JPH08222126A - 電界放出冷陰極の製造方法 - Google Patents
電界放出冷陰極の製造方法Info
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- JPH08222126A JPH08222126A JP2358295A JP2358295A JPH08222126A JP H08222126 A JPH08222126 A JP H08222126A JP 2358295 A JP2358295 A JP 2358295A JP 2358295 A JP2358295 A JP 2358295A JP H08222126 A JPH08222126 A JP H08222126A
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- H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
- H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
- H01J9/022—Manufacture of electrodes or electrode systems of cold cathodes
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- H01J2209/00—Apparatus and processes for manufacture of discharge tubes
- H01J2209/02—Manufacture of cathodes
- H01J2209/022—Cold cathodes
- H01J2209/0223—Field emission cathodes
- H01J2209/0226—Sharpening or resharpening of emitting point or edge
Abstract
(57)【要約】
【目的】 電界放出冷陰極にとって、エミッション特性
上、重要な要素となるコーンの先端形状のバラツキをな
くして、安定したエミッション特性と歩留まりの改善を
はかる製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板２上に絶縁層５Ａとゲート層６
Ａを順次積層する工程と、ゲート層６Ａと絶縁層５Ａを
エッチングしてゲート６及びキャビティ４を形成する工
程と、キャビティ４内に円錐状のコーン３を形成する工
程と、すでに形成されている円錐状のコーン３の表面に
シリコン酸化膜７を形成する工程と、さらにコーン３の
表面のシリコン酸化膜７を再除去する工程からなる電界
放出冷陰極の製造方法。
上、重要な要素となるコーンの先端形状のバラツキをな
くして、安定したエミッション特性と歩留まりの改善を
はかる製造方法を提供する。 【構成】 シリコン基板２上に絶縁層５Ａとゲート層６
Ａを順次積層する工程と、ゲート層６Ａと絶縁層５Ａを
エッチングしてゲート６及びキャビティ４を形成する工
程と、キャビティ４内に円錐状のコーン３を形成する工
程と、すでに形成されている円錐状のコーン３の表面に
シリコン酸化膜７を形成する工程と、さらにコーン３の
表面のシリコン酸化膜７を再除去する工程からなる電界
放出冷陰極の製造方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電界放出冷陰極の製造
方法に関し、特に、より尖鋭な形状をもつコーンを形成
してエミッション特性を改善する電界放出冷陰極の製造
方法に関する。
方法に関し、特に、より尖鋭な形状をもつコーンを形成
してエミッション特性を改善する電界放出冷陰極の製造
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の、一般的に知られている電界放出
冷陰極の概略要部断面図を図２に示し、電界放出冷陰極
を製造する工程を概略製造工程図として図３（ａ）〜
（ｅ）に示す。図２に示すように、電界放出冷陰極１０
は、微小冷陰極の集合体から成り、その構造としては、
タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ等の高融
