KR910005462A - 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 디바이스 - Google Patents

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KR910005462A
KR910005462A KR1019900013003A KR900013003A KR910005462A KR 910005462 A KR910005462 A KR 910005462A KR 1019900013003 A KR1019900013003 A KR 1019900013003A KR 900013003 A KR900013003 A KR 900013003A KR 910005462 A KR910005462 A KR 910005462A
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슈이찌 오야
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세끼모또 다다히로
니뽄 덴끼 가부시끼가이샤
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Abstract

내용 없음.

Description

다이나믹 랜덤 액세스 메모리 디바이스
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 2 도는 본 발명에 따르는 랜덤 액세스 메모리 디바이스의 구조를 도시하는 단면도.
제 3 도는 제 2 도에 도시된 램덤 액세스 메모리 디바이스의 레이아웃을 도시하는 평면도.

Claims (1)

  1. a) 설정한 셀 영역에 위치되고 복수의 메모리 셀(12/13; 202a 내지 202f; 102a 내지 102f)을 갖는 메모리 셀 어레이(14;101;201)와, b) 상기 메모리 셀을 덮는 상부 절연 층(20)과, c) 상기 메모리 셀중 적어도 하나위에 연장하고 상기 상부 절연 층 사이에 형성된 적어도 하나의 배선층(21;104a 내지 104c;204a 내지 204c)을 포함하고, 설정된 셀 영역을 갖는 반도체 기판(11)상에 제조된 반도체 메모리 디바이스에 있어서, d) 누벽 구조(17;103;203)는 상기 메모리 셀 어레이 외측에 형성되며, 약간 경사진 외벽(17b)을 가지며 상기 상부 절연 층에 의해 놓여있고, 상기 적어도 하나의 배선 층은 또 상기 누벽 구조위에 연장하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 디바이스.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019900013003A 1989-08-24 1990-08-23 다이나믹 랜덤 액세스 메모리 디바이스 KR930010013B1 (ko)

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