KR940022696A - 기판세정방법 및 그 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 포토마스크기판 또는 반도체 웨이퍼의 세정방법 및 그 장치에 관한 것이다. H2SO4와 H2O2의 양액의 혼합에 의해 생성되는 혼합열을 반응촉진에 유효이용한다. 즉, H2SO4와 H2O2를 각각 다른 노즐로부터 토출시키고, 노즐의 가장 가까운 바로 아래의 혼합포인트에서 양액을 혼합하여, H2SO4-H2O2혼합액을 조제한다. 이 혼합액을 회전시킨 포토마스크기판의 중심 근방에 낙하시켜서, 원심력에 의해 기판면에 전개시킨다. H2SO4-H2O2의 유량비, 혼합포인트의 높이, 기판의 회전수를 제어함으로써, 기판면상의 혼합액의 온도분포를 최소로 억제하여 균일한 세정을 할 수 있다. 이로써, 전자선(電子線) 리소그라피 등에 사용되는 난용성의 클로로메틸스티렌계 레지스트재료 등의 웨트박리도 가능하게 된다.

Description

기판세정방법 및 그 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명에서 사용되는 세정장치의 구성예를 나타낸 개략단면도.
제2도는 본 발명에서 사용되는 세정장치의 노즐 근방의 확대도.

Claims (14)