点金属からなる先端形状が円錐状のコーン１２が形成さ
れている。このコーン１２の周囲に微小の開口幅をもっ
たキャビティ１３を有する酸化シリコン等よりなる絶縁
層１４が形成され、この絶縁層１４の上に、タングステ
ン、モリブデン、ニオブ等の高融点金属からなるゲート
１５がコーン１２の対向電極として配置された構造にな
っている。なお、電界放出冷陰極１０は、ゲート１５と
コーン１２との間に、ある電界強度を付与する電圧、例
えば上記素子の場合には数ボルトを印加することによ
り、コーン１２を熱することなく電子を放出させること
ができる。
冷陰極の概略要部断面図を図２に示し、電界放出冷陰極
を製造する工程を概略製造工程図として図３（ａ）〜
（ｅ）に示す。図２に示すように、電界放出冷陰極１０
は、微小冷陰極の集合体から成り、その構造としては、
タングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ等の高融
点金属からなる先端形状が円錐状のコーン１２が形成さ
れている。このコーン１２の周囲に微小の開口幅をもっ
たキャビティ１３を有する酸化シリコン等よりなる絶縁
層１４が形成され、この絶縁層１４の上に、タングステ
ン、モリブデン、ニオブ等の高融点金属からなるゲート
１５がコーン１２の対向電極として配置された構造にな
っている。なお、電界放出冷陰極１０は、ゲート１５と
コーン１２との間に、ある電界強度を付与する電圧、例
えば上記素子の場合には数ボルトを印加することによ
り、コーン１２を熱することなく電子を放出させること
ができる。
【０００４】電界放出冷陰極の製造方法としては、幾つ
かの方法が提案されている。ここでは、代表的なスピン
ト型の電界放出冷陰極の製造工程について、図３（ａ）
乃至図３（ｅ）の概略製造工程図に沿って要点を説明す
る。まず図３（ａ）に示すように、例えば、シリコン基
板１１上に酸化シリコンからなる絶縁層１４ＡをＣＶＤ
によって１μｍの厚さで被着させ、さらに、この絶縁層
１４Ａの上にタングステン、モリブデン等からなるゲー
ト層１５Ａを０．４μｍの厚さで蒸着形成する。このゲ
ート層１５Ａ上にレジスト１６をコーティングし、直径
１μｍの孔１６ａを１０μｍピッチで形成する。次に、
レジスト１６の孔１６ａからゲート層１５Ａをエッチン
グし、さらに絶縁層１４Ａをエッチングしてレジスト１
６を剥離する。これによって、図３（ｂ）に示すよう
に、開口部１５ａが形成されたゲート１６とキャビティ
１３が形成された絶縁層１４とになる。
かの方法が提案されている。ここでは、代表的なスピン
ト型の電界放出冷陰極の製造工程について、図３（ａ）
乃至図３（ｅ）の概略製造工程図に沿って要点を説明す
る。まず図３（ａ）に示すように、例えば、シリコン基
板１１上に酸化シリコンからなる絶縁層１４ＡをＣＶＤ
によって１μｍの厚さで被着させ、さらに、この絶縁層
１４Ａの上にタングステン、モリブデン等からなるゲー
ト層１５Ａを０．４μｍの厚さで蒸着形成する。このゲ
ート層１５Ａ上にレジスト１６をコーティングし、直径
１μｍの孔１６ａを１０μｍピッチで形成する。次に、
レジスト１６の孔１６ａからゲート層１５Ａをエッチン
グし、さらに絶縁層１４Ａをエッチングしてレジスト１
６を剥離する。これによって、図３（ｂ）に示すよう
に、開口部１５ａが形成されたゲート１６とキャビティ
１３が形成された絶縁層１４とになる。
【０００５】次に、図３（ｃ）に示すように、シリコン
基板１１を板面に平行な面内で回転させながら、シリコ
ン基板１１の板面に対して約１５度の角度で０．１５μ
ｍの厚さにアルミニウム１７を蒸着させる。これによつ
て、ゲート１５の開口部１５ａが狭められる。次に、図
３（ｄ）に示すように、コーン１２の材料１８であるタ
ングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ等の高融点
金属を開口部１５ａが埋まるまでシリコン基板１１に対
して垂直に蒸着し、キャビティ１３内に円錐状のコーン
１２を形成する。最後に、図３（ｅ）に示すように、ア
ルミニウム１７をエッチングして不要なコーン１２の材
料１８を剥離除去している。上述した工程を経て、電界
放出冷陰極１０を製造している。
基板１１を板面に平行な面内で回転させながら、シリコ
ン基板１１の板面に対して約１５度の角度で０．１５μ
