KR100296879B1 - 전계 방출 표시소자의 제조방법 - Google Patents

전계 방출 표시소자의 제조방법 Download PDF

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Abstract

면타입 에미터를 채용하면서 각 전극들을 보다 정밀하게 패턴화할 수 있는 3극관형 전계 방출 표시소자의 제조방법을 제공한다. 이는, 제 1기판의 일면에 애노드 전극과 형광막을 형성하고, 제 2기판의 일면에 절연층을 사이에 두고 수직으로 교차하도록 스트라이프 패턴의 캐소드 전극과 게이트 전극을 형성하며, 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역에 해당하는 게이트 전극과 절연층의 일부를 제거하고, 노출된 캐소드 전극 위로 전기영동법을 이용하여 에미터를 형성하며, 제 1기판과 제 2기판을 일체로 밀봉시키는 과정으로 이루어진다.
여기서, 게이트 전극과 절연층의 제거는 교차 영역에서 홀을 형성하도록 포토 레지스트 필름을 패턴화하고, 샌드 블러스트 공법을 이용하여 포토 레지스트 필름의 홀에 의해 노출된 게이트 전극 및 이 게이트 전극 밑의 절연층을 제거하는 과정으로 이루어지며, 에미터의 형성은 에미터 형성물질과 대전제(charging agent)를 용매에 분산시켜 전기영동 용액을 제조하고, 캐소드 전극이 형성된 제 2기판을 전기영동 용액 속에 담근 다음, 캐소드 전극에 전압을 인가하여 에미터 형성물질을 부착시키는 과정으로 이루어진다.

Description

전계 방출 표시소자의 제조방법 {Manufacturing method of field emission display}
본 발명은 전계 방출 표시소자의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 전자방출 수단을 면 구조로 하면서도 각 전극들, 특히 에미터를 보다 정밀하게 패턴화하여 표시소자의 품질과 제조 수율을 향상시키며, 저가의 공정으로 제작이 가능하여 양산에 적합한 3극관형 전계 방출 표시소자의 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로 전계 방출 표시소자(FED : Field Emission Display)는 양자역학적인 터널링 효과를 이용하여 캐소드 전극에 형성된 에미터에서 전자를 방출시키고, 방출된 전자는 애노드 전극에 부착된 형광막에 충돌하여 이를 발광시킴으로써 소정의 화상을 구현하는 표시소자이다.
전계 방출 표시소자는 구조에 따라 3극관과 2극관으로 분류되는데, 일반적으로 3극관 구조는 동일 기판상에 형성되는 캐소드 전극과 게이트 전극의 전압 차이에 의해 전자를 방출하는 선단이 뾰족한 스핀트(spindt) 타입의 에미터를 채용하고 있으며, 2극관 구조는 캐소드 전극과 애노드 전극의 전압 차이에 의해 전자를 방출하는 면 타입의 에미터를 채용하고 있다.
도 12는 스핀트 타입 에미터를 갖는 전계 방출 표시소자의 일부 단면도로서, 이는 개략적으로 다음과 같은 과정에 의해 제조된다. 먼저, 기판(1)에 스트라이프 패턴의 캐소드 전극(3)을 형성하고, 기판(1) 전체에 걸쳐 절연층(5)을 형성하며, 절연층(5) 위로 캐소드 전극(3)과 수직하게 게이트 전극(7)을 스트라이프 패턴으로 형성한다.
그리고 캐소드 전극(3)과 게이트 전극(7)의 교차 영역 내에 게이트 전극(7)과 절연층(5)을 관통하는 다수개의 홈(5a, 7a)을 형성하고, 상기 홈(5a, 7a) 내부로 실리콘이나 몰리브덴 등의 전자방출 물질을 적층하여 콘 형상의 에미터(9)를 형성한다.
이와 같은 스핀트 타입의 에미터는 뾰족한 선단부에 전계가 집중되어 전자방출 특성이 우수한 장점이 있지만, 이는 마이크로미터 단위로서 정밀한 박막 공정이 요구되기 때문에 제조 비용을 상승시키며, 대형 표시소자의 제작을 어렵게 하는 한 요인이 된다.
