JPS60198537A - ホトパタ−ニングの可能な誘電体組成物並びにその製造方法および使用方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 関連出願の説明 本願は、／９と３年と月２９日に提出されかつ本発明の
場合と同じ譲受人に譲渡された、「ホトパターニングの
可能な誘電体組成物、製造方法および用途」と称するゲ
イシー・シー・デイヴイス（Ｇａｒｙ　Ｃ，Ｄａｖｉｓ
）の同時係属米国特許出願第３２７３＆”７号と関連を
有するものである。

発明の背景 本発明は、新規なホトレジスト組成物並びにかかる組成
物の製造方法および使用方法に関するものである。　更
に詳しく言えば本発明は、ポリアミド酸と感光性化合物
とを反応させ、感光性反応生成物の被膜を基体上に設置
して乾燥し、被覆済みの基体をマスクで覆いながら光源
に暴露して光反応基を架橋させ、次いでポリアミド酸を
ポリイミドに転化させるのに有効な温度下において架橋
済みの基体を加熱することによってホトレジストパター
ンを形成するための写真食刻法を提供する。　本発明は
また、新規なポリイミド前駆体組成物およびかかる組成
物の製造方法にも関する。

本発明以前には、ポリイミドやポリシロキサンイミドは
次のようにして製造されていた。先ず、カルボン酸二無
水物とシナミノ化合物および（または）ジアミノポリシ
ロキサンとを反応させることにより、たとえば式 〔式中、Ｒは脂肪族基および（または）芳香族基および
（または）シロキサン基である〕で表わされる初期反応
生成物が得られる。　次いでこれを約／オ０〜３ｊθ℃
の温度下において加熱すると、上記ポリアミド化合物の
環化により、たとえば式〔式中、Ｒは脂肪族基および（
または）芳香族基および（または）シロキサン基である
〕で表わされる反復単位から成るイミド化生成物が得ら
れる。

このような方法は、各種の特許文献や参考文献中、とり
わけ米国特許第３３２３グｊ０および３３．３−３２と
２号明細書中に一層詳しく記載されている。

ルブナー（ｇｕｂｎｅｒ）等の著書［プロダクション・
オブ・ハイリー・ヒート―レジスタンド拳フィルム・パ
ターンズ・フロムｅフォトリアクティブ・ボリメリ°ツ
ク・ブリカーサーズ（ｐ　ｒｏｄｕｃ　ｔ　ｉ　ｏｎ　
ｏ　ｆ：Ｆ（ｉｇｈｌｙ　−Ｈｅａｔ　Ｒｅ５ｉｓｔａ
ｎｔ　Ｆｉｌｍ　ｐａｔｔｅｒｎｓ　ｆｒｏｍＰ　ｈｏ
ｔｏｒｅａｃｔ　ｉｖｅ　Ｐｏ　Ｉｙｍｅｒ　ｉｃ　Ｐ
　ｒｅｃｕｒｓｏｒｓ）Ｊの第１部［通則Ｊ　Ｃ／９７
を年／月）および第２部「ポリイミド・フィルム・パタ
ーンズＪ　（／９７６年ｊ月）中には、光反応性の前駆
物質を基剤とするホトレジスト材料が記載されている。

　それによれば、光反応性のポリアミドを製造するため
、先ず芳香族二無水物（たとえばピロメリト酸二無水物
）とアリルアルコールとの反応が行われる。　次に、こ
うして得られた芳香族ジカルボン酸ジエステルが塩化チ
オニルとの反応によって対応する芳香族二酸塩化物に転
化される。　更に、この二酸塩化物を芳香族ジアミンと
反応させることによって光反応性の芳香族ポリアミドエ
ステルが生成される。上記の光反応性ポリイミド前駆物
質をたとえば回転塗布法によって基体上に塗布し、マス
クを介して基体表面を露光し、次いで有機溶剤を用いて
処理表面を現像することによってホトレジストパターン
が形成される。　こうして得られた芳香族ポリアミドエ
ステルパターンは、加熱によってポリイミドパターンに
転化される。

