KR970030083A - 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 fea 제조방법 - Google Patents

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KR970030083A
KR970030083A KR1019950044454A KR19950044454A KR970030083A KR 970030083 A KR970030083 A KR 970030083A KR 1019950044454 A KR1019950044454 A KR 1019950044454A KR 19950044454 A KR19950044454 A KR 19950044454A KR 970030083 A KR970030083 A KR 970030083A
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South Korea
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emitter
tip
gate electrode
forming
oxide film
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KR1019950044454A
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Inventor
정호련
Original Assignee
엄길용
오리온전기 주식회사
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Abstract

본 발명은 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 FEA 제조방법에 관한 것으로, 에미터의 선단에 실리사이드층을 형성시킴으로써 팁의 내구성이 향상되고 전자방출의 효율이 향상되며, 게이트 전극의 상단과 측면에도 실리사이드를 형성하므로써 게이트 홀의 직격이 감소하여 저전압에서도 전자방출이 가능하다.

Description

실리사이드 팁을 에미터로 갖는 FEA 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1a도 내지 제1h도는 본 발명에 의한 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 FEA 제조공정을 나타내는 단면도.

Claims (2)

  1. 고농도의 불순물이 도핑된 실리콘 기판(1)을 산화한 후에 사진식각하여 산화 마스크(2)를 형성하는 단계와, 상기 산화 마스크(2)를 이용하여 실리콘 기판(1)을 RIE법에 의해 에칭하여 에미터를 형성하는 단계와, 상기 에미터를 날카로운 팁으로 형성하기 위하여 샤프닝(sharpening) 산화하여 열산화막(3)을 형성하는 단계와, 상기열산화막(3)을 에칭한 후에 LPCVD법에 의해 산화막을 증착하여 게이트 산화막(4)을 형성하는 단계와, 상기 게이트 산화막(4)위에 게이트 전극(5)을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극(5)위에 포토 레지스트를 증착한 후에 에치백(etch back)하여 상기 에미터를 노출시키는 단계와, 금속을 경사증착하여 상기 에미터 선단 및 상기 게이트 전극(5)의 상단과 측면에 금속층(6)을 형성하는 단계와, 열처리하여 상기 에미터의 선단 및 게이트 전극(5)의 상단과 측면에 실리사이드층(7)을 형성하고 실리사이드화되지 않은 금속을 제거하는 단계로 이루어진 것을 특징으로 하는 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 FEA 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 실리사이드층을 형성하는 단계에서 게이트 전극이 부식되는 것을 방지하기 위하여, 상기 게이트 전극(5)을 폴리실리콘으로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 FEA 제조방법.
KR1019950044454A 1995-11-28 1995-11-28 실리사이드 팁을 에미터로 갖는 fea 제조방법 KR970030083A (ko)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20000002661A (ko) * 1998-06-22 2000-01-15 김영남 전계방출표시소자의 형성방법
KR100274793B1 (ko) * 1998-04-10 2000-12-15 구자홍 선형 전계방출 이미터 및 그의 제조방법
KR20040067679A (ko) * 2003-01-24 2004-07-30 엘지.필립스디스플레이(주) 전계 방출형 표시소자

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