KR900008949B1 - 광 패턴성 절연 조성물 - Google Patents

광 패턴성 절연 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR900008949B1
KR900008949B1 KR1019840005282A KR840005282A KR900008949B1 KR 900008949 B1 KR900008949 B1 KR 900008949B1 KR 1019840005282 A KR1019840005282 A KR 1019840005282A KR 840005282 A KR840005282 A KR 840005282A KR 900008949 B1 KR900008949 B1 KR 900008949B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
radical
polyamic acid
silicone
aromatic
divalent
Prior art date
Application number
KR1019840005282A
Other languages
English (en)
Other versions
KR850001797A (ko
Inventor
챨스 다비스 게리
Original Assignee
마이크로시, 인코포레이티드
리차드 메이슨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 마이크로시, 인코포레이티드, 리차드 메이슨 filed Critical 마이크로시, 인코포레이티드
Publication of KR850001797A publication Critical patent/KR850001797A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR900008949B1 publication Critical patent/KR900008949B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/075—Silicon-containing compounds
    • G03F7/0757—Macromolecular compounds containing Si-O, Si-C or Si-N bonds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L83/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon only; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L83/04—Polysiloxanes
    • C08L83/08—Polysiloxanes containing silicon bound to organic groups containing atoms other than carbon, hydrogen and oxygen
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1057—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain
    • C08G73/106—Polyimides containing other atoms than carbon, hydrogen, nitrogen or oxygen in the main chain containing silicon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00—Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04—Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08—Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00—Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053—Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055—Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/114—Initiator containing
    • Y10S430/12—Nitrogen compound containing
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S522/00—Synthetic resins or natural rubbers -- part of the class 520 series
    • Y10S522/904—Monomer or polymer contains initiating group
    • Y10S522/905—Benzophenone group

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Macromonomer-Based Addition Polymer (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