上記のごとぎ光反応性の芳香族ポリアミドエステルを用
いれば優秀な結果が得られるとは言え、芳香族ジアミン
との重合反応に先立ち塩化チオニルのごとき塩素化剤を
用いて芳香族ジカルボン酸ジエステルを対応する酸塩化
物に転化すると、残留塩化物による汚染を引起こす可能
性のあることが当業者に認められている。　かかる塩化
物汚染は、得られる芳香族ポリイミドの誘電体としての
有用性を妨害することがある。

それ故、ホトレジストとして有用でありかつ塩化物汚染
のない絶縁層パターンに転化可能である感光性ポリアミ
ド酸が得られれば望ましいわけである。

発明の概要 本発明の目的の７つは、基体上にポリイミドまたはシリ
コーン−ポリイミド絶縁層のパターンを形成する方法を
提供することにある。

また、感光性ポリアミド酸またはシリコーン−ポリアミ
ド酸を提供することも本発明の目的の７つである。

更にまた、感光性ポリアミド酸およびシリコーン−ポリ
アミド酸の製造方法を提供することも本発明の目的の７
つである。

本発明の一側面に従えば、ホトレジストとして有用であ
りかつ塩化物汚染のない絶縁層パターンに転化可能であ
る感光性ポリアミド酸を次のようにして製造することが
できる。　先ず、一般式％式％ （式中、Ｒはグ価の有機基またはグ価のオルカッシロキ
サン含有基である）で表わされる二無水物と一般式 ％式％（２ （式中、Ｒ１は２価の有機基または２価のオルガノシロ
キサン含有基である）で表わされるジアミンとを反応さ
せることにより、式 （式中、ＲおよびＲ１は前記に定義された通りである）
で表わされる化学結合単位から主として成るポリアミド
酸が得られる。

次に、式（３）のポリアミド酸を感光性のアクリル酸エ
ステル、ケイ皮酸エステルまたはノ、３−ジフェニルシ
クロプロペノールエステルと反応させ（式中、Ｒおよび
Ｒ１は前記に定義された通りであり、そしてＡは光反応
性のアクリル酸エステル、ケイ皮酸エステルまたはコツ
３−ジフェニルシクロプロペノールエステル含有基であ
る）で表わされる化学結合単位から主として成る変性ま
たは感光性ポリアミド酸が生成される。

本発明の別の側面に従えば、（ａ）式（４）で表わされ
る化学結合単位から主として成る感光性ポリアミド酸を
不活性溶剤に溶解し、（１））実質的に光の存在しない
条件下でたとえば回転塗布法により基体上に感光性ポリ
アミド酸溶液の被膜を設置し、（Ｃ）被覆済みの基体を
乾燥し、（ｄ）感光性ポリアミド酸の所望領域を架橋さ
せるのに十分な時間にわたって被覆済みの基体を露光し
、（ｅ）架橋ポリアミド酸で被覆された基体を現像し、
次いで（ｆ）ポリアミド酸をポリイミドに転化させるの
に有効な温匿下において、架橋ポリアミド酸で被覆され
かつ現像された基体を加熱する諸工程から成ることを特
徴とする、基体上にポリイミド絶縁層のパターンを形成
する方法が提供される。

発明の説明 本発明に従えば、ホトレジストとして有用でありかつ塩
化物汚染のない絶縁層パターンに転化可能である感光性
ポリアミド酸が次のようにして製造される。　先ず、一
般式ｔｌ）の二無水物と一般式（２）のジアミンとを反
応させることによって式（３）の非感光性ポリアミド酸
が得られる。

