JP4961972B2 - 絶縁層形成用組成物および絶縁膜 - Google Patents
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Description
[1] 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸(polyamic acid)とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物。
「テトラカルボン酸二無水物の誘導体」は、テトラカルボン酸二無水物と同一の骨格を有するテトラカルボン酸、テトラカルボン酸の酸ハライド(テトラカルボン酸ジ酸ハライドなど)、テトラカルボン酸ジエステルジ酸ハライドおよびテトラカルボン酸一無水物ジ酸ハライドからなる化合物群の総称として用いられる。そして、「テトラカルボン酸誘導体」は、テトラカルボン酸二無水物とテトラカルボン酸二無水物の誘導体の総称として用いられる。式(1)で示される化合物を化合物(1)と略称することがある。他の式で示される化合物についても同様の略称法を適用することがある。六角形で囲んだA、B、Cなどの記号は、これらが環を示す記号であることを意味する。化学構造式において、環を構成する炭素に固定されずに結合している置換基は、環との結合位置が任意の置換基であることを示す。本明細書における%は特に断らない限り重量%を意味する。なお、実施例における質量単位gは、電子天秤の目盛りを読み取った値を示すものであり、これを重さまたは重量と表現することがある。
[2] カルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物がその官能基を分子内に2個以上有する化合物である、[1]項に記載の絶縁層形成用組成物。
ここに、式(I)において、R1は単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CH2O−、−CF2O−または−(CH2)e−であって、eは1〜6の整数であり;R2はステロイド骨格を有する基、式(I−a)で示される基、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり;このアルキルの炭素数が2〜6であるとき、その任意の−CH2−は−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、そしてこのフェニルの水素はフッ素、メチル、メトキシ、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシで置き換えられてもよく;
ここに、R13、R14およびR15は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシであり;R16およびR17は独立して水素、フッ素またはメチルであり;R18は水素、フッ素、塩素、シアノ、炭素数1〜30のアルキル、炭素数1〜30のアルコキシ、炭素数2〜30のアルコキシアルキル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシであり、これらのアルキル、アルコキシおよびアルコキシアルキルにおける任意の−CH2−は、ジフルオロメチレンまたは式(I−b)で示される基で置き換えられてもよく;環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;f、gおよびhは独立して0〜4の整数であり;i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上であり;lおよびmは独立して1または2であり;
ここに、R19、R20、R21およびR22は、独立して炭素数1〜10のアルキル、またはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数であり:
式(II)において、R3は独立して水素またはメチルであり;R4は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R5は独立して単結合、−CO−または−CH2−であり:
式(III)において、R3は独立して水素またはメチルであり;R4は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R5は独立して単結合、−CO−または−CH2−であり;そして、R6およびR7は独立して水素、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり:
式(IV)において、R8は水素または炭素数1〜30のアルキルであって、このアルキルの任意の−CH2−は、−O−、−CH=CH−またはC≡C−で置き換えられてもよく;R9は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;環Aは1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;aは0または1であり;bは0、1または2であり;そして、cは独立して0または1であり:
式(V)において、R10は炭素数3〜30のアルキル、または炭素数3〜30のフッ素化アルキルであり;R11は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のフッ素化アルキルであり;R12は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;そして、dは独立して0または1である。
ここに、式(I)において、R1は単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CH2O−、−CF2O−または−(CH2)e−であって、eは1〜6の整数であり;R2はステロイド骨格を有する基、式(I−a)で示される基、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり;このアルキルの炭素数が2〜6であるとき、その任意の−CH2−は−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、そしてこのフェニルの水素はフッ素、メチル、メトキシ、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシで置き換えられてもよく;
ここに、R13、R14およびR15は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシであり;R16およびR17は独立して水素、フッ素またはメチルであり;R18は水素、フッ素、塩素、シアノ、炭素数1〜30のアルキル、炭素数1〜30のアルコキシ、炭素数2〜30のアルコキシアルキル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシであって、これらのアルキル、アルコキシおよびアルコキシアルキルにおける任意の−CH2−はジフルオロメチレンまたは式(I−b)で示される基で置き換えられてもよく;環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;f、gおよびhは独立して0〜4の整数であり;i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上であり;lおよびmは独立して1または2であり;
ここに、R19、R20、R21およびR22は、独立して炭素数1〜10のアルキルまたはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数であり:
式(II)において、R3は独立して水素またはメチルであり;R4は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R5は独立して単結合、−CO−または−CH2−であり:
式(III)において、R3は独立して水素またはメチルであり;R4は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R5は独立して単結合、−CO−または−CH2−であり;そして、R6およびR7は独立して水素、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり:
式(IV)において、R8は水素または炭素数1〜30のアルキルであって、このアルキルの任意の−CH2−は、−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;R9は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;環Aは1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;aは0または1であり;bは0、1または2であり;そして、cは独立して0または1であり:
式(V)において、R10は炭素数3〜30のアルキル、または炭素数3〜30のフッ素化アルキルであり;R11は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のフッ素化アルキルであり;R12は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;そして、dは独立して0または1である。
ここに、R43は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のアルコキシである。
本発明の絶縁層形成用組成物は、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位に含まれるカルボキシル基と反応することができる官能基を有する化合物とを含有する組成物である。ポリアミック酸の誘導体の例は、ポリアミック酸を完全または部分的に脱水閉環反応させたポリイミド、ポリアミック酸のカルボキシル基の全てまたは一部がエステル化されたポリアミック酸エステル、テトラカルボン酸二無水物の一部をジカルボン酸ハライド等に置き換えて反応させて得られたポリアミック酸−ポリアミドコポリマー、およびポリアミック酸−ポリアミドコポリマーを完全または部分的に脱水閉環反応させたポリアミドイミドである。
ここに、R30およびR31は独立して炭素数1〜3のアルキルまたはフェニルであり、R32は炭素数1〜6のアルキレン、1,4−フェニレンまたはアルキル置換された1,4−フェニレンであり、そしてpは1〜10の整数である。
式(I−a)において、R13、R14およびR15は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシである。R16およびR17は独立して水素、フッ素またはメチルである。環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンである。f、gおよびhは独立して0〜4の整数である。i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上である。そして、lおよびmは独立して1または2である。
この式において、R19、R20、R21およびR22は独立して炭素数1〜10のアルキル、またはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数である。
[テトラカルボン酸二無水物]
1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物(式(1)):CBDA
1,2,4,5−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物(式(7)):CHDA
[ジアミン]
4,4’−ジアミノジフェニルメタン(式(69)):DDM
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン(式(109)):BAPP
5−{4−[2−(4−ヘプチルシクロヘキシル)エチル]シクロヘキシル}フェニルメチル−1,3−ジアミノベンゼン(式(I−25);R43=C7H15):7Ch2Ch
[溶剤]
N−メチル−2−ピロリドン:NMP
ブチルセロソルブ(エチレングリコールモノブチルエーテル):BC
[官能性化合物]
N,N,N’,N’,−テトラグリシジル−4,4’−ジアミノジフェニルメタン:TGAPM
3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレート:ECC
N−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレートコポリマー(グリシジルメタクリレート:80mol%):NPGM
<ポリアミック酸Aの合成>
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた100mlの四つ口フラスコに、DDMを2.9128g(14.7mmol)および脱水NMP60.0gを仕込み、乾燥窒素気流下で攪拌し、溶解させた。次に、CHDA1.6466g(7.35mmol)およびCBDA1.4406g(7.35mmol)を添加し、室温環境下で30時間反応させた。反応中に反応温度が上昇する場合は、反応温度を約70℃以下に抑えて反応させた。
得られた溶液に、BC34.0gを加えて、ポリアミック酸Aの濃度が6%の溶液PA1を調製した。得られたPA1の粘度は、45.0mPa・sであった。
<ポリアミック酸Bの合成>
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた100mlの四つ口フラスコに、7Ch2Chを4.1747g(8.50mmol)および脱水NMP60gを仕込み、乾燥窒素気流下で攪拌し、溶解させた。次に、CBDA1.675g(8.50mmol)を添加し、室温環境下で30時間反応させた。反応中に反応温度が上昇する場合は、反応温度を約70℃以下に抑えて反応させた。
得られた溶液に、BC34.0gを加えて、ポリアミック酸Bの濃度が6%の溶液PA2を調製した。得られたPA2の粘度は、12.3mPa・sであった。
<N−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレートコポリマー(グリシジルメタクリレート:80mol%)の合成>
温度計、攪拌機、原料投入仕込み口および窒素ガス導入口を備えた四つ口フラスコに、N−フェニルマレイミドを16.0g、グリシジルメタクリレートを52.5gおよび脱水NMP137gを仕込み、乾燥窒素気流下で攪拌し、溶解させた。次に、AIBNを3g添加し、80℃で6時間反応させた。得られた溶液NPGMの粘度は、88.0mPa・sであった。
95gのPA1と5gのPA2の混合溶液にTGAPMを1.2g添加した混合液S1をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約150nmのポリイミド薄膜を得た。
95gのPA1と5gのPA2の混合溶液にECCを1.2g添加した混合液S2をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約154nmのポリイミド薄膜を得た。
95gのPA1と5gのPA2の混合溶液にECCを2.4g添加した混合液S3をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約152nmのポリイミド薄膜を得た。
95gのPA1と5gのPA2の混合溶液にNPGMを3.6g添加した混合液S4をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約155nmのポリイミド薄膜を得た。
95gのPA1と5gのPA2の混合溶液にNPGMを7.2g添加した混合液S5をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約149nmのポリイミド薄膜を得た。
17gのNPGMと5gのPA2の混合液S6にエポキシ硬化剤として無水トリメリット酸0.18gを添加した溶液をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約153nmのポリイミド薄膜を得た。