[발명의 명칭]
광 패턴성 절연 조성물
[발명의 상세한 설명]
본 발명은 패턴화된 절열체로 전환할 수 있는 감광성 내식막(photoresist)으로서 유용한 감광성 실리콘-방향족 폴리아미드산 함유-조성물에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 아크릴 유기이소시안산염과 실리콘-폴리아미드산 간의 반응에 의해 도입되는 핵-결합된 아크릴레이트 아미드기를 사용하여 실리콘-방향족 폴리아미드산을 변형시키는 방법에 관한 것이다.
선행기술에 있어서, 감광성 내식막 같은 물질은 하기 문헌에서 광 반응성 선구물질을 기재로한 것으로 기술되어 있다[참조 : Rubner 등의 Production of Highly Heat-Resistant Film Patterns from Photoreactive Polymeric Precursers, Part 1, General Principle, (Jan, 1976) and Production of Highly Heat-Resistant Film Patterns from Photoreactive Polymeric Precursors, Part 2, Polyimide Film Patterns, (May 1976), Siemens Forsch, -U. Entwickl, -Ber, Bd, 5(1976) No 2, by Springer-Verlag.], 광 반응성 폴리아미드를 다음과 같이 제조한다 : 방향족 이 무수물(예를들면, 이 무수피로멜리트산)과 알릴 알코올을 초기에 반응시킨다. 생성된 방향족 디카복실산 디에스테르를 염화 티오닐과 반응시켜 상응하는 방향족 이산염화물(aromatic diacid chloride)로 전환시킨 다음, 이를 방향족 디아민과 반응시켜 광반응성 방향족 폴리아미드 에스테르를 제조한다. 상기의 광반응성 폴리아미드 선구물질을 스핀코팅(spin coating)에 의해 기질위에 적용하고 마스킹(masking)시키면서 노출시킨 다음, 처리된 표면을 유기용매로 현상하여, 네가티브 감광성 내식막을 제조한다. 네가티브성으로 패턴화된 방향족 폴리아미드 에스테르를 가열하여 패턴화된 폴리아미드로 전환시킨다.
상기의 광반응성 방향족 폴리아미드 에스테르로 가치있는 성과를 얻어 왔지만, 본 분야에 숙련된 사람들은, 방향족 디아민으로 중합 반응시키기에 앞서 방향족 디카복실산을 상응하는 산염화물을 전환시키기 위해 염화티오닐과 같은 염소화제를 사용하는 것은 절연체로서의, 생성된 방향족 폴리이미드의 유용성을 방해할 수 있는 잔류 염화물 오염물의 생성을 초래할 수 있는 것으로 알고 있다.
본 발명은, 주로 하기 일반식(1) 및 (2)의 화학적으로 결합된 단위로 이루어진 실리콘-방향족 폴리아미드산을 초기에 수득함으로써, 감광성 내식막으로서 유용하며 염화물 오염물이 없는 패턴화된 절연층으로 전환할 수 있는 감광성 폴리아미드산을 제조할 수 있다는 발견에 근거한 것이다.
Figure kpo00001
상기식에서, R은
Figure kpo00002
중에서 선택된 4가의 C(6-30)방향족 라디칼이고, R1은 2가의 C(2-13)유기라디칼이고, R2는 2가의 C(2-13)유기라디칼이고, C3는 1가의 C(1-13)탄화수소라디칼 및 1가의 치환된 C(1-13)탄환수소라디칼 중에서 선택되고, Q는 일반식 -ZR4Z-의 2가 라디칼이고, Z는 -O-또는 -NH-이고, R4및 R5는 C(2-18)유기라디칼 중에서 선택되며, n은 1내지 20의 정수이다.
상기 실리콘-방향족 폴리아미드산을 이소시아네이토 유기 아크릴레이트와 반응시켜, 질소-핵 결합된 탄소 결합에 의해 실리콘-방향족 폴리아미드산 골격(backbone)에 결합된, 화학적으로 결합된 아크릴레이트아미드기를 가지는 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산을 제조할 수 있다. 그 다음, 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산에 감광제를 첨가하여, 감광성 내식막을 제조할 수 있다.
본 발명은, (A) 95중량% 이하의 불활성 유기 용매, (B) 주로 하기 일반식(3) 및 (4)의 화학적으로 결합된 단위들로 이루어진 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산 5중량% 이상, 및 (C) 유효량의 감광제로 이루어진 감광성 내식막을 제공한다.
Figure kpo00003
상기식에서, Q1은 카복시기 및 일반식
Figure kpo00004
의 아크릴레이트 아미드기 중에서 선택된 1가의 라디칼이며, 일반식(5)의 라디칼은 실리콘-방향족 폴리아미드 중의 카복시 라디칼과 일반식(5) 라디칼의 전체 몰수를 기준하여, 10몰% 이상을 차지하고, R, R1, R2, R3및 n은 상기 정의한 바와 같고, R6및 R7은 수소 및 C(1-8)알킬 라디칼 중에서 선택되며, R8은 2가의 C(1-13)오르가노 라디칼이다.
