KR890005752A - 반도체 비휘발성 메모리 장치 - Google Patents

반도체 비휘발성 메모리 장치 Download PDF

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KR890005752A
KR890005752A KR1019880012101A KR880012101A KR890005752A KR 890005752 A KR890005752 A KR 890005752A KR 1019880012101 A KR1019880012101 A KR 1019880012101A KR 880012101 A KR880012101 A KR 880012101A KR 890005752 A KR890005752 A KR 890005752A
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semiconductor nonvolatile
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히데끼 아라까와
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야마모도 다꾸마
후지쓰 가부시끼가이샤
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    • G11C—STATIC STORES
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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
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Abstract

내용 없음

Description

반도체 비휘발성 메모리 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제2도는 본 발명에 따른 반도체 비휘발성 메모리 장치의 원리를 설명하는 블럭도.
제3도는 본 발명의 실시예로서 NVRAM장치의 구성을 설명하는 블록도.
제4도는 제3도에 도시된 고전압전송·회로구성을 도시한 회로도.

Claims (11)

  1. 비휘발성 메모리셀부를 포함하는 메모리셀 (MCij)을 갖추고 있으며, 상기 메모리셀이 다수 워드선(WL1- WLm)과 다수 비트선(BL1 -BLm)의 각 교점에 제공되는 메모리셀 어레이(1) ; 외부 전력공급전압 (Vcc)이 공급되며, 상기 비휘발성 메모리셀부에 데이타를 기억하는데 요구되는 고전압(VHH)을 발생하는 고전압 발생회로(2) ; 각각이 상기 메모리셀 어레이에서의 소정수셀의 단위를 분할되는 대응 다수블록(B1-BK)각각에 배당되며, 대응블록내의 상기 모든셀에 공통으로 접속되는 다수 고전압 와이어링; 및 상기 다수 고전압 와이어링과 상기 고전압 발생회로 사이에 동작적으로 접속되어 있으며, 상기 고전압을 상기 대응블록내의 상기 셀로 송신하고, 누설이 대응블록내의 상기 셀중 어느 하나에서 발생할때 상기 대응블록으로의 상기 전압 이송을 중지하는 다수 고전압 이송회로(41-4K)로 구성되는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 다수 고전압 이송회로의 각각의 대응 고전압 와이어링(13)의 끝과 소정 레벨의 전력공급선(Vcc)사이에 접속되며, 소정 논리레벨을 가지는 제어신호(TS)에 응하여 온되는 트랜지스터(40), 상기 대응 고전압 와이어링의 상기 단과 상기 고전압 발생회로 사이에 접속되어 있으며, 상기 고전압을 상기 고전압 발생회로로부터 클록(CLK)체인에 응하여 상기 고전압 와이어링으로 송신하는 전화펌핑회로(41)로 구성되는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 와이어링상의 전위는 상기 소정논리레벨의 상기제어신호(TS)가 소정시간동안 상기 트랜지스터(40)에 인가된 후에 셀내의 상기 누설로 인하여 하강할때 상기 전하핌핑회로(41)가 상기 고전압 와이어링을 송신하는 것을 중지하는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 제어신호(TS)와 상기 체인클록(CLK)을 발생하는 제어기(20)를 더욱 포함하며, 상기 제어신호가 외부 기억신호(ST)에 응하여 발생되며, 상기 클록체인이 상기 제어 신호발생후에 소정 시간에서 발생되는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서, 상기 소정시간이 대응 고전압 와이어링상의 전위가 상기 셀내의 누설로 인하여 어떤 레벨에 고정되는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  6. 제 1 항에 있어서, 상기 다수 블록 각각이 상기 다수 워드선중 하나를 포함하는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  7. 제 1 항에 있어서, 상기 다수 블록 각각이 상기 다수 비트선중 하나를 포함하는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  8. 제 1 항에 있어서, 상기 다수 블록 각각이 상기 다수 워드선으로 소정수 장치를 분할하는 2 또는 2 이상이 워드선을 포함하는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  9. 제 1 항에 있어서, 상기 다수 블록 각각이 상기 다수 비트선으로 소정수 장치를 분할하는 2 이상이 비트선을 포함하는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서, 상기 다수 블록 각각이 상기 다수 비트선으로 소정수 장치를 분할하는 2 이상의 비트선을 포함하며,또 다른 소정수 비트선이 선택된 메모리셀로부터 독출되는 데이타의 논리레벨로 에러를 교정하기 위하여 채용되는 반도체 비휘발성 메모리 장치.
  11. 제 10 항에 있어서, 상기 소정수 비트선과 상기 또다른 소정수 비트선을 위하여 제공되는 에러교정회로(22)를 더욱 포함하는 반도체 비휘발성 메모리 장치
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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