JPH03194559A - 感光性ポリイミド前駆体用現像液 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、現像液、さらに詳しくいえば、感光性ポリイ
ミド前駆体からパターンを形成する際の感光性ポリイミ
ド前駆体用現像液に関するものである。

（従来の技術） 従来、ポリイミドに代表される耐熱性高分子化合物は、
その耐熱性や電気特性などを生かして。

例えば電気、自動車、航空機、宇宙、原子力などの分野
で、構造部材、プリント基板材料、耐熱絶縁材料などに
広く用いられている。また、半導体工業分野でポリイミ
ドがパッシベーション膜、α線遮へい膜、バッファコー
ト膜、ジャンクションコート膜などの表面保護膜や多層
配線板用の層間絶縁膜のような半導体素子用絶縁膜とし
て使用されている。さらに最近になってポリイミド前駆
体にパターン形成能を付与し、感光性ポリイミド前駆体
とし、工程の合理化が試みられている。

また、多層配線板用の層間絶縁膜および半導体メモリー
素子用のα線遮へい膜、バッファコート膜などの厚膜が
必要な用途に使用可能な感光性ボリイミドが求められて
いる。

（発明が解決しようとする課題） しかし、従来の感光性ポリイミド前駆体の現像液は、Ｎ
−メチルピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミド、
Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
などの溶剤を主成分としているため、露光により架橋構
造を形成した感光性ポリイミド前駆体に対しても強い親
和力を有している。

このため初期に厚く塗布した膜であっても、現像によっ
て残したい露光部まで現像液に溶解しやすく、現像時間
とともに露光部の膜厚も大幅に減少する。従って、目的
とする厚膜パターンの形成が困難なものとなる。

本発明の目的は、多層配線板用の眉間絶縁膜や半導体メ
モリー素子用のα線遮へい膜、バッファコート膜など、
厚膜のポリイミドパターン加工を可能にする感光性ポリ
イミド前駆体用現傷液を提供することにある。

（課題を解決するだめの手段） 本発明は、（Ａ）塩基性化合物および／または塩基性水
溶液、（Ｂ）アルコール化合物、　（ＣＩＮ−メチル−
２−ピロリドン、Ｎ−アセチル−２〜ピロリドン。

Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチレンホス
ホリックトリアミド、γ−ブチロラクトン、１．３−ジ
メチル−２−イミダゾリジン、Ｎ−アセチル−ε−カグ
ロラクタム、テトラメチレンスルホンからなる群から選
択される少なくとも１種の溶剤ならびに（Ｄ１ケトン化
合物の混合溶剤からなり、（Ａ）を２〜１５重量部、（
Ｂ）を２５〜６０重量部、（Ｃ）を２５〜６０重量部、
（Ｄ）を２〜１５重量部とし、全量が１００重量部とな
るように配合された感光性ポリイミド前駆体用現像液に
関する。

上記（Ａ）の塩基性化合物および塩基性水溶液の例とし
ては、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラ
エチルアンモニウムヒドロキシド、モノエタノールアミ
ン、ジェタノールアミン、トリエタノールアミン、トリ
イソプロパツールアミン。

インプロパツールアミン、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、水酸化バリウム、水酸化リチウム。

炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、炭酸リチウム、塩化カ
リウム、塩化リチウムおよびテトラメチルアンモニウム
ヒドロキシド水溶液、テトラエチルアンモニウムヒドロ
キシド水溶液、モノエタノールアミン水溶液、ジェタノ
ールアミン水溶液、トリエタノールアミン水溶液、トリ
イソプロパツールアミン水溶液。

インプロパツールアミン水溶液、水酸化ナトリウム水溶
液、水酸化カリウム水溶液、水酸化バリウム水溶液、水
酸化リチウム水溶液、炭酸す）　ＩＪウム水溶液。

炭酸カリウム水溶液、炭酸リチウム水溶液、塩化カリウ
ム水溶液、塩化リチウム水溶液などが挙げられる。好ま
しくは、モノエタノールアミン、ジェタノールアミン、
トリエタノールアミンである。

