JP3348450B2

JP3348450B2 - 表示装置の製造方法

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Publication number: JP3348450B2
Application number: JP28954192A
Authority: JP
Inventors: 潤一井上
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Priority date: 1992-10-02
Filing date: 1992-10-02
Publication date: 2002-11-20
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Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は表示装置（特に自発光型
の表示部を有するフラットパネルディスプレイ）の製造
方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】自発光型の表示デバイスとして、例えば
図24に示すように、電界放出型カソードを使用したＦＥ
Ｄ(Field emission display)20が知られている。

【０００３】このＦＥＤ20によれば、カソードパネル21
上にカソード電極22を形成し、このカソード電極22上の
絶縁層24に形成した多数のキャビティ33内に設けた針状
のマイクロチップカソード23（後述の図８参照）とゲー
ト電極25との間に比較的低い約 100Ｖ程度の電圧を印加
することによって、マイクロチップカソード（冷陰極）
23から電界放出（カソード物質表面のポテンシャル障壁
を通り抜けること）によって電子を発生させる。そし
て、この電子を加速して対向する螢光体（コレクタ）26
上に照射させ、この螢光体を選択的に励起して発光させ
る。

【０００４】螢光体26は、前面パネル27の内面側におい
て、ＩＴＯ(Indium tin oxide)等のアノード28上に形成
されたものであるが、両パネル27−21間は周辺のスペー
サ（図示せず）を介して接着されると共に、両パネル間
の空間部90は10^-8Torr以下と超高真空に保持される。

【０００５】そして、この超高真空に対して、両パネル
（ガラス基板）27−21間を所定間隔（例えば数100 μ
ｍ）に保持するために、特に１Kg／cm²の大気圧に耐え
るようにガス放出の少ない真空耐圧保持用のスペーサ29
が各螢光体26−26間に設けられている。

【０００６】従来、こうしたスペーサ29として、ガラス
ビーズを使用している。しかしながら、このガラスビー
ズは、両パネル27−21間の間隔と同等径を有しているた
め、図示した如くにパネル面方向（即ち、螢光体26又は
ゲート25の配列方向）において画素上にはみ出し易い。

【０００７】これは、画素ピッチが細かくなるに従って
生じ易く、この結果、ガラスビーズ29による影（ビーズ
の影）が見えてしまったり、ガラスビーズ29が電子によ
って帯電して電子線に悪影響を及ぼすことがある。この
ために、画質が劣化し、特にＯＡ機器等や高品位テレビ
等において解像度が上がる程、画質の劣化が顕著に目立
ってしまう。

【０００８】他方、ガラスビーズに代えて、ガラスペー
ストを前面パネル27の内面に印刷することによって上記
の如きスペーサを形成する方法が考えられる。しかしな
がら、スペーサには一定の厚みが必要となるので、ペー
ストを多層塗り印刷しなければならないが、多層塗りに
時間を要し、かつ、面積の大きい印刷の場合には厚みム
ラが生じ易く、印刷精度を出すことが難しい。しかも、
スペーサをパターン化して設ける場合、多層塗り自体が
困難であり、パターンくずれを生じ易くなる。

【０００９】また、特開平４−58438 号公報には、上記
の如きスペーサ（バリアリブ）を形成するに際し、スペ
ーサ材料としてガラスペーストを使用し、これを厚膜印
刷法で塗布してべた付けした後、レジストをマスクとし
てサンドブラスト等でパターニングする方法が示されて
いる。

【００１０】しかし、この公知技術では、スペーサ材料
を厚膜印刷法で塗布しているため、上記したと同様に、
均一の厚みに設けることが困難であり、厚みムラ、精度
低下が生じ易く、また量産性もあまり良くない。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、所望
の厚み及びサイズ、パターンの耐圧保持用部品を均一か
つ高精度に量産性良く形成することのできる方法を提供
することにある。

【００１２】即ち、本発明は、陽極上に螢光体を設ける
前面基板の内面に耐圧保持用部品を一体に形成し、この
耐圧保持用部品が存在しない前記内面に前記螢光体を設
ける工程を経て表示装置を製造するに際し、 (a)前記耐圧保持用部品に加工されるべきシート状の絶
縁材を加熱下での圧着によって前記前面基板に直接融着
する工程と、 (b)前記シート状の絶縁材を所定パターンに加工して、
前記耐圧保持用部品を形成する工程と、 (c)前記前面基板の前記内面において前記耐圧保持用部
品の非存在領域に前記螢光体を付着させる工程とを有する、表示装置の製造方法に係るものである。

