KR960032553A - 전계 방출 냉음극 형성 방법 - Google Patents

전계 방출 냉음극 형성 방법 Download PDF

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가네꼬 히사시
닛본덴기 가부시끼가이샤
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Abstract

본 발명은 실리콘을 함유하는 내화성 금속으로 만들어진 콘형 전극의 모양을 재구성하는 방법을 개시한다. 상기 콘형 전극의 표면은 상기 내화성 금속에 함유된 실리콘이 산화되도록 처리된다. 상기 산화는 상기 콘형전극의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 속도로 발생된다. 그 결과, 실리콘 옥사이드막이 형성되는데, 이는 상기 콘형 전극을 피복한다. 상기 실리콘 옥사이드막은 상기 콘형 전극의 바닥부 쪽으로 갈수록 점차 증가하는 두께를 갖는다. 상기 실리콘 옥사이드막과 상기 콘형 전극 사이의 경계는 상기 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 기울기를 갖는다. 상기 실리콘 옥사이드막은 첨예한 형상의 상단불르 갖는 모양이 재구성된 콘형 전극을 노출시킬 수 있도록 제거된다. 상기 모양이 재구성된 콘형 전극은 상기 첨예한 형상의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 기울기를 갖는 표면을 갖는다.

Description

전계 방출 냉음극 형성 방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 기판상에 정렬된 콘형 전계 방출 냉음극을 도시하는 부분 정단면도.
제2A도 내지 제2E도는 콘형 전계 방출 냉음극을 형성하는 종래 방법에 포함되는 순차적 단계를 도시하는 부분 정단면도.
제3A도 내지 제 3G도는 본 발명에 따른 양호한 실시예의 콘형 전계 방출 냉음극을 형성하는 신규한 방법에 포함되는 순차적 단계를 도시하는 부분 정단면도.

Claims (12)

  1. 실리콘을 함유하는 내화성 금속으로 만들어진 콘형 전극의 모양을 재구성하는 방법에 있어서, 상기 콘형 전극의 바닥부 쪽으로 갈수록 점점 증가하는 두께를 갖고, 상기 콘형 전극과의 사이의 경계는 상기 콘형 전극의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 기울기를 갖으며, 또 상기 콘형 전극을 피복하는 실리콘 옥사이드막을 형성하기 위하여 상기 내화성 금속에 함유된 실리콘이 상기 콘형 전극의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 속도로 산화되도록 상기 콘형 전극의 표면을 산화시키는 단계, 및 표면의 기울기가 첨예한 형상의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 첨예한 형상의 상단부를 갖는 모양이 재구성된 콘형 전극을 노출시키기 위하여 상기 실리콘 옥사이드막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘형 전극의 모양 재구성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 산화는 건조 분위기(dried atmosphere)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 콘형 전극의 모양 재구성 방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 산화는 증기 분위기(steamed atmosphere)에서 수행되는 것을 특징으로 하는 콘형 전극의 모양 재구성 방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 실리콘 옥사이드막은 희석된 불산액(diluted fluorine acid solution)에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 콘형 전극의 모양 재구성 방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 내화성 금속은 1 내지 10% 범위에 속하는 실리콘 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 콘형 전극의 모양 재구성 방법.
  6. 제1항에 있어서, 상기 내화성 금속은 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈 및 니오브로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 콘형 전극의 모양 재구성 방법.
  7. 기판상에 콘형 전계 방출 냉음극을 형성하는 방법에 있어서, 상기 기판상에 화학 증착에 의하여 실리콘 옥사이드층을 피착시키는 단계, 상기 실리콘 옥사이드층상에 내화성 금속으로 만들어진 게이트층을 피착시키는 단계, 상기 게이트층상에 포토리지스트 패턴을 구비하는 단계, 상기 포토리지스트 패턴을 마스크로서 사용하여 개구를 갖는 동공을 형성하도록 상기 게이트층과 상기 실리콘 옥사이트층을 선택적으로 에칭하는 단계, 상기 포토리지스트 패턴을 제거하는 단계, 상기 게이트층의 에지로부터 상기 개구의 중앙 쪽으로 연장된 개구에지를 갖는 금속막을 형성할 수 있도록 상기 기판이 상기 기판의 표면에 대하여 평행한 평면 내에서 회전하는 동안 금속 재료를 상기 게이트층상에 상기 평면에 선정된 비스듬한 기울기로 피착하는 단계, 실리콘 함유 내화성 금속 콘을 상기 동공 내에 형성하고 또 상기 실리콘 함유 내화성 금속층을 상기 금속막상에 형성할 수 있도록 실리콘 함유 내화성 금속 재료를 상기 기판 표면에 대해 직각 방향으로 상기 금속막 상부와 상기 동공 내에 피착하는 단계, 상기 실리콘 함유 내화성 금속 콘을 노출시키도록 상기 실리콘 함유 내화성 금속층 및 상기 금속막을 제거하는 단계, 상시 실리콘 함유 내화성 금속 콘의 바닥부 쪽으로 갈수록 점점 증가하는 두께를 갖고, 상기 실리콘 함유 내화성 금속 콘과의 사이의 경계는 상기 실리콘 함유 내화성 금속 콘의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 기울기를 갖으며, 또 상기 실리콘 함유 내화성 금속 콘을 피복하는 실리콘 옥사이드막을 형성하기 위하여 상기 내화성 금속에 함유된 실리콘이 상기 실리콘 함유 내화성 금속 콘의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 속도로 산화되도록 상기 실리콘 함유 내화성 금속 콘의 표면을 산화시키는 단계; 및 표면의 기울기가 첨예한 형상의 상단부 쪽으로 갈수록 증가하는 첨예한 형상의 상단부를 갖는 모양이 재구성된 실리콘 함유 내화성 금속 콘을 노출시키기 위하여 상기 실리콘 옥사이드막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 콘형 전계 방출 냉음극 형성 방법.
  8. 제7항에 있어서, 상기 산화는 건조 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 콘형 전계 방출 냉음극 형성 방법.
  9. 제7항에 있어서, 상기 산화는 증기 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 콘형 전계 방출 냉음극 형성 방법.
  10. 제7항에 있어서, 상기 실리콘 옥사이드막은 희석된 불산액에 의하여 제거되는 것을 특징으로 하는 콘형 전계 방출 냉음극 형성 방법.
  11. 제7항에 있어서, 상기 내화성 금속은 1 내지 10% 범위에 속하는 실리콘 함유량을 갖는 것을 특징으로 하는 콘형 전계 방출 냉음극 형성 방법.
  12. 제7항에 있어서, 상기 내화성 금속은 텅스텐, 몰리브덴, 탄탈 및 니오브로 구성된 그룹으로부터 선택된 하나인 것을 특징으로 하는 콘형 전계 방출 냉음극 형성 방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019960003445A 1995-02-13 1996-02-13 전계 방출 냉음극 형성 방법 KR0181326B1 (ko)

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JP2358295A JPH08222126A (ja) 1995-02-13 1995-02-13 電界放出冷陰極の製造方法
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DE69601961T2 (de) 1999-10-14
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