本発明に用いる上記（Ｂｌアルコール化合物として。

メチルアルコール、エチルアルコール　グロビルアルコ
ール、イングロビルアルコール、フチルアルコール、イ
ソブチルアルコール、アミルアルコール、イソアミルア
ルコール、ヘキシルアルコール、ヘプチルアルコール、
オクチルアルコール。

カプリルアルコール、ノニルアルコール、デシルアルコ
ール、ウンデシルアルコール、ドデシルアルコール、ト
リデシルアルコール、ペンタデシルアルコール、セチル
アルコール、ノブシルアルコールなどが挙げられる。好
ましくは、メチルアルコール、エチルアルコール、イソ
プロピルアルコールである。

また、上記（Ｃ）の化合物について、好ましくは。

Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセトアミドでちる。

上記ＣＤ）ケトン化合物については、アセトン、メチル
エチルケトン、イソプロピルメチルケトン。

メチルプロピルケトン、ブチルメチルケトン、イソブチ
ルメチルケトン、メチルビニルケトン、メチルへブテノ
ン、シクロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサ
ノン、アセトフェノン、プロピオフェノン、ブチロフェ
ノン、ベンゾフェノン。

ジベンジルケトンなどが挙げられる。好ましくは。

シクロブタノン、シクロペンタノン、シクロヘキサノン
である。

本発明の感光性ポリイミド前駆体用現像液は。

上記（Ａ）塩基性化合物および／ｌたは塩基性水溶液。

（Ｂ）アルコール化合物、（Ｃ）群の溶剤、および（Ｄ
）ケトン化合物の混合溶剤からなる。

（Ａ）塩基性化合物および／または塩基性水溶液。

（Ｂ３アルコール化合物、（Ｃ）群の溶剤、および（Ｄ
ｌケトン化合物の混合溶剤の割合は、　（Ａ）を２〜１
５重量部、（Ｂ）を２５〜６０重量部、（Ｃ）を２５〜
６０重量部、（Ｄ）を２〜１５重量部の範囲で配合する
。但し。

全配合量が１００重量部となるものとする。

本発明になる感光性ポリイミド前駆体用現像液を用いた
現像は、浸漬法、スプレー法、パドル法などによって常
法に従って行われ、容易に完了できる。現像した画像は
現像液を取り除くためリンス液で洗浄される。リンス液
としては、現像液と混和性の良い、ポリアミド酸（ポリ
イミドの前駆体ポリマー）に対する貧溶媒などが用いら
れる。

リンス液として、水、メチルアルコール、エチルアルコ
ール、イソプロピルアルコール、トルエン。

キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブなどが挙ケラレる。

（実施例） 以下、実施例によって９本発明を説明する。

参考例１ 感光性ポリイミド前駆体（Ａ）の合成 攪拌機、温度計９滴下漏斗、窒素導入管を備え付けたＩ
Ｉ！フラスコ内に、４．４’−ジアミノジフェニルエー
テル１００．１２部（０，５モル）、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン７３６部仕込み、窒素ガス雰囲気下で室温で
攪拌し、溶解した後、冷却した。

続いて、３．ｘ４，４′−ペンシブエノンテトラカルポ
ン酸二無水物１２８．９部（０，４モル）、１．３−ビ
ス（３，４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３
−テトラメチルジシロキサン二無水物４２６５部（０，
１モル）およびＮ−メチル−２−ピロリドン５０．４部
を仕込み、窒素ガス雰囲気下で反応温度３０℃で酸成分
が溶解するまで反応させ、さらに反応温度５５℃で２０
時間加熱し、ポリイミド前駆体を得た。次に得られたポ
リイミド前駆体にインシアナートエチルメタクリレート
３８．７９部（０，２５モル）を滴下漏斗より反応温度
３５℃で加え、１０時間攪拌し、感光性ポリイミド前駆
体（Ａ）を得た。