ｍの厚さにアルミニウム１７を蒸着させる。これによつ
て、ゲート１５の開口部１５ａが狭められる。次に、図
３（ｄ）に示すように、コーン１２の材料１８であるタ
ングステン、モリブデン、タンタル、ニオブ等の高融点
金属を開口部１５ａが埋まるまでシリコン基板１１に対
して垂直に蒸着し、キャビティ１３内に円錐状のコーン
１２を形成する。最後に、図３（ｅ）に示すように、ア
ルミニウム１７をエッチングして不要なコーン１２の材
料１８を剥離除去している。上述した工程を経て、電界
放出冷陰極１０を製造している。
【０００６】
【発明が解決しようとる課題】電界放出冷陰極１０は、
コーン１２の先端形状の均一性がエミッション特性上、
重要な要素となる。しかしながら、上述した製造方法で
は、剥離層となるアルミニウム１７の層を形成する場合
に、シリコン基板１１に対して斜め方向から蒸着を行な
っている。このために、ゲート１５の開口部１５ａの位
置によってアルミニウム１７の蒸着状態にバラツキが発
生して、コーン１２の形状が面内の各部で均一になら
ず、先端形状にバラツキが生じるという問題があった。
電界放出冷陰極１０にとって、エミッション特性上、重
要な要素となるコーン１２の先端形状にバラツキが生じ
るということは、均一なエミッション特性が得られない
ことを意味し、歩留まりも悪くなる。従って、コーン１
２の先端形状の均一化を図る製造方法を確立して、安定
したエミッション特性が得られ、かつ歩留まりの改善を
はかることが急務となる。
コーン１２の先端形状の均一性がエミッション特性上、
重要な要素となる。しかしながら、上述した製造方法で
は、剥離層となるアルミニウム１７の層を形成する場合
に、シリコン基板１１に対して斜め方向から蒸着を行な
っている。このために、ゲート１５の開口部１５ａの位
置によってアルミニウム１７の蒸着状態にバラツキが発
生して、コーン１２の形状が面内の各部で均一になら
ず、先端形状にバラツキが生じるという問題があった。
電界放出冷陰極１０にとって、エミッション特性上、重
要な要素となるコーン１２の先端形状にバラツキが生じ
るということは、均一なエミッション特性が得られない
ことを意味し、歩留まりも悪くなる。従って、コーン１
２の先端形状の均一化を図る製造方法を確立して、安定
したエミッション特性が得られ、かつ歩留まりの改善を
はかることが急務となる。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は、シリコン基板
上に絶縁層とゲート層を順次積層する工程と、ゲート層
上に所定形状の開口部を有するレジストを形成する工程
と、レジストの開口部からゲート層及び絶縁層をエッチ
ングしてゲート及びキャビティを形成する工程と、レジ
ストの開口部が埋まるまで、タングステン、モリブデ
ン、タンタル、ニオブ等の高融点金属のシリコン化合物
からなるコーンの材料を蒸着させてキャビティ内に円錐
状のコーンを形成する工程と、レジストと共に不要なコ
ーンの材料を除去する工程と、すでに形成された円錐状
のコーンの表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、コ
ーンの表面に形成されたシリコン酸化膜を再除去する工
程を有する電界放出冷陰極の製造方法を提供する。ま
た、円錐状のコーンの表面にシリコン酸化膜を形成する
工程において、ドライ又はスチーム雰囲気でシリコン酸
化膜を形成させる電界放出冷陰極の製造方法を提供し、
さらにコーンの表面に形成されたシリコン酸化膜を再除
去する工程において、希弗酸溶液を使用してシリコン酸
化膜を除去することを特徴とする電界放出冷陰極の製造
方法を提供する。
上に絶縁層とゲート層を順次積層する工程と、ゲート層
上に所定形状の開口部を有するレジストを形成する工程
と、レジストの開口部からゲート層及び絶縁層をエッチ
ングしてゲート及びキャビティを形成する工程と、レジ
ストの開口部が埋まるまで、タングステン、モリブデ
ン、タンタル、ニオブ等の高融点金属のシリコン化合物
からなるコーンの材料を蒸着させてキャビティ内に円錐
状のコーンを形成する工程と、レジストと共に不要なコ
ーンの材料を除去する工程と、すでに形成された円錐状
のコーンの表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、コ