【００１３】本発明の方法においては、シート状の絶縁
材上にシート状のレジストを被着し、このシート状のレ
ジストを所定パターンに加工し、この加工されたレジス
トをマスクとして前記シート状の絶縁材を所定パターン
に加工することが望ましい。

【００１４】本発明の方法は、前面基板の内面に所定パ
ターンの真空耐圧保持用部品を形成し、この真空耐圧保
持用部品以外の領域に螢光体を形成して、電界放出型フ
ラットパネルディスプレイ（ＦＥＤ）を製造するのに好
適である。

【００１５】

【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。

【００１６】図１〜図22は、本発明をＦＥＤに適用した
実施例を示すものである。本実施例によるＦＥＤの製造
方法を説明すると、まず、図１のように、螢光体を形成
すべき厚さ約１mmの前面パネル（ガラス基板）27上の全
面に、真空耐圧保持用部品（例えばピラー状のスペー
サ）に加工されるべきシート状の絶縁材49を被着する。

【００１７】このシート状絶縁材49は、例えば、ガラス
をベースとして予め所定の均一厚及びサイズのシート状
に作製されたフリットガラスシートであり、スペーサと
しての数 100μｍの膜厚を有している。また、その組成
は PbO−B₂O₃（ＣＯＭ）又はPbO−B₂O₃−SiO₂等からな
っていて、日本電気ガラス社製のＬＳ1301として市販さ
れているものが使用可能である。

【００１８】このシート状絶縁材49は、厚膜印刷法等と
は全く異なって、前面パネル27に対し例えば 400℃で加
熱しながら圧着（熱圧着）することによって被着する。
従って、シート状絶縁材49は、前面パネル27に対し接着
剤を使うことなしに融着することになる。

【００１９】次いで、図２のように、シート状絶縁材49
上にシート状のフォトレジスト40を被着する。

【００２０】このシート状レジスト40は、サンドブラス
トやパウダービームエッチング等に対して耐性を有する
ものであって、例えば東京応化工業社製のラミネートフ
ィルム：オーディルＢＦ200(ネガ型レジスト）が使用可
能である。

【００２１】このシート状レジスト40は、塗布法とは全
く異なって、シート状絶縁材49に対して例えば80〜100
℃で加熱しながら接着する。従って、シート状絶縁材49
と同様に接着剤を使用しないで融着により被着すること
になる。

【００２２】次いで、図３のように、所定のパターンに
露光（パターン露光）し、更に現像を経てパターンを定
着させ、レジスト40をパターニングする。

【００２３】次いで、レジスト40をマスクとして、サン
ドブラスト法又はパウダービームエッチング法によって
下地の絶縁材49を加工し、図４のように、レジスト40と
ほぼ同一パターンに絶縁材49をピラー（スペーサ）とし
て残す。

【００２４】ここで、適用可能なサンドブラスト法とし
ては、特開昭60−76961 号公報等に示されたアルミナ微
粒子等を使用する方法（例えば、粒度1500メッシュ以上
の研削粉を５Kg重／cm²以下のノズル噴射圧で噴出さ
せ、歪みやクラックの発生なしに加工できる方法）が挙
げられる。また、パウダービームエッチング法として
は、特開平４−19070 号や同４−115869号公報等に示さ
れた粒径１μｍ以上のシリコンカーバイド粉等を使用す
る方法（例えば固気２相ビームのパウダー粒径を１μｍ
以上とし、被加工面を密に微細加工できる方法）が挙げ
られる。

【００２５】次いで、図５のように、レジスト40を除去
した後、図６のように、ピラー（スペーサ）49間に厚さ
５μｍ以下の各色の螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26
（Ｂ）をそれぞれ所定パターンに形成する。

【００２６】この場合、予めパネル27上には、各アノー
ド28を所定パターンに形成しておき、これらのアノード
を電極とし、螢光体含有の電解液を用いて電気メッキ
（電着）を行うことによって、各アノード28上に対応す
る各螢光体をそれぞれ付着させることができる。

【００２７】アノード28は例えば厚さ１μｍ以下のＩＴ
Ｏ（Indium tin oxide）からなっていて、図１に仮想線
で示すように、シート状絶縁材49の被着前に、パネル27
上にスパッタリング等でＩＴＯを成膜し、これをフォト
リソグラフィ技術で所定パターンにエッチングすること
によって形成することができる。但し、アノード28は簡
略化のために図２〜図５では図示省略している。