  1. 복수 종류의 약액이 혼합되어 이루어지는 혼합세정액을 기판에 접촉시킴으로써 이 기판을 세정하는 기판세정방법에 있어서, 상기 혼합세정액은 각각 독립된 공급구로부터 토출된 각 약액을 상기 기판면에 도달시키기까지의 동안에 혼합함으로써 조제되고, 또한, 상기 혼합세정액은 이 혼합시에 생성되는 혼합열에 의해 승온되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 복수 종류의 약액의 유량비를 제어함으로써, 상기 기판상에 있어서의 상기 혼합세정액의 온도분포를 최적화하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 복수 종류의 약액의 혼합지점으로부터 상기 기판면까지의 거리를 제어함으로써, 이 기판상에 있어서의 상기 혼합세정액의 온도분포를 최적화하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  4. 제1항에 있어서, 세정중에는 상기 기판을 최적화된 회전수로 회전시키는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 혼합세정액을 사용한 세정과 그 후의 순수(純水)린스로 이루어지는 세정사이클을 최소한 2회 이상 반복하는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 혼합세정액을 구성하는 약액이 황산과 과산화수소수이고, 상기 세정에 의해 상기 기판상의 레지스터재료가 분해제거되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  7. 세정컵과, 이 컵내의 회전처크와, 이 회전처크를 회전시키는 수단과, 기판에 제1의 약액을 공급하는 제1의 노즐과, 기판에 제2의 약액을 공급하는 제2의 노즐을 구비하고, 약액을 기판면에 도달시키기까지의 동안에 상기 제2의 약액이 상기 제1의 노즐의 상기 제1의 약액과 혼합되도록 상기 제2의 노즐이 배열되는 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  8. 제7항에 있어서, 또한 상기 제1 및 제2의 약액의 혼합지점을 제어하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  9. 제7항에 있어서, 또한 상기 회전수단의 회전수를 제어하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  10. 제7항에 있어서, 또한 상기 기판면에 린스액을 공급하는 제1의 린스노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정방법.
  11. 제7항에 있어서, 또한 상기 컵의 측벽면으로 향하는 개구를 가지는 제2의 린스노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  12. 제7항에 있어서, 또한 상기 컵의 배면으로 향하는 개구를 가지는 제3의 린스노즐을 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  13. 제7항에 있어서, 또한 상기 컵의 외측에 약액저장탱크를 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
  14. 제7항에 있어서, 또한, 상기 약액저장탱크에서 약액을 예비가열하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 기판세정장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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Families Citing this family (70)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3250090B2 (ja) * 1995-06-27 2002-01-28 東京エレクトロン株式会社 洗浄処理装置及び洗浄処理方法
US6905550B2 (en) * 1996-05-06 2005-06-14 Princeton Trade & Technology, Inc. Method of removing organic materials using aqueous cleaning solutions
US5861064A (en) * 1997-03-17 1999-01-19 Fsi Int Inc Process for enhanced photoresist removal in conjunction with various methods and chemistries
JPH11121417A (ja) 1997-10-09 1999-04-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体基板の処理システムおよび処理方法
JP3920429B2 (ja) * 1997-12-02 2007-05-30 株式会社ルネサステクノロジ 位相シフトフォトマスクの洗浄方法および洗浄装置
JP3161521B2 (ja) * 1998-03-13 2001-04-25 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法および洗浄装置
TW444921U (en) * 1998-03-18 2001-07-01 United Microelectronics Corp Injection cleaning device of developer machine
EP0959390A1 (en) * 1998-05-20 1999-11-24 STMicroelectronics S.r.l. Photoresist removal process.
KR20000002998A (ko) * 1998-06-25 2000-01-15 윤종용 엘씨디 글래스 세정장치
US7527698B2 (en) * 1998-09-23 2009-05-05 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec, Vzw) Method and apparatus for removing a liquid from a surface of a substrate
US20050229946A1 (en) * 1998-11-12 2005-10-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
US20010001392A1 (en) * 1998-11-12 2001-05-24 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating method and apparatus
JP3395696B2 (ja) * 1999-03-15 2003-04-14 日本電気株式会社 ウェハ処理装置およびウェハ処理方法
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
US6405399B1 (en) * 1999-06-25 2002-06-18 Lam Research Corporation Method and system of cleaning a wafer after chemical mechanical polishing or plasma processing
US6516815B1 (en) * 1999-07-09 2003-02-11 Applied Materials, Inc. Edge bead removal/spin rinse dry (EBR/SRD) module
US6299697B1 (en) * 1999-08-25 2001-10-09 Shibaura Mechatronics Corporation Method and apparatus for processing substrate
JP4488322B2 (ja) * 2000-01-26 2010-06-23 大日本印刷株式会社 フォトマスク製造用スピン処理装置
JP2001319849A (ja) * 2000-05-08 2001-11-16 Tokyo Electron Ltd 液処理装置及び液処理方法
US7479205B2 (en) * 2000-09-22 2009-01-20 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US6951221B2 (en) * 2000-09-22 2005-10-04 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus
US20020119245A1 (en) * 2001-02-23 2002-08-29 Steven Verhaverbeke Method for etching electronic components containing tantalum
JP4000247B2 (ja) * 2001-04-18 2007-10-31 株式会社ルネサステクノロジ フォトマスクの洗浄方法
US20030011774A1 (en) * 2001-06-05 2003-01-16 Dibello Gerald N. Methods and systems for monitoring process fluids
US6770151B1 (en) * 2001-07-13 2004-08-03 Lam Research Corporation Drying a substrate using a combination of substrate processing technologies
JP2003115474A (ja) * 2001-10-03 2003-04-18 Ebara Corp 基板処理装置及び方法
US6824612B2 (en) 2001-12-26 2004-11-30 Applied Materials, Inc. Electroless plating system
US6770565B2 (en) 2002-01-08 2004-08-03 Applied Materials Inc. System for planarizing metal conductive layers
US20040000322A1 (en) * 2002-07-01 2004-01-01 Applied Materials, Inc. Point-of-use mixing with H2SO4 and H2O2 on top of a horizontally spinning wafer
US20040040934A1 (en) * 2002-09-04 2004-03-04 Tai Chen Chung Method of etching a photoresist layer disposed on a semiconductor substrate
JP4255702B2 (ja) * 2003-01-28 2009-04-15 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び方法
TW200419687A (en) * 2003-03-31 2004-10-01 Powerchip Semiconductor Corp Ion sampling system for wafer and method thereof
JP2004303967A (ja) * 2003-03-31 2004-10-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
