JPS61227300A - 電気的に変更可能なｒｏｍへの書込み方法 - Google Patents
電気的に変更可能なｒｏｍへの書込み方法Info
- Publication number
- JPS61227300A JPS61227300A JP60065972A JP6597285A JPS61227300A JP S61227300 A JPS61227300 A JP S61227300A JP 60065972 A JP60065972 A JP 60065972A JP 6597285 A JP6597285 A JP 6597285A JP S61227300 A JPS61227300 A JP S61227300A
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- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、電気的に変更可能な読み出し専用記憶素子（
以下、ＥＥＰＲＯＭ）の書込み方法に関する。
以下、ＥＥＰＲＯＭ）の書込み方法に関する。
〈従来の技術〉
ＥＥＰＲＯＭは、消去可能なプログラマブルＲＯＭ （
ＪＸ下、ＥＦＲＯＭ）ｌｉｉｌ様、記憶サレタデータ内
容の消去・書込みが出来、かつ書込んだ情報は電源が切
れてもバックアップなしで保持することができる。
ＪＸ下、ＥＦＲＯＭ）ｌｉｉｌ様、記憶サレタデータ内
容の消去・書込みが出来、かつ書込んだ情報は電源が切
れてもバックアップなしで保持することができる。
ＥＰＲＯＭはデータ消去時に紫外線照射を必要とする。
これに対し、ＥＥＰＲＯＭは記憶されたデータを電気的
に消去できる為、記憶素子を回路内に組込んだままの状
態でデータの内容の更新が出来る利点がある。
に消去できる為、記憶素子を回路内に組込んだままの状
態でデータの内容の更新が出来る利点がある。
しかしながら、ＥＥＰＲＯＭの書込み回数には制限があ
り、１００万回程度書込みが可能な特殊なものを除き、
通常のものは書込み回数の上限が１万回程度に押えられ
ている。
り、１００万回程度書込みが可能な特殊なものを除き、
通常のものは書込み回数の上限が１万回程度に押えられ
ている。
この為、ＥＥＰＲＯＭは書込み回数の少ない用途にしか
使用されず、これ迄、この素子の特長を充分に生かすこ
とが出来なかった。
使用されず、これ迄、この素子の特長を充分に生かすこ
とが出来なかった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
本発明が解決しようとする技術的課題は、ＥＥＰＲＯＭ
の書込み回数を実質的に増加させ、ＥＥＰＲＯＭを書込
み回数の多い用途にも使用出来るようにすることにある
。
の書込み回数を実質的に増加させ、ＥＥＰＲＯＭを書込
み回数の多い用途にも使用出来るようにすることにある
。
く問題点を解決するための手段〉
本発明の構成は、電気的に変更可能な読み出し専用記憶
素子のメモリ領域を、データのアドレス情報が記憶され
る領域と、データ情報が記憶される領域、並びに前記デ
ータ情報領域中、未だ情報記憶に使用されない予備デー
タ情報領域のアドレスを記憶する領域とに区分し、更新
すべきデータ情報が入力されると、前記データのアドレ
ス情報が記憶された領域から、この入力によって指定さ
れたアドレスのデータ・アドレス情報を読み出し、これ
に対応する前記データ情報領域中のアドレスにデータ情
報を書込み、書込まれた情報と前記入力データ情報との
一致をとり、一致していれば終了し、不一致の場合には
同様な操作を所定回数繰り返し、尚不一致の場合、前記
予備データ情報領域のアドレスが記憶された領域から予
備データ情報のアドレス情報を読み出し、このアドレス
によって前記データのアドレス情報が記憶された領域の
アドレスを書き換え、このアドレス対応する前記予備デ
ータ情報領域に前記データ情報を書込むようにした。
素子のメモリ領域を、データのアドレス情報が記憶され
る領域と、データ情報が記憶される領域、並びに前記デ
ータ情報領域中、未だ情報記憶に使用されない予備デー
タ情報領域のアドレスを記憶する領域とに区分し、更新
すべきデータ情報が入力されると、前記データのアドレ
ス情報が記憶された領域から、この入力によって指定さ
れたアドレスのデータ・アドレス情報を読み出し、これ
に対応する前記データ情報領域中のアドレスにデータ情
報を書込み、書込まれた情報と前記入力データ情報との
一致をとり、一致していれば終了し、不一致の場合には
同様な操作を所定回数繰り返し、尚不一致の場合、前記
予備データ情報領域のアドレスが記憶された領域から予
備データ情報のアドレス情報を読み出し、このアドレス
によって前記データのアドレス情報が記憶された領域の
アドレスを書き換え、このアドレス対応する前記予備デ