一般に、使用すべき二無水物およびジアミンの種類に制
限は無いから、当業者は自らの意図する用途に最も適す
るものを容易に選ぶことができる。　二無水物は一般式
（１）によって表わされるのであって、式中のＲはグ価
の有機基または７価のオルガノシロキサン含有基である
。　適描な二無水物およびそれらの製造方法は、ホルブ
Ｑ（ｏｌｕｂ）の米国特許第３夕ｊ３．２．ｇ’２号お
よびバーガー（１３ｅｒｇｅｒ）の米国特許第グθ３０
９￥、！？”号明細書中に記載されている。　これらの
特許明細書はいずれも引用によって本明細書中に併合さ
れるものとする。

本発明において使用するのに適した二無水物の実例とし
ては、ピロメリト酸二無水物、λ、３，１．。

７−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、３゜３１り
、￥′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物、／、２
．！、乙−ナフタレンチトラカルボン酸二無水物、認、
２′、３．３′−ジフェニルテトラカルボン酸二無水物
、記、２−ビス（３，クージカルボキシフェニル）プロ
パンニ無水物、ビス（３，クージカルボキシフェニル）
スルホンニ無水物、３．’１．３．／θ−ペリレンテト
ラカルボン酸二無水物、ビス（３，クージカルボキシフ
ェニル）エーテルニ無水物、２．２−ビス（認、３−ジ
カルボキシフェニル）プロパンニ無水物、／、／−ビス
＜２．３−ジカルボキシフェニル）エタンニ無水物、ビ
ス（３，クージカルボキシフェニル）メタンニ無水物、
ビス（２，３−ジカルボキシフェニル）スルホンニ無水
物およびベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物が挙
げられる。

一般式（１）の二無水物のうち、通例、１ｔがおよび （式中、Ｑは式−Ｚ几６Ｚ−で表わされる２価の基、Ｚ
は−０−または−ＮＨ−１そしてＲ５およびＲ６は炭素
原子数コ〜／３の有機基である）の中から選ばれた炭素
原子数ｇ〜３θのグ価の芳香族基であるようなものが好
適である。

また、非環式あるいは環式脂肪族二無水物たとえばシク
ロペンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサン
テトラカルボン酸二無水物、ブタンテトラカルボン酸二
無水物なども本発明において使用するのに適している。

オルガノシロキサン含有二無水物もまた本発明の範囲内
に含まれるが、とりわけ一般式Ｃ式中、Ｄは両端に窒素
原子または酸素原子を有するオルガノシロキサン基であ
る）で表わされるものが好適である。　一般式（５）の
二無水物は、式で表わされるトリメリド酸塩化物と好ま
しくはシロキサン結合を有する任意のジアミンまたは二
価アルコールとを反応させることによって製造し得る。

　従って１本発明のオルガノシロキサン含有二無水物は
たとえば １− （Ｎ および １ υ （式中、Ｒ５は好ましくは／〜と個の炭素原子を有する
置換または非置換炭化水素基、そしてｎは７〜約認θθ
好ましくは／〜約／θθの整数である）のごとき式によ
って表わされる。

最も好適な二無水物は５ピロメリト酸二無水物、ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物および である。

トリメリド酸塩化物と反応させてオルガノシロキサン含
有二無水物を得るために使用し得るアミノシロキサンの
実例としては１式 （式中、ｎは２〜ｇに等しいことが好ましく、また３に
等しければ最も好ましい）、 ０式中、ｎは前記に定義された通りである）および 〔式中、Ｂはメチル基および（または）フェニル基、そ
して！１は前記に定義された通りである〕で表わされる
ものが挙げられる。　勿論、両端が７ミノ基で停止され
た化合物の代りに１両端がアルコール基で停止された化
合物を使用することもできる。　いずれの場合にせよ、
オルガノシロキサン含有二無水物の製造方法は当業者に
とって公知である。