【００２８】螢光体の電気メッキに際しては、図７のよ
うに、それぞれの透明電極28が形成されたパネル27を、
各色の螢光粉体を分散させた電着液50（Ｇ）、50
（Ｂ）、50（Ｒ）を注入した電着槽59内に配置して、こ
の螢光粉体の色に対応する透明電極28に対して順次、
緑、青、及び赤の各色螢光体の電着を行う。

【００２９】使用可能な螢光体としては、例えば緑色と
して ZnS：Cu，Al等、青色として ZnS：Ag，Cl等、赤色
として Y₂O₂S：Eu，CdS 等、また他の色として、例えば
ZnS：Mn，Y₂O₃：Eu, ZnO ：Zn等、溶媒に溶出し易い粉
体を除いてほとんどの半導体及び絶縁体を電着法に用い
ることができる。図７において、52は電着の際にパネル
27上の電極28とは逆の極性とする対極、53は電着液50の
攪拌子、54は電着用の電源、55及び56はそれぞれ逆バイ
アス印加用の電源を示す。

【００３０】このような電着槽において、まず、パネル
27を緑色螢光粉体を分散した電着液50（Ｇ）（例えば電
解質として硝酸アルミニウム、分散材としてグリセリ
ン、溶媒としてイソプロピルアルコール等を含む電着
液）に入れ、第１のストライプ状透明電極28（Ｇ）に例
えば50Ｖ／cmの負電位（直流電圧）、他のストライプ状
透明電極28（Ｂ）、28（Ｒ）に例えば０〜500 Ｖの正電
位（逆バイアス電圧）を印加し、その対極52に正電位を
印加して、電極28（Ｇ）にのみ緑色螢光粉体を電着し、
緑色螢光体膜26（Ｇ）を形成する。

【００３１】このような操作を青色螢光粉体分散電着液
50（Ｂ）、赤色螢光粉体分散電着液50（Ｒ）について同
様に行い（但し、電着すべき透明電極には負電位、電着
しない透明電極には正電位を与える。）、青色螢光体26
（Ｂ）、赤色螢光体26（Ｒ）を順次形成する。

【００３２】以上のようにして、パネル27の内面に、高
さ数 100μｍのピラー（スペーサ）49と、各ピラー間に
電着された螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26（Ｂ）を所定
パターンに形成することができる。この場合、ピラー49
を形成するに際し、シート状フォトレジスト40のパター
ニングで得たマスクを用いてシート状絶縁材49を所定パ
ターンに加工しているので、従来技術では得られない下
記 (1)〜(3) の顕著な作用効果を得ることができる。

【００３３】(1) シート状絶縁材の加工によってピラー
49を形成しているので、ガラスビーズや塗布によるピラ
ーとは根本的に異なって、設定されたパターンに確実に
加工でき、画素に悪影響を与えることはなく、画質を良
好にすることができる。特に、ピラー49は螢光体26の側
のパネル面に設けるため、螢光体上へはみ出したりする
ことなしに形成できることは、発光特性を良好にできる
点で有利である。

【００３４】(2) シート状絶縁材は数100 μｍと比較的
厚く、大面積であっても、予め均一な厚みに作製してお
けるので、これをパネル上に被着して加工すれば、常に
所望の（数100 μｍの）均一な厚みでしかも高精度の
（50μｍ以下の幅の）パターンにピラー49を形成でき
る。従って、超高真空に十分に耐え、かつ現存のブラウ
ン管に匹敵する画質を得ることができる。

【００３５】(3) シート状絶縁材の使用によって、大面
積化が可能であり、大型のディスプレイを実現でき、従
来の印刷による多層塗りの如き面倒さはないために均一
で大面積のものを生産性よく作製することができる。

【００３６】また、ピラー49を形成する際に、シート状
絶縁材上にシート状のレジスト40を被着し、これをパタ
ーニングしてシート状絶縁材の加工用マスクとして用い
ているが、シート状レジストの使用によって、均一厚み
でマスク性能の良いレジストを大面積に形成でき、これ
も塗布によるレジストの形成と比較し、ピラー49の高精
度のパターン化をはじめ、ディスプレイの大型化、量産
化等にとって有利である。

