JPS60154622A - 溝およびそのエッチング方法 - Google Patents
溝およびそのエッチング方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、ドライエツチングによるシリコン溝形成法に
係り、特にサイドエツチングを少なくして高精度に深い
溝を形成するのに好適なエツチング方法に関する。
係り、特にサイドエツチングを少なくして高精度に深い
溝を形成するのに好適なエツチング方法に関する。
Ｓｉ（シリコン）のドライエツチングには、従来よりＣ
Ｆ、を始めとするフッ素系のガスあるいはＣＣＱ４を始
めとする塩素系ガスを主成分とするガスが用いられてき
た。しかし、このようなガスによるドライエツチングだ
けで深い溝を形成しようとすると、第１図に示すような
アンダーカット３（マスクＦ部へのエツチングのまわり
込み）や、第２図に示すような溝中央部のふくらみ４な
どサイドエツチング（横方向へのエツチング）が生じ易
く、加工精度上の問題とな“ってぃた。ここで、各回の
１は基板、２１はマスクである。
Ｆ、を始めとするフッ素系のガスあるいはＣＣＱ４を始
めとする塩素系ガスを主成分とするガスが用いられてき
た。しかし、このようなガスによるドライエツチングだ
けで深い溝を形成しようとすると、第１図に示すような
アンダーカット３（マスクＦ部へのエツチングのまわり
込み）や、第２図に示すような溝中央部のふくらみ４な
どサイドエツチング（横方向へのエツチング）が生じ易
く、加工精度上の問題とな“ってぃた。ここで、各回の
１は基板、２１はマスクである。
〔発明の目的」
本発明の目的は、上記の欠点を解消し、深い溝を形成し
てもサイドエツチングが少ないエツチング法を提供する
ことにある。
てもサイドエツチングが少ないエツチング法を提供する
ことにある。
本発明は、ドライエツチングで発生するサイドエツチン
グをＳｉ溝の側壁に形成した耐エツチング性被膜で抑制
しようとするものである。
グをＳｉ溝の側壁に形成した耐エツチング性被膜で抑制
しようとするものである。
以下、本発明を実施例を参照して詳細に説明する。
第３図は本発明のエツチング工程を示す図である。先ず
、同図（１）に示すようにＳ＋基板ｌ上に例えばＳｉｎ
、膜（酸化膜）、Ｓｉ、Ｎ４膜（窒化膜）などのエツチ
ングマスク２を形成した後、ＣＦ４あるいはＳＦｇなど
のフッ素系ガスでＳｉ溝を浅くエツチングして一８ｉ溝
５を形成する。
、同図（１）に示すようにＳ＋基板ｌ上に例えばＳｉｎ
、膜（酸化膜）、Ｓｉ、Ｎ４膜（窒化膜）などのエツチ
ングマスク２を形成した後、ＣＦ４あるいはＳＦｇなど
のフッ素系ガスでＳｉ溝を浅くエツチングして一８ｉ溝
５を形成する。
次に、該Ｓｉ溝の内面を耐エツチング性被膜で被覆した
後、耐エツチング性被膜を異方性エツチングして、（２
）に示すようにＳｉ溝の底面６の耐エツチング性被膜を
除去し、Ｓｉ溝の側壁のみが耐エツチング性被膜７で被
覆されるようにする。」下記耐エツチング性被膜として
は、プラズマ酸化あるいは堆積によるＳｉｎ、膜を用い
ることが好ましい。プラズマ酸化は、エツチングガスの
かわりに０２ガスを導入して放電すればよい。また、堆
積は、例えばＳｉＣ＜１４−０２混合ガスを導入して放
電することによって行うことができる。
後、耐エツチング性被膜を異方性エツチングして、（２
）に示すようにＳｉ溝の底面６の耐エツチング性被膜を
除去し、Ｓｉ溝の側壁のみが耐エツチング性被膜７で被
覆されるようにする。」下記耐エツチング性被膜として
は、プラズマ酸化あるいは堆積によるＳｉｎ、膜を用い
ることが好ましい。プラズマ酸化は、エツチングガスの
かわりに０２ガスを導入して放電すればよい。また、堆
積は、例えばＳｉＣ＜１４−０２混合ガスを導入して放
電することによって行うことができる。
上記の工程をさらにもう一度繰り返した後、さらにＳｉ
のエツチングを行なうと、（３）の如きＳｉ溝を得る。
のエツチングを行なうと、（３）の如きＳｉ溝を得る。
以上のようにしてＳｉ溝を形成すると、アンダーカット
は第１図のａｌから第３図（３）のｂｌのように低減で
きる。本実施例では、Ｓｉのエツチングを３回に分割し
ているので、ｂ、はａ、の３分の１になる。
は第１図のａｌから第３図（３）のｂｌのように低減で
きる。本実施例では、Ｓｉのエツチングを３回に分割し
ているので、ｂ、はａ、の３分の１になる。
また、溝中央部のふくらみによるサイドエツチングも本
発明により第２図のａ２から第４図のｂ２に低減でき、
ることは明らかである。
発明により第２図のａ２から第４図のｂ２に低減でき、
ることは明らかである。
本発明により形成したＳｉ溝には、第３図（３）および
第４図に示す如＜Ｓｉ溝側壁に波形が伺くのが特徴であ
る。
第４図に示す如＜Ｓｉ溝側壁に波形が伺くのが特徴であ
る。
本発明のＳｉエツチングをさらに多段階に分割すること
によりＳｉ溝側壁の波形の高さを減少させ、見かけ上型
面なＳｉ溝を形成することもできる。
によりＳｉ溝側壁の波形の高さを減少させ、見かけ上型
面なＳｉ溝を形成することもできる。
逆に、アンダーカットあるいはサイドエツチングが生じ
易いエツチング条件を用いて本発明にょるＳｉ溝の形成
を行なうと、第５図、第６図の如＜Ｓｉ溝の側壁に大き
な波形を形成することもできる。このような溝は、例え
ば第７図に示すような凹形のキャパシタの形成に用いる