또한 본 발명은, (1) 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산중의 카복시기 및 핵-결합된 아크릴레이트 아미드기의 전체 몰수를 기준하여, 10몰% 이상의 핵-결합된 아크릴레이트 아미드기를 함유하며, 주로, 일반식(3) 및 (4)의 화학적으로 결합된 단위들로 이루어진 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산의 유기 용매중 용액으로 구성된 감광성 내식막 조성물을, 거의 광이 없는 조건하에서 기질 위에 스핀 코팅시키고, (2) 스핀 코팅된(1)의 감광성 내식막을 건조시키고, (3) 변형 실리콘-폴리아미드산의 핵-결합된 아크릴레이트 아미드기를 가교결합(Cross-link)시키기에 충분한 시간동안 마스킹(masking)시키면서, 처리된 기질을 노출시키고, (4) 생성된, 가교결합된 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산으로 처리된 기질을 현상하고, (5) 현상된 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산 처리-기질을, 방향족 폴리아미드산이 방향족 폴리아미드로 전환되기에 충분한 온도로 가열함을 특징으로 하는, 절연성 실리콘-방향족 폴리아미드층을 기질위에 패턴화시키는 방법도 제공한다.
일반식(1)의 R1라디칼의 예로는, 디메틸렌, 트리메틸렌, 테트라메틸렌과 같은 C(2-8)알킬렌 라디칼; 페닐렌, 크실렌, 톨루엔과 같은 C(6-13)아릴렌 라디칼; 벤질, 페닐에틸과 같은 아르알킬렌 라디칼; 할로치환과 같은 치환된, C(2-8)알킬렌, C(6-13)아릴렌 및 아르알킬렌 라디칼이 있다.
R2라디칼의 예로는 C(2-8)알킬렌 라디칼 및 R1의 아릴렌 라디칼이 있다. R3라디칼은 C(1-8)알킬(예를들면, 메틸, 에틸, 프로필), C(6-13)아릴 라디칼(예를 들면, 페닐, 톨일, 크실일)과 같은 1가의 C(6-13)탄화수소 라디칼 및 클로로페닐과 같은, 상기 R3라디칼의 할로겐화된 유도체 중에서 선택된다.
R4라디칼의 예로는, 알킬렌 라디칼 및 R1의 아릴렌 라디칼이 있다.
R5라디칼의 예는 하기와 같다 :
Figure kpo00005
상기식에서, Q3는 S,
Figure kpo00006
이다.
R6및 R7라디칼의 예로는, 수소 및 메틸, 에틸, 프로필, 부틸과 같은 C(1-8)라디칼이 있다. C8라디칼은 알킬렌 및 상기 R에서 정의한 바와 같은 아릴렌 라디칼이다.
본 발명을 실시함에 있어 실리콘-폴리아미드산을 변형시키는데 이용할 수 있는 이소시아네이토 유기 아크릴레이트는 하기 일반식과 같다.
Figure kpo00007
상기식에서, R6, R7및 R8은 상기 정의한 바와 같다. 특히, 여기에는 이소시아네이토, 에틸메타크릴레이트, 이소시아네이토 프로필 메타크릴레이트, 이소시아네이토 에틸아크릴레이트, 이소시아네이토 에틸크로토네이트가 포함된다.
감광성 변형 실리콘-폴리아미드산을 제조하기 위해 본 발명의 실시에 사용할 수 있는, 주로 일반식(1) 및 (2)의 화학적으로 결합된 단위로 이루어진 실리콘-폴리아미드산은, 주변 조건하에서 방향족 이 무수물을, 방향족 디아민 및 아민 오르가노-말단 폴리디오르가노 실록산과 적당한 용매와의 혼합물과 함께 초기에 반응시켜 제조할 수 있다. 사용 가능한, 적당한 방향족 이 무수물의 예로는, 이 무수 피로멜리트산(Pyromellitic dianhydride), 이 무수 벤조페논, 무수 트리멜리트산 및 유기 디아민 또는유기 글리콜로부터 유도된 무수물, 및 2,2-비스[4-(2,3-디카복시펜옥시)페닐]프로판 이 무수물과 2,2-비스[4-(3,4-디카복시펜옥시)페닐]프로판 이 무수물과 같은 방향족 비스(에테르 무수물)이 있다. 실리콘-폴리아미드산의 합성에 사용할 수 있는 방향족 디아민의 예로는, m-페닐렌디아민, P-팹닐렌디아민, 4,4'-디아미노디페닐프로판, 4,4'-디아미디페닐메탄, 벤지덴, 4,4'-디아미노 디페닐술파이드, 4,4'-디아미노디페닐술폰, 4,4'-디아미노 디페닐에테르가 있다.
상기의 방향족 이 무수물 및 방향족 디아민과 함께 조합하여 사용할 수 있는 아민 오르가노-말단 폴리디오르가노실록산은 하기 일반식(6)과 같다 :
Figure kpo00008
(6)
상기식에서, R2, R3및 n은 상기 정의한 바와 같다.
실리콘-폴리아미드산 형성시, 거의 같은 몰의 방향족 이 무수물 및 디아민 성분(방향족 아민과 아민-말단 폴리디오르가노실론산을 포함할 수 있다)을 사용할 수 있다. 충분한 아민-말단 폴리디오르가노실록산을 방향족 이 무수물 및 방향족 디아민과 조합하여, 실리콘-폴리아미드산의 전체 중량을 기준한, 약 5내지 40중량%의 디오르가노실록산 단위를 함유한 실리콘-폴리아미드산을 제조할 수 있다.
