KR920008961A - 전계방출형 에미터 및 그 제조방법 - Google Patents
전계방출형 에미터 및 그 제조방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR920008961A KR920008961A KR1019910019138A KR910019138A KR920008961A KR 920008961 A KR920008961 A KR 920008961A KR 1019910019138 A KR1019910019138 A KR 1019910019138A KR 910019138 A KR910019138 A KR 910019138A KR 920008961 A KR920008961 A KR 920008961A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- insulating film
- gate electrode
- substrate
- cavity
- conductive
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
- H01J9/025—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes of field emission cathodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J1/00—Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J1/02—Main electrodes
- H01J1/30—Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode
- H01J1/304—Field-emissive cathodes
- H01J1/3042—Field-emissive cathodes microengineered, e.g. Spindt-type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/901—Printed circuit
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12014—All metal or with adjacent metals having metal particles
- Y10T428/1216—Continuous interengaged phases of plural metals, or oriented fiber containing
- Y10T428/12174—Mo or W containing
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24273—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Cold Cathode And The Manufacture (AREA)
Abstract
내용 없음
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1실시예에 따른 전게방출형 에미터를 나타내는 단면도.
Claims (6)
- 도전성기판과, 상기 도전성기판상에 형성된 절연막과, 상기 절연막내에 형성된 공동부와, 상기 공동부내의 상기 도전성기판상에 형성된 캐소드와, 상기 절연막상에 형성된 게이트전극으로 구성되고, 상기 게이트전극이 내화성 금속실리사이드로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출형 에미터.
- 제1항에 있어서, 상기 절연막과 상기 게이트전극 사이에 다결정실리콘막이 형성된 것을 특징으로 하는 전계방출형 에미터.
- 글라스기판과, 상기 글라스기판상에 형성된 제1절연막과, 상기 제1절연막상에 형성된 도전막과, 상기 글라스기판상에 형성된 제2절연막으로서, 상기 도전막 및/또는 상기 제1절연막상에 형성된 제2절연막과, 상기 제2절연막내에 형성된 공동부와, 상기 공동부내의 상기 도전막상에 형성된 캐소드와, 상기 제2절연막상에 걸쳐 형성된 게이트전극으로 구성된 것을 특징으로 하는 전계방출형 에미터.
- 도전성기판과, 상기 도전성기판상에 형성된 절연막과, 상기 절연막내에 형성된 공동부와, 상기 공동부내의 상기 도전성기판에 형성된 캐소드와, 상기 절연막상에 형성된 게이트전극으로 구성되고, 상기 공동부부분내의 상기 절연막의 측벽은 역테이퍼형상을 갖도록 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출형 에미터.
- 도전성기판과, 상기 도전성기판상에 형성된 절연막과, 상기절연막내에 형성된 공동부와, 상기 공동부내의 상기 도전성기판상에 형성된 캐소드와, 상기 절연막상에 형성된 게이트전극으로 구성된 전계방출형 에미터의 제조방법에 있어서, 상기 도전성기판상에 상기 절연막과 상기 게이트전극을 형성하기 위한 상기 도전막을 순차형성하고, 상기 게이트전극을 형성하기 위해 상기 도전막상에 상기 게이트전극에 대응하는 형상을 갖는 레지스트패턴을 형성하고, 상기 레지스트패턴을 마스크로 사용하여 상기 도전막을 에칭하여 상기 게이트전극을 형성하고, 상기 게이트전극을 마스크로 사용하여 상기 도전성기판의 표면과 대략 수직인 방향으로 상기 절연막을 이방성 에칭하고, 상기 게이트 전극을 마스크로 사용하여 상기 절연막을 습식에칭하는 스텝으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 전계방출형 에미터의 제조방법.