【００３７】なお、螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26
（Ｂ）は上記した電着法で形成しているので、螢光体を
電着により形成するに際して、非選択電極に０Ｖまたは
逆バイアスを印加することによって特にメッキマスクを
用いないでも混色を確実に回避でき、特にファインスト
ライプの螢光体を高精度に混色なく被着でき、高品位な
カラー螢光面が容易に得られる。更に、有機系材料を用
いることなく螢光面を形成でき、ディスプレイ内の超高
真空を維持することが可能となる。また、ピラー49を形
成した後でも、その立体的な影響を受けることなく、均
一な螢光体膜を形成することができる。

【００３８】図８及び図９には、上記の如くにして得ら
れたピラー49付きの螢光体パネル27を用いてＦＥＤ50を
構成した一例が示されている（但し、図８ではピラー49
を仮想線で示した）。このＦＥＤ50においては、ゲート
電極25を各色の螢光体26（Ｒ）、26（Ｇ）、26（Ｂ）に
対して一対一に対応して配列し、各列のゲート電極には
マイクロチップカソード23の先端を臨むように電子放出
孔33を形成してある。その他の構成は、図24に示したも
のと同様である。

【００３９】ピラー49は、図示したようにストライプ状
であってよいが、図10に示すように、小円柱状であって
もよく、その他にも角柱状等、螢光体の形成領域以外の
箇所であれば如何なる形状でもよい。

【００４０】なお、ＦＥＤ50を構成する裏面パネルの作
製方法の一例を図11〜図18について説明する。

【００４１】まず、図11のように、厚さ約１μｍのガラ
ス又はシリコン製の裏面パネル21上に厚さ 0.3μｍのカ
ソード22をアルミニウム又は銅のスパッタリング等によ
って形成する。

【００４２】次いで、図12のように、カソード22上に厚
さ 1.0μｍの絶縁層24をSiO₂の化学的気相成長によって
形成する。

【００４３】次いで、図13のように、絶縁層24上にポリ
シリコンとタングステンとを化学的気相成長、スパッタ
リング等によって順次成膜し、熱処理によりタングステ
ンシリサイド膜25ａを厚さ 0.3μｍに、ポリシリコン膜
25ｂを厚さ0.05μｍに成膜し、ゲート電極25用の導電膜
とする。

【００４４】次いで、図14のように、フォトレジスト60
を塗布し、露光、現像によって所定パターンに残し、ゲ
ート窓開け用のマスクとする。

【００４５】次いで、図15のように、フォトレジスト60
を用いて下地をＲＩＥでエッチングし、ゲート電極25と
絶縁層24とにキャビティ（電子放出孔）33を形成する。

【００４６】次いで、図16のように、基板21を回転させ
ながら、θ＝20〜30°の角度からアルミニウムを真空蒸
着し、ゲート電極25上にアルミニウム膜61をキャビティ
33から幾分突出させて形成する。

【００４７】次いで、図17のように、基板21を回転させ
ながら、垂直方向からモリブデン23を真空蒸着する。こ
の結果、初期にはアルミニウム膜61の開口面積分のモリ
ブデンがキャビティ33内のカソード22上に付着するが、
アルミニウム膜61の上記開口がモリブデンの付着によっ
て徐々に狭くなり、これに伴ってキャビティ33内ではモ
リブデンの付着量も徐々に少なくなる。このようにし
て、キャビティ33内には針状（円錐状）のマイクロチッ
プカソード23を厚さ 1.0〜1.3 μｍ程度に形成できる。

【００４８】次いで、図18のように、ゲート電極25上の
モリブデンのオーバーコート層23をアルミニウム膜61の
エッチングによってリフトオフし、表示パネルを作製す
る。

【００４９】上記の如くにして作製した前面パネル27と
裏面パネル21とは、図８及び図９で示したようにピラー
49を支柱として接合、一体化する。そして、両パネル間
90を超高真空に引き、ＦＥＤフラットパネルディスプレ
イ50を作製する。

【００５０】そして、このＦＥＤフラットパネルディス
プレイ50は、例えば図19に示すように、入力部としての
入力タブレット１と一体化し、入力部１がペン入力装置
として、表示部50が出力装置として用いられるペン入力
演算装置を構成することができる。

【００５１】即ち、前面パネル27の前面側には、入力部
の透明電極３と５とがスペーサ（ビーズ）４を介してそ
れぞれ透明基板２と保護フィルム６に対向して設けら
れ、入力部１が構成されている。

【００５２】このディスプレイにおてい、図８のように
構成する他、図20のように、３色の螢光体を１組とし、
各組に１本のゲート電極25を使用してもよい。いずれの
場合も、各螢光体に対するアノード電位（ＯＶ←→500
Ｖ）を３拍駆動で切り換え、ゲート電極25からの放出電
子35を対応する螢光体へ選択的に照射し、発光させるこ
とができる。