또한 이온이나 잔류 가스에 의한 에미터 팁의 손상을 방지하기 위하여 10-7∼ 10-10토르(torr) 정도의 고진공이 필수적으로 요구되며, 각 부재들 사이의 미소한 간격으로 인하여 에미터 팁이 손상되기 쉽기 때문에 수명 특성에서 불리한 점이 있다.
상기한 2극관 구조에 사용되는 면 타입 에미터는 캐소드 전극의 표면에 그라파이트, 다이아몬드상 카본(DLC : Diamond Like Carbon), 카본 파이버 등을 박막 또는 후막 공정으로 패턴화시키는 과정으로 제조된다.
박막 공정에 의한 에미터는 앞선 스핀트 타입의 에미터와 마찬가지로 제조 단가가 높고 대형화에 어려운 단점이 있는 반면, 후막 공정에 의한 에미터는 보다 저가의 공정으로 제조가 가능하고 대형화에 유리한 장점을 갖는다.
따라서 공정의 용이성 관점에서는 후막 공정에 의한 면타입 에미터가 가장 바람직하지만, 이는 주로 2극관 구조에 한정되며, 구조가 복잡하고 보다 정밀한 패턴 형성이 요구되는 3극관 구조에는 적용이 어려운 한계가 있다.
따라서 본 발명은 상기한 문제점을 해소하기 위하여 고안된 것으로서, 본 발명의 목적은 3극관 구조의 전계 방출 표시소자에 면타입 에미터를 채용하면서도 각 전극들을 보다 정밀하게 패턴화하여 표시소자의 품질과 제조 수율을 향상시키며, 저가의 공정으로 제작이 가능하여 양산에 적합한 전계 방출 표시소자의 제조방법을 제공하는데 있다.
도 1은 본 발명에 의해 완성된 전계 방출 표시소자의 단면도.
도 2 ∼ 도 11은 본 발명에 의한 전계 방출 표시소자의 각 단계들을 나타내는 개략도.
도 12는 일반적인 전계 방출 표시소자의 일부 단면도.
상기의 목적을 달성하기 위하여 본 발명은,
제 1기판의 일면에 애노드 전극과 형광막을 형성하는 단계와,
제 2기판의 일면에 스트라이프 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와,
상기한 캐소드 전극 위로 제 2기판 전체에 걸쳐 절연층을 형성하는 단계와,
상기한 절연층 위로 캐소드 전극과 수직으로 교차하는 스트라이프 패턴의 게이트 전극을 형성하는 단계와,
캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역에 해당하는 게이트 전극과 절연층의 일부를 제거하는 단계와,
노출된 캐소드 전극 위로 전기영동법을 이용하여 에미터를 형성하는 단계와,
상기한 제 1 및 제 2기판을 일체로 밀봉시키는 단계를 포함하는 전계 방출 표시소자의 제조방법을 제공한다.
상기한 게이트 전극과 절연층의 제거는 교차 영역에서 홀을 형성하도록 포토 레지스트 필름을 패턴화하고, 샌드 블러스트 공법을 이용하여 포토 레지스트 필름의 홀에 의해 노출된 게이트 전극과 이 게이트 전극 밑의 절연층을 제거하는 과정으로 이루어지며, 에미터의 형성은 에미터 형성물질과 대전제(charging agent)를 용매에 분산시켜 전기영동 용액을 제조하고, 전기영동 용액 속에 담겨진 캐소드 전극에 전압을 인가하여 에미터 형성물질을 부착시키는 과정으로 이루어진다.
이와 같은 과정에 의해, 3극관 구조에서도 각 전극들, 특히 에미터를 보다 정밀한 패턴으로 형성할 수 있으므로 제조 수율과 표시 품질을 향상시키며, 보다 저가의 공정으로 제작이 가능하여 표시소자의 제조 단가를 낮출 수 있는 장점을 갖는다.
이하, 첨부한 도면을 참고하여 본 발명의 바람직한 일실시예를 보다 상세하게 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명에 의해 완성된 전계 방출 표시소자의 단면도이다. 상기한 도면을 참고하여 전계 방출 표시소자의 구성을 개략적으로 살펴보면, 투명한 제 1기판(2)의 안쪽으로 투명한 애노드 전극(4)이 위치하며, 상기 애노드 전극(4)의 안쪽으로 형광막(6)이 위치한다.