と、面積効率を良くすることができる。すなわち、第７
図では、溝表面に絶縁膜１２と電極１３を形成してＭＩ
Ｓ型キャパシタを構成しているが、溝側壁がしわ状にな
っているため、同じ深さで垂直な溝を形成した場合に比
べてキャパシタ面積が大きくなる。
易いエツチング条件を用いて本発明にょるＳｉ溝の形成
を行なうと、第５図、第６図の如＜Ｓｉ溝の側壁に大き
な波形を形成することもできる。このような溝は、例え
ば第７図に示すような凹形のキャパシタの形成に用いる
と、面積効率を良くすることができる。すなわち、第７
図では、溝表面に絶縁膜１２と電極１３を形成してＭＩ
Ｓ型キャパシタを構成しているが、溝側壁がしわ状にな
っているため、同じ深さで垂直な溝を形成した場合に比
べてキャパシタ面積が大きくなる。
なお、本発明ではｓｉのエツチングと耐エツチング性被
膜の形成とを別々に行なっているが、これを同時に行な
うためにＳｉエツチングガスに０゜ガスを多量混合して
定常的にエツチング面に被膜を形成しようとすると、エ
ツチング速度が著しく低下したり、エツチング面が荒れ
たりするので好ましくない。
膜の形成とを別々に行なっているが、これを同時に行な
うためにＳｉエツチングガスに０゜ガスを多量混合して
定常的にエツチング面に被膜を形成しようとすると、エ
ツチング速度が著しく低下したり、エツチング面が荒れ
たりするので好ましくない。
以上説明したように、本発明によってＳｉ溝をｎ分割し
でエツチングすると、ザイドエッチｉａをａ ／ ｎに
低減できるので、高精度にＳｉ溝を形成できる。
でエツチングすると、ザイドエッチｉａをａ ／ ｎに
低減できるので、高精度にＳｉ溝を形成できる。
第１図、第２図は従来法にょるＳｉ溝の例を示す断面図
、第３図〜第６図は本発明におけるＳｉ溝の例を示す断
面図、第７図は本発明にょるＳｉ溝を用いて形成した凹
形のキャパシタの例を示す断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板、２・・・エツチングマスク、３・・
・アンダーカッ１〜．４・・・サイドエツチング、５・
・・Ｓｉ溝、６・・・Ｓｉ溝の底面、７〜１１・・・耐
エツチング性被ｆＪＩ［Ｚｌ αｌ 第 ３ 図 案 ４ ｎ ｚ 第 ５ 目
、第３図〜第６図は本発明におけるＳｉ溝の例を示す断
面図、第７図は本発明にょるＳｉ溝を用いて形成した凹
形のキャパシタの例を示す断面図である。 ｌ・・・Ｓｉ基板、２・・・エツチングマスク、３・・
・アンダーカッ１〜．４・・・サイドエツチング、５・
・・Ｓｉ溝、６・・・Ｓｉ溝の底面、７〜１１・・・耐
エツチング性被ｆＪＩ［Ｚｌ αｌ 第 ３ 図 案 ４ ｎ ｚ 第 ５ 目
Claims (1)
- １、反応性ガスのプラズマを用いたドライエツチング法
によりシリコン基板に深い溝を形成する際、浅いエツチ
ングを行う工程と、溝内面を耐エツチング性被膜で被覆
する工程と、エツチング底面の耐エツチング性被膜を除
去する工程とを順次線り返し行なうことにより、側壁を
被覆しながら深いシリコン溝を形成することを特徴とす
るエツチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002084A JPH0612767B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 溝およびそのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1002084A JPH0612767B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 溝およびそのエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60154622A true JPS60154622A (ja) | 1985-08-14 |
| JPH0612767B2 JPH0612767B2 (ja) | 1994-02-16 |
Family
ID=11738714
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1002084A Expired - Lifetime JPH0612767B2 (ja) | 1984-01-25 | 1984-01-25 | 溝およびそのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0612767B2 (ja) |
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| JP2018137405A (ja) * | 2017-02-23 | 2018-08-30 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 素子チップおよびその製造方法 |
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-
1984
- 1984-01-25 JP JP1002084A patent/JPH0612767B2/ja not_active Expired - Lifetime
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