95gのPA1と5gのPA2の混合液S7をスピンコート塗布し、クリンオーブン中で180℃、0.5時間焼成を行い、膜厚約150nmのポリイミド薄膜を得た。
2:ゲート電極
3:絶縁層
3A:絶縁層
3B:絶縁層
4:ソース電極
5:ドレイン電極
6:半導体層
7:電極
8:ポリイミド薄膜
Claims (13)
- 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ここで、ポリマーは、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群より選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体またはこの(これらの)テトラカルボン酸誘導体とその他のテトラカルボン酸誘導体の少なくとも1つとの混合物とジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸から選ばれる少なくとも1つであり;そして、
この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物は3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートである。
- 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ここで、ポリマーは、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群より選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体またはこの(これらの)テトラカルボン酸誘導体とその他のテトラカルボン酸誘導体の少なくとも1つとの混合物とジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸から選ばれる少なくとも1つであり;そして、
この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物はN−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレートコポリマーである。
- 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ここで、ポリマーは、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群から選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体と側鎖を有するジアミンの少なくとも1つまたはこの(これらの)ジアミンと側鎖を持たないジアミンの少なくとも1つとの混合物を反応させて得られるポリアミック酸から選ばれる少なくとも1つであり;そして、
この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物は3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートである。
- 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ここで、ポリマーは、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群から選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体と側鎖を有するジアミンの少なくとも1つまたはこの(これらの)ジアミンと側鎖を持たないジアミンの少なくとも1つとの混合物を反応させて得られるポリアミック酸から選ばれる少なくとも1つであり;そして、
この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物はN−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレートコポリマーである。
- 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ここで、ポリマーは、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群から選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体と式(I)〜式(V)のそれぞれで示される化合物の群から選択される少なくとも1つである側鎖を有するジアミンまたはこの(これらの)ジアミンと側鎖を持たないジアミンの少なくとも1つとの混合物を反応させて得られるポリアミック酸から選ばれる少なくとも1つであり;そして、
この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物は3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートである。
ここに、式(I)において、R 1 は単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CH 2 O−、−CF 2 O−または−(CH 2 ) e −であって、eは1〜6の整数であり;R 2 はステロイド骨格を有する基、式(I−a)で示される基、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり;このアルキルの炭素数が2〜6であるとき、その任意の−CH 2 −は−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、そしてこのフェニルの水素はフッ素、メチル、メトキシ、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシで置き換えられてもよく;
ここに、R 13 、R 14 およびR 15 は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシであり;R 16 およびR 17 は独立して水素、フッ素またはメチルであり;R 18 は水素、フッ素、塩素、シアノ、炭素数1〜30のアルキル、炭素数1〜30のアルコキシ、炭素数2〜30のアルコキシアルキル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシであり、これらのアルキル、アルコキシおよびアルコキシアルキルにおける任意の−CH 2 −は、ジフルオロメチレンまたは式(I−b)で示される基で置き換えられてもよく;環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;f、gおよびhは独立して0〜4の整数であり;i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上であり;lおよびmは独立して1または2であり;
ここに、R 19 、R 20 、R 21 およびR 22 は、独立して炭素数1〜10のアルキル、またはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数であり:
式(II)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり:
式(III)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり;そして、R 6 およびR 7 は独立して水素、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり:
式(IV)において、R 8 は水素または炭素数1〜30のアルキルであって、このアルキルの任意の−CH 2 −は、−O−、−CH=CH−またはC≡C−で置き換えられてもよく;R 9 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;環Aは1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;aは0または1であり;bは0、1または2であり;そして、cは独立して0または1であり:
式(V)において、R 10 は炭素数3〜30のアルキル、または炭素数3〜30のフッ素化アルキルであり;R 11 は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のフッ素化アルキルであり;R 12 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;そして、dは独立して0または1である。 - 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ここで、ポリマーは、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群から選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体と式(I)〜式(V)のそれぞれで示される化合物の群から選択される少なくとも1つである側鎖を有するジアミンまたはこの(これらの)ジアミンと側鎖を持たないジアミンの少なくとも1つとの混合物を反応させて得られるポリアミック酸から選ばれる少なくとも1つであり;そして、
この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物はN−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレートコポリマーである。
ここに、式(I)において、R 1 は単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CH 2 O−、−CF 2 O−または−(CH 2 ) e −であって、eは1〜6の整数であり;R 2 はステロイド骨格を有する基、式(I−a)で示される基、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり;このアルキルの炭素数が2〜6であるとき、その任意の−CH 2 −は−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、そしてこのフェニルの水素はフッ素、メチル、メトキシ、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシで置き換えられてもよく;
ここに、R 13 、R 14 およびR 15 は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシであり;R 16 およびR 17 は独立して水素、フッ素またはメチルであり;R 18 は水素、フッ素、塩素、シアノ、炭素数1〜30のアルキル、炭素数1〜30のアルコキシ、炭素数2〜30のアルコキシアルキル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシであり、これらのアルキル、アルコキシおよびアルコキシアルキルにおける任意の−CH 2 −は、ジフルオロメチレンまたは式(I−b)で示される基で置き換えられてもよく;環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;f、gおよびhは独立して0〜4の整数であり;i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上であり;lおよびmは独立して1または2であり;
ここに、R 19 、R 20 、R 21 およびR 22 は、独立して炭素数1〜10のアルキル、またはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数であり:
式(II)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり:
式(III)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり;そして、R 6 およびR 7 は独立して水素、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり:
式(IV)において、R 8 は水素または炭素数1〜30のアルキルであって、このアルキルの任意の−CH 2 −は、−O−、−CH=CH−またはC≡C−で置き換えられてもよく;R 9 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;環Aは1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;aは0または1であり;bは0、1または2であり;そして、cは独立して0または1であり:
式(V)において、R 10 は炭素数3〜30のアルキル、または炭素数3〜30のフッ素化アルキルであり;R 11 は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のフッ素化アルキルであり;R 12 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;そして、dは独立して0または1である。 - 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ポリマーが、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群より選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体またはこの(これらの)テトラカルボン酸誘導体とその他のテトラカルボン酸誘導体の少なくとも1つとの混合物とジアミンを反応させて得られるポリアミック酸と、式(1)〜式(58)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群から選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体と、式(I)〜式(V)のそれぞれで示される化合物の群から選択される少なくとも1つである側鎖を有するジアミンまたはこの(これらの)ジアミンと側鎖を持たないジアミンの少なくとも1つとの混合物とを反応させて得られるポリアミック酸との混合物であり;そして、
これらのポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物は3,4−エポキシシクロヘキセニルメチル−3’,4’−エポキシシクロヘキセンカルボキシレートである。
ここに、式(I)において、R 1 は単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CH 2 O−、−CF 2 O−または−(CH 2 ) e −であって、eは1〜6の整数であり;R 2 はステロイド骨格を有する基、式(I−a)で示される基、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり;このアルキルの炭素数が2〜6であるとき、その任意の−CH 2 −は−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、そしてこのフェニルの水素はフッ素、メチル、メトキシ、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシで置き換えられてもよく;
ここに、R 13 、R 14 およびR 15 は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシであり;R 16 およびR 17 は独立して水素、フッ素またはメチルであり;R 18 は水素、フッ素、塩素、シアノ、炭素数1〜30のアルキル、炭素数1〜30のアルコキシ、炭素数2〜30のアルコキシアルキル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシであって、これらのアルキル、アルコキシおよびアルコキシアルキルにおける任意の−CH 2 −はジフルオロメチレンまたは式(I−b)で示される基で置き換えられてもよく;環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;f、gおよびhは独立して0〜4の整数であり;i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上であり;lおよびmは独立して1または2であり;
