KR960042840A - 다층 박막 에미터(Multilayerde Thin Film Emitter)를 이용한 필드 에미션 소자 및 그 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따른 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자 및 그 제조방법으로써, 상기 소자의 에미터를 다층으로 회생층과 에미터층을 반복해서 증착하였기 때문에 넓은 전자 방출 면적을 갖게되어 장시간 안정적으로 다량의 전자를 방출하고 양질의 전자빔을 얻을수 있으며, 또한 에미터간 전자 방출특성이 균질하게되며 기존 팁 에미터에 비하여 제조하기 쉽고 제조공정 단계가 감소하여 수율 및 재현성이 증가하는 효과를 얻을 수 있다.
Description
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1A도 내지 제1G도는 본 발명에 따른 다층 박막 에미터(Multilayerde Thin Film Emitter; 이하 MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 제조공정을 순차적으로 각각 나타낸 정단면도, 제2도는 본 발명에 따른 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 다층 박막 에미터(MTFEM)만을 나타낸 정단면도, 제3도는 본 발명에 따른 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 부가적으로 하부전극을 배치한 것을 나타낸 정단면도, 제4도는 본 발명에 따른 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 부가적으로 하부전극을 배치한 소자의 상부에 부가적으로 절연체와 조절 전극을 형성시킨 것을 나타낸 정단면도, 제5도는 본 발명에 따른 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 일부분을 나타낸 사시도.
Claims (7)
- 절연성 기판 상부에 배치되어 있는 다층 박막 에미터(Multilayerde Thin Film Emitter; 이하 MTFEM)와; 상기 다층 박막 에미터(MTFEM) 주위를 포위하도록 상기 절연성 기판의 노출된 표면의 일부분 상부에 위치되고, 상기 다층 박막 에미터(MTFEM)의 높이 이상이 되도록 형성되는 절연체와; 상기 절연체 상부에 배치되고, 또한 소정 모양의 하나 이상의 구멍이 형성되어 있어, 상기 구멍을 통하여 상기 다층 박막 에미터에서 방출된 전자빔의 상당 부분이 상기 기판에 수직방향으로 이동하도록 하는 게이트 전극을 포함하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 다층 박막 에미터(MTFEM)로서 두층 사이의 에미터층을 이루고 있으며, 에미터층과 회생층이 교대로 적층되어 있고, 상기 에미터층의 한면의 일부분 이상은 회생층과 접촉되어 있고, 상기 에미터층의 넓이는 회생층의 넓이 보다 큰 것을 특징으로 하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자.
- 제1항에 있어서, 상기 절연성 기판 상부의 일부분에 배치되고, 상기 다층 박막 에미터(MTFEM)에 전원공급 장치로부터 전원을 전달하는 하부 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극과 하부 전극이 교차하는 부분이 행렬로 어드레싱이 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자.
- 제1항 또는 제3항에 있어서, 상기 게이트 전극 상부에 부가적으로 배치한 또 다른 절연체와; 상기 절연체 상부에 배치되는, 상기 게이트 구멍을 통과한 전자빔이 상기 기판에 수직 방향에서 벗어나는 것을 억제하는 조절 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자.
- 절연성 기판 상부에 포토레지스트층을 증착하여 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제1포토레지스트층과 패턴이 형성된 절연성 기판 상부에 희생층과 에미터층을 순차적으로 1회이상 증착하는 단계와; 상기 다층 박막이 형성된 제1포토레지스트층을 제거하는 단계와; 상기 다층 박막 에미터 주변과 상부에 제2포토레지스트층 상부로 부터 절연체 및 게이트 전극을 순차적으로 증착하는 단계와; 상기 에미터 상부 및 주변의 제2포토레지스트층과 그 상부의 절연체 및 게이트 전극을 제거하는 단계와; 상기 다층 박막 에미터의 희생층을 식각하는 단계를 포함하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 제조방법.
- 제6항에 있어서, 상기 다층 박막 에미터(MTFEM)의 희생층으로 에미터층과 전극층에는 영향을 미치지 않으면서, 선택적으로 식각 가능한 전도성 금속을 사용하는 것을 특징으로 하는 다층 박막 에미터(MTFEM)를 이용한 필드 에미션 소자의 제조방법.※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019950011657A KR960042840A (ko) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 다층 박막 에미터(Multilayerde Thin Film Emitter)를 이용한 필드 에미션 소자 및 그 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019950011657A KR960042840A (ko) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 다층 박막 에미터(Multilayerde Thin Film Emitter)를 이용한 필드 에미션 소자 및 그 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR960042840A true KR960042840A (ko) | 1996-12-21 |
Family
ID=66523503
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019950011657A KR960042840A (ko) | 1995-05-12 | 1995-05-12 | 다층 박막 에미터(Multilayerde Thin Film Emitter)를 이용한 필드 에미션 소자 및 그 제조방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR960042840A (ko) |
-
1995
- 1995-05-12 KR KR1019950011657A patent/KR960042840A/ko not_active Application Discontinuation
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