通例、一般式（２）中のＲ１は式 または （式中、几７は炭素原子数／〜／３の有機基、そしてＸ
は７〜約、２００の整数である〕によって表わされる。

　勿論、その他の種類の基も使用し得ることは当業者に
とって自明であろう。

上記の二無水物と反応させて非感光性ポリアミド酸を得
るために使用し得るジアミンは当業界において公知であ
って、やはり米国特許第３６３３．２．！”、２および
グ０３θ９グと号明細書中に記載されている。　一般式
（２）の範囲内に含まれるジアミンとしては、たとえば
、ｍ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミン、
ｇ、ｇ’−ジアミノジフェニルプロパン、￥、４ｔ’−
ジアミノジフェニルメタン、ベンジジン、’ｌ、￥’−
ジアミノジフェニルスルフィド、ｇ、４ｔ’−ジアミノ
ジフェニルスルホン、グ、ｌ−ジアミノジフェニルエー
テル、ｉ、ｔ−ジアミノナフタレン、３．３’−ジメト
キシベンジジン。

、ｌ！、＆−ビス（β−アミノ−１−ブチル）トルエン
、／、３−ジアミノ−グーイソプロピルベンゼン、ｍ−
キシリレンジアミン、ｐ−キシリレンジアミン、認、２
−ジメチルプロピレンジアミン、／、クーシクロヘキサ
ンジアミンおよびビス（３−アミノプロピル）スルフィ
ドが挙げられる。

当業者には自明の通り、有用な二無水物およびジアミン
を完全に列挙するのは不可能であって。

上記に列挙された実例を排他的なものと解すべきではな
い。　なお、有機ジアミンばかりでなく。

トリメリド酸塩化物と反応させて二無水物を得゛るため
に使用可能なものとして上記に記載されたようなジ（、
アミノアルキル）ポリシロキサンも一般式（２）の範囲
内に含まれることに留意すべきである。

上記のととき二無水物とジアミンとの反応生成物は、式
（３）すなわち （式中、Ｒは二無水物に由来するグ価の有機基またはオ
ルガノシロキサン含有基、そしてＲ１はジアミンに由来
する２価の有機基またはオルガノシロキサン含有基であ
る）で表わされる化学結合単位から成るポリアミド酸で
ある。

変性または感光性ポリアミド酸を得るためには１式（３
）のポリアミド酸なアクリル酸エステル、ケイ皮酸エス
テルまたは認、３−ジフェニルシクロプロペノールエス
テルのごとき感光性化合物と反応させれば望ましいこと
が判明した。　かかる感光性化合物が式（３）のポリア
ミド酸と反応して式（４）の感光性ポリアミド酸を生成
するようにするには、感光性化合物がポリアミド酸の酸
性水素原子を置換する官能基たとえばグリシジル基のご
ときエポキシ含有基を有することが必要である。　当業
者がポリアミド酸と感光性化合物との反応を一層明確に
理解できるようにするため、以下に反応式を上記式中、
　Ｗは／〜と個の炭素原子を有する２価の基、Ｂは感光
性のアクリル酸エステル、ケイ皮酸エステルまたは６２
ｓ３−ジフェニルシクロプロペノールエステル基、Ｒお
よびＲは前記に定義された通り、そしてＸは実質的に等
モル量の反応体が使用されることを示す。

有用な感光性化合物としては、メタクリル酸グリシジル
、ケイ皮酸グリシジル、グリシジル−認、３−ジフェニ
ルシクロプロペノール、フタル酸グリシジルアリルおよ
びグリシジルアリルエーテルが挙げられる。

最も好適な感光性化合物は、メタクリル酸グリシジル、
ケイ皮酸グリシジルおよびグリシジル−認、３−ジフェ
ニルシクロプロペノールである。

かかるポリアミド酸の変性は、実質的に光が存在せずか
つ適当な有機溶媒が存在する条件下でポリアミド酸と感
光性化合物との混合物を攪拌することによって達成され
る。　有用な有機溶媒としては、たとえば、Ｎ−メチル
ピロリドン、ジメチルアセトアミド、ジメチルホルムア
ミド、ジメトキシエタン、ジエチレングリコールジメチ
ルエーテルおよびジメチルスルホキシドが挙げられる。