ータ情報領域に前記データ情報を書込むようにした。
く作用〉
前記の技術手段は次のように作用する。即ち、ＥＥＦＲ
ＯＭでは全てのビットが使用されることはなく、必ず未
使用部分が存在する。本発明では、この未使用部分を予
備のデータ情報領域として利用するものである。
ＯＭでは全てのビットが使用されることはなく、必ず未
使用部分が存在する。本発明では、この未使用部分を予
備のデータ情報領域として利用するものである。
更新すべきデータ情報が入力されると、この人力によっ
て指定されたアドレス情報に基づき、前記データ情報領
域の所定のアドレスにデータ情報を書込む。
て指定されたアドレス情報に基づき、前記データ情報領
域の所定のアドレスにデータ情報を書込む。
書込まれる毎に元の入力データ情報と比較され、一致し
ていればそのアドレスは異常なしと判断され終了し、所
定回数一致作業を繰り返しても尚不一致の場合、そのア
ドレスは異常と判断され前記予備データ情報領域に前記
データ情報が書込まれる。
ていればそのアドレスは異常なしと判断され終了し、所
定回数一致作業を繰り返しても尚不一致の場合、そのア
ドレスは異常と判断され前記予備データ情報領域に前記
データ情報が書込まれる。
データ情報を書込む毎にアドレスの状態がチェックされ
異常と判断されたとき、予備のデータ情報領域を使って
書込みを行うようにした為、ＥＥＰＲＯＭの書込み回数
を実質的に増やすことが出来、ＥＥＰＲＯＭの書込み制
限回数を意識せずに使用することが出来る。
異常と判断されたとき、予備のデータ情報領域を使って
書込みを行うようにした為、ＥＥＰＲＯＭの書込み回数
を実質的に増やすことが出来、ＥＥＰＲＯＭの書込み制
限回数を意識せずに使用することが出来る。
〈実施例〉
以下図面に従い本発明の詳細な説明する。１１１図は本
発明方法によるＥＥＦＲＯＭ回路の構成図である。１は
ＥＥＰＲＯＭで、メモリ領域はデータのアドレス情報が
記憶される領［Ａと、データ情報が記憶される領域Ｂと
、データ情報領域日中未だ情報記憶に使用されない予備
データ情報領域Ｂ’ （点線で囲んだ部分）の最先の
アドレスを記憶する領域Ｃとより構成されている。
発明方法によるＥＥＦＲＯＭ回路の構成図である。１は
ＥＥＰＲＯＭで、メモリ領域はデータのアドレス情報が
記憶される領［Ａと、データ情報が記憶される領域Ｂと
、データ情報領域日中未だ情報記憶に使用されない予備
データ情報領域Ｂ’ （点線で囲んだ部分）の最先の
アドレスを記憶する領域Ｃとより構成されている。
２は中央演算処理装置（以下、ＣＰＵ）、３はプログラ
ム、アドレス情報等が格納されたＥＰＲＯＭ、４は電源
が切れた時消失しても良いコンテムボラリなデータが格
納されたランダム・アクセス・メモリ（以下、ＲＡＭ）
で、これらの間においてバス５を介しデータ情報並びに
アドレス情報の交換が行われる。
ム、アドレス情報等が格納されたＥＰＲＯＭ、４は電源
が切れた時消失しても良いコンテムボラリなデータが格
納されたランダム・アクセス・メモリ（以下、ＲＡＭ）
で、これらの間においてバス５を介しデータ情報並びに
アドレス情報の交換が行われる。
次に、本発明方法によるデータ書込み方法について第２
図のフローチャートに従い説明を行う。
図のフローチャートに従い説明を行う。
ＥＰＲＯＭ３には、ＥＥＰＲＯＭＩの領域Ａのアドレス
に対応し、データ情報のタグとなるアドレス情報が格納
されている。ＥＥＰＲＯＭＩの内容を更新する場合、操
作部より書込みデータ情報が入力され、ＥＰＲＯＭ３を
介しアドレスが特定される。これに基づき、ステップ（
１）において、ＥＥＰＲＯＭｌの領域Ａにおける対応ア
ドレスより情報が読み出される。この情報は、データ領
域Ｂにおけるアドレス情報であって、ステップ（２）に
おいて、この情報によって指定されたデータ領域Ｂのア
ドレスにデータ情報が書込まれる。
に対応し、データ情報のタグとなるアドレス情報が格納
されている。ＥＥＰＲＯＭＩの内容を更新する場合、操
作部より書込みデータ情報が入力され、ＥＰＲＯＭ３を
介しアドレスが特定される。これに基づき、ステップ（
１）において、ＥＥＰＲＯＭｌの領域Ａにおける対応ア
ドレスより情報が読み出される。この情報は、データ領
域Ｂにおけるアドレス情報であって、ステップ（２）に
おいて、この情報によって指定されたデータ領域Ｂのア
ドレスにデータ情報が書込まれる。
ステップ（３）において、ＥＥＰＲＯＭｌに書込まれた
データ情報が読み出され、ステップ（４）において、読
み出されたデータ情報と、レジスタ等に記憶された元の
入力データ情報との一致がＣＰＵ内においてとられる。
データ情報が読み出され、ステップ（４）において、読
み出されたデータ情報と、レジスタ等に記憶された元の
入力データ情報との一致がＣＰＵ内においてとられる。
一致していれば、このアドレスに異常がないと判断し、
