KR940001411A - 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법 - Google Patents

예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법에 관한 것이다.
예정된 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 제조를 위해, 그것에 필요한 레이아웃이 예정된 메모리 용량보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이아웃을 사용해서 설계되고, 이때 상기 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이아웃은 다수의 메모리 셀 필드 (ZF11‥‥ZF48)를 갖는다. 상기 메모리 셀 필드(ZF11‥‥ZF48)중 예정된 메모리 용량에 상응하는 부분(ZF11, ZF12, ZF21, ZF22, ZF31, ZF32, ZF41, ZF42)만이 사용된다.

Description

예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 예정된 메모리 용량보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이아웃,
제2도는 제1도에 따른 레이아웃으로 설계된, 예정된 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이 아웃.

Claims (7)

  1. 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법에 있어서, 예정된 메모리 용량을 가진 반도체 메모리를 제조하는데 필요한 레이 아웃이 예정된 메모리 용량 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이 아웃을 이용해서 설계되고, 상기 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이 아웃은 다수의 메모리 셀 필드 (ZF11‥‥ZF18, ZF2l‥‥ZF28, ZF31‥‥ZF38, ZF41‥‥ZF48)를 가지며, 상기 메모리 셀 필드(ZF11‥‥ZF18, ZF21‥‥ZF28, ZF31‥‥ZF38, ZF41‥‥ ZF48)중 예정된 메모리 용량에 상웅하는 부분(ZF11, ZF12, ZF21, ZF22, ZF31, ZF32, ZF41, ZF42)만이 사용되는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, -예정된 메모리 용량보다 큰 메모리 용량을 갖는 집적 반도체 메모리의 주변 회로부품(P)의 레이아웃이 사용된 메모리 셀 필드(Z11…ZF42)의 기능에 필요한 범위로 사용되고, 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 메모리 셀 필드(ZF11,ZF12, ZF21, ZF22, ZF31, ZF32, ZF41, ZF42)의 레이 아웃이 예정된 메모리 용량에 상응하는 수로 사용되며, -주변 회로 부품(P)의 레이 아웃 및 사용된 메모리 셀 필드(ZF11…ZF42)가 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리에서 서로에 대해 배 열된 것과 똑같이 서로에 대해 배열되고, -보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 버스라인(BUS-A, BUS-B)의 레이아웃이 사용되는 메모리 셀 필드(ZF11…ZF42)의 기능에 필요한 범위로 예정된 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이 아웃에 사용되는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
  3. 제 1항 또는 2항에 있어서, 예정된 메모리 용량으로 인해 사용되는 메모리 셀 필드(ZF11...ZF42)의 어드레스 신호를 디코딩하는데 불 필요한 어드레스 라인 (A2, A3 ;B2, B3, B3) 이 반도체 메모 리 의 동작중에 전기 레벌(VA)을 갖는 전위 소스에 연결되며, 상기 전위 소스는 사용되는 메모리 셀 필드 (ZF11…ZF42)의 디코딩에 필요한 어드레스 라인(Al;Bl,Bl)의 어드레스 신호를 디코딩하는데 영향을 주지 않는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
  4. 제1항 또는 2항에 있어서, 블록디코더 유니트(WD11,WDl2,WD2l‥‥WD42)에서 예정된 메모리 용량으로 인해 사용되는 메모리 셀 필드 (ZF11‥‥ZF42)의 어드레스 신호를 디코딩하는데 불 필요한 입력이 반도체 메모리의 동작중에 전기 레벨(VA)을 갖는 전기 전위 소스에 연결되며, 상기 전위 소스는 사을되는 메모리 셀 필스(ZF11…ZF42)의 디코딩에 필요한 어드레스 라인(Al:Bl,Bl)의 어드레스 신호를 디코딩 하는데 영향을 주지않는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 어드레스 디코더에서, 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리에 필요한 수의 내부 어드레스 라인(Bl,B1, B2, B2,B3,B3)용 입력 대신에 예정된 메모리 용랑으로 인해 필요한 수의 내부 어드레스 라인(Bl,Bl)을 입력만이 사용되는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
  6. 제1항 또는 2항에 있어서, 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리의 레이 아웃이 하나이상의 어드레스 디코더용 단을 갖는 경우에는 예정된 메모리 용량을 가진 반도체 메모리에 보다 적은 수의 어드레스 디코더용 단이 사용되는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
  7. 상기 항 중 어느 한 항에 있어서, 보다 큰 메모리 용량을 가진 반도체 메모리에서 워드라인 신호를 디코딩하는데 필요한 워드 라인 디코더중 적어도 하나가 예정된 메모리 용량을 가진 반도체 메모리에서 비트 라인 신호를 디코딩하는데 사용되는 것을 특징으로 하는 예정된 메모리 용량을 가진 집적 반도체 메모리의 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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