실리콘-폴리아미드산의 변형은, 적당한 유기용매의 존재하 및 거의 광이 없는 상태에서 실리콘-폴리아미드산과 이소시아네이토 오르가노아클릴레이트와의 혼합물을 진탕시켜 수행할 수 있다. 실리콘-폴리아미드산은 약 5내지 50% 고형분으로 쌍극성 비양성자성 용매중의 용액으로서 사용하는 것이 바람직하다. 적당한 쌍극성 비양성자성 용액의 예로는, N-메틸피롤리돈, 디메틸포름아미드, 디메틸아세트아미드 등이 있다.
반응 혼합물은 상온에서 2내지 24시간 동안 교반시킬 수 있다. 여기서, 이산화탄소가 즉시 방출되며, 어떤 경우에는, 톨루엔과 같은 비극성 유기 용매를 첨가하여, 용액의 초기 점도를 감소시킬 수 있다. 실리콘-폴리아미드산의 카복시의 몰당 이소시아네이토오르가노 아크릴레이트 약 0.2몰 내지 1.2몰의 비율은 효과적인 결과를 가져온다. 이소시아네이토 오르가노아크릴레이트로 실리콘-폴리아미드를 변형시킨 후, 생성된 변형 중합체를 적당한 광개시제(photoinitiator)로 감광시킬 수 있다. 아크릴레이트 오르가노아미드 변형-실리콘-폴리아미드산의 중량을 기준한 약 1 내지 10중량%의 광개시제를 사용할 수 있다. 광개시제의 적당한 감광제의 예로는, 각각 N-메틸티에탄올아민을 함유한, 미힐러.케톤(Michler's Ketone), 벤조페논, 클로로티옥산톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논이 있다.
감광된 실리콘 변형-폴리아미드산 용액은 광이 없는 약 10℃이하의 온도에서, 감광성 내식막 용액에 거의 변형이 일어남이 없이 6개월 이상의 장기간에 걸친 보장기간 동안 저장할 수 있다.
패턴화된 실리콘-폴리아미드 절연층을 기질위에 적용하기 위한 대표적인 방법은, 실리콘웨이퍼(wafer)와 같은 기질표면을 세척한 다음, 감광된 실리콘 변형-폴리아미드산을 기질표면위에 스핀 코팅시킨다. 처리된 기질을 100℃에서 약 1시간 동안 건조시킨 후, 통상적인 방법으로 마스킹시키고 노출시킨다.
대표적인 시간의 예로는, PPG 적외선 처리장치에서 30초, RS 태양등 하에서 5분이다. 노출안된 면적을 0.5N NaOH를 사용하여 현상할 수 있다.
남아있는 패턴화된 실리콘 변형-폴리아미드산을 120℃ 내지 400℃ 범위의 온도에서 0.5 내지 3시간 동안 열로 담금질(Temper)시키고 300℃ 이상의 온도에서 약 1시간 동안 열로 담금질시키면 실리콘-폴리아미드 절연층으로 전환될 수 있다.
또한, 이소시아네이토 오르가노아클릴레이트와 실리콘 폴리아미드산과의 반응은, 트리에틸아민과 같은 아민, 1,4-디아조비시클로[2.2.2] 옥탄, 또는 디부틸틴 디부틸틴 디라우레이트, 디부틸틴디아세테이트와 같은 주석화합물을 사용하여 촉진시킬 수 있으며, 이는 사용된 이소시아네이토 오르가노아크릴레이트의 중량을 기준하여, 약 0.1 내지 25중량%를 사용할 수 있다.
하기 실시예는 본 분야에 숙련된 자들이 본 발명을 더 바람직하게 실시할 수 있도록 설명하며, 이것으로 본 발명이 제한되지는 않는다. 모든 부는 중량부이다.
[실시예 1]
무수 N-메틸피롤리돈 250㏄ 중에 3,3', 4,4' -벤조페논 테트라카복실 이 무수물 54.00ｇ(0.17몰)을 용해시킨 용액에 메틸렌디아닐린 23.22ｇ(0.12몰)을 첨가한 다음, 비스-1,3-감마-아미노프로필테트라메틸 디실록산 12.6ｇ(0.05몰)을 첨가한다. 첨가는 질소 대기하에서 수행한다. 생성 용액을 상온에서 24시간 동안 교반시킨다. 제조 방법에 따라, 실리콘-플리아미드산의 전체 중량을 기준하여, 화학적으로 결합된 디메틸 실록한 약 18중량%를 함유한 실리콘 폴리아미드산을 제조한다.
상기의 실리콘-폴리아미드산을 N-메틸피롤리돈 중에 놓은 28% 고형분 용액 35ｇ과 이소시아네이토 에틸 메타크릴레이트 5.5ｇ을 질소대기 및 광과 무관한 조건하에서 약 24시간 동안 상온에서 교반시킨다.
여기서, 이산화탄소가 즉시 발생한다. 혼합물에 톨루엔 15ｇ을 첨가하여, 스핀 코팅 특성을 개선시킨다.
또한, 미힐러.케톤 4부와 N-메틸디에탄올아민 4부와의 혼합물을 첨가한다. 생성 용액을 광과 무관한 조건하에서 4℃로 저장한다. 제조 방법에 따라, 변형-실리콘-폴리아미드산 중의 핵 결합된 메타크릴레이트 에틸아미드기와 카복시의 전체 몰수를 기준하여, 100몰의 핵 결합된 메타크릴레이트 에틸아미드기를 함유한 감광성 실리콘-폴리아미드산을 수득한다.
[실시예 2]
산 세척한 실리콘 웨이퍼를 실시예 1의 감광성 실리콘-폴리아미드산으로 스핀 코팅시키고 생성된 처리-웨이퍼를 100℃에서 1시간 동안 건조시킨다. 이 웨이퍼를 마스킹시키고 PPG 적외선 처리 장치에 30초 동안 또는 RS 태양등하에서 5분 노출시킨다.