- 기판과, 상기 기판상에 형성된 절연막과, 상기 절연막내에 형성된 공동부와, 상기 공동부내의 상기 기판상에 형성된 캐소드와, 상기 절연막상에 형성된 게이트전극으로 구성된 전계방출형 에미터의 제조방법에 있어서, 상기 기판상에 상기 공동부와 상기 게이트전극을 가진 상기 절연막을 형성한 후에, 상기 기판의 표면에 대해 경사진 방향으로 제1증착을 행하여 상기 게이트 전극상에 박리층을 형성하고, 상기 기판의 표면에 대해 수직방향으로 제2증착을 행하여 상기 캐소드를 형성하고, 상기 제2증착에 의해 상기 박리층상에 형성된 막을 에칭제거하여 상기 박리층을 부분적으로 노출시키고, 리프트오프법에 의해 상기 막과 함께 상기 박리층을 제거하는 스텝으로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방출형 에미터의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP90-293,182 | 1990-10-30 | ||
JP29318290A JP2969913B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 電界放出型エミッタ |
JP29318390A JP3033178B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 電界放出型エミッタ |
JP29318490A JP3033179B2 (ja) | 1990-10-30 | 1990-10-30 | 電界放出型エミッタ及びその製造方法 |
JP90-293,183 | 1990-10-30 | ||
JP90-293,184 | 1990-10-30 | ||
JP91-14,726 | 1991-01-14 | ||
JP1472691A JP3094464B2 (ja) | 1991-01-14 | 1991-01-14 | 電界放出型マイクロカソードの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR920008961A true KR920008961A (ko) | 1992-05-28 |
KR100238696B1 KR100238696B1 (ko) | 2000-01-15 |
Family
ID=27456269
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1019910019138A KR100238696B1 (ko) | 1990-10-30 | 1991-10-30 | 전계방출형 에미터 및 그 제조방법 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5332627A (ko) |
EP (1) | EP0483814B1 (ko) |
KR (1) | KR100238696B1 (ko) |
DE (1) | DE69112171T2 (ko) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20010003752A (ko) * | 1999-06-25 | 2001-01-15 | 김영환 | 전계방출 표시소자의 제조방법 |
KR100282261B1 (ko) * | 1993-12-24 | 2001-05-02 | 김순택 | 전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법 |
KR100296879B1 (ko) * | 1999-06-18 | 2001-07-12 | 김순택 | 전계 방출 표시소자의 제조방법 |
Families Citing this family (25)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA2070478A1 (en) * | 1991-06-27 | 1992-12-28 | Wolfgang M. Feist | Fabrication method for field emission arrays |
FR2723471B1 (fr) * | 1994-08-05 | 1996-10-31 | Pixel Int Sa | Cathode d'ecran plat de visualisation a resistance d'acces constante |
EP0713236A1 (en) * | 1994-11-18 | 1996-05-22 | Texas Instruments Incorporated | Electron emission apparatus |
US5550065A (en) * | 1994-11-25 | 1996-08-27 | Motorola | Method of fabricating self-aligned FET structure having a high temperature stable T-shaped Schottky gate contact |
US6033277A (en) * | 1995-02-13 | 2000-03-07 | Nec Corporation | Method for forming a field emission cold cathode |
JPH08222126A (ja) * | 1995-02-13 | 1996-08-30 | Nec Kansai Ltd | 電界放出冷陰極の製造方法 |
US5594297A (en) * | 1995-04-19 | 1997-01-14 | Texas Instruments Incorporated | Field emission device metallization including titanium tungsten and aluminum |
KR100343213B1 (ko) * | 1995-11-14 | 2002-11-27 | 삼성에스디아이 주식회사 | 전계방출소자의제조방법 |
DE69518849T2 (de) * | 1995-12-14 | 2001-01-11 | St Microelectronics Srl | Verfahren zur Herstellung einer Mikrospitzenkathodenstruktur für eine Feldemissionsanzeigetafel |
JP3079993B2 (ja) * | 1996-03-27 | 2000-08-21 | 日本電気株式会社 | 真空マイクロデバイスおよびその製造方法 |
JPH11195711A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
JPH11195753A (ja) * | 1997-10-27 | 1999-07-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
US6255772B1 (en) * | 1998-02-27 | 2001-07-03 | Micron Technology, Inc. | Large-area FED apparatus and method for making same |
WO2000034980A1 (en) * | 1998-12-08 | 2000-06-15 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Electric lamp |
US6342755B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-01-29 | Sony Corporation | Field emission cathodes having an emitting layer comprised of electron emitting particles and insulating particles |
US6462467B1 (en) | 1999-08-11 | 2002-10-08 | Sony Corporation | Method for depositing a resistive material in a field emission cathode |
US6384520B1 (en) | 1999-11-24 | 2002-05-07 | Sony Corporation | Cathode structure for planar emitter field emission displays |