그리고 제 1기판(2)과 마주하는 제 2기판(8)의 표면에는 절연층(10)을 사이에 두고 수직하게 교차 형성되는 스트라이프 패턴의 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)이 위치하며, 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역에서 게이트 전극(14)과 절연층(10)이 제거된 공간, 즉 캐소드 전극(12)의 표면으로 면 타입의 에미터(16)가 위치한다.
상기한 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역이 하나의 화소를 구성함에 따라, 각 화소 구동에 필요한 펄스 신호전압을 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)에 인가하면, 이들 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14) 사이에 형성된 강한 전계에 의해 에미터(16)에서 전자(점선으로 도시)를 방출시키고, 방출된 전자는 애노드 전극(4)에 인가된 양전압에 이끌려 형광막(6)에 충돌한다.
이와 같은 구성의 전계 방출 표시소자를 제조하기 위하여, 먼저 도 2에서 도시하는 바와 같이, 투명한 제 1기판(2)의 표면에 인듐 틴 옥사이드(ITO)를 증착하여 애노드 전극(4)을 형성하고, 애노드 전극(4) 위로 형광체 페이스트를 인쇄 후열처리하여 형광막(6)을 형성하며, 이들 형광막(6) 사이로 광 흡수 물질로 이루어지는 블랙 매트릭스막(18)을 형성한다.
그리고 제 2기판(8)의 표면에 은(Ag) 페이스트를 스트라이프 패턴으로 스크린 인쇄하고 건조하여 캐소드 전극(12)을 형성하고, 기판 전체에 걸쳐 실리콘 산화물(SiOx)을 포함하는 글래스 페이스트를 도포하여 절연층(10)을 형성한다. 그리고 절연층(10) 위로 캐소드 전극(12)과 수직하게 은 페이스트를 스트라이프 패턴으로 스크린 인쇄 후 건조하여 게이트 전극(14)을 형성한다. (도 3a ∼ 도 3c 참고)
이와 같은 과정으로 형성된 캐소드 전극과 게이트 전극 사이의 거리는 대략 1∼200 ㎛가 된다.
다음으로, 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역에 해당하는 게이트 전극(14)의 일부와 절연층(10)의 일부를 제거한다. 이를 위하여, 먼저 제 2기판(8) 전체에 걸쳐 포토 레지스트 필름(20)을 부착하고, 상기 포토 레지스트 필름(20) 위로 노광용 마스크(22)를 장착한다. (도 4 참고) 이 때, 상기 포토 레지스트 필름(20)이 포지티브 타입인 경우, 노광용 마스크(22)는 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역에 해당하는 부분이 막힌 구조를 이룬다.
그리고 상기 제 2기판(8)을 노광하여 빛이 닿은 부분, 즉 교차 영역을 제외한 포토 레지스트 필름(20)의 나머지 부분을 경화시키고, 노광용 마스크(22)를 제거한 다음 현상하여 경화되지 않은 포토 레지스트 필름(20)의 일부분을 제거한다. (도 5 참고) 이로서 포토 레지스트 필름(20)은 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역에 해당하는 부분에 홀(20a)을 형성하게 된다.
그리고 공지의 샌드 블러스트(sand blast) 공법을 이용하여 제 2기판(8)에 모래 알갱이를 쏘아주는 것으로, 포토 레지스트 필름(20)의 홀(20a)에 의해 노출된 게이트 전극(14)과, 이 게이트 전극(14) 밑의 절연층(10)을 깍아내어 제거하고, 이후 제 2기판(8)을 세정한다. (도 6a ∼ 도 6b 참고)
이와 같은 과정을 거쳐 에미터가 형성될 캐소드 전극(12)의 일부를 노출시킨 다음, 전기영동법을 이용하여 상기 캐소드 전극(12)의 표면에 에미터를 형성한다. 이를 위하여 먼저, 에미터 형성에 필요한 전기영동 용액을 제조한다.
상기 전기영동 용액은 용액 내에서 에미터 형성물질이 플러스 또는 마이너스 전하를 띄도록 에미터 형성물질과 대전제(charging agent)를 용매에 혼합 분산시켜 제조된 것으로, 대전제의 종류에 따라 에미터 형성물질은 플러스 또는 마이너스 전하를 띄게 된다.