一致していなければ、ステップ（５）に進み、Ｎ回同様
な操作を繰り返して尚不一致の場合、このアドレスは異
常と判断しステップ（６）に進む。
一致していなければ、ステップ（５）に進み、Ｎ回同様
な操作を繰り返して尚不一致の場合、このアドレスは異
常と判断しステップ（６）に進む。
ステップ（６）において、領域Ｃに記憶された予備デー
タ情報領域Ｂ′のアドレス情報を読み出し、ステップ（
７）において、読み出されたアドレスによって領域Ａの
アドレスを書き換える。次いで、ステップ（８）におい
て、領域Ｃのアドレス情報を１つ繰り上げてスタートに
戻る。
タ情報領域Ｂ′のアドレス情報を読み出し、ステップ（
７）において、読み出されたアドレスによって領域Ａの
アドレスを書き換える。次いで、ステップ（８）におい
て、領域Ｃのアドレス情報を１つ繰り上げてスタートに
戻る。
この後、ステップ（１）、（２＞において、予備データ
情報領域Ｂ′へデータ情報が書込まれ、以下同様な手順
で操作が繰り返される。
情報領域Ｂ′へデータ情報が書込まれ、以下同様な手順
で操作が繰り返される。
く発明の効果〉
本発明によれば、ＥＥＰＲＯＭの未使用のメモリ領域を
予備のデータ情報領ｉａＢ’ として利用し、データ情
報が書込まれる毎に元の入力データ情報との一致をとり
、書込みが行われたアドレスの異常をチェックし、異常
と判断されたとき予備データ情報領域Ｂ′に前記データ
情報を書込むようにした為、ＥＥＰＲＯＭの書込み制限
回数を実質的に増やすことが出来、ＥＥＰＲＯＭを書込
み制限回数の多い用途にも回答支障なく使用することが
出来る。
予備のデータ情報領ｉａＢ’ として利用し、データ情
報が書込まれる毎に元の入力データ情報との一致をとり
、書込みが行われたアドレスの異常をチェックし、異常
と判断されたとき予備データ情報領域Ｂ′に前記データ
情報を書込むようにした為、ＥＥＰＲＯＭの書込み制限
回数を実質的に増やすことが出来、ＥＥＰＲＯＭを書込
み制限回数の多い用途にも回答支障なく使用することが
出来る。
尚、予備データ情報領域Ｂ′のメモリ容量には制限があ
り、これを越えて書込みは出来ない。しかし、領域Ｃ（
予備データ情報領域Ｂ′のアドレ、スを記憶する領域）
の内容をチェックし、これが前記制限を越えたときに警
報を発するようにする程度のことは簡単に行える。
り、これを越えて書込みは出来ない。しかし、領域Ｃ（
予備データ情報領域Ｂ′のアドレ、スを記憶する領域）
の内容をチェックし、これが前記制限を越えたときに警
報を発するようにする程度のことは簡単に行える。
第１図は本発明方法によるＥＥＰＲＯＭ回路の構成図、
第２図は本発明方法によるデータ書込み方法を説明する
フローチャートである。 １・・・ＥＥＰＲＯＭ、Ａ・・・データのアドレス情報
が記憶される領域、Ｂ・・・データ情報が記憶される領
域、Ｃ・・・データ情報領域日中未だ情報記憶に使用さ
れていない予備データ情報領域のアドレスを記憶する領
域、２ ・ＣＰ Ｕ、３−ＥＰＲＯＭ、４・・・ＲＡＭ
、５・・・バス
第２図は本発明方法によるデータ書込み方法を説明する
フローチャートである。 １・・・ＥＥＰＲＯＭ、Ａ・・・データのアドレス情報
が記憶される領域、Ｂ・・・データ情報が記憶される領
域、Ｃ・・・データ情報領域日中未だ情報記憶に使用さ
れていない予備データ情報領域のアドレスを記憶する領
域、２ ・ＣＰ Ｕ、３−ＥＰＲＯＭ、４・・・ＲＡＭ
、５・・・バス
Claims (1)
- 電気的に変更可能な読み出し専用記憶素子のメモリ領
域を、データのアドレス情報が記憶される領域と、デー
タ情報が記憶される領域、並びに前記データ情報領域中
、未だ情報記憶に使用されない予備データ情報領域のア
ドレスを記憶する領域とに区分し、更新すべきデータ情
報が入力されると、前記データのアドレス情報が記憶さ
れた領域から、この入力によつて指定されたアドレスの
データ・アドレス情報を読み出し、これに対応する前記
データ情報領域中のアドレスにデータ情報を書込み、書
込まれた情報と前記入力データ情報との一致をとり、一
致していれば終了し、不一致の場合には同様な操作を所
定回数繰り返し、尚不一致の場合、前記予備データ情報
領域のアドレスが記憶された領域から予備データ情報の
アドレス情報を読み出し、このアドレスによつて前記デ
ータのアドレス情報が記憶された領域のアドレスを書き
換え、このアドレス対応する前記予備データ情報領域に
前記データ情報を書込むようにした電気的に変更可能な