参考例２ 感光性ポリイミド前駆体（Ｂ）の合成 攪拌機、温度計９滴下漏斗、窒素導入管を備え付けた１
１！フラスコ内に、４．４’−ジアミノジフェニルエー
テル１００．１２部（０，５モル）、Ｎ−メチル−２−
ピロリドン６８６．６部仕込み、窒素ガス雰囲気下で室
温で攪拌し、溶解した後、冷却した。続いて、３．ｚ４
．４’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物８０
．５６部部（０，２５モル）、１゜３−ビス（３，４−
ジカルボキシフェニル）　−１，１゜３．３−テトラメ
チルジシロキサン二無水物１０６．７部（０，２５モル
）およびＮ−メチル−２−ピロリドン５０部を仕込み、
窒素ガス雰囲気下で反応温度３０℃で酸成分が溶解する
まで反応させ、さらに反応温度５５℃で２０時間加熱し
、ポリイミド前駆体を得た。次に得られたポリイミド前
駆体にインシアナートエチルメタクリレート３＆７９部
（０，２５モル〕を滴下漏斗よシ反応温度３５℃で加え
、１０時間攪拌し、感光性ポリイミド前駆体（Ｂ）を得
た。

参考例３ 感光性ポリイミド前駆体（Ｃ）の合成 攪拌機、温度計１滴下漏斗、窒素導入管を備え付けた１
／フラスコ内に、４．イージアミノジフェニルエーテル
１００．１２部（０，５モル）、Ｎ−メチル−２−ピロ
リドン６８１．２部仕込み、窒素ガス雰囲気下で室温で
攪拌し、溶解した後、冷却した。続いて、１，３−ビス
（亀４−ジカルボキシフェニル）−１，１，３，３−テ
トラメチルジシロキサン二無水物２１３．２７部（０，
５モル）、Ｎ−メチル−２−ピロリドン５０部を仕込み
、窒素ガス雰囲気下で反応温度３０℃で酸成分が溶解す
るまで反応させ、さらに反応温度５５℃で２０時間加熱
し。

ポリイミド前駆体を得た。次に得られたポリイミド前駆
体にインシアナートエチルメタクリレート３８、７９部
（０，２５モル）を滴下漏斗よシ反応温度３５℃で加え
、１０時間攪拌し、感光性ポリイミド前駆体（Ｃ１を得
た。

実施例１ 参考例１で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ａ）９０
部にテトラエチレングリコールジメタクリレート１０部
、３．５−ビス（４−ジエチルアミノベンシリテン）−
１−メチル−４−アザシクロへキサノン０．３　部およ
びＮ−（４−クロロフェニル）グリシンａ、０部を加え
混合した溶液をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ
、　ｐ、ｍ、で５秒間９次いで２０００　ｒ、　ｐ、ｍ
、で３０秒間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚
さ４３μｍの塗膜を得た。この塗膜にネガマスクを介し
て高圧水銀灯で３６５ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃ
ｍ”になるように光を照射した。次に、トリエタノール
アミン８重量部。

メチルアルコール４２重量部、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン４２重量部、シクロヘキサノ／８重量部からなる感
光性ポリイミド前駆体用現像液に。

室温で１２０秒浸漬した。次いで、水でリンスした。現
像物をリンス液から取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつ
けて乾燥した。特性を表１に示した。

実施例２ 参考例１で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ａ）８０
部に、２．２−ビス（４−メタクリロキシ・ペンタエト
キシフェニル）フロパン２０部、２．４−ジエチルチオ
キサントン１．０部、および４−ジメチルアミノ安息香
酸エチル２．０部を加え、混合した溶液をシリコンウエ
ノ・−上に回転数５０　Ｏｒ、ｐｌｍ。

で５秒間９次いで２０００　ｒ、ｐ、ｍ、で３０秒間回
転塗布し、７５℃で１３分間乾燥して厚さ４０μｍの塗
膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧水銀灯で
３６５　ｎｍの露光量が６００ｍＪ／ｃｍ２になるよう
に光を照射した。次にトリエタノールアミン１５重量部
、メチルアルコール３５重量部。

