JP2006060089A - シリコン材のエッチング方法とその装置並びにシリコン成形体 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化してシリコン材に曝す工程を、エッチング工程や保護膜を堆積させる工程とは別個の工程として設けた上で、これらの工程を順次繰り返す方法を採用することにより、段差を有する複雑なシリコン成形体であっても、そのエッチング到達面を極めて平滑にすることができる。
【選択図】 図5
Description
エッチングの対象(施工)領域内に少なくとも1の段差形状を有するシリコン材又は該シリコン材を含む基板を高周波電力が印加される基台に載置し、エッチングガスを含むガスをプラズマ化して前記シリコン材をエッチングする工程と、
酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化して前記シリコン材に曝す工程と、
フッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガスあるいはその両方を含む保護膜形成ガスをプラズマ化して前記シリコン材に保護膜を堆積させる工程とを、
順次繰り返すことを特徴とするシリコン材のプラズマエッチング方法である。
前記基台とは独立して高周波電力を印加し、雰囲気ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを有し、
前記雰囲気ガスとして、エッチングガスを含むガスと、酸素を含む酸化性ガスと、フッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガスあるいはその両方を含む保護膜形成ガスとを、プラズマ化して、
被処理基板がエッチング領域内に少なくとも1の段差形状を有するシリコン材を含む基板に作用させる工程を順次繰り返し行う制御手段とを備えたことを特徴とするシリコン材のプラズマエッチング装置である。
2,3 マスク
4 異常突起
5 SiO2層
10 処理室
11 プラズマ発生室
12 反応室
13 基台
14 排気系路
15 真空ポンプ
16 ガス供給系路
17〜19 ガスボンベ
20 コイル
21,24 マッチングユニット
22,25 高周波電源
23 ウェハー
Claims (4)
- エッチングの対象(施工)領域内に少なくとも1の段差形状を有するシリコン材又は該シリコン材を含む基板を高周波電力が印加される基台に載置し、エッチングガスを含むガスをプラズマ化して前記シリコン材をエッチングする工程と、酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化して前記シリコン材に曝す工程と、フッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガスあるいはその両方を含む保護膜形成ガスをプラズマ化して前記シリコン材に保護膜を堆積させる工程とを、順次繰り返すシリコン材のプラズマエッチング方法。
- 前記酸素を含む酸化性ガスをプラズマ化して前記シリコン材に曝す際に基台に印加される高周波電力が、10W以上60W以下である請求項1に記載のシリコン材のプラズマエッチング方法。
- 被処理基板の載置用基台と、該基台に高周波電力を印加する電力供給手段と、室内に雰囲気ガスを流量調節して供給するガス供給手段並びにその排気手段を備えた処理室と、前記基台とは独立して高周波電力を印加し、雰囲気ガスをプラズマ化するプラズマ発生手段とを有し、前記雰囲気ガスとして、エッチングガスを含むガスと、酸素を含む酸化性ガスと、フッ化炭素ガス又はフッ化炭化水素ガスあるいはその両方を含む保護膜形成ガスとを、プラズマ化して、被処理基板がエッチング領域内に少なくとも1の段差形状を有するシリコン材を含む基板に作用させる工程を順次繰り返し行う制御手段とを備えたシリコン材のプラズマエッチング装置。
- 一つの空間が形成されるエッチングの対象(施工)領域内に、少なくとも1の段差形状を有するシリコン成形体であって、当該エッチング到達面の最大表面粗さ(Ry)が、2μm以下であるシリコン成形体。
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