ーンの表面に形成されたシリコン酸化膜を再除去する工
程を有する電界放出冷陰極の製造方法を提供する。ま
た、円錐状のコーンの表面にシリコン酸化膜を形成する
工程において、ドライ又はスチーム雰囲気でシリコン酸
化膜を形成させる電界放出冷陰極の製造方法を提供し、
さらにコーンの表面に形成されたシリコン酸化膜を再除
去する工程において、希弗酸溶液を使用してシリコン酸
化膜を除去することを特徴とする電界放出冷陰極の製造
方法を提供する。
【０００８】
【作用】上記構成によれば、タングステン、モリブデ
ン、タンタル、ニオブ等の高融点金属のシリコン化合物
からなるコーンの材料を蒸着させてキャビティ内に円錐
状のコーンを形成し、その後で、レジストと共に不要な
コーンの材料を除去して、基本的なコーンが形成され
る。さらに、このコーンが形成されたシリコン基板をド
ライ又はスチーム雰囲気内で酸化することによって、コ
ーンの表面には、シリコン酸化膜が形成され、コーン自
身は、コーンの材料であるタングステン、モリブデン、
タンタル、ニオブ等の金属の含有量が多くなる。この酸
化工程では、円錐状のコーンの先端部と底部とでは肉厚
が異なるために、酸化する速度が違ってきて、結果とし
てコーンの先端部と底部とのシリコン酸化膜厚が異なっ
てくる。さらに、酸化したシリコン基板を希弗酸溶液等
でエッチングして、コーンのシリコン酸化膜を再除去す
ると、上述したようにコーンの先端部と底部との酸化膜
厚が異なっていることが原因で、より尖鋭な先端部の形
状が揃ったコーンを形成できる。
ン、タンタル、ニオブ等の高融点金属のシリコン化合物
からなるコーンの材料を蒸着させてキャビティ内に円錐
状のコーンを形成し、その後で、レジストと共に不要な
コーンの材料を除去して、基本的なコーンが形成され
る。さらに、このコーンが形成されたシリコン基板をド
ライ又はスチーム雰囲気内で酸化することによって、コ
ーンの表面には、シリコン酸化膜が形成され、コーン自
身は、コーンの材料であるタングステン、モリブデン、
タンタル、ニオブ等の金属の含有量が多くなる。この酸
化工程では、円錐状のコーンの先端部と底部とでは肉厚
が異なるために、酸化する速度が違ってきて、結果とし
てコーンの先端部と底部とのシリコン酸化膜厚が異なっ
てくる。さらに、酸化したシリコン基板を希弗酸溶液等
でエッチングして、コーンのシリコン酸化膜を再除去す
ると、上述したようにコーンの先端部と底部との酸化膜
厚が異なっていることが原因で、より尖鋭な先端部の形
状が揃ったコーンを形成できる。
【０００９】
【実施例】本発明の一実施例について、図面を参照しな
がら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明による電
界放出冷陰極の概略製造工程図である。図において、１
は電界放出冷陰極であって、２はシリコン基板で、３は
コーンで、４はキャビティで、５は絶縁層で、６がゲー
トであり、７がシリコン酸化膜である。電界放出冷陰極
の製造方法の要点について説明するが、製造工程の一部
は従来の技術と同じであるために、重複する図面は省略
する。シリコン基板２上に酸化シリコンからなる絶縁層
５ＡをＣＶＤによって１μｍの厚さで被着させ、さら
に、この絶縁層５Ａの上にタングステン、モリブデン等
からなるゲート層６Ａを０．４μｍの厚さで蒸着形成す
る。このゲート層６Ａ上にレジストをコーティングし、
直径１μｍの孔を１０μｍピッチで形成する。次に、レ
ジストの孔からゲート層６Ａをエッチングしてレジスト
を剥離する。これによって、ゲート６には開口部が形成
され、絶縁層５にはキャビティ４が形成される。
がら説明する。図１（ａ）〜（ｃ）は、本発明による電
界放出冷陰極の概略製造工程図である。図において、１
は電界放出冷陰極であって、２はシリコン基板で、３は
コーンで、４はキャビティで、５は絶縁層で、６がゲー
トであり、７がシリコン酸化膜である。電界放出冷陰極
の製造方法の要点について説明するが、製造工程の一部
は従来の技術と同じであるために、重複する図面は省略
する。シリコン基板２上に酸化シリコンからなる絶縁層
５ＡをＣＶＤによって１μｍの厚さで被着させ、さら
に、この絶縁層５Ａの上にタングステン、モリブデン等
からなるゲート層６Ａを０．４μｍの厚さで蒸着形成す