ＲＯＭへの書込方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065972A JPS61227300A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 電気的に変更可能なｒｏｍへの書込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60065972A JPS61227300A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 電気的に変更可能なｒｏｍへの書込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61227300A true JPS61227300A (ja) | 1986-10-09 |
Family
ID=13302419
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60065972A Pending JPS61227300A (ja) | 1985-03-29 | 1985-03-29 | 電気的に変更可能なｒｏｍへの書込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61227300A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6462900A (en) * | 1987-09-02 | 1989-03-09 | Hitachi Ltd | Method for evaluating nonvolatile storage element and data processor using it |
| JPS6478493A (en) * | 1987-09-19 | 1989-03-23 | Fujitsu Ltd | Nonvolatile memory device |
| JPH01109596A (ja) * | 1987-10-22 | 1989-04-26 | Fuji Electric Co Ltd | Ｅｅｐｒｏｍへのデータ書込み方法 |
| JPH01286199A (ja) * | 1988-05-12 | 1989-11-17 | Hitachi Ltd | 書替え可能な不揮発性メモリ書替え装置 |
| JPH0376678A (ja) * | 1989-08-03 | 1991-04-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | ページ・プリンタおよびその制御装置 |
| JPH03221972A (ja) * | 1990-01-29 | 1991-09-30 | Tokyo Electric Co Ltd | 電子写真装置 |
| JPH04133149A (ja) * | 1990-09-26 | 1992-05-07 | Yamatake Honeywell Co Ltd | データ記憶装置 |
| JPH04137078A (ja) * | 1990-09-28 | 1992-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH0493999U (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | ||
| JP5014125B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2012-08-29 | スパンション エルエルシー | 半導体装置及びプログラムデータ冗長方法 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5671897A (en) * | 1979-11-13 | 1981-06-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Nonvolatile storage device |
-
1985
- 1985-03-29 JP JP60065972A patent/JPS61227300A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2584120B2 (ja) * | 1990-09-28 | 1997-02-19 | 富士写真フイルム株式会社 | メモリカードにおけるデータ記録方法およびメモリカードシステム |
| JPH0493999U (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-14 | ||
| JP5014125B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2012-08-29 | スパンション エルエルシー | 半導体装置及びプログラムデータ冗長方法 |
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