JP4578893B2 - シリコン材のプラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 - Google Patents
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Description
処理室内の基台であって、高周波電力が印加される基台上に、エッチングの対象領域内に少なくとも1の段差形状を有するシリコン材又は該シリコン材を含む基板を載置し、
前記処理室内にエッチングガスを含むガスを供給しプラズマ化して前記シリコン材をエッチングする工程と、
前記処理室内に酸素を含む酸化性ガスを供給しプラズマ化して前記シリコン材に曝す工程と、
前記処理室内にフッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガス又はその両方を含む保護膜形成ガスを供給しプラズマ化して前記シリコン材に保護膜を堆積させる工程とを、
順次繰り返して実行するようにしたシリコン材のプラズマエッチング方法である。
前記制御手段は、前記雰囲気ガスとして、エッチングガスを含むガスを前記処理室内に供給しプラズマ化して前記被処理基板をエッチングする工程と、前記雰囲気ガスとして、酸素を含む酸化性ガスを前記処理室内に供給しプラズマ化して前記被処理基板に曝す工程と、前記雰囲気ガスとして、フッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガス又はその両方を含む保護膜形成ガスを前記処理室内に供給しプラズマ化して前記被処理基板に保護膜を堆積させる工程とを、順次繰り返して実行させるように構成されてなるシリコン材のプラズマエッチング装置である。
2,3 マスク
4 異常突起
5 SiO2層
10 処理室
11 プラズマ発生室
12 反応室
13 基台
14 排気系路
15 真空ポンプ
16 ガス供給系路
17〜19 ガスボンベ
20 コイル
21,24 マッチングユニット
22,25 高周波電源
23 ウェハー
Claims (4)
- 処理室内の基台であって、高周波電力が印加される基台上に、エッチングの対象領域内に少なくとも1の段差形状を有するシリコン材又は該シリコン材を含む基板を載置し、
前記処理室内にエッチングガスを含むガスを供給しプラズマ化して前記シリコン材をエッチングする工程と、
前記処理室内に酸素を含む酸化性ガスを供給しプラズマ化して前記シリコン材に曝す工程と、
前記処理室内にフッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガス又はその両方を含む保護膜形成ガスを供給しプラズマ化して前記シリコン材に保護膜を堆積させる工程とを、
順次繰り返して実行するようにしたシリコン材のプラズマエッチング方法。 - 前記酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化して前記シリコン材に曝す工程において、前記基台に印加する高周波電力を10W以上60W以下とした請求項1に記載のシリコン材のプラズマエッチング方法。
- 室内に雰囲気ガスを流量調節して供給するガス供給手段並びにその排気手段を備えた処理室と、
前記処理室内に設けられ、被処理基板が載置される基台と、
前記基台に高周波電力を印加する電力供給手段と、
前記処理室内に供給された前記雰囲気ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段と、
前記ガス供給手段、電力供給手段及びプラズマ発生手段を制御する制御手段とを備え、
前記制御手段は、前記雰囲気ガスとして、エッチングガスを含むガスを前記処理室内に供給しプラズマ化して前記被処理基板をエッチングする工程と、
前記雰囲気ガスとして、酸素を含む酸化性ガスを前記処理室内に供給しプラズマ化して前記被処理基板に曝す工程と、
前記雰囲気ガスとして、フッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガス又はその両方を含む保護膜形成ガスを前記処理室内に供給しプラズマ化して前記被処理基板に保護膜を堆積させる工程とを、
順次繰り返して実行させるように構成されてなるシリコン材のプラズマエッチング装置。 - 前記制御手段は、前記酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化して前記シリコン材に曝す工程において、前記電力供給手段によって前記基台に印加される高周波電力を10W以上60W以下に設定するように構成されている請求項3に記載のシリコン材のプラズマエッチング装置。
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