KR920004343A - 올레핀성 불포화 오늄염 - Google Patents

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Abstract

내용 없음

Description

올레핀성 불포화 오늄염
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

Claims (12)

  1. 하기 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 올레핀성 불포화 오늄염 :
    상기 식에서, R1은 수소원자 또는 메틸이고, A는 직접결합, 페닐렌 또는 라디칼또는이고, n,및 o는 각각 서로 독립적으로 1 내지 10의 정수이며Y1은 -I- 또는이고, Y2는이며, R2는 C1-C4알킬, 비치환 또는 C1-C4알킬-치환된 페닐이고, m은 0또는 1 내지 10의 정수이고, X는 BF4, PF6, AsF6, Sbf6,SbCl6, FeCl4, SnF6, BiF6, CF3FO3또는 SbF5OH이다.
  2. 제1항에 있어서, R1이 수소 원자 또는 메틸이고, A가 직접 결합, 페닐렌 또는 벤질렌이고, Y1및 Y2가 각각이며 R2가 비치환 또는 메틸-치환된 페닐이며, m이 0 또는 1 내지 4의 정수이고,X가 AsF6, SbF6, CF3SO3인 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 오늄염.
  3. 제1항에 있어서, R1이 수소 원자이고, A가 직접 결합하여, Y1및 Y2가 각각이고, m이 0이며, X가 AsF6, SbF6, CF3SO3인 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 오늄염
  4. 제1항에 있어서, 4-아크릴로일옥시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로비산염, 4-아크릴로일옥시페닐디페닐술포늄 헥사플루오로안티몬산염 및 2-아크릴로일옥시페닐디페닐술포늄 트리플레이트로 부터 선정된 일반식(Ⅰ)의 화합물.
  5. 3차 아민의 존재하에서 하기 일반식(Ⅲ)의 히드록시-치환된 오늄염 1몰을 하기 일반식(Ⅳ)의 산 할라이드 1몰과 반응시켜 일반식(Ⅰ)의 화합물을 생성시키거나, 또는 3차 아민의 존재하에서 하기 일반식(Ⅴ)의 히드록시-치환된 오늄염 1몰을 하기 일반식(Ⅵ)의 할로겐 화합물 1몰을 반응시켜 일반식(Ⅱ)의 화합물을 생성시키는 것을 포함하는 일반식(Ⅰ) 또는 (Ⅱ)의 화합물의 제조방법 :
    상기 식에서, Y1, X, R1, 및 A는 일반식(Ⅰ)에서 정의한 바와 같고,Y2,X및 m은 일반식(Ⅱ)에서 정의한 바와 같으며, Hal은 염소, 브롬 또는 요오드 원자이다.
  6. (a)와(b)의 공중합체에 존재하는 구조 단위체의 합계를 기준으로 (a) 1내지 20몰%의 하기 일반식(Ⅶ) 또는 (Ⅷ)의 구조 반복 단위체, (b)80 내지 99몰%의 하기 일반식(Ⅸ)의 구조 반복 단위체 및 (c)하기 일반식(ⅹ)의 구조 반복단위체 0 내지 50몰%를 포함하며, 겔 투과크로마토그래피에 의해 결정한 분자량이 103내지 106이고, 단 a)와 b)에 존재하는 구조 반복 단위체량의 합계는 100몰%이고 (c)에 존재하는 구조 반복 단위체량은 상기 합계를 기준으로 한 것인 방사선-감수성 공중합체 :
    상기 식에서, R1,A,Y1및 m은 일반식(Ⅰ) 및 (Ⅱ)에서 정의한 바와 같고, R3및 R4는 각각 서로 독립적으로 수소 원자, C1-C4알킬 또는 페닐이고, R5는 수소 원자, 메틸 또는 할로겐 원자이며, L은 산-불안정성 기를 함유하는 라디칼이고, R6및 R7은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 비치환 C1-C4알킬 또는 할로겐 원자 또는 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 C1-C4알킬 또는 비치환 페닐 또는 나프틸 또는 각각 할로겐 원자, C1-C4알콕시, 히드록시, 시아노또는 니트로기에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이고, R8및 R9는 각각 서로 독립적으로 수소 원자 또는 할로넥원자, 비치환 C1-C12알킬 또는 할로겐 원자또는 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 C1-C12알킬, 비치환 페닐, 나트틸 또는 벤질, 또는 각각 할로겐 원자, 히드록시, 시아노, 니트로, C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시기에 의해 치환된 페닐, 나프틸 또는 벤질,또는 -OR10,-COOR11및 -COR12로 구성된 그룹으로 부터 선정된 라디칼이거나, 또는 R6및 R7이 수소 원자인 경우 R8과 R9는 함께 라디칼(여기에서, A는 수소 원자, 비치환 또는 히드록시-치환된 페닐 또는 벤질임)이고, R10및 R11은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, 비치환 C1-C12알킬 또는 할로겐 원자 또는 시아노 또는 니트로기에 의해 치환된 C1-C12알킬, 비치환 페닐 또는 나프틸 또는 각각 할로겐 원자, 히드록시, 시아노, 니트로, C1-C4알킬 또는 C1-C4알콕시기에 의해 치환된 페닐 또는 나프틸이고, R12는 R10과 동일한 의미를 가지며 또한 라디칼이고, R13및 R14는 각각 서로 독립적으로 R10과 동일한 의미를 갖는다.
  7. 제6항에 있어서, (a)5내지 20몰%의 일반식(Ⅶ) 또는 (Ⅷ)의 구조 반복 단위체, (b)80 내지 95몰%의 일반식(Ⅸ)의 구조 반복 단위체,및(c)0 내지 30몰%의 일반식(ⅹ)의 구조 반복 단위체를 포함하는 공중합체.
  8. 제6항에 있어서, R1이 수소 원자 이고, A가 직접 결합이고, Y1및 Y2가 각각이며, m이 0이고, X가 AsF6, SbF6, 또는 CF3SO3인 일반식(Ⅶ)의 구조 반복단위체를 (a)로서 포함하는 공중합체.
  9. 제6항에 있어서, L이 하기 일반식(XI)의 라디칼인 일반식(ⅩⅠ)의 구조 반복 단위체를 (b)로서 포함하는 공중합체 :
    상기 식에서, R15는 수소 원자 또는 메틸이고, R16은 C1-C4알킬 또는 C6-C12아릴이며, R17및 R18은 각각 서로 독립적으로 수소 원자, C1-C4알킬 또는 C6-C12아릴이고, R16및 R18은 함께 비치환된 또는 C1-C4알킬-, C1-C4알콕시-, C6-C12아릴- 또는 C6-C12아릴옥시-치환된 에틸렌, 프로핀렌 또는 부틸렌 라디칼일수 있다.
  10. 제6항에 있어서, L이 하기 일반식(ⅩⅡ)또는 (ⅩⅢ)의 라디칼인 일반식(Ⅸ)의 구조 반복 단위체를 (b)로서 포함하는 공중합체 :
    상기 식에서, p는 2 내지 4 이다.
  11. 제6항에 있어서, L이 하기 일반식(ⅹⅣ)의 라디칼인 일반식(Ⅸ)의 구조 반복 단위체를 (b)로서 포함하는 공중합체 :
    상기 식에서, R19는 C1-C4알킬, C1-C4알콕시 또는 옥시알킬렌 -Si-(CH3)3이다.
  12. 제6항에 따른 공중합체로 제조한 인쇄판, 인쇄회로, 집적회로 또는 은이 없는 사진 필름.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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