KR100202665B1 - 로커스 제조공정 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 로커스 제조공정에 관한 것으로, 버드빅(Bird's beak)에 의한 액티브영역의 침식을 최소로 함으로써 소자의 고집적화를 이루는 데에 그 목적을 둔다.
이와같은 목적은 기판상에 감광막을 패터닝하여 로커스이외 지역의 기판을 식각하는 공정과, 이후 감광막을 제거하고 산화막 및 질화막을 증착하는 공정과, 이후 질화막을 기판내에 매립시키는 공정과, 이후 필드산화막을 형성하고 질화막을 제거하는 공정으로써 구현된다.
Description
제1도의 (a) 내지 (e)는 종래 로커스 제조공정을 도시한 공정수순도.
제2도의 (a) 내지 (d)는 본 발명 로커스 제조공정을 도시한 공정수순도.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
11 : 기판 12 : 감광막
13 : 산화막 14 : 질화막
15 : 필드산화막
본 발명은 로커스 제조공정에 관한 것으로, 특히 버드빅(Bird's beak)에 의한 액티브영역의 침식을 최소로 하여 소자의 고집적화에 적당하도록 한 로커스 제조공정에 관한 것이다.
제1도는 종래 로커스 제조공정을 나타낸 것으로, 이를 참조하여 종래의 기술을 설명하면 다음과 같다.
먼저, 제1도의 (a) 및 (b)에 도시된 바와 같이, 기판(1)에 열산화하여 산화막(2)을 증착하고 강압화학기상증착법(LPCVD)으로 질화막(3)을 증착한다.
그 다음, 제1도의 (c)에 도시한 바와 같이, 감광막(4)으로 포토공정을 하여 필드산화막이 형성될 부분의 질화막(3) 및 산화막(2)을 건식각한다.
이후, 제1도의 (d)에 도시한 바와 같이, 감광막(4)을 제거하고 열산화공정을 필드산화막(5)을 형성한다.
마지막으로, 제1도의 (e)에 도시한 바와 같이, 질화막(3)을 제거함으로써 공정을 완료한다.
그러나, 이와같은 종래의 로커스 공정은 로커스 형성시 버드빅(Bird's beak)에 의하여 소자가 형성되는 액티브영역의 확보가 어려워지게 된다.
물론, 상기와 같은 한계성을 극복하여 액티브영역을 확보하기 위해서 다양한 종류의 진보된(advanced) 로커스공정이 제시되었지만, 구조가 복잡하고 실현해야하는 공정수가 늘어나기 때문에 실제의 양산적용에는 어려움을 가지게 된다.
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위해 창안된 것으로, 버드빅(Bird's beak)의 성장을 억제하여 버드빅(Bird's beak)에 의한 액티브영역의 침식을 최소로 함으로써, 소자의 고집적화를 이룰 수 있도록 한 로커스 제조공정을 제공함에 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명 로커스 제조공정은 제2도에 도시한 바와 같이, 기판상에 감광막을 패터닝하여 로커스이외 영역의 기판을 식각하는 공정과, 이후 감광막을 제거하고 산화막 및 질화막을 증착하는 공정과, 이후 질화막을 기판내에 매립시키는 공정과, 이후 필드산화막을 형성하고 질화막을 제거하는 공정으로 이루어지는 것으로, 이와같은 본 발명에 대해 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
먼저 제2도의 (a)에 도시한 바와 같이, 기판(11)상에 감광막(2)을 패터닝한 다음, 이 감광막(12)을 마스크로 이용하여 로커스이외 지역의 기판(11)을 건식각하고 감광막(12)을 제거한다.
이후, 제2도의 (b)에 도시한 바와 같이, 열산화하여 산화막(13)을 증착하고 강압화학기상증착법(LPCVD)으로 질화막(14)을 증착한다.
이어서, 제2도의 (c)에 도시한 바와 같이, 기계화학방법(Chemical mechical polishing, 이하 CMP)으로 로커스이외 지역의 질화막(14)을 상부에서 갈아내어 질화막(14)을 기판(11)내에 매립시킨다.
그런 다음, 제2도의 (d)에 도시한 바와 같이, 열산화하여 필드산화막(15)을 형성하고 질화막(14)을 제거함으로써 공정이 완료되는데, 질화막(14)이 매립된 구조의 기판(11)을 이용하여 필드산화막(15)을 형성시킴으로서 버드빅(Bird's beak)에 의한 액티브영역의 침식을 방지할 수 있다.
따라서, 보다 작은 셀의 형성을 가능하게 한다.
즉, 고집적화를 이룰 수 있다.
상술한 바와 같이, 본 발명 로커스 제조공정은 버드빅(Bird's beak)에 의한 액티브영역의 침식을 최소로 함으로써 소자의 고집적화를 이룰 수 있는 효과가 있다.
Claims (3)
- 기판상에 감광막을 패터닝하여 로커스이외 영역의 기판을 식각하는 공정과, 이후 감광막을 제거하고 산화막 및 질화막을 증착하는 공정과, 이후 질화막을 기판내에 매립시키는 공정과, 이후 필드산화막을 형성하고 질화막을 제거하는 공정으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 로커스 제조공정.
- 제1항에 있어서, 상기 기판은 건식각되는 것을 특징으로 하는 로커스 제조공정.
- 제1항에 있어서, 상기 질화막은 기계화학방법(CMP)으로 제거하는 것을 특징으로 하는 로커스 제조방법.
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