KR940022636A - 전계방사형 음극 및 그 제조방법 - Google Patents

전계방사형 음극 및 그 제조방법 Download PDF

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KR940022636A
KR940022636A KR1019930003304A KR930003304A KR940022636A KR 940022636 A KR940022636 A KR 940022636A KR 1019930003304 A KR1019930003304 A KR 1019930003304A KR 930003304 A KR930003304 A KR 930003304A KR 940022636 A KR940022636 A KR 940022636A
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이강옥
이종훈
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박경팔
삼성전관 주식회사
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J1/00Details of electrodes, of magnetic control means, of screens, or of the mounting or spacing thereof, common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J1/02Main electrodes
    • H01J1/30Cold cathodes, e.g. field-emissive cathode

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Abstract

본 발명은 전계방사형 음극구조체 및 그 제조방법을 개시한다. 본 발명은 기판의 상면에 소정패턴으로 형성된 캐소오드층과, 이 캐소오드층의 상면에 적층되며 다수의 핀홀이 형성된 절연층과, 상기 핀홀의 내에 상기 캐소오드층과 전기적으로 접속되는 급속팁을 구비하여 된 전계방사형 음극 구조체 및 그 제조방법에 관한 것으로, 실리콘 팁의 단부를 화산부화구의 형상으로 형성하는 것에 그 특징이 있으며 이는 종래의 실리콘 팁에 비하여 그 표면적을 넓혀 전자의 방출특정을 향상시킬 수 있는 이점을 가진다.

Description

전계방사형 음극 및 그 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 종래 전계방사형 음극을 나타내 보인 입단면도.
제2도는 제1도에 도시된 실리콘 팁을 발췌하여 도시한 측면도.
제3도는 본 발명에 따른 전계방사형 음극을 나타내 보인 입단면도.
제4도는 본 발명에 따른 전계방사형 음극의 제조방법을 공정별로 나타내 보인 입단면도.

Claims (4)

  1. 기판의 상면에 소정패턴으로 형성된 캐소오드 전극층과, 이 캐소오드 전극층의 상면에 적층된 절연층과, 핀홀의 내에 상기 캐소오드 전극층과 전기적으로 접속되는 실리콘 팁을 구비하여 된 전계방사형 음극 구조체에 있어서, 상기 실리콘 팁(20)의 단부가 화산분화구의 형상으로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방사형 음극구조체.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 팁(20)이 실리콘 또는 금속중 적어도 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 전계방사형 음극구조체.
  3. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 팁(20)이 기판(21)과 일체로 형성된 것을 특징으로 하는 전계방사형 음극구조체.
  4. 전계방사형 음극구조체의 제조방법에 있어서, 기판에 고농도의 불순물을 주입하여 캐소오드 전극층을 형성하는 공정과, 기판의 상면의 실리콘 팁이 형성되는 부위에 마스크를 형성하는 마스크 형성공정과, 상기 기판에 형성된 마스크를 중심으로 수직에칭하는 제1에칭공정과, 에칭된 기판의 상면에 질화막을 형성하는 질화막 형성공정과, 상기 질화막을 마스크 형성된 측벽을 남기고 에칭하는 제2에칭공정과, 상기 마스크를 웨트 에칭하는 제3에칭공정과, 상기 기판을 이방성 건식에칭하는 제4에칭공정과, 상기 측벽에 형성된 질화막을 에칭하는 제5에칭공정과, 에칭이 완료되어 급속팁이 형성된 기판에 절연층과 게이트 전극층을 순차적으로 증착형성하는 증착공정을 포함하여 된 것을 특징으로 하는 전계방사형 음극구조체.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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