Ｎ−メチル−２−ピロリドン３５重量部、シクロへキサ
ノン１５重量部からなる感光性ポリイミド前駆体用現偉
液に、室温で１２０秒浸漬した。次いで水でリンスした
。現像物をリンス液から取り出し、直ちに窒素ガスを吹
きつけて乾燥した。特性を表１に示した。

実施例３ 参考例１で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ａ）９０
部にテトラエチレングリコールジメタクリレート１０部
、λ５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）−１
−メチル−４−アザシクロへキサノン０．３部およびＮ
−（４−ブロモフェニル）グリシン３．０部を加え混合
した溶液をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ、ｐ
、ｍ、で５秒間１次いで２００　Ｏｒ、ｐ、ｍ、で３０
秒間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４３μ
ｍの塗膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧水
銀灯で３６５ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃｍ”にな
るように光を照射した。次に、ジェタノールアミン１０
重量部。

メチルアルコール４０重量部、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセト
アミド４０重量部、シクロヘキサ７７１０重量部からな
る感光性ポリイミド前駆体用現像液に。

室温で１３０秒浸漬した。次いで水でリンスした。

現偉物をリンス液から取り出し、直ちに窒素ガスを吹き
つけて乾燥した。特性を表１に示した。

実施例４ 参考例２で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ｂ）９０
部にペンタエリスリトールトリアクリレート１０部１式
５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）−１−メ
チル−４−アザシクロへキサノン０．３　部およびＮ−
（４−クロロフェニル）グリシン３．０部を加え混合し
た溶液をシリコンウェハー上に回転数５００　ｒ、　ｐ
、ｍ、で５秒間２次いで２０００　ｒ、ｐ、ｍ、で３０
秒間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４２μ
ｍの塗膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧水
銀灯で３６５ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃｍ”にな
るように光を照射した。次に、トリエタノールアミン５
！量部。

メチルアルコール４５重量部、Ｎ−メチル−２−ピロリ
ドン４５重量部、シクロヘキサノン５重量部からなる感
光性ポリイミド前駆体用現像液に。

室温で１２０秒浸漬した。次いで、水でリンスした。現
像物をリンスから取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつけ
て乾燥した。特性を表１に示した。

実施例５ 参考例２で得られた感光性ポリイミド前駆体ＣＢ）８０
ｉＫ２．２−ビス（４−メタクリロキシ・ペンタエトキ
シフェニル）プロパン２０部、２．４−ジエチルチオキ
サントン１．０部および４−ジメチルアミノ安息香酸エ
チル２．０部を加え混合した溶液をシリコンウェハー上
に回転数５０　Ｏｒ、ｐ６ｍ、ｆ５秒間９次いで２００
０　ｒ、　ｐ、ｍ、で３０秒間回転塗布し、７５℃で１
３分間乾燥して厚さ４０μｍの塗膜を得た。この塗膜に
ネガマスクを介して高圧水銀灯で３６５　ｎｍの露光量
が６００　ｍＪ／ｃｍ２になるように光を照射した。次
にトリエタノールアミン１０ｉ量部、メチルアルコール
４０重量部、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４０重量部、
シクロヘキサノン１０］［置部からなる感光性ポリイミ
ド前駆体用現像液に、室温で１３５秒浸漬した。次いで
エチルアルコールでリンスした。現像物をリンス液から
取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつけて乾燥した。特性
を表１に示した。

実施例６ 参考例２で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ｂ）９０
部に、テトラエチレングリコールジメタクリレート１０
部、　　λ５−ビス（４−ジエチルアミノベンシリテン
）−１−メチル−４−アザシクロへキサノン０．３部、
およびＮ−フェニルグリシン３．０部を加え混合した溶
液をシリコンウエノ・−上に回転数５０　Ｏｒ、ｐｏｍ
、で５秒間９次いで２０００ｒ、ｐ、ｍ、で３０秒間回
転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４２μｍの塗
膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧水銀灯で
３６５　ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃｍ”になるよ
うに光を照射した。