一般的に言えば、反応混合物は室温下で約？〜約、２９
時間にわたって攪拌する必要がある。

感光性化合物でポリアミド酸を変性した後。

所望ならば、得られた感光性ポリアミド酸を適当な光反
応開始剤または増感剤で増感することができる。　その
場合、感光性ポリアミド酸の重量を基準として約θノ〜
約／θ（重量）％の増感剤を使用すればよい。　有用な
増感剤としては、たとえば、ミヒラーケトン、ベンゾフ
ェノンおよび認、ｃ、２−ジメトキシーーーフェニルア
セトフェノンのそれぞれとＮ−メチルジェタノールアミ
ンとの混合物が挙げられる。

こうして得られた感光性ポリアミド酸組成物は、ホトレ
ジストとして有用であると共に、電子装置とりわけ集積
回路において絶縁層パターンに転化させることができる
。　従って本発明は、上記の感光性ポリイミド酸組成物
を用いてシリコンウェーハのごとき基体上にポリイミド
絶縁層のパターンを形成する方法をも提供する。

それによれば、先ず、感光性ポリアミド酸組成物がテト
ラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルピ
ロリドン、ジメチルスルホキシドまたはエチレングリコ
ールジメトキシエーテルのごとき適当な不活性溶剤中に
溶解される。　かかる溶液の固形分含量は約Ｊ〜約９３
　（重量〕饅の範囲内にあればよいが、最も好ましくは
ｊ〜２ｊ（重量）％である。

通例はシリコンウェー八から成る基体の表面は、ホトレ
ジストによる十分な潮れおよび付着が達成されるよう、
適当な清浄処理な施さなければならない。

ホトレジストで基体を被覆するためには幾つかの方法が
ある。　選択すべき方法は、被膜の均一性および厚さに
関する要求条件に応じて決定される。　基体の小部分の
一面にホトレジストの薄くて均一な被膜が設置されかつ
高度の均一性が望まれる超小形電子工業分野においては
回転塗布法が特に有利である。　回転塗布法の場合、得
られる被膜の厚さは回転速度およびホトレジスト溶液の
固形分含量な変えることによって調節可能である。

基体にホトレジストを塗布するためのその池の方法とし
ては、吹付塗布法、浸漬塗布法およびローラ塗布法があ
る。　厚い被膜を形成するには恐らく吹付塗布法が最良
の方法であるが、ホトレジスト材料の無駄が生じる。　
浸漬塗布法は最も均一な被膜を力えるが、処理速度が比
較的遅く、かつ被膜の厚さに制約がある。　ローラ塗布
法は、剛性表面に極めて薄い被膜を均一に塗布する方法
である。

基体にホトレジストを塗布した後、不可欠ではないけれ
ど、ホトレジストのオーブン乾燥まだは露光前のベーキ
ングを行うことが多くの場合に望ましい。　このような
処理の結果、残留溶剤は除去され、付着力は増大し、か
つホトレジストは硬化する。　温度および時間は使用す
るホトレジストの種類に依存するが、一般にはそれぞれ
２０〜９０　Ｃおよび７０〜３０分である。

次に、ホトレジストの吸収スペクトルの範囲内に含まれ
る波長帯の光エネルギーを供給する光源を用いてホトレ
ジストが露光される。　露光を行うためには幾つかの技
術が知られている。　最も古くかつ恐らく最も広く使用
されている技術は密着焼付けであって、それによればウ
ェーハをマスクに密着させた状態で光が照射される。　
近接焼付けの場合には、マスクとウェーハとが通例７０
〜．；Ｑａｘの間隙に隔離されている。　投影焼付けの
場合には、高品質のレンズ系捷たは反射鏡系を用いてマ
スクの像がウェーハ表面上に投影される。　かかる露光
工程の目的は、光に暴露された部分のホトレジストを架
橋させる一方、遮蔽された非露光部分は架橋させないで
特定の溶剤に可溶な状態に保つことにある。

