KR950006876A - 롤콜 회로 - Google Patents

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KR950006876A
KR950006876A KR1019940020990A KR19940020990A KR950006876A KR 950006876 A KR950006876 A KR 950006876A KR 1019940020990 A KR1019940020990 A KR 1019940020990A KR 19940020990 A KR19940020990 A KR 19940020990A KR 950006876 A KR950006876 A KR 950006876A
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KR
South Korea
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redundancy
test
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KR1019940020990A
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Inventor
야스지 고시까와
Original Assignee
세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/70—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring
    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/835—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with roll call arrangements for redundant substitutions
    • G—PHYSICS
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    • G11C29/78—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices
    • G11C29/80—Masking faults in memories by using spares or by reconfiguring using programmable devices with improved layout
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  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Dram (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)

Abstract

<목적> 리던던시의 사용, 미사용을 판정하는 롤콜 테스트를 불량품 디바이스에 있어서도 가능으로 하고 또 테스트 회로, 테스트 신호선을 줄이고 면적 저감을 도모한다.
<구성> 롤콜 테스트는 BSLB를 Low로 하고 센스앰프 데이터 판독회로(8)를 RWBST, N로부터 촌단하고 메모리 셀 정보에 의하지 않고 롤콜 결과 판독 회로(7)의 출력에 의해서 I/O패트에 테스트 결과를 출력한다. 또, 롤콜 디코더(5)에는 복수의 리던던시 선택 신호 XRDS1－4를 입력하고 어느 선택 신호의 상태를 테스트 하느냐를 리던던시 선택, 비선택에 무관계인 어드레스 신호에 의해서 디코더하게 XRDD0, YADD0를 입력한다.

Description

롤콜 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본 발명의 제1실시예를 도시하는 블럭도.

Claims (5)

  1. 리던던시 메모리 셀을 갖는 반도체 기억장치의 롤콜 회로에 있어서, 롤콜 테스트시는 메모리 셀의 정보를 출력 패드에 출력하는 경로를 촌단하는 회로와, 상기 메모리 셀의 정보를 패드에 출력하는 경로의 일부에 롤콜 테스트 결과를 전달하고 출력 패드에 출력하는 회로를 적어도 구비하고, 롤콜 테스트시는 롤콜 테스트결과에 의하지 않으며 롤콜 테스트 결과에 따라서 출력 패드의 출력이 변화하는 것을 특징으로 하는 롤콜 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀의 정보를 출력 패드에 출력하는 경로를 촌단하는 수단을 롤콜 테스트 활성화 신호에 의해서 상기 경로내의 트랜지스터 게이트를 OFF 시키는 것을 특징으로 하는 롤콜 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 메모리 셀의 정보를 출력 패드에 출력하는 경로의 일부에 롤콜 테스트 결과를 전달하는 수단은 1개의 I/O패드에 대해 2개 준비되며 미리 어떤 레벨에 프리챠지되거나 리드바이트버스 중, 테스트 결과에 따라서 그 어느 한쪽의 레벨을 변화시키는 것에 의하는 것을 특징으로 하는 롤콜 회로.
  4. 복수의 리턴더시 메모리 셀을 갖는 반도체 기억 장치의 롤콜 디코더에 있어서, 롤콜 테스트시에 제1의 전위에 프리챠지 된 접점과 제2의 전위의 접점과 사이에 제1의 복수의 트랜지스터군이 직렬로 접속된 그 트랜지스터군의 적어도 하나는 리던던시 워드선, 또는 리던던시 칼럼 선택선의 선택시와 비선택시에서 레벨이 상이한 제1의 리던던시 선택 신호를 게이트에 입력, 그 트랜지스터군의 적어도 하나는 외부로부터 입력하는 어드레스 신호의 레벨에 의해서 변화하는 제1의 내부 어드레스 신호를 게이트에 입력하고 또한, 상기 제1의 복수의 트랜지스터군과는 달리, 적어도 또 한조 상기 제1의 전위에 프리챠지된 접점과 상기 제2의 접점과 사이에 제2의 복수의 트랜지스터군이 직렬로 접속되고 그 제2의 복수의 트랜지스터군의 적어도 하나는 제2의 리던던시 선택 신호를 게이트에 입력하고 그 트랜지스터군의 적어도 하나는 외부로부터 입력하는 어드레스 신호의 레벨에 의해서 변화하는 제2의 내부 어드레스 신호를 게이트에 입력하고 상기 제1의 전위에 따라서 상기한 레벨의 출력 신호를 출력하는 회로를 구비한 것을 특징으로 하는 롤콜 회로.
  5. 제4항에 있어서, 상기 외부로부터 입력하는 어드레스 신호에 의해서 변화하는 제1의 내부 어드레스 신호 및 제2의 내부 어드레스 신호는 복수의 리던던시 워드선 또는 리던던시 칼럼 선택선 중으로부터 어느 하나를 선택할 때, 어느 것을 선택하는가에 영향 받지 않고 어드레스 신호에 의해서 변화하는 신호인 것을 특징으로 하는 롤콜 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019940020990A 1993-08-26 1994-08-25 롤콜 회로 KR0138716B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP93-211319 1993-08-26
JP21131993A JP2570589B2 (ja) 1993-08-26 1993-08-26 ロールコール回路

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR950006876A true KR950006876A (ko) 1995-03-21
KR0138716B1 KR0138716B1 (ko) 1998-06-15

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ID=16603983

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KR1019940020990A KR0138716B1 (ko) 1993-08-26 1994-08-25 롤콜 회로

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US (1) US5517458A (ko)
EP (1) EP0640917B1 (ko)
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DE (1) DE69432690T2 (ko)

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EP0640917A3 (en) 1998-03-18
EP0640917A2 (en) 1995-03-01
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KR0138716B1 (ko) 1998-06-15
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