WO2005015624A1 (ja) * 2003-08-06 2005-02-17 Takayuki Niuya 半導体製造装置
JP4439956B2 (ja) 2004-03-16 2010-03-24 ソニー株式会社 レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置
JP2006128458A (ja) * 2004-10-29 2006-05-18 Toshiba Corp 半導体基板洗浄装置及びその方法
JP4672487B2 (ja) 2005-08-26 2011-04-20 大日本スクリーン製造株式会社 レジスト除去方法およびレジスト除去装置
JP2007149892A (ja) * 2005-11-25 2007-06-14 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US7537114B2 (en) * 2006-01-25 2009-05-26 International Business Machines Corporation System and method for storing and transporting photomasks in fluid
JP4908879B2 (ja) * 2006-02-28 2012-04-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
US20070227556A1 (en) * 2006-04-04 2007-10-04 Bergman Eric J Methods for removing photoresist
JP4795854B2 (ja) 2006-06-05 2011-10-19 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理方法および基板処理装置
KR100847590B1 (ko) * 2006-06-19 2008-07-21 조현찬 반도체 장비용 약액 공급 장치, 이를 위한 모니터링 제어장치 및 모니터링이 가능한 반도체 장비용 약액 공급 장치
US20080060682A1 (en) * 2006-09-13 2008-03-13 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. High temperature spm treatment for photoresist stripping
US20080078424A1 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Applied Materials, Inc. Methods to accelerate photoimageable material stripping from a substrate
TWI439571B (zh) * 2007-01-15 2014-06-01 Shibaura Mechatronics Corp Sulfuric acid electrolysis device, electrolysis method and substrate processing device
JP5017375B2 (ja) * 2007-01-22 2012-09-05 ラム・リサーチ・アクチエンゲゼルシヤフト 表面を洗浄する方法
JP4863897B2 (ja) * 2007-01-31 2012-01-25 東京エレクトロン株式会社 基板洗浄装置、基板洗浄方法及び基板洗浄プログラム
WO2009087492A1 (en) * 2008-01-09 2009-07-16 Freescale Semiconductor, Inc. Semiconductor processing method
WO2009114964A1 (en) * 2008-03-17 2009-09-24 Acm Research (Shanghai) Inc. Solution preparation apparatus and method for treating individual semiconductor workpiece
JP5650896B2 (ja) 2009-09-03 2015-01-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2011129651A (ja) * 2009-12-16 2011-06-30 Renesas Electronics Corp 半導体装置の製造方法、基板処理装置、および、プログラム
US20110217848A1 (en) * 2010-03-03 2011-09-08 Bergman Eric J Photoresist removing processor and methods
KR101068872B1 (ko) 2010-03-12 2011-09-30 세메스 주식회사 약액 공급 유닛 및 이를 갖는 기판 처리 장치
JP5371862B2 (ja) * 2010-03-30 2013-12-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および処理液温度測定方法
CN102834182B (zh) * 2010-04-27 2016-11-02 泰尔Fsi公司 在邻近基板表面处的受控流体混合情况下的微电子基板的湿处理
KR101329319B1 (ko) * 2010-08-13 2013-11-14 세메스 주식회사 노즐 및 이를 갖는 기판처리장치
US8873020B2 (en) * 2011-08-24 2014-10-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Cleaning nozzle for advanced lithography process
KR102342131B1 (ko) 2014-08-15 2021-12-21 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP6587865B2 (ja) * 2014-09-30 2019-10-09 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US10403517B2 (en) 2015-02-18 2019-09-03 SCREEN Holdings Co., Ltd. Substrate processing apparatus
JP6461636B2 (ja) * 2015-02-18 2019-01-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6493839B2 (ja) 2015-03-24 2019-04-03 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6808423B2 (ja) * 2016-09-28 2021-01-06 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および処理液供給方法
WO2018076187A1 (zh) * 2016-10-25 2018-05-03 深圳市柔宇科技有限公司 液体控温系统及膜层剥离设备
JP6986397B2 (ja) * 2017-09-14 2021-12-22 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
GB201815163D0 (en) 2018-09-18 2018-10-31 Lam Res Ag Wafer washing method and apparatus
US10809620B1 (en) * 2019-08-16 2020-10-20 Tokyo Electron Limited Systems and methods for developer drain line monitoring
JP7407574B2 (ja) * 2019-11-29 2024-01-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、及び基板処理方法
WO2024210021A1 (ja) * 2023-04-05 2024-10-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4027686A (en) * 1973-01-02 1977-06-07 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for cleaning the surface of a semiconductor slice with a liquid spray of de-ionized water
US3900337A (en) * 1974-04-05 1975-08-19 Ibm Method for stripping layers of organic material
US4738272A (en) * 1984-05-21 1988-04-19 Mcconnell Christopher F Vessel and system for treating wafers with fluids
US4911761A (en) * 1984-05-21 1990-03-27 Cfm Technologies Research Associates Process and apparatus for drying surfaces
US4651440A (en) * 1986-05-16 1987-03-24 Eastman Kodak Company Spin drying apparatus
JPS6315710A (ja) * 1986-07-08 1988-01-22 Toshiba Corp 洗浄装置
JPS63136528A (ja) * 1986-11-27 1988-06-08 Mitsubishi Electric Corp 処理液塗布装置
AT389959B (de) * 1987-11-09 1990-02-26 Sez Semiconduct Equip Zubehoer Vorrichtung zum aetzen von scheibenfoermigen gegenstaenden, insbesondere von siliziumscheiben
JP2653511B2 (ja) * 1989-03-30 1997-09-17 株式会社東芝 半導体装置の洗浄方法及びその洗浄装置
US5158100A (en) * 1989-05-06 1992-10-27 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer cleaning method and apparatus therefor
JPH07122152B2 (ja) * 1990-06-19 1995-12-25 日本パーカライジング株式会社 アルミニウム用酸性洗浄液
JP2787788B2 (ja) * 1990-09-26 1998-08-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション 残留物除去方法
US5279704A (en) * 1991-04-23 1994-01-18 Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha Method of fabricating semiconductor device
US5185056A (en) * 1991-09-13 1993-02-09 International Business Machines Corporation Method and apparatus for etching semiconductor wafers and developing resists

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