KR100202666B1 - 로커스 제조공정 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 로커스 제조공정에 관한 것으로, 산화장벽(Oxidation barrier)으로 이용되는 질화 산화막 측벽을 형성하여 버드빅(Bird's beak)을 감소시킴으로써, 고밀도 집적소자 제작을 가능하게 하는 데에 그 목적이 있다.
이러한 본 발명의 목적은, 기판에 산화막 및 질화막을 증착한 다음 이를 패터닝하는 공정과, 이후 질화막을 증착하고 에치백하여 질화막 측벽을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화막 측벽을 산화하여 질화 산화막을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화 산화막을 에치백하여 질화 산화막측벽을 형성하는 공정과, 이후 열산화하여 필드산화막을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화 산화막 측벽 및 질화막을 제거하는 공정을 구현함으로써 달성된다.
Description
제1도의 (a) 내지 (d)는 종래 로커스 제조공정을 나타낸 공정수순도.
제2도의 (b) 내지 (i)는 본 발명 로커스 제조공정을 나타낸 공정수순도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 기판 12 : 산화막
13 : 질화막 14 : 질화막측벽
15 : 질화 산화막 16 : 질화 산화막 측벽
17 : 필드산화막
본 발명은 로커스 제조공정에 관한 것으로, 특히 산화장벽(Oxidation barrier)으로 이용되는 질화 산화막 측벽을 형성하여 버드빅(Bird's beak)을 감소시킴으로써, 고밀도 집적소자 제작을 가능하게 하는 데에 적당하도록 한 로커스 제조공정에 관한 것이다.
종래 로커스 제조공정에 대해 제1도에 참조하여 설명하면 다음과 같다.
먼저, (a)에 도시한 바와 같이, 기판(1)에 산화막(2) 및 질화막(3)을 순차적으로 증착한 다음, (b)에 도시된 바와 같이 사진식각공정으로 패터닝한다.
다음, (c)에 도시한 바와 같이, 열산화하여 필드산화막(4)을 형성한다.
마지막으로, (d)에 도시한 바와 같이, 질화막(3)을 제거함으로써 공정을 완료한다.
그러나, 이와같은 종래 기술은 국부산화시 질화막의 밑으로 버드빅(Bird's beak)이 형성되므로 스테퍼(Stepper)에서 정의할 수 있는 디자인룰(Design rule)보다 큰 분리영역이 형성된다.
즉, 소자가 형성되는 액티브 영역이 감소하여 고집적화에 불리해지는 문제를 갖는다.
본 발명은 이와같은 종래의 문제를 해결하기 위해 창안된 것으로, 산화장벽(Oxidation barrier)으로 이용되는 질화 산화막 측벽을 형성하여 버드빅(Bird's beak)을 감소시킴으로써, 고밀도 집적소자 제작을 가능하게 하는 로커스 제조공정을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 로커스 제조공정은 제2도에 도시한 바와 같이, 기판에 산화막 및 질화막을 증착한 다음 이를 패터닝하는 공정과, 이후 질화막을 증착하고 에치백하여 질화막 측벽을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화막 측벽을 산화하여 질화 산화막을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화 산화막을 에치백하여 질화 산화막 측벽을 형성하는 공정과, 이후 열산화하여 필드산화막을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화 산화막 측벽 및 질화막을 제거하는 공정으로 완료된다.
이와같은 본 발명에 대해 제2도를 참조하여 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저, (a) 및 (b)에 도시한 바와 같이, 기판(11)을 열산화하여 산화막(12)을 형성하고 그 위에 질화막(13)을 증착한 다음, 이를 사진식각공정으로 패터닝한다.
이어서, (c) 및 (d)에 도시한 바와 같이, 산화막(12) 및 질화막(13)이 패터닝 된 기판(11)에 다시 한 번 질화막을 증착하고 에치백하여 질화막 측벽(14)을 형성한다.
이때, 상기 질화막 측벽(14)의 에치백시, (a)의 공정에서 질화막(13)위에 산화막을 증착함으로써 식각의 종말점을 만들 수 있다.
다음, (e)에 도시한 바와 같이, N2O분위기에서 산화공정을 하여 N-도핑된산화막 즉, 질화 산화막(15)을 형성한다.
그리고, (f)에 도시한 바와 같이, 이를 에치백하여 질화 산화막 측벽(16)을 형성하고, (g)에 도시한 바와 같이, 습식산화 공정으로 필드산화막(17)을 형성한다.
이때, 상기 질화 산화막 측벽(16)이 산화장벽의 역할을 하여 산화공정을 지연시키는데, 이는 필드산화막(17)이 질화막(13)의 아래까지 성장하여 소자가 형성되는 액티브영역을 침해하는 버드빅(Bird's beak)을 감소시킬 수 있음을 의미한다.
마지막으로, (h) 및 (i)에 도시한 바와 같이, 질화 산화막 측벽(16) 및 질화막(13)을 제거함으로써 공정이 완료된다.
본 발명의 다른 실시예에 대해 설명하면 다음과 같다.
먼저, (c) 및 (d) 공정에서 질화막 측벽(14)을 형성하지 않고도 같은 효과를 얻을 수 있다. 즉, 산화막(12) 및 질화막(13)이 패터닝 된 위에 그대로 산화를 시켜도 질화막(13)이 존재하므로 질화 산화막(15)을 형성할 수 있게 된다.
또한, (d)에서 질화막 측벽(14)의 식각을 과도하게 하면 (e)의 습식식각을 생략할 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명은 산화장벽(Oxidation barrier)으로 이용되는 질화 산화막 측벽을 형성하여 버드빅(Bird's beak)을 감소시킴으로써, 고밀도 집적소자 제작을 가능하게 할 수 있는 효과가 있다.
Claims (4)
- 기판에 산화막 및 질화막을 증착한 다음 이를 패터닝하는 공정과, 이후 질화막을 증착하고 에치백하여 질화막 측벽을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화막 측벽을 산화하여 질화 산화막을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화 산화막을 에치백하여 질화 산화막 측벽을 형성하는 공정과, 이후 열산화하여 필드산화막을 형성하는 공정과, 이후 상기 질화 산화막 측벽 및 질화막을 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로커스 제조공정.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막 측벽을 형성하지 않고도 같은 효과를 얻을 수 있는 것을 특징으로 하는 로커스 제조공정.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막 측벽 형성시 식각을 과도하게 함으로써 차후의 질화 산화막의 제거를 위한 습식식각을 생략할 수 있는 것을 특징으로 하는 로커스 제조공정.
- 제1항에 있어서, 상기 기판에 산화막 및 질화막을 증착한 다음 다시 산화막을 증착함으로써, 질화막 측벽 형성을 위한 식각시 식각 종말점을 만들 수 있는 것을 특징으로 하는 로커스 제조공정.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1019960029706A KR100202666B1 (ko) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | 로커스 제조공정 |
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| KR1019960029706A KR100202666B1 (ko) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | 로커스 제조공정 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR980012252A KR980012252A (ko) | 1998-04-30 |
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ID=19467104
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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| KR1019960029706A KR100202666B1 (ko) | 1996-07-23 | 1996-07-23 | 로커스 제조공정 |
Country Status (1)
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1996
- 1996-07-23 KR KR1019960029706A patent/KR100202666B1/ko not_active IP Right Cessation
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| KR980012252A (ko) | 1998-04-30 |
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