상기한 에미터 형성물질에는 최근에 연구되고 있는 카본 나노튜브 및 카본 파이버와 더불어, 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 그라파이트, 다이아몬드상 카본(DLC) 등이 있으며, 특히 카본 나노튜브가 바람직하다.
그리고 상기한 에미터 형성물질이 특정의 전하를 띄도록 하는 대전제로는 일례로 La-나이트레이트와 Mg-나이트레이트가 혼합 사용되어 에미터 형성물질이 플러스 전하를 띄도록 할 수 있다.이 경우 전기영동 용액은, 이소프로필 알콜 100∼2000 g과 순수 1∼100 g을 혼합한 용매에 대전제인 La-나이트레이트 0.1∼20 g과 Mg-나이트레이트 0.1∼20 g을 녹인 다음, 이 용액에 바인더 역할을 하는 글리세롤 1∼150 g을 교반시키고, 이 용액에 그라파이트 분말 1∼200 g을 혼합하여 제조한다.보다 바람직하게, 상기 전기영동 용액의 조성은 이소프로필 알콜 800∼1500 g과, 순수 30∼80 g과, La-나이트레이트 1∼10 g과, Mg-나이트레이트 1∼10 g과, 글리세롤 50∼100 g과, 그라파이트 10∼50 g으로 이루어진다.다른 실시예로서, 전기영동 용액은 대전제로 황산을 사용하여 에미터 형성물질이 마이너스 전하를 띄도록 할 수 있다.이 경우 전기영동 용액은, 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 0.1∼50 g과, 아세톤 1000∼3000 g과, 니트로셀룰로오즈 0.1∼20 g과, 메탄올 100∼300 g을 혼합하고, 이 용액에 황산 0.1∼50 g과 그라파이트 분말 1∼200 g을 혼합하여 제조한다.보다 바람직하게, 상기 전기영동 용액의 조성은 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 1∼20 g과, 아세톤 500∼2000 g과, 니트로셀룰로오즈 1∼10 g과, 메탄올 50∼200 g과, 황산 1∼10 g과, 그라파이트 10∼50 g으로 이루어진다.
도 7은 전기영동법에 의한 에미터 형성 과정을 개략적으로 나타낸 도면으로서, 상기와 같이 제조된 전기영동 용액(24), 일례로 그라파이트(작은 원으로 도시)가 플러스 전하를 띄는 전기영동 용액(24)을 용기(26)에 넣고, 제 2기판(8)을 전기영동 용액(24) 속에 담근다.
이 때, 캐소드 전극(12)이 용기(26)의 바닥을 향하도록 제 2기판(8)을 고정시키고, 상기 캐소드 전극(12) 아래로 1∼3 cm의 간격을 두고 캐소드 전극(12)과 동일한 직류전원(28)에 연결되는 보조 전극(30)을 평행하게 배치하는 것이 바람직하다.
상기한 캐소드 전극(12)이 용기(26)의 바닥을 향하도록 배치하는 이유는, 전기영동 용액(24) 속의 그라파이트 입자가 침전에 의해 부착되는 것을 방지하고, 오직 정전기적인 힘으로만 그라파이트 입자를 이동시켜 캐소드 전극(12)에 부착시키기 위해서이며, 상기한 보조 전극(30)은 그라파이트 입자가 캐소드 전극(12)에 균일하게 부착될 수 있도록 캐소드 전극(12) 주변에 일정 전계가 형성되도록 하는 역할을 한다.
상기한 제 2기판(8)과 보조 전극(30)은 도시하지 않은 별도의 지그를 사용하여 용기(26) 내부에 위치시킬 수 있다.
도시하는 바와 같이, 전기영동 용액(24) 속의 그라파이트 입자가 플러스 전하를 띄는 경우, 캐소드 전극(12)과 보조 전극(30) 사이의 전자 흐름이 캐소드 전극(12)에서 보조 전극(30)을 향하도록 직류전원(28)을 연결하여 30∼60 초 동안 50∼100 볼트의 전압을 인가하면, 에미터를 형성할 수 있는 양의 그라파이트 입자가 이동하여 캐소드 전극(12) 표면에 부착된다.
