KR900016790A - 박막 트랜지스타 판넬 및 제조방법 - Google Patents

박막 트랜지스타 판넬 및 제조방법 Download PDF

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Abstract

내용 없음.

Description

박막 트랜지스타 판넬 및 제조방법
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명의 제1 실시예에 따른 박막트랜지스타의 요부단면도.
제6도는 상기 제1 실시예에 콘택트구멍을 관통구멍으로 했을때의 단면도.
제19도는 본 발명의 박막트랜지스타 판넬의 사용한 액정표시장치의 사시도.
*도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1, 21, 31, 45, 71, 91, 111, 131, 151, 171, 191, 201, 251 : 기판
6, 36, 66, 195 : 소오스전극
8, 25, 38, 40, 69, 76, 138, 158, 178, 205 : 절연막
25a, 38a, 67a, 205a : 금속확산층
9, 26, 39, 68, 206 : 콘택트구멍
10, 41, 70, 96a, 112a, 132a, 152a, 172a, 196 : 화소전극
75, 96, 112, 132, 152, 172 : SOG막
7, 256, 276 : 드레인전극 11, 27a, 209a : 금속
198 : 대향기판 77 :도전성금속
2, 200, 252 : 게이트전극
3, 22, 72, 92, 113, 153, 178, 173, 253 : 게이트절연막
194 : 박막트랜지스타.

Claims (38)