US6958499B2 (en) * | 2002-12-11 | 2005-10-25 | Electronics And Telecommunications Research Institute | Triode field emission device having mesh gate and field emission display using the same |
KR100523840B1 (ko) * | 2003-08-27 | 2005-10-27 | 한국전자통신연구원 | 전계 방출 소자 |
JP5122818B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2013-01-16 | シャープ株式会社 | 薄膜半導体装置の製造方法 |
FR2899572B1 (fr) * | 2006-04-05 | 2008-09-05 | Commissariat Energie Atomique | Protection de cavites debouchant sur une face d'un element microstructure |
US8435873B2 (en) | 2006-06-08 | 2013-05-07 | Texas Instruments Incorporated | Unguarded Schottky barrier diodes with dielectric underetch at silicide interface |
KR100971658B1 (ko) * | 2008-01-03 | 2010-07-22 | 엘지전자 주식회사 | 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법 |
ES2655305T3 (es) * | 2008-02-08 | 2018-02-19 | Shiseido Company, Ltd. | Agente para blanqueamiento de la piel |
CN113675057B (zh) * | 2021-07-12 | 2023-11-03 | 郑州大学 | 一种自对准石墨烯场发射栅极结构及其制备方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3921022A (en) * | 1974-09-03 | 1975-11-18 | Rca Corp | Field emitting device and method of making same |
JPS61166075A (ja) * | 1985-01-17 | 1986-07-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
FR2593953B1 (fr) * | 1986-01-24 | 1988-04-29 | Commissariat Energie Atomique | Procede de fabrication d'un dispositif de visualisation par cathodoluminescence excitee par emission de champ |
EP0278405B1 (en) * | 1987-02-06 | 1996-08-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission element and method of manufacturing the same |
DE3782247D1 (de) * | 1987-04-22 | 1992-11-19 | Christensen Alton O | Feldemissionsvorrichtung. |
US4904895A (en) * | 1987-05-06 | 1990-02-27 | Canon Kabushiki Kaisha | Electron emission device |
-
1991
- 1991-10-28 US US07/783,165 patent/US5332627A/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-30 EP EP91118545A patent/EP0483814B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1991-10-30 KR KR1019910019138A patent/KR100238696B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1991-10-30 DE DE69112171T patent/DE69112171T2/de not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100282261B1 (ko) * | 1993-12-24 | 2001-05-02 | 김순택 | 전계방출 캐소드 어레이 및 이의 제조방법 |
KR100296879B1 (ko) * | 1999-06-18 | 2001-07-12 | 김순택 | 전계 방출 표시소자의 제조방법 |
KR20010003752A (ko) * | 1999-06-25 | 2001-01-15 | 김영환 | 전계방출 표시소자의 제조방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE69112171D1 (de) | 1995-09-21 |
EP0483814A3 (en) | 1992-10-28 |
EP0483814A2 (en) | 1992-05-06 |
KR100238696B1 (ko) | 2000-01-15 |
EP0483814B1 (en) | 1995-08-16 |
US5332627A (en) | 1994-07-26 |
DE69112171T2 (de) | 1996-05-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR920008961A (ko) | 전계방출형 에미터 및 그 제조방법 | |
KR910013505A (ko) | 반도체 메모리의 제조방법 | |
KR920017236A (ko) | 폴리실리콘층을 이용한 자기정렬콘택 제조방법 | |
KR980005591A (ko) | 반도체장치 및 이를 이용한 콘택홀 형성방법 | |
KR920013824A (ko) | 레이저 다이오드 제조방법 | |
KR970008265A (ko) | 금속이 코팅된 3극 필드 에미터 제조방법 | |
KR100256810B1 (ko) | 반도체소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR970030083A (ko) | 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 fea 제조방법 | |
KR960039205A (ko) | 금속 필드 에미터 제조방법 | |
KR940003565B1 (ko) | 반도체 장치의 금속배선 형성방법 | |
KR940016873A (ko) | 전계전자방출소자 및 그의 제조방법 | |
KR960042958A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성 방법 | |
KR960030327A (ko) | 반도체 소자의 콘택홀 형성방법 | |
KR940022636A (ko) | 전계방사형 음극 및 그 제조방법 | |
KR910008801A (ko) | 반도체장치의 제조방법 | |
KR950021063A (ko) | 반도체 소자의 스텝 커버리지(Step coverage) 향상방법 | |
KR970023740A (ko) | 층간 접속구조 및 이를 형성하는 방법 | |
KR970051730A (ko) | 2극 에지형 필드 에미터 및 그 제조방법 | |
KR970003353A (ko) | 팁 선단이 금속으로 코팅된 필드 에미터 제조방법 | |
KR970030882A (ko) | 바이폴라접합트랜지스터 및 그 제조 방법 | |
KR940016339A (ko) | 측벽을 이용한 전자방출음극의 제조방법 | |
KR970007825A (ko) | 박막 자기 헤드 제작 방법 | |
KR970030084A (ko) | 화산형 금속 fea 제조방법 | |
KR950014972A (ko) | 반도체 장치의 제조방법 | |
KR960002565A (ko) | 콘택홀 형성방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20080926 Year of fee payment: 10 |
|
LAPS | Lapse due to unpaid annual fee |