0.5N NaOH 수용액을 사용하여 웨이퍼를 현상한다. 그 표면위에 패턴된 실리콘-폴리아미드산 절연층을 가지는 실리콘 웨이퍼를 수득한다. 이 웨이퍼를 1시간 동안 200℃에서 가열한 다음 300℃에서 1시간 동안 가열한다. 그 표면위에 패턴된 변형-실리콘-폴리아미드 절연층을 가지는 실리콘 웨이퍼를 수득한다.
[실시예 3]
생성된 감광성 실리콘-폴리아미드산 중의 최적 광가교(photocrosslinking) 특성에 필요한 카복시에 대한 이소시아네이토에틸메타크릴레이트의 비율을 측정하기 위해 실리콘-폴리아미드산의 카복시 당량당 이소시아네이토에틸메타크릴레이트 0 내지 1.5 당량을 사용하여, 일련의 감광성 메타크릴레이트 에틸아미드 치환된 실리콘-폴리아미드산을 실시예 1에 따라 제조한다. 만족한 가교는 24시간의 저장후 겔리 아닌 용액으로 얻을 수 있다. 또한, 가교 필름은 0.5N NaOH 수용액으로 1분동안 현상시킴에 따른 얇아짐을 견딜 수 있어야 한다. 하기와 같은 결과를 얻었으며, 여기서 "IEM"은 이소시아네이토에틸메타크릴레이트이다.
[표Ⅰ]
[카복실산에 대한 IEM의 최적 비율의 측정]
Figure kpo00009
a반응은 N-메틸피롤리돈 중의 40% 실리콘-폴리아미드산 용액을 사용하여 상온에서 수행한다.
b1.8μ필름(60℃/20분 건조)을 먼저 30초 동안 노출(PPG uv processor)시키고 1분동안 현상(0.5N NaOH)시킨다.
상기의 결과, 카복시에 대한 이소시아네이톨에틸메타크릴레이트의 비율이 1대 1일때, 최적 가교 특성을 부여하는 것으로 나타났다.
[실시예 4]
메타크릴레이트 에틸아미드 기로 변형시킨 실시예 1의 실리콘-폴리아미드산, 또는 "변형-실리콘-폴리아미드산"을 감광성 상태로 전환시키기 위한 여러 감광제들을 평가한다. 감광제 효과는, 노출시키고 현상시킨 후 변형-실리콘-폴리아미드산의 두께를 측정하여 평가한다. 하기표 Ⅱ에 나타난 바와 같이, 미힐러. 케톤이 가장 효과적인 감광제이며, 여기서, "중합체" 및 PSiPI는 이소시아네이토에틸메타크릴레이트 변형-실리콘-폴리아미드산이다 :
[표 Ⅱ]
[PSiPI 경화에 대한 감광제 효과]
Figure kpo00010
a같은 퍼센트의 N-메틸디에타놀아민을 각 샘플에 첨가한다.
b0.5N NaOH
c현상 시간은 패턴시키는데 걸리는 시간에 따라 결정된다.
d2-클로로티옥산톤 필름(100℃/2시간)외에, 초기의 필름은 100℃/1시간 건조시킨다.
e4 RS 태양등하 10인치에서 5분 동안 노출시킨다.
상기의 결과, 미힐러.케톤이 변형-실리콘-폴리아미드산의 경화를 위한 가장 효과적인 감광제로 나타났다.
RS 태양등하에서 5분 동안 노출시킨 다음 0.5N NaOH 용액에서 현상 시킨후 초기 필름 두께의 최대 퍼센트를 유지하기 위한 미힐러.케톤의 최적 농도를 측정하는 시험을 수행한다. 그 결과는 하기와 같다 :
[표 Ⅲ]
[필름 두께에 대한 감광제 농도의 효과]
Figure kpo00011
a표Ⅱ와 같다.
c표 Ⅱ와 같다.
d표 Ⅱ와 같다.
e초기 필름은 100℃/1시간 건조시킨다.
상기의 결과, 가교-실리콘-폴리아미드산 두께의 유지에 대한 미힐러.케톤의 최적 농도는 변형-실리콘-폴리아미드산의 약 4 내지 6중량%로 나타났다.
또한, 4%정도로 미힐러.케톤/N-메틸디에탄올아민 감광제 시스템을 사용하여 제조한 필름이 공기 또는 질소에 노출될 경우 동일한 현상 거동을 나타내었다.
RS 태양등하에서 동일하게 노출시킨 후의 2 마이크론 필름들은, 0.5N NaOH에서 6분 동안 현상된 후에도 이들의 원래 두께의 71%를 유지하였다. 30초의 짧은 경화를, PPG 적외선 처리장치와 같은 특수장비를 사용하여 얻을 수 있었다. 하지만, 열 및 광은 특별한 상태로 요구될 수 있다.
[실시예 5]
N-메틸피롤리돈중의 2,2-비스[4-(3,4-디카복시펜옥시)페닐] 프로판 이 무수물의 30% 용액 1몰,비스-1,3-r-아미노프로필테트라메틸디실록산 0.3몰 및 메틸렌 디아닐린 0.7몰의 혼합물을 평상 조건하에서 교반시킨다. 2시간 동안 교반시킨 후, 실리콘-폴리아미드산을 수득한다.
N-메틸피롤리돈중의 상기 실리콘-폴리아미드산의 30% 용액 3.5ｇ, 이소시아네이토에틸메타크릴레이트 0.55ｇ 및 트리에틸아민 5방울의 혼합물을 평상조건하에서 19시간 동안 교반시킨다. 제조방법 및 IR 데이터를 기초로 하여, 핵 결합된 메타클리레이트 에틸 아미드기를 함유한 실리콘 폴리아미드산을 수득한다. 상기의 변형-실리콘 폴리아미드산은 구리도금판상의 광패턴성 절연 조성물로서 유용하다.
상기의 실시예는 본 발명의 실시에 사용될 수 있는 많은 변형 중에서 단지 몇가지 만을 기술하였지만, 본 발명은 실리콘-폴리아미드산 이소시아네이토알킬아크릴레이트, 감광제, 감광성 실리콘-폴리아미드산을 제조하는 방법의 광범위한 변형을 포함하며, 여러 기질상에 실리콘-폴리아미드의 패턴된 절연층을 적용하기 위한 방법을 포함한다.