  1. 투명기판 : 기판상에 배치되어서 행과 열방향으로 뻗은 상호 절연된 복수의 전극라인 ; 복수의 박막 트랜지스타들은 상기 복수의 전극라인에서 소정의 두 전극라인간의 교차점 부근에 있는 기판의 일부에 각각 배치되고, 상기 소정의 두 전극라인의 하나에 연결되는 게이트 전극과, 상기 소정의 두 전극라인의 다른 하나에 연결되는 드레인 및 소오스전극을 구비한 상기 복수의 박막트랜지스타들의 각각의 박막트랜지스타 ; 상기 복수의 박막트랜지스타들을 덮고 기판상에 있는 투명확산성의 절연막 ; 및 상기 투명확산성의 절연막 일부를 포함하고, 상기 투명확산성 절연막의 상기 일부에는 금속이 확산되어 있고, 상기 복수의 박막트랜지스타에 각각 대응하는 소정의 영역에 위치되고, 복수의 박막트랜지스타의 상기 드레인 및 소오스전극의 어느 하나에 전기적으로 연결되는 투명도전성의 금속확산층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타판넬.
  2. 제1 항에 있어서, 상기 금속확산층은 화소전극인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  3. 제1 항에 있어서, 상기 절연막은 SOG로 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  4. 제1 항에 있어서, 상기 금속확산층은 상기 투명확산성 절연막의 표면 영역에 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  5. 제1 항에 있어서, 상기 금속확산층은 근본적으로 투명확산성 절연막의 전체두께를 점하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  6. 제1 항에 있어서, 상기 투명확산성 절연막은 상기 복수의 박막트랜지스타의 드레인 및 소오스전극의 상기 다른 하나에 각각 대응하는 위치에 복수의 콘택홀들을 가지고, 상기 드레인과, 소오스전극의 다른 하나와 상기 금속학산층은 상기 콘택홀들을 통하여 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  7. 제1 항에 있어서, 상기 투명확산성 절연막은 상기 복수의 박막트랜지스타의 게이트, 드레인 및 소오스전극의 적어도 어느 하나에 각각 대응하는 위치에 복수의 콘택홀들을 가지고, 적어도 게이트, 드레인과 소오스전극의 어느 하나와 상기 금속학산층은 상기 콘택홀들을 통하여 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  8. 제7 항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 박막트랜지스타들의 상기 소오스전극 상에 형성되고, 상기 금속확산층은 상기 소오스전극에 연결되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  9. 투명기판 ; 기판상에 배치되어서 행과 열방향으로 뻗은 상호 절연된 복수의 전극라인 ; 복수의 박막트랜지스타들은 상기 복수의 전극라인에서 소정의 두 전극라인간의 교차점 부근에 있는 기판의 일부에 각각 배치되고, 상기 소정의 두 전극라인의 하나에 연결되는 게이트전극과, 상기 소정의 두 전극라인의 다른 하나에 연결되는 드레인 및 소오스전극을 구비한 상기 복수의 박막트랜지스타들의 각각의 박막트랜지스타 ; 상기 기판상에 있는 투명확산성의 절연막 ; 및 상기 복수의 박막트랜지스타에 각각 대응하여 위치되어 있는 상기 투명확산성의 절연막 일부를 포함하고, 상기 일부에는 금속이 확산되어 있고, 복수의 박막트랜지스타의 상기 드레인 및 소오스전극의 어느 하나의 전기적으로 연결되는 투명도전성의 금속확산층으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  10. 제9 항에 있어서, 상기 금속확산층은 화소전극 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  11. 제9 항에 있어서, 상기 절연막은 SOG를 이루어진 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  12. 제9 항에 있어서, 상기 복수의 박막트랜지스타들은 기판상에 있고, 상기 투명확산성 절연막은 기판상에 형성되어 있는 게이트, 드레인 및 소오스전극의 어느 하나가 위치된 영역이외의 곳에 있는 기판 일부에 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  13. 제9 항에 있어서, 상기 투명확산성 절연막은 근본적으로 상기 기판의 전영역 위에 있고, 상기 복수의 박막트랜지스타들은 투명확산성 절연막 상에 있는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  14. 투명기판 ; 기판상에 배치되어서 행과 열방향으로 뻗은 상호 절연된 복수의 전극라인 ; 복수의 박막트랜지스타들은 상기 복수의 전극라인에서 소정의 두 전극라인간의 교차점 부근에 있는 기판의 일부에 각각 배치되고, 상기 소정의 두 전극라인의 하나에 연결되는 게이트전극과, 상기 소정의 두 전극라인의 다른 하나에 연결되는 게이트 전극과, 상기 소정의 두 전극라인의 다른 하나에 연결되는 드레인 및 소오스전극을 구비한 상기 복수의 박막트랜지스타들의 각각의 박막트랜지스타 ; 상기 복수의 투명확산성의 절연막 일부를 포함하고, 상기 투명확산성 절연막의 상기 일부에는 금속이 확산되어 있고, 상기 복수의 박막트랜지스타들에 각각 대응하는 소정의 영역에 위치되고, 복수의 박막트랜지스타의 상기 드레인 및 소오스전극의 어느 하나에 전기적으로연결되는 투명도전서의 금속확산층 ; 기판 사이에 소정의 간격을 갖고 상기 기판에 대향하는 대향기판 ; 금속확산층에 마주하여 배치되고, 상기 기판에 대향하는 상기 대향기판의 표면상에 형성된 적어도 하나의 대향전극 ; 및 상기 기판과 상기 대향기판 사이에 봉입되고, 적어도 하나의 대향전극과 금속확산층 사이에 발생되는 전계에 따라 변화하는 광특성을 구비한 액정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬을 구비한 액티브매트릭스 액정표시장치.
  15. 제14항에 있어서, 상기 금속확산층은 화소전극인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬을 구비한 액티브매트릭스 액정표시장치.
  16. 제14항에 있어서, 상기 기판, 상기 절연막 및 상기 금속확산층은 투명한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬을 구비한 액티브매트릭스 액정표시장치.
  17. 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 포함하는 기판전면에 게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연막상에 상기 게이트전극과 대향하는 위치에 반도체를 형성하는 공정과, 상기 반도체 상에 채널부를 제외하여 소오스전극 및 드레인전극 형성하는 공정과,상기 기판전체를 가리는 확산가능한 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막에 상기 소오스전극과 대응하는 모양으로 콘택트구멍을 형성하는 공정과 ; 상기 절연막의 표면 및 상기 콘택트구멍의 내면 전체에 금속을 확산시켜서 금속확산층을 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  18. 제17항에 있어서, 상기 금속확산층을 형성하는 공정은, 금속을 열확산하여 형성하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  19. 