る。このゲート層６Ａ上にレジストをコーティングし、
直径１μｍの孔を１０μｍピッチで形成する。次に、レ
ジストの孔からゲート層６Ａをエッチングしてレジスト
を剥離する。これによって、ゲート６には開口部が形成
され、絶縁層５にはキャビティ４が形成される。
【００１０】次に、シリコン基板２を板面に平行な面内
で回転させながら、シリコン基板２の板面に対して約１
５度の角度で０．１５μｍの厚さにアルミニウムを蒸着
させる。これによつて、ゲート６の開口部が狭められ
る。次に、コーン３の材料であるタングステン、モリブ
デン、タンタル、ニオブ等を開口部が埋まるまでシリコ
ン基板２に対して垂直に蒸着し、キャビティ４内に円錐
状のコーン３を形成する。次に、アルミニウムをエッチ
ングして不要なコーン３の材料を剥離除去している。こ
こまでの工程は、基本的には従来の技術と同じ工程を経
て、図１（ａ）に示すような電界放出冷陰極を製造して
いる。しかしながら、この状態の電界放出冷陰極のまま
では、エミッション特性上、重要な要素となるコーン３
の先端形状にバラツキが生じて、均一なエミッション特
性が得られず、かつ歩留まりを悪くするという課題が生
じている。
で回転させながら、シリコン基板２の板面に対して約１
５度の角度で０．１５μｍの厚さにアルミニウムを蒸着
させる。これによつて、ゲート６の開口部が狭められ
る。次に、コーン３の材料であるタングステン、モリブ
デン、タンタル、ニオブ等を開口部が埋まるまでシリコ
ン基板２に対して垂直に蒸着し、キャビティ４内に円錐
状のコーン３を形成する。次に、アルミニウムをエッチ
ングして不要なコーン３の材料を剥離除去している。こ
こまでの工程は、基本的には従来の技術と同じ工程を経
て、図１（ａ）に示すような電界放出冷陰極を製造して
いる。しかしながら、この状態の電界放出冷陰極のまま
では、エミッション特性上、重要な要素となるコーン３
の先端形状にバラツキが生じて、均一なエミッション特
性が得られず、かつ歩留まりを悪くするという課題が生
じている。
【００１１】そこで本発明は、コーンの先端形状を均一
化するために、さらに酸化工程とエッチング工程を追加
した。まず、図１（ｂ）に示すように、前工程を経てき
たシリコン基板２を、ドライ又はスチーム雰囲気で酸化
する。すると、コーン３の表面にはシリコン酸化膜７が
形成される。この酸化工程では、前工程で形成された円
錐状のコーン３の先端部と底部とでは肉厚が異なるため
に、酸化する速度が違ってきて、結果としてコーン３の
先端部と底部とのシリコン酸化膜７の厚さが異なってく
る。一方コーン３自身は、コーン３の材料であるタング
ステン、モリブデン、タンタル、ニオブ等の金属の含有
量が多くなる。
化するために、さらに酸化工程とエッチング工程を追加
した。まず、図１（ｂ）に示すように、前工程を経てき
たシリコン基板２を、ドライ又はスチーム雰囲気で酸化
する。すると、コーン３の表面にはシリコン酸化膜７が
形成される。この酸化工程では、前工程で形成された円
錐状のコーン３の先端部と底部とでは肉厚が異なるため
に、酸化する速度が違ってきて、結果としてコーン３の
先端部と底部とのシリコン酸化膜７の厚さが異なってく
る。一方コーン３自身は、コーン３の材料であるタング
ステン、モリブデン、タンタル、ニオブ等の金属の含有
量が多くなる。
【００１２】次に、図１（ｃ）に示すように、上述した
シリコン酸化膜７を再除去する。すなわち、酸化したシ
リコン基板２を希弗酸溶液等でエッチングして、コーン
３のシリコン酸化膜７を再除去すると、上述したように
コーン３の先端部と底部とのシリコン酸化膜７の厚みが
異なっていることが原因で、シリコン酸化膜７を除去し
た時に、より尖鋭な先端部の形状が揃ったコーン３を形
成することができる。このように上述した製造方法によ
ると、中間工程で形成された円錐状のコーン３の先端形
状にバラツキがあっても、これらの酸化工程とエッチン
グ工程によって、円錐状のコーン３の先端形状を整形す
る作用が働いて、均一化したコーン３を製造することが
可能となった。
シリコン酸化膜７を再除去する。すなわち、酸化したシ
リコン基板２を希弗酸溶液等でエッチングして、コーン
３のシリコン酸化膜７を再除去すると、上述したように
コーン３の先端部と底部とのシリコン酸化膜７の厚みが
異なっていることが原因で、シリコン酸化膜７を除去し