次にジェタノールアミン２重量部、イソプロピルアルコ
ール４８］！量部、Ｎ−メチル−２−ピロリドン４８重
量部、シクロヘキサノン２重量部からなる感光性ポリイ
ミド前駆体用現像液に、室温で１３５秒浸漬した。次い
で、メチルアルコールでリンスした。現像物をリンス液
から取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつけて乾燥した。

特性を表１に示した。

実施例７ 参考例３で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ｃ）９０
部に、テトラエチレングリコールジメタクリレートｌ（
１，３，５−ビス（４−ジエチルアミノベンシリテン）
−１−メチル−４−アザシクロへキサノン０．３部およ
びＮ−フェニルグリシン３．０部を加え、混合した溶液
をシリコンウエノ・−上に回転数５０　Ｏｒ、ｐｏｍ、
で５秒間９次いで２０００ｒ、ｐ９ｍ、で３０秒間回転
塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４３μｍの塗膜
を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧水銀灯で３
６５　ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃｍ”になるよう
に光を照射した。

次にトリエタノールアミン１５重量部、メチルアルコー
ル３５１Ｆｊｔ部、Ｎ−メチル−２−ピロリドン３５重
量部、シクロヘキサノン１５重量部からなる感光性ポリ
イミド前駆体用現偉液に、室温で１２０秒浸漬した。次
いで水でリンスした。現像物をリンス液から取り出し、
直ちに窒素ガスを吹きつけて乾燥した。特性を表１に示
した。

実施例８ 参考例３で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ｃ１８０
部上ペンタエリスリトールトリアクリレート２０部、２
．４−ジエチルチオキサント７２０部および４−ジメチ
ルアミノ安息香酸エチル３．０部を加え、混合した溶液
をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ、ｐ６ｍ、で
５秒間９次いで２０００　ｒ、ｐ、ｍ。

で３０秒間回転塗布し、７５℃で１３分間乾燥して厚さ
４１μｍの塗膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して
高圧水銀灯で３６５　ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃ
ｍ”になるように光を照射した。次にトリエタノールア
ミン１０重量部、エチルアルコール４０重量部、Ｎ、Ｎ
−ジメチルホルムアミド４０重量部、シクロペンタノン
１０重量部からなる感光性ポリイミド前駆体用現像液に
、室温で１２０秒浸漬した。次いで水でリンスした。現
像物をリンス液から取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつ
けて乾燥した。特性を表１に示した。

比較例１ 参考例１で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ａ１８０
部にテトラエチレングリコールジメタクリレー）２（１
，３，５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）−
１−メチル−４−アザシクロへキサノン０．３部および
Ｎ−（４−シアノフェニル）グリシン３．０部を加え、
混合した溶液をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ
、ｐ、ｍ、で５秒間９次いで２０００　ｒ、ｐｏｍ、で
３０秒間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４
１μｍの塗膜を得た。

この塗膜にネガマスクを介して高圧水銀灯で３６５ｎｍ
の露光量が６００　ｍＪ／ｃｘ１”になるように光を照
射した。次にＮ−メチル−２−ピロリドン９０重量部、
メチルアルコール１０重量部からなる感光性ポリイミド
前駆体用現像液に、室温で１１０秒浸漬した。次いで水
でリンスした。現像物をリンス液から取り出し、直ちに
窒素ガスを吹きつけて乾燥した。特性を表１に示した。

比較例２ 参考例１で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ａ）９０
部にペンタエリスリトールトリアクリレート１（１，＆
５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）−１−メ
チル−４−アザシクロへキサノン０．３部およびＮ−（
４−シアノフェニル）グリシン３．０部を加え、混合し
た溶液をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ、ｐ、
ｍ、で５秒間９次いで２０００　ｒ、ｐ８ｍ、で３０秒
間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４３μｍ
の塗膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧水銀
灯で３６５ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃｎ＋”にな
るように光を照射した。次に、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルム
アミド９０重量部、メチルアルコール１０重量部からな
る感光性ポリイミド前駆体用現像液に、室温で１２０秒
浸漬した。次いで水でリンスした。現偉物をリンス液か
ら取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつけて乾燥した。特
性を表１に示した。