ホトレジストの現像は、架橋ポリアミド酸は不溶である
が非架橋ポリアミド酸は可溶であるような溶剤に露光済
みのホトレジストを接触させることから成る。　その結
果、基体の表面上には耐薬品性の強靭なマスクが得られ
る仁とになる。

最後に、ポリアミド酸なポリイミドに転化させるのに有
効な温度下において現像済みのホトレジストが加熱され
る。　一般的に言えば、イミド化のための所要温度は約
、２０θ〜約３θθＣの範囲内にあり、また所要時間は
約３θ〜約乙θ分の範囲内にある。

当業者が本発明を一層容易に実施し得るようにするため
、以下に実施例を示す。　これらの実施例は例示を目的
とするものであって、本発明の範囲を制限するものでは
ない。　全ての割合は重量による値である。

実施例 オθθｍｌのフラスコ内忙おいて、０７１モル（ｅ２．
２９　）　のオキシジアニリン、００３モル（７ｘｇ’
Ｉ）のビスアミノプロピルテトラメチルジシロキサンお
よび／ｊθ麻のトリグライムを混合した。

その後、０／’ｌ’１モル（７り０ｇ）のビスフェノー
ル八二無水物を添加し１次いで２θｍｌのテトラヒドロ
フランを添加した。　かかる混合物を／晩にわたって攪
拌した後、θ／ククモル（２θ、−ｅ　９）のメタクリ
ル酸グリシジルを添加した。　かかる混合物を更に、２
り時間にわたって攪拌した。

こうして得られた重合体の試料Ｓ０ｇをテトラヒドロフ
ランで固形分含量／θチにまで希釈した。　更に、３（
重量）％のイルガキュア（Ｉｒｇａｃｕｒｅ　）乙！／
増感剤を添加した。　得られた溶液をアルミニウム基体
上に流し塗りした。　３０分間にわたり風乾した後、７
タ〜とｔＣで７時間にわたり加熱乾燥することによって
溶剤を除去した。　アルミニウム基体を部分的に遮蔽し
た後、窒素雰囲気中において７０秒間にわたり紫外光に
暴露した。　次に、アルミニウム基体をテトラヒドロフ
ランで洗った。　その結果、非露光領域は溶剤に溶解し
たのに対し、露光領域はアルミニウム基体上に残留した
。