【００５３】また、パネル27の前面側には、抵抗検出型
の入力部として、図21に概略図示するように前面に一定
の抵抗率を有する透明電極３（ＩＴＯやSnO₂）を抵抗層
としてベタ付けし、各辺の端部にはそれぞれＸ₁電極、
Ｘ₂電極、Ｙ₁電極、Ｙ₂電極を例えばアルミニウムや
クロム等で設けることができる。透明電極６もＩＴＯや
SnO₂のベタ付けによって形成できる。

【００５４】このように構成すると、ペン入力時の位置
情報を図22に示したようにして検出できる。即ち、ペン
19でフィルム６を押すと（図19参照）、透明電極５が、
スペーサ４で離されていたパネル32上の透明電極３に接
触し、両電極間に電流が流れる。

【００５５】この電流をＸ₁電極、Ｘ₂電極、Ｙ₁電
極、Ｙ₂電極を介して検出回路42でそれぞれ検出し（総
電流はＩ）、演算回路43で各電極間での電流の差をアナ
ログ量として出力し、これをＡ／Ｄコンバータ（図示せ
ず）でディジタル量に変換し、これを制御回路で処理し
てペン入力の座標（Ｘ，Ｙ）を求めると共に、表示部
（ＦＥＤ）に対し所定の表示を行わせる制御信号を与え
る。

【００５６】このような抵抗検出型の入力部において
は、入力ペン19の側には何らの制御回路や駆動回路は必
要ではなく、単なる圧力印加手段としてペン19を使用す
ればよいので、入力ペン19の取扱いや作業能率が向上
し、確実な入力を行うことができる。

【００５７】なお、上記のＦＥＤ50において、個々のマ
イクロチップカソードの電子放出性能のばらつきを改善
するには、例えば、個々のマイクロチップとカソードと
の間にシリコン等の抵抗を接続したり、或いはマイクロ
チップのブロック毎に抵抗を接続することができる。ま
た、螢光体上にアルミニウム等の導電膜を被せると、高
圧駆動に有利である。

【００５８】以上、本発明の実施例を説明したが、上述
の実施例は本発明の技術的思想に基いて種々に変形可能
である。

【００５９】例えば、上述したディスプレイの各構成部
分の材質、寸法、形状等や、パネルの接着方法は様々に
変更してよい。

【００６０】また、上述の例はＦＥＤに関するものであ
るが、本発明は他の自発光型ディスプレイにも適用可能
である。例えば、図23に示すように、入力タブレット１
を一体化できる表示部としてのプラズマディスプレイ
（ＰＤＰ）70に適用することができる。このディスプレ
イ部は、裏面パネル71上に、トリガ電極72、誘電体膜7
4、カソード73を順次設けたものであり、バリアリブ84
を介して共通の前面パネル32に一体化されている。前面
パネル32にはアノード78を設けている。

【００６１】このＰＤＰ70は交流トリガ型直流放電式の
ものであって、カソード73−トリガ電極72間にバイアス
電圧を与えて予備放電し、本放電に必要なパワーを減少
させる。誘電体膜74は必要な電位を保持するために設け
る。

【００６２】このＰＤＰ70において、バリアリブ84を上
述した実施例のスペーサ49と同様の方法によりシート状
絶縁材をレジストで加工して形成することができる。

【００６３】また、本発明は、その他のディスプレイに
対しても勿論適用可能である。また、ディスプレイは、
種々の使い方が可能であるが、上述したように、入力部
がペン入力装置、表示部が出力装置として用いられるペ
ン入力演算装置をはじめ、通常のディスプレイとしても
勿論使用できる。

【００６４】入力方式も、上述した抵抗検出式だけでな
く、公知の光学式（フォトカプラ使用）、静電容量式、
超音波式、磁気式等を採用することができる。

【００６５】ディスプレイの製造工程においては、上述
したようにフォトレジストをシート状にして被着するこ
とが望ましいが、このレジストに関しては通常の塗布方
法によって形成することも差支えない。

【００６６】また、シート状絶縁材の加工には、上述し
たパウダービームエッチング等以外にも、公知のウォー
タージェットエッチングやドライエッチングも採用可能
である。

【００６７】更に、使用するシート状絶縁材やフォトレ
ジストの材質等も変更してよいし、螢光体の形成方法も
上述した電着法以外でもよく、またその形成順序も変化
させてよい。

