는 제6단계를 구비하여 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 트랜치 깊이는 1000 내지 3000Å임을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2단계의 다결정실리콘층(6)의 두께는 실리콘질화막 (3)의 위부분 트랜치 바닥까지의 높이보다 크게 함을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 다결정실리콘층(6)을 패드산화막(2)의 높이 보다 높게 식각함을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 제3단계의 다결정실리콘층(6)의 평탄화는 CMP(chemi -cal mechanical polishing) 방법인 것을 특징으로하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 제5단계의 필드 산화막(9)의 두께는 트랜치를 높이의 두배보다 약간 두껍게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
  7. 제1항에 있어서, 상기 제6단계의 필드 산화막(9)의 형성온도는 1000 내지 3000℃의 고온임을 특징으로 하는 반도체 소자의 분리막 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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