Claims (6)

  1. (A) 불활성 유기용매 95중량% 이하; (B) 주로 하기 일반식(3) 및 (4)의 화학적으로 결합된 단위들로 이루어진 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산 적어도 5중량%; (C) 유효량의 감광제를 포함하는 감광성 실리콘-폴리아미드산 조성물.
    Figure kpo00012
    상기식에서, Q1은 카복시기 및 일반식
    Figure kpo00013
    의 아크릴레이트아미드기 중에서 선택된 1가의 라다킬이며, 일반식(5)의 라디칼은 실리콘-방향족 폴리아미드 중의 카복시라디칼과 일반식(5)의 라디칼의 총 몰수를 기준으로 하여, 적어도 10몰%이며, R은
    Figure kpo00014
    Figure kpo00015
    및
    Figure kpo00016
    중에서 선택된 4가의 C(6-30)방향족 라디칼이고, R1은 2가의 C(2-13)유기라디칼이며, R2는 2가의 C(2-8)알킬렌라디칼이고, R3는 C(1-13)1가 탄환수소라디칼 및 치환된 C(1-13)1가 탄환수소라디칼 중에서 선택되며, Q는 일반식 -ZR4Z-의 2가 라디칼이고, Z는 -O- 및-NH-중에서 선택되며, R4및 R5는 C(2-13)유기라디칼중에서 선택되고, R6및 R7은 수소 및 C(1-8)알킬 라디칼 중에서 선택되며, R8은 C(1-13)2가 유기 라디칼이고, n은 1내지 20의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 핵-결합 아크릴 레이트 알킬아미드기가 메타클릴레이트 에틸아미드기인 감광성 실리콘-폴리아미드산 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 유기 용매가 N-메틸피롤리돈이거나 N-메틸피롤리돈과 톨루엔과의 혼합물인 감광성 실리콘-폴리아미드산 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 감광제가 미힐러. 케톤(Michler's Ketone)이거나 미힐러.케톤과 N-메틸디에탄올아민과의 혼합물인 감광성 실리콘-폴리아미드산 조성물.
  5. (1)주로 하기 일반식 (3) 및 (4)의 화학적으로 결합된 단위들로 이루어진 변형된 실리콘-방향족 폴리아미드산 중의 카복시기 및 핵-결합된 아크릴레이트아미드기의 총 몰수를 기준으로 하여, 적어도 10몰%의 핵-결합된 아크릴레이크아미드기를 함유하는 변형된 실리콘-방향족 폴리아미드산의 유기 용매 용액을 포함하는 감광성 내식막 조성물을 거의 광이 없는 조건하에서 기질상에 스핀 피복(spin coating)시키고; (2) 상기 (1)의 스핀 피복된 감광성 실리콘-폴리아미드산을 건조시키며; (3) 변형된 실리콘-폴리아미드산의 핵-결합된 아크릴레이트 아미드기를 가교 결합시키기에 충분한 시간동안 마스킹(masking)시키면서, 처리된 기질을 노출시키고; (4) 생성된 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산으로 처리된 기질을 현상하고; (5) 현상된 변형 실리콘-방향족 폴리아미드산 처리된 기질을, 방향족 폴리아미드산이 방향족 폴리아미드로 전환되기에 충분한 온도로 가열시킴을 포함하여, 절연성 실리콘-방향족 폴리아미드 층을 기질상에 패턴화(patterning)시키는 방법.
    Figure kpo00017
    (3)
    Figure kpo00018
    (4)
    상기식에서, Q1은 카복시기 및 일반식 (R6)2
    Figure kpo00019
    의 아크릴레이트아미드기 중에서 선택된 1가의 라디칼이며, 일반식(5)의 라디칼은 실리콘-방향족 폴리아미드중의 카복시라디칼과 일반식(5)의 라디칼의 총 몰수를 기준으로 하여, 적어도 10몰%이며, R은
    Figure kpo00020
    Figure kpo00021
    및
    Figure kpo00022
    중에서 선택된 4가의 C(6-30)방향족 라디칼이고, R1은 2가의 C(2-13)유기라디칼이며, R2는 2가의 C(2-8)알킬렌라디칼이고, R3는 C(1-13)1가 탄화수소라디칼 및 치환된 C(1-13)1가 탄환수소 라디칼 중에서 선택되며, Q는 일반식 -ZR4Z-의 2가 라디칼이고, Z는 -O- 및 -NH-중에서 선택되며, R4및 R5는 C(2-18)유기라디칼 중에서 선택되고, R6및 R7은 수소 및 C(1-8)알킬라디칼 중에서 선택되며, R8은 C(1-13)2가 유기 라디칼이고, n은 1 내지 20의 정수이다.
  6. (1) 광이 거의 없는 조건 및 불활성 대기하에서, 실리콘-폴리아미드산, 이소시아네이토 오르가노아크릴레이트 및 불활성 유기 용매의 혼합물을 진탕시키고; (2) 상기 (1)에서 생성된 이산화탄소를 혼합물로부터 분리시키며; (3) 생성된 혼합물에 유효량의 감광제를 첨가함을 포함하는 감광성 실리콘-폴리아미드산의 제조 방법.
KR1019840005282A 1983-08-29 1984-08-29 광 패턴성 절연 조성물 KR900008949B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US06/527,581 US4515887A (en) 1983-08-29 1983-08-29 Photopatternable dielectric compositions, method for making and use
US527581 1983-08-29