이로서 전기영동 용액(24) 내에서 유동성을 갖는 그라파이트 입자들은 캐소드 전극(12)과 보조 전극(30) 사이에 형성된 전계에 의해 화살표 방향으로 힘을 받아 캐소드 전극(12)에 이끌려 그 표면에 부착되며, 이러한 과정에서 개개의 그라파이트 입자들은 그 모서리 부분에 전계가 집중되어 일정한 방향, 즉 기판에 대하여 수직한 방향으로 캐소드 전극(12)의 표면에 균일하게 부착된다.
도 8은 이와 같은 전기영동법으로 캐소드 전극에 형성된 에미터의 SEM 사진이고, 도 9는 종래의 스크린 인쇄법으로 형성된 에미터의 SEM 사진으로서, 도시하는 바와 같이 전기영동법으로 형성된 에미터가 스크린 인쇄법으로 형성된 에미터보다 수직방향으로 일정한 배향을 가지면서 캐소드 전극에 부착되어 있음을 알 수 있다.
따라서 에미터를 구성하는 각 입자들은 뾰족한 모서리 부분이 바깥을 향하도록 배향되어 에미션 효율을 향상시키며, 에미터를 스크린 인쇄법으로 형성한 전계 방출 표시소자보다 휘도 특성에서 유리한 장점을 갖는다.
상기와 같은 과정으로 캐소드 전극(12)에 에미터(16)를 형성하고, (도 10 참고) 제 2기판(8)을 전기영동 용액에서 분리하고 건조시킨 다음, 남아있는 포토 레지스트 필름(20)을 박리하여 캐소드 기판을 완성한다. (도 11 참고)
본 실시예는 앞서 설명한 바와 같이, 캐소드 전극(12)과 게이트 전극(14)의 교차 영역에 하나의 면타입 에미터(16)를 형성하고 있으나, 다른 실시예로서, 하나의 교차 영역내에 게이트 전극과 절연층을 관통하는 다수개의 홈을 형성하고, 상기 홈 내부에 앞서와 동일한 방법으로 면타입 에미터를 형성할 수 있다. 이는 포토 레지스트 필름이 하나의 교차 영역 내에서 다수개의 홀을 형성하도록 포토 레지스트 필름을 패턴화하는 것으로 가능하다.
다음으로, 시일재를 이용하여 제 1기판(2)과 제 2기판(8)을 일체로 접합시킨 다음, 어느 한쪽 기판에 형성된 배기홀(도시하지 않음)을 통하여 기판 내부를 배기 장치와 연결시키고, 상기 배기 장치를 구동하여 기판 내부를 배기시키는 과정을 거쳐 도 1에서와 같은 전계 방출 표시소자를 완성한다. 이 때, 셀 갭, 즉 게이트 전극(14)과 애노드 전극(4) 사이의 거리는 대략 10∼5000 ㎛ 정도가 된다.
이와 같이 본 실시예는 포토 레지스트 필름과 전기영동법을 이용함으로써 에미터를 포함하는 각 전극들을 정밀하게 패턴화시키면서 3극관 구조의 전계 방출 표시소자에 면타입 에미터를 용이하게 적용시킬 수 있는 장점이 있다.
[실시예 1]
전기영동 용액의 제조
이소프로필 알콜 1250 g과 순수 50 g을 혼합하고, 이 용액에 La-나이트레이트 5 g과 Mg-나이트레이트 2.5 g을 넣어 교반한 다음, 글리세롤 75 g을 넣어 충분히 교반하였다. 여기에 그라파이트 25 g을 넣어 교반하였다.
에미터의 부착
제조된 전기영동 용액을 용기에 붓고, 캐소드 전극과 보조 전극이 2 cm의 간격을 두고 마주하도록 고정시킨 다음, 이들을 전기영동 용액 속에 넣었다. 그리고 직류전원의 양, 음극 단자를 각각 보조 전극과 캐소드 전극에 연결시키고, 60 볼트의 전압을 50초 동안 인가하였다.
[실시예 2]
전기영동 용액의 제조
니트로셀룰로오즈 2 g과 아세톤 1000 g과 테트라메틸 암모늄 하이드록사이드 10 g과 메탄올 100 g을 혼합하고, 이 용액에 황산 1 g과 그라파이트 25 g을 넣고 교반하였다.