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극을 포함하는 기판전면에 게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연막 상에 상기 게이트전극과 대향하는 위치에 반도체를 형성하는 공정과, 상기 반도체 상에 채널부를 제외하고 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 기판전체를 가리는 확산가능한 절연막을 형성하는 공정과, 상기 절연막 상에도전성금속을 형성하는 공정과, 상기도전성금속을 상기 절연막 중에 확산시키는 공정과, 상기도전성금속을 제거하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  20. 제9항에 있어서, 상기 확산시키는 공정은, 상기도전성금속을 300℃ 전후에서 1-2시간 가열하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  21. 기판상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 기판상에 상기 게이트전극의 노출하도록 확산 가능한 절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 상에 게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연막 상에 반도체를 형성하는 공정과, 상기 반도체 상에 그 채널부분을 제외하고 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 확산가능한 절연막의 소정 부분을 금속확산하는 공정으로 구성되는 특징으로 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  22. 제21항에 있어서, 상기 금속확산하는 공정은 300℃ 전후의 온도에서 2-3시간 가열하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  23. 기판상에 확산 가능한 절연막을 형성하는 공정과, 상기 확산가능한 절연막 상에 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연막 상에 게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연막상에 상기 게이트전극과 대향하도록 반도체를 형성하는 공정과, 상기 반도체를 상에 그 채널부분을 제외하는 부분에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 확산가능한 절연막의 소정 부분을 금속확산하는 공정으로 구성되는 특징으로 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  24. 제23항에 있어서, 상기 확산하는 공정은 300℃ 전후의 온도에서 2-3시간 가열하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  25. 기판상에 확산가능한 절연막을 형성하는 공정과, 상기 확산가능한 절연막 상에 제1 에 절연막을 통하여 게이트전극을 형성하는 공정과, 상기 게이트전극 상에 게이트절연막을 형성하는 공정과, 상기 게이트절연막 상에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 소오스전국의 일부를 상기 확산가능한 절연막에 확산하는 공정과, 상기 소오스전극 및 드레인전극 상에 상기 게이트전극과 대향하도록 반도체를 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  26. 제25항에 있어서, 상기 확산하는 공정은 300℃ 전후의 온도에서 2-3시간 가열하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  27. 기판상에 확산가능한 제1 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1 절연막 상에 형성되는 제2 절연막과, 상기 제2 절연막 상에 반도체를 형성하는 공정과, 상기 반도체를 가려서 상기 기판전면에 금속을 형성하는 공정과, 상기 금속을 상기 제1 절연막의 소정 영역에 확산하는 공정과, 상기 금속을 패터닝하여 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 반도체의 채널부와 대향하는 위치에 상기 소오스전극 및 드레인전극을 가리는 제3 절연막을 통하여 게이트전극을 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  28. 제27항에 있어서, 상기 확산하는 공정은 열확산하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  29. 기판상에 확산가능한 제1 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제1 절연막 상에 제2 절연막을 형성하는 공정과, 상기 제2 절연막을 가려서 상기 기판전면에 금속을 형성하는 공정과, 상기 금속을 상기 제1 절연막의 소정 영역으로 확산하는 공정과, 상기 금속을 패터닝하여 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 공정과, 상기 소오스전극 및 드레인전극상에 반도체를 형성하는 공정과, 상기 반도체 상에 제2 절연막을 통하여 게이트전극을 형성하는 공정으로 구성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  30. 제29항에 있어서, 상기 확산하는 공정은 열확산하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  31. 기판상에 박막트랜지스타를 형성하는 공정과, 상기 기판상에 확산가능한 절연막을 형성하는 공정과, 이 절연막의 일부에 상기 박막트랜지스타의 소오스전극 및 드레인전극에 대응시켜서 콘택트구멍을 형성하는 공정과, 상기 절연막의 소정영역을 확산하는 공정과, 상기 확산된 영역을 배선과 접속하는 공정으로 구성되는 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  32. 제31항에 있어서, 상기 확산공정은, 상기 콘택트구멍 주위의 표면에서 콘택트구멍의 내주면 전체에 걸쳐서 되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  33. 제7 항에 있어서, 각각의 금속확산층은 상기 절연막의 표면 영역과 콘택홀의 내표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬의 제조방법.
  34. 제7 항에 있어서, 상기 콘택홀은 바닥이 있는 구멍인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  35. 제7 항에 있어서, 상기 콘택홀은 관통구멍인 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  36. 제7 항에 있어서, 투명확산성 절연막에 일부에 있는 확산저지막은 상기 금속의 확산을 저지하기 위하여 금속확산층의 상기 소정영역 이외의 부분에 있는 투명확산성 절연막의 일부에 있는 확산저지막 ; 상기 콘택홀과 오버랩하고 소정영역안에 배치된 확산저지막과 금속확산층 상의 배선 ; 및 복수의 박막트랜지스타의 전극들을 배선하여 연결하기 위한 콘택홀 내에 위치한 연결수단을 더 구비한 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  37. 제36항에 있어서, 상기 연결수단은 상기 배선과 동일한 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
  38. 제36항에 있어서, 상기 콘택홀은 상기 박막트랜지스타 게이드, 소오스 및 드레인전극 가운데에서 두 개의 전극의 일치되도록 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스타 판넬.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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