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR850001797A KR850001797A (ko) 1985-04-01
KR900008949B1 true KR900008949B1 (ko) 1990-12-15

Family

ID=24102051

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019840005282A KR900008949B1 (ko) 1983-08-29 1984-08-29 광 패턴성 절연 조성물

Country Status (9)

Country Link
US (1) US4515887A (ko)
JP (1) JPH0797214B2 (ko)
KR (1) KR900008949B1 (ko)
DE (1) DE3424216C2 (ko)
FR (1) FR2555597B1 (ko)
GB (1) GB2145728B (ko)
IE (1) IE55344B1 (ko)
MX (1) MX168017B (ko)
NL (1) NL8401374A (ko)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4690997A (en) * 1984-01-26 1987-09-01 General Electric Company Flame retardant wire coating compositions
US4837126A (en) * 1985-06-07 1989-06-06 W. R. Grace & Co. Polymer composition for photoresist application
US4717643A (en) * 1985-08-06 1988-01-05 Hercules Incorporated No thermal cure dry film solder mask
JPS62180360A (ja) * 1986-02-03 1987-08-07 ゼネラル・エレクトリツク・カンパニイ 光パタ−ン化可能なポリイミド組成物とその製法
US4782009A (en) * 1987-04-03 1988-11-01 General Electric Company Method of coating and imaging photopatternable silicone polyamic acid
US5270431A (en) * 1987-07-23 1993-12-14 Basf Aktiengesellschaft Preparation of oligomeric or polymeric radiation-reactive intermediates for solvent-structured layers
JP2626696B2 (ja) * 1988-04-11 1997-07-02 チッソ株式会社 感光性重合体
JPH01283554A (ja) * 1988-05-11 1989-11-15 Hitachi Ltd 耐熱感光性重合体組成物
DE68921052T2 (de) * 1988-12-16 1995-06-01 Hitachi Chemical Co Ltd Lichtempfindliche Kunststoffzusammensetzung und lichtempfindliches Element unter Verwendung dieser Zusammensetzung.
EP0430220B1 (en) * 1989-11-30 1997-05-07 Sumitomo Bakelite Company Limited Photosensitive resin composition and semiconductor apparatus using it
JPH04120542A (ja) * 1990-09-12 1992-04-21 Hitachi Ltd 感光性耐熱重合体組成物
JP2516276B2 (ja) * 1990-09-12 1996-07-24 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物
JPH0457376U (ko) * 1990-09-20 1992-05-18
JP2890213B2 (ja) * 1991-02-25 1999-05-10 チッソ株式会社 感光性重合体組成物及びパターンの形成方法
JP2546940B2 (ja) * 1991-11-06 1996-10-23 住友ベークライト株式会社 感光性樹脂組成物
JP2557331B2 (ja) * 1992-06-24 1996-11-27 東芝ケミカル株式会社 感光性ポリイミド組成物
JP3211108B2 (ja) * 1992-06-25 2001-09-25 チッソ株式会社 感光性樹脂組成物
JP2787531B2 (ja) * 1993-02-17 1998-08-20 信越化学工業株式会社 感光性樹脂組成物及び電子部品用保護膜
EP0622682B1 (en) * 1993-04-28 1998-03-04 Hitachi Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition
US5616448A (en) * 1995-01-27 1997-04-01 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photosensitive resin composition and a process for forming a patterned polyimide film using the same
CN1061058C (zh) * 1996-01-09 2001-01-24 河北工业大学 耐热光敏聚酰亚胺
US5856065A (en) * 1996-03-27 1999-01-05 Olin Microelectronic Chemicals, Inc. Negative working photoresist composition based on polyimide primers
US5914354A (en) * 1996-08-12 1999-06-22 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
EP1012672B1 (en) * 1997-09-11 2003-08-13 Arch Specialty Chemicals, Inc. A negatively acting photoresist composition based on polyimide precursors
DE69934960T2 (de) * 1998-10-30 2007-12-06 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd. Tetracarbonsäuredianhydrid, Derivat und Herstellung davon, Polyimidvorläufer, Polyimid, Harzzusammensetzung, photoempfindliche Harzzusammensetzung, Verfahren zur Erzeugung von Prägemustern und elektronisches Bauteil
US6342333B1 (en) 1999-09-23 2002-01-29 Hitachi Chemical Dupont Microsystems, L.L.C. Photosensitive resin composition, patterning method, and electronic components
KR100490402B1 (ko) * 2002-04-16 2005-05-17 삼성전자주식회사 유기 감광체용 오버코트 형성용 조성물 및 이로부터형성된 오버코트층을 채용한 유기 감광체
KR100453046B1 (ko) * 2002-04-16 2004-10-15 삼성전자주식회사 유기 감광체용 오버코트 형성용 조성물 및 이로부터형성된 오버코트층을 채용한 유기 감광체
JP4961972B2 (ja) * 2006-03-09 2012-06-27 Ｊｎｃ株式会社 絶縁層形成用組成物および絶縁膜
KR102087261B1 (ko) * 2017-02-16 2020-03-10 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 블랙 화소 격벽층 및 디스플레이 장치
KR102064297B1 (ko) 2017-02-16 2020-01-09 삼성에스디아이 주식회사 감광성 수지 조성물, 이를 이용한 블랙 화소 격벽층 및 디스플레이 장치