特許出願人ゼネラル−月７トリツク参力ンパニイ代理人
　（７６３０）生沼徳二

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 （式中、Ｒはグ価の有機基またはグ価のオルガノシロキ
   サン含有基、Ｒ１はΩ価の有機基またはΩ価のオルガノ
   シロキサン含有基、そしてＡは光反応性のアクリル酸エ
   ステル、ケイ皮酸エステルまたはλ、３−ジフェニルシ
   クロプロペノールエステル含有基である）で表わされる
   化学結合単位から主として成る感光性ポリアミド酸組成
   物。 認　前記感光性ポリアミド酸が、式 （式中、Ｒはグ価の有機基またはグ価のオルガノシロキ
   サン含有基、そしてＲ１はΩ価の有機基またはΩ価のオ
   ルガノシロキサン含有基である）で表わされる化学結合
   単位から主として成るポリアミド酸と式 （式中、Ｒ４は／〜と個の炭素原子を有するΩ価の基、
   そしてＢは感光性のアクリル酸エステル、ケイ皮酸エス
   テルまたは２，３−ジフェニルシクロプロペノールエス
   テル基である）で表わされる感光性化合物とを反応させ
   ることによって製造される特許請求の範囲第１項記載の
   組成物。 ３　前記感光性ポリアミド酸のＲ基が および （式中、Ｑは式−ＺＲ’Ｚ−で表わされる２価の基、Ｚ
   は一〇−または一団一、そしてＲ５およびＲ６は炭素原
   子数２〜／３の有機基である）の中から選ばれた炭素原
   子数ｇ〜３０のグ価の芳香族基である特許請求の範囲第
   １項記載の組成物。 グ　前記感光性ポリアミド酸のＲ基が式０式％ （式中、Ｄは両端に蟹素原子または酸素原子を有するオ
   ルガノシロキサン基である）で表わされる特許請求の範
   囲第１項記載の組成物。 よ　前記感光性ポリアミド酸のＲ１基が式０式％ （式中、Ｚは−ＣＨ２−１−Ｃ−または−〇−である）
   Ｈ３ または （式中、Ｒ７は炭素原子数／〜／３の有機基、そしてＸ
   は／〜約２００の整数である）で表わされる２価の基で
   ある特許請求の範囲第１項記載の組成物。 乙　前記感光性ポリアミド酸のＡ基がメタクリル酸グリ
   シジル、ケイ皮酸グリシジル、グリシジル−認、３−ジ
   フェニルシクロプロペノール、フタル酸グリシジルアリ
   ルおよびグリシジルアリルエーテルから成る群より選ば
   れた化合物から誘導された基である特許請求の範囲第１
   項記載の組成物。 ２　前記感光性ポリアミド酸を不活性溶剤に溶解して成
   る特許請求の範囲第１項記載の組成物。 と　約ｊ〜約９３Ｃ重量）％の固形分含量を有する特許
   請求の範囲第７項記載の組成物。 ワ　有効量の増感剤を特徴とする特許請求の範囲第１項
   記載の組成物。 ／θ　（ａ）式 （式中、Ｒはグ価の有機基またはグ価のオルガノシロキ
   サン含有基、Ｒ１は２価の有機基または２価のオルカッ
   シロキサン含有基、そしてＡは光反応性のアクリル酸エ
   ステル、ケイ皮酸エステルまたは認、３−ジフェニルシ
   クロプロペノールエステル含有基である）で表わされる
   化学結合単位から主として成る感光性ポリアミド酸を不
   活性溶剤に溶解して感光性ポリアミド酸組成物を調製し
   、（ｂ）実質的に光の存在しない条件下で基体上に前記
   感光性ポリアミド酸組成物の被膜を設置し、（Ｃ）被覆
   済みの前記基体を乾燥肌、（ｄ）前記感光性ポリアミド
   酸の特定領域を架橋させるのに十分な時間にわたって被
   覆済みの前記基体を露光し、（ｅ）架橋ポリアミド酸で
   被覆された前記基体を現像し、次いで（ｆ）前記ポリア
   ミド酸をポリイミドに転化させるのに有効な温度下にお
   いて、架橋ポリアミド酸で被覆されかつ現像された前記
   基体を加熱する諸工程から成ることを特徴とする、基体
   上にポリイミド絶縁層のパターンを形成する方法。 ／／　前記工程（ｄ）が密着焼付けによって達成される
   特許請求の範囲第１θ項記載の方法。 ７．２　前記工程（ｆ）が約２０θ〜約３００℃の温度
   下で３０〜乙θ分間にわたり前記基体を加熱することに
   よって達成される特許請求の範囲第１θ項記載の方法。 ７３式 （式中、Ｒはグ価の有機基またはグ価のオルガノシロキ
   サン含有基、そしてＲ１は２価の有機基または２価のオ
   ルガノシロキサン含有基である）で表わされる化学結合
   単位から主として成るポリアミド酸と式 （式中、Ｒ４は／〜と個の炭素原子を有する２価の基、
   そしてＢは感光性のアクリル酸エステル、ケイ皮酸エス
   テルまたは認、３−ジフェニルシクロプロペノールエス
   テル基である）で表わされる感光性化合物との混合物を
   攪拌する工程を含むことを特徴とする感光性ポリアミド
   酸組成物の製造方法。