에미터의 부착
제조된 전기영동 용액을 용기에 붓고, 캐소드 전극과 보조 전극이 2 cm의 간격을 두고 마주하도록 고정시킨 다음, 이들을 전기영동 용액 속에 넣었다. 그리고 직류전원의 양, 음극 단자를 각각 캐소드 전극과 보조 전극에 연결시키고, 60 볼트의 전압을 50초 동안 인가하였다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
이와 같이 본 발명에 의한 전계 방출 표시소자의 제조방법은 각 전극들, 특히 에미터를 보다 정밀하게 패턴화시키면서 3극관 구조의 전계 방출 표시소자에 면타입 에미터를 용이하게 적용시킬 수 있다. 이로서 각 전극의 정렬 불량에 의한 캐소드 전극의 구멍 막힘 등을 방지하여 표시소자의 제조 수율과 품질을 향상시키며, 보다 저가의 공정으로 제작이 가능하여 표시소자의 제조 단가를 낮추고 양산에 적합한 장점을 갖는다.

Claims (6)

  1. 제 1기판의 일면에 애노드 전극과 형광막을 형성하는 단계와;
    제 2기판의 일면에 스트라이프 패턴의 캐소드 전극을 형성하는 단계와;
    상기한 캐소드 전극 위로 제 2기판 전체에 걸쳐 절연층을 형성하는 단계와;
    상기한 절연층 위로 캐소드 전극과 수직으로 교차하는 스트라이프 패턴의 게이트 전극을 형성하는 단계와;
    캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역에 해당하는 게이트 전극과 절연층의 일부를 제거하는 단계와;
    노출된 캐소드 전극 위로 전기영동법을 이용하여 에미터를 형성하는 단계와;
    상기한 제 1 및 제 2기판을 일체로 밀봉시키는 단계를 포함하는 전계 방출 표시소자의 제조방법.
  2. 제 1항에 있어서, 상기한 게이트 전극과 절연층을 제거하는 단계는,
    게이트 전극 위로 제 2기판 전체에 걸쳐 포토 레지스트 필름을 부착하는 단계와;
    상기한 포토 레지스트 필름 위로 노광용 마스크를 장착하고, 노광 및 현상하여 캐소드 전극과 게이트 전극의 교차 영역 부위에 홀을 형성하는 단계와;
    홀이 형성된 포토 레지스트 필름 위로 모래 알갱이를 분사하여 상기 홀에 의해 노출된 게이트 전극과 상기 게이트 전극 밑의 절연층을 깍아내는 과정으로 이루어지는 전계 방출 표시소자의 제조방법.
  3. 제 1항에 있어서, 상기한 에미터를 형성하는 단계는,
    에미터 형성물질과 대전제(charging agent)를 용매에 분산시켜 전기영동 용액을 제조하는 단계와;
    상기한 전기영동 용액에 캐소드 전극을 담그고, 캐소드 전극에 전압을 인가하여 에미터 형성물질을 정전기적인 힘으로 캐소드 전극에 부착시키는 단계로 이루어지는 전계 방출 표시소자의 제조방법.
  4. 제 3항에 있어서, 상기한 에미터 형성물질은 카본 나노튜브, 카본 파이버, 질화알루미늄(AlN), 질화붕소(BN), 그라파이트 및 다이아몬드상 카본(DLC)으로 이루어진 군에서 선택되는 전계 방출 표시소자의 제조방법.
  5. 제 3항에 있어서, 상기한 에미터의 부착은 전기영동 용액 속에 캐소드 전극과 일정한 간격을 두고 마주하도록 보조 전극을 배치하고, 상기 보조 전극에 캐소드 전극과 소정 차이의 전압을 인가하여 캐소드 전극과 보조 전극 사이에 일정 전계를 형성시킴을 특징으로 하는 전계 방출 표시소자의 제조방법.
  6. 제 5항에 있어서, 상기 보조 전극은 캐소드 전극 아래에 배치되어 캐소드 전극이 용기의 바닥부를 향하도록 하는 전계 방출 표시소자의 제조방법.
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