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US30186A (en) * 1860-09-25 John j
JPS532911B1 (ko) * 1971-07-09 1978-02-01
USRE30186E (en) 1974-08-02 1980-01-08 Siemens Aktiengesellschaft Method for the preparation of relief structures
US4017340A (en) * 1975-08-04 1977-04-12 General Electric Company Semiconductor element having a polymeric protective coating and glass coating overlay
US4140572A (en) * 1976-09-07 1979-02-20 General Electric Company Process for selective etching of polymeric materials embodying silicones therein
JPS5946380B2 (ja) * 1977-04-13 1984-11-12 株式会社日立製作所 画像の形成方法
JPS6046421B2 (ja) * 1978-03-01 1985-10-16 東レ株式会社 耐熱性感光材料
JPS5545746A (en) * 1978-09-29 1980-03-31 Hitachi Ltd Reactive polymer composition
DE2967162D1 (en) * 1978-09-29 1984-09-13 Hitachi Ltd Light-sensitive polymer composition
DE3107633A1 (de) * 1981-02-27 1982-09-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Verfahren zur herstellung duenner polyimidschichten"
JPS57168943A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Coating liquid for thin film formation
JPS57168942A (en) * 1981-04-13 1982-10-18 Hitachi Ltd Photosensitive polymer composition
GB2101149A (en) * 1981-04-14 1983-01-12 Hitachi Chemical Co Ltd Process for producing polyamide acid silicon type intermediate and polyimide silicon copolymer resin
US4548891A (en) * 1983-02-11 1985-10-22 Ciba Geigy Corporation Photopolymerizable compositions containing prepolymers with olefin double bonds and titanium metallocene photoinitiators
EP0119719B1 (en) * 1983-03-03 1987-05-06 Toray Industries, Inc. Radiation sensitive polymer composition

Also Published As

Publication number Publication date
GB8410771D0 (en) 1984-06-06
IE840746L (en) 1985-02-28
FR2555597B1 (fr) 1987-08-07
JPS60100143A (ja) 1985-06-04
US4515887A (en) 1985-05-07
DE3424216C2 (de) 1993-10-21
IE55344B1 (en) 1990-08-15
DE3424216A1 (de) 1985-03-07
KR850001797A (ko) 1985-04-01
GB2145728B (en) 1987-07-01
GB2145728A (en) 1985-04-03
NL8401374A (nl) 1985-03-18
JPH0797214B2 (ja) 1995-10-18
MX168017B (es) 1993-04-28
FR2555597A1 (fr) 1985-05-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR900008949B1 (ko) 광 패턴성 절연 조성물
JP6676031B2 (ja) ポリイミドの前駆体及びその使用
US4578328A (en) Photopatternable polyimide compositions and method for making
KR20180131955A (ko) 폴리이미드 전구체 및 그의 용도
US5025088A (en) Photosensitive poly(amide)imide heat-resistant polymer
US5177181A (en) Diamines and photosensitive polyimides made therefrom
KR960004117B1 (ko) 하이드록시페닐 그룹을 갖는 감광성 내열 중합체
US4587204A (en) Photopatternable dielectric compositions, method for making and use
JPH07179607A (ja) ポリイミド形成化合物溶液およびこれを使用する被覆層形成方法
KR940002548B1 (ko) 티올기를 갖는 감광성 중합체
JPS60198537A (ja) ホトパタ−ニングの可能な誘電体組成物並びにその製造方法および使用方法
JPS62280736A (ja) 感放射線性樹脂組成物
JPH0990632A (ja) 感光性樹脂組成物及びそのパターン形成方法
JPH0990629A (ja) 感光性樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置の製造法
KR930003717B1 (ko) 감광성 내열성 중합체의 제조방법
US5294696A (en) Process for producing polyisoimide
JPH0749483B2 (ja) 感光性重合体の製造方法
JPH03231923A (ja) 樹脂溶液組成物
JP2000250209A (ja) 感光性樹脂組成物およびその製造方法
JPS62145240A (ja) ポジ型感光性耐熱材料
JP2000230049A (ja) 感光性樹脂組成物およびその製造方法
JP3383548B2 (ja) 感光性重合体組成物およびその製造方法
JPH0159570B2 (ko)
JPH04224823A (ja) 感光性樹脂組成物の製造法
JP2004271801A (ja) 感光性樹脂組成物およびその製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
N231 Notification of change of applicant
N231 Notification of change of applicant
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 19951002

Year of fee payment: 6

LAPS Lapse due to unpaid annual fee