比較例３ 参考例２で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ｂ１８θ
部にテトラエチレングリコールジメタクリレート２０部
、３．５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）−
１−メチル−４−アザシクロへキサノン０．３部および
Ｎ−（４−シアノフェニル）グリシン３．０部を加え、
混合した溶液をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ
、ｐｏｍ、で５秒間１次いで２０００　ｒ、ｐ、ｍ、で
３０秒間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４
０μｍの塗膜を得た。

この塗膜にネガマスクを介して高圧水銀灯で３６５ｎｍ
の露光量が６００　ｍＪ／ｃｍ２になるように光を照射
した。次に、Ｎ−メチル−２−ピロリドン９０重量部、
メチルアルコール１０重量部からなる感光性ポリイミド
前駆体用現像液に、室温で１２０秒浸漬した。次いで水
でリンスした。現像物をリンス液から取り出し、直ちに
窒素ガスを吹きつけて乾燥した。特性を表１に示した。

比較例４ 参考例３で得られた感光性ポリイミド前駆体（Ｃ）８０
部にペンタエリスリトールトリアクリレート２０部、３
．５−ビス（４−ジエチルアミノベンジリデン）−１−
メチル−４−アザシクロへキサノン０．３　部およびＮ
−（４−シアノフェニル）グリシン３．０部を加え、混
合した溶液をシリコンウェハー上に回転数５０　Ｏｒ、
ｐ、ｍ、で５秒間９次いで２００　Ｏｒ、ｐ、ｍ、で３
０秒間回転塗布し、７５℃で１０分間乾燥して厚さ４２
μｍの塗膜を得た。この塗膜にネガマスクを介して高圧
水銀灯で３６５ｎｍの露光量が６００　ｍＪ／ｃｍ”に
なるように光を照射した。次に、Ｎ、Ｎ−ジメチルアセ
トアミド９０重量部、メチルアルコール１０重量部から
なる感光性ポリイミド前駆体用現像液に、室温で１２０
秒浸漬した。次いで、水でリンスした。現像物をリンス
液から取り出し、直ちに窒素ガスを吹きつけて乾燥した
。特性を表１に示した。

表１ （注１）その幅のライン＆スペースが解偉すれる。

（注２）その幅のライン＆スペースのパターンのライン
が現像によっては、はくシしない。

（注３）１００°Ｃ，２００℃、３５０℃、各々６０分
間処理したものの膜厚を日本真空技術社製デイックタッ
ク装置で測定。

表１に示したようにＮ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ、
Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムア
ミドなどの溶剤を主成分とした感光性ポリイミド前駆体
用現像液を用いたものに比べ。

本発明の感光性ポリイミド前駆体用現像液を用いたもの
が、解像度、密着性に優れていた。また。

熱処理後も膜減りの少ない厚膜の良好なポリイミドパタ
ーンが得られた。

（発明の効果） 本発明の感光性ポリイミド前駆体用現像液を使用するこ
とによって厚膜のポリイミド加工において、現像時の膜
減シを最小限に抑制でき、厚膜の極めて微細なポリイミ
ドパターンを裕度をもって得ることができる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １、（Ａ）塩基性化合物および／または塩基性水溶液、
   （Ｂ）アルコール化合物、（Ｃ）Ｎ−メチル−２−ピロ
   リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
   チルアセトアミド、ジメチルスルホキシド、ヘキサメチ
   レンホスホリックトリアミド、γ−ブチロラクトン、１
   ，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、Ｎ−アセチル
   −ε−カプロラクタム、テトラメチレンスルホンからな
   る群から選択される少なくとも１種の溶剤ならびに（Ｄ
   ）ケトン化合物の混合溶剤からなり、（Ａ）を２〜１５
   重量部、（Ｂ）を２５〜６０重量部、（Ｃ）を２５〜６
   ０重量部、（Ｄ）を２〜１５重量部とし、全量が１００
   重量部となるように配合された感光性ポリイミド前駆体
   用現像液。