【００６８】

【発明の作用効果】本発明は上述した如く、耐圧保持用
部品に加工されるべきシート状の絶縁材を加熱下での圧
着によって前面基板に直接融着し、このシート状の絶縁
材を所定パターンに加工して、前記耐圧保持用部品を形
成し、更に前記耐圧保持用部品の非存在領域において前
記前面基板の内面に螢光体を付着させているので、ガラ
スビーズや塗布によるものとは根本的に異なって、前記
耐圧保持用部品を設定されたパターンに確実に加工で
き、画素に悪影響を与えることはなく、画質を良好にす
ることができる。また、前記シート状の絶縁材を前記前
面基板に加熱下での圧着によって直接融着しているの
で、前記耐圧保持用部品を接着剤の使用なしに前記前面
基板に固定することができる。

【００６９】また、シート状絶縁材は予め均一な厚みに
作製しておけるので、これを基板上に被着して加工すれ
ば、常に所望の均一厚みでしかも高精度のパターンに部
品を形成できる。

【００７０】更に、シート状絶縁材の使用によって、大
面積化が可能であり、大型の表示装置を実現でき、従来
の印刷による多層塗りの如き面倒さはないために均一で
大面積のものを生産性よく作製することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例によるＦＥＤフラットパネルデ
ィスプレイの製造方法の一工程を示す要部断面図であ
る。

【図２】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図３】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図４】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図５】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図６】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図７】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図８】同フラットパネルディスプレイの要部斜視図で
ある。

【図９】同フラットパネルディスプレイの要部断面図で
ある。

【図10】同フラットパネルディスプレイの前面パネルの
内面側の斜視図である。

【図11】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図12】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図13】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図14】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図15】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図16】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図17】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図18】同フラットパネルディスプレイの製造方法の一
工程を示す要部断面図である。

【図19】同フラットパネルディスプレイの要部拡大断面
図である。

【図20】同フラットパネルディスプレイのＦＥＤの発光
原理を説明するための概略図である。

【図21】同フラットパネルディスプレイを構成する入力
部の平面図である。

【図22】同入力部のペン入力位置の検出回路の概略図で
ある。

【図23】本発明の他の実施例によるプラズマディスプレ
イを示す要部断面図である。

【図24】従来例によるＦＥＤの要部断面図である。

【符号の説明】

１・・・入力タブレット（入力部）２・・・透明基板３、５、28・・・透明電極 19・・・入力ペン 20、50・・・ＦＥＤ 21・・・裏面パネル 22・・・カソード 23・・・マイクロチップカソード 24・・・絶縁層 25・・・ゲート電極 26・・・螢光体 27・・・前面パネル 29・・・ガラスビーズ 33・・・電子放出孔（キャビティ） 40・・・シート状フォトレジスト 49・・・シート状絶縁材（ピラー）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) H01J 9/24 H01J 9/227 H01J 9/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】陽極上に螢光体を設ける前面基板の内面
に耐圧保持用部品を一体に形成し、この耐圧保持用部品
が存在しない前記内面に前記螢光体を設ける工程を経て
表示装置を製造するに際し、 (a)前記耐圧保持用部品に加工されるべきシート状の絶
縁材を加熱下での圧着によって前記前面基板に直接融着
する工程と、 (b)前記シート状の絶縁材を所定パターンに加工して、
前記耐圧保持用部品を形成する工程と、 (c)前記前面基板の前記内面において前記耐圧保持用部
品の非存在領域に前記螢光体を付着させる工程とを有する、表示装置の製造方法。
【請求項２】シート状の絶縁材上にシート状のレジス
トを被着し、このシート状のレジストを所定パターンに
加工し、この加工されたレジストをマスクとして前記シ
ート状の絶縁材を所定パターンに加工する、請求項１に
記載した製造方法。
【請求項３】前面基板の内面に所定パターンの真空耐
圧保持用部品を形成し、この真空耐圧保持用部品以外の
領域に螢光体を形成して、電界放出型フラットパネルデ
ィスプレイを製造する、請求項１又２に記載した製造方
法。
【請求項４】シート状の絶縁材をサンドブラスト法に
よって所定パターンに加工する、請求項１〜３のいずれ
かに記載した製造方法。
【請求項５】シート状の絶縁材をパウダービームエッ
チング法によって所定パターンに加工する、請求項１〜
３のいずれかに記載した製造方法。