た時に、より尖鋭な先端部の形状が揃ったコーン３を形
成することができる。このように上述した製造方法によ
ると、中間工程で形成された円錐状のコーン３の先端形
状にバラツキがあっても、これらの酸化工程とエッチン
グ工程によって、円錐状のコーン３の先端形状を整形す
る作用が働いて、均一化したコーン３を製造することが
可能となった。
【００１３】
【発明の効果】上述したように、ゲートの開口部の位置
によって剥離層となるアルミニウムの蒸着状態にバラツ
キが発生して、コーンの形状が面内の各部で均一になら
ないという問題があって、エミッション特性上、重要な
要素となるコーンの先端形状にバラツキが生じて、均一
なエミッション特性が得られず、歩留まりも悪かった
が、本発明の製造方法によれば、コーンを形成する中間
工程での円錐状のコーンの先端部と底部とでは肉厚が異
なるために、次工程の酸化工程での酸化する速度が違っ
てきて、結果としてコーンの先端部と底部との酸化膜厚
が異なり、この酸化膜を再除去した時に、より尖鋭な先
端部の形状が揃ったコーンを形成できる。従って、電界
放出冷陰極にとって、エミッション特性上、重要な要素
となるコーンの先端形状にバラツキがなくなり、均一化
された、より尖鋭な先端形状が形成されて、安定したエ
ミッション特性が得られ、かつ歩留まりの改善ができ
た。
によって剥離層となるアルミニウムの蒸着状態にバラツ
キが発生して、コーンの形状が面内の各部で均一になら
ないという問題があって、エミッション特性上、重要な
要素となるコーンの先端形状にバラツキが生じて、均一
なエミッション特性が得られず、歩留まりも悪かった
が、本発明の製造方法によれば、コーンを形成する中間
工程での円錐状のコーンの先端部と底部とでは肉厚が異
なるために、次工程の酸化工程での酸化する速度が違っ
てきて、結果としてコーンの先端部と底部との酸化膜厚
が異なり、この酸化膜を再除去した時に、より尖鋭な先
端部の形状が揃ったコーンを形成できる。従って、電界
放出冷陰極にとって、エミッション特性上、重要な要素
となるコーンの先端形状にバラツキがなくなり、均一化
された、より尖鋭な先端形状が形成されて、安定したエ
ミッション特性が得られ、かつ歩留まりの改善ができ
た。
【図１】（ａ）〜（ｃ） 本発明の電界放出冷陰極の概
略製造工程図
略製造工程図
【図２】 電界放出冷陰極の一般的な概略要部断面図
【図３】（ａ）〜（ｅ） 従来の電界放出冷陰極の概略
製造工程図
製造工程図
１ 電界放出冷陰極 ２ シリコン基板 ３ コーン ４ キャビティ ５、５Ａ 絶縁層 ６ ゲート ６Ａ ゲート層 ７ シリコン酸化膜
Claims (4)
- 【請求項１】シリコン基板上に絶縁層とゲート層を順次
積層する工程と、前記ゲート層上に所定形状の開口部を
有するレジストを形成する工程と、前記レジストの開口
部から前記ゲート層及び前記絶縁層をエッチングしてゲ
ート及びキャビティを形成する工程と、前記レジストの
開口部が埋まるまで高融点金属のシリコン化合物からな
るコーンの材料を蒸着させて前記キャビティ内に円錐状
のコーンを形成する工程と、レジストと共に不要なコー
ンの材料を除去する工程と、前記形成された円錐状のコ
ーンの表面にシリコン酸化膜を形成する工程と、前記コ
ーンの表面に形成されたシリコン酸化膜を再除去する工
程とからなる電界放出冷陰極の製造方法。 - 【請求項２】前記シリコン酸化膜を形成する工程におい
て、ドライ又はスチーム雰囲気で該シリコン酸化膜を形
成させることを特徴とする請求項１記載の電界放出冷陰
極の製造方法。 - 【請求項３】前記シリコン酸化膜を再除去する工程にお
いて、希弗酸溶液を使用して該シリコン酸化膜を除去す
ることを特徴とする請求項１記載の電界放出冷陰極の製
造方法。 - 【請求項４】前記高融点金属がタングステン、モリブデ
ン、タンタル、ニオブ等からなることを特徴とする請求
項１乃至３記載の電界放出冷陰極の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2358295A JPH08222126A (ja) | 1995-02-13 | 1995-02-13 | 電界放出冷陰極の製造方法 |
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