ここに、R 19 、R 20 、R 21 およびR 22 は、独立して炭素数1〜10のアルキルまたはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数であり:
式(II)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり:
式(III)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり;そして、R 6 およびR 7 は独立して水素、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり:
式(IV)において、R 8 は水素または炭素数1〜30のアルキルであって、このアルキルの任意の−CH 2 −は、−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;R 9 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;環Aは1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;aは0または1であり;bは0、1または2であり;そして、cは独立して0または1であり:
式(V)において、R 10 は炭素数3〜30のアルキル、または炭素数3〜30のフッ素化アルキルであり;R 11 は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のフッ素化アルキルであり;R 12 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;そして、dは独立して0または1である。 - 電子素子の絶縁層を形成させるために用いる組成物であって、ポリアミック酸とポリアミック酸の誘導体とからなる群から選ばれる少なくとも1つのポリマーと、この(これらの)ポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物とを含有することを特徴とする絶縁層形成用組成物:
ポリマーが、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群より選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体またはこの(これらの)テトラカルボン酸誘導体とその他のテトラカルボン酸誘導体の少なくとも1つとの混合物とジアミンを反応させて得られるポリアミック酸と、式(1)〜式(58)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物とこれらのテトラカルボン酸二無水物の誘導体とからなる群から選択される少なくとも1つのテトラカルボン酸誘導体と、式(I)〜式(V)のそれぞれで示される化合物の群から選択される少なくとも1つである側鎖を有するジアミンまたはこの(これらの)ジアミンと側鎖を持たないジアミンの少なくとも1つとの混合物とを反応させて得られるポリアミック酸との混合物であり;そして、
これらのポリマーの構成単位中のカルボキシル基と反応可能な官能基を有する化合物はN−フェニルマレイミド−グリシジルメタクリレートコポリマーである。
ここに、式(I)において、R 1 は単結合、−O−、−CO−、−COO−、−OCO−、−CONH−、−CH 2 O−、−CF 2 O−または−(CH 2 ) e −であって、eは1〜6の整数であり;R 2 はステロイド骨格を有する基、式(I−a)で示される基、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり;このアルキルの炭素数が2〜6であるとき、その任意の−CH 2 −は−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく、そしてこのフェニルの水素はフッ素、メチル、メトキシ、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシで置き換えられてもよく;
ここに、R 13 、R 14 およびR 15 は独立して単結合、−O−、−COO−、−OCO−、−CONH−、炭素数1〜4のアルキレン、炭素数1〜3のオキシアルキレン、または炭素数1〜3のアルキレンオキシであり;R 16 およびR 17 は独立して水素、フッ素またはメチルであり;R 18 は水素、フッ素、塩素、シアノ、炭素数1〜30のアルキル、炭素数1〜30のアルコキシ、炭素数2〜30のアルコキシアルキル、フルオロメチル、ジフルオロメチル、トリフルオロメチル、フルオロメトキシ、ジフルオロメトキシまたはトリフルオロメトキシであって、これらのアルキル、アルコキシおよびアルコキシアルキルにおける任意の−CH 2 −はジフルオロメチレンまたは式(I−b)で示される基で置き換えられてもよく;環Bおよび環Cは独立して1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;f、gおよびhは独立して0〜4の整数であり;i、jおよびkは独立して0〜3の整数であって、これらの合計は1以上であり;lおよびmは独立して1または2であり;
ここに、R 19 、R 20 、R 21 およびR 22 は、独立して炭素数1〜10のアルキルまたはフェニルであり、そしてnは1〜100の整数であり:
式(II)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり:
式(III)において、R 3 は独立して水素またはメチルであり;R 4 は水素または炭素数1〜30のアルキルであり;R 5 は独立して単結合、−CO−または−CH 2 −であり;そして、R 6 およびR 7 は独立して水素、炭素数1〜30のアルキル、またはフェニルであり:
式(IV)において、R 8 は水素または炭素数1〜30のアルキルであって、このアルキルの任意の−CH 2 −は、−O−、−CH=CH−または−C≡C−で置き換えられてもよく;R 9 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;環Aは1,4−フェニレンまたは1,4−シクロヘキシレンであり;aは0または1であり;bは0、1または2であり;そして、cは独立して0または1であり:
式(V)において、R 10 は炭素数3〜30のアルキル、または炭素数3〜30のフッ素化アルキルであり;R 11 は水素、炭素数1〜30のアルキル、または炭素数1〜30のフッ素化アルキルであり;R 12 は独立して−O−または炭素数1〜6のアルキレンであり;そして、dは独立して0または1である。 - ポリマーが、式(1)〜式(40)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物の少なくとも1つとジアミンとを反応させて得られるポリアミック酸と、式(1)〜式(58)のそれぞれで示されるテトラカルボン酸二無水物の少なくとも1つと式(I)で示されるジアミンの少なくとも1つとを反応させて得られるポリアミック酸との混合物である、請求項7または8に記載の絶縁層形成用組成物。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の絶縁層形成用組成物を用いて得られる薄膜。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の絶縁層形成用組成物を用いて基板上に形成される絶縁層。
- 請求項12に記載の絶縁層を有する電子素子。
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