JPH03252993A - E↑2promの情報書込み装置 - Google Patents
E↑2promの情報書込み装置Info
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- JPH03252993A JPH03252993A JP2047166A JP4716690A JPH03252993A JP H03252993 A JPH03252993 A JP H03252993A JP 2047166 A JP2047166 A JP 2047166A JP 4716690 A JP4716690 A JP 4716690A JP H03252993 A JPH03252993 A JP H03252993A
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- write
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- writing
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- e2prom
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 101100521334 Mus musculus Prom1 gene Proteins 0.000 claims abstract 6
- 230000004044 response Effects 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 13
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
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- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、電気的に消去可能なE2PROM (EEP
ROMとも称す)に対する情報書込み装置に関する。
ROMとも称す)に対する情報書込み装置に関する。
[従来の技術〕
中央を寅算処理装置(cpu)の実行対象の演算プログ
ラムを格納しておくメモリとして、不揮発性で、かつ、
電気的に消去可能なE2PROMが知られている。E2
PROMの書き込みはページ書き込みを用いているので
、書き込み装置にアドレス指定された書き込み対象の1
ペ一ジ分の情報をメモリ内のレジスタに保持し、このレ
ジスタに保持されている情報を各対応のアドレスのメモ
リセルに記憶させて行く。このE2PROMに対して記
憶内容を全面的に書き換える場合、8にバイトのE2P
ROMで約2〜3秒の時間を要し、書き込み時間がラン
ダムアクセスメモリ(RAM)に比べると非常に長くな
るという欠点があった。
ラムを格納しておくメモリとして、不揮発性で、かつ、
電気的に消去可能なE2PROMが知られている。E2
PROMの書き込みはページ書き込みを用いているので
、書き込み装置にアドレス指定された書き込み対象の1
ペ一ジ分の情報をメモリ内のレジスタに保持し、このレ
ジスタに保持されている情報を各対応のアドレスのメモ
リセルに記憶させて行く。このE2PROMに対して記
憶内容を全面的に書き換える場合、8にバイトのE2P
ROMで約2〜3秒の時間を要し、書き込み時間がラン
ダムアクセスメモリ(RAM)に比べると非常に長くな
るという欠点があった。
したがって、プログラム格納用に複数個のE2PROM
を用いると、従来では1つのE2PROMの書き込みが
終了した後、次のE2PROMの書き込みを行うので、
全てのE2PROMの書換えに数十秒という多大の時間
がかかるという不具合が従来のE2PROMの書込み装
置にはあった。
を用いると、従来では1つのE2PROMの書き込みが
終了した後、次のE2PROMの書き込みを行うので、
全てのE2PROMの書換えに数十秒という多大の時間
がかかるという不具合が従来のE2PROMの書込み装
置にはあった。
そこで、本発明の目的は、このような不具合を解消し、
従来のE2PROM自身の回路変更を行うことなく、複
数のE2PROMに渡る記憶内容の書き換え時間を短縮
させることが可能なE2PROMの情報書込み装置を提
供することにある。
従来のE2PROM自身の回路変更を行うことなく、複
数のE2PROMに渡る記憶内容の書き換え時間を短縮
させることが可能なE2PROMの情報書込み装置を提
供することにある。
E2PROMに記憶されたことを検出する書込み終了検
出手段と、該書込み終了検出手段の書込終了の検出に応
じて次回の書込みを前記書込み指示手段に指令する制御
手段とを具えたことを特徴とする。
出手段と、該書込み終了検出手段の書込終了の検出に応
じて次回の書込みを前記書込み指示手段に指令する制御
手段とを具えたことを特徴とする。
〔作 用1
本発明では、複数のE2PROMに対して並列的に情報
の書き込みを行うようにしたので、従来の直列的な書き
込み処理に比べて、E2PROMの個数に反比例した時
間で書き込み処理を終了することができる。
の書き込みを行うようにしたので、従来の直列的な書き
込み処理に比べて、E2PROMの個数に反比例した時
間で書き込み処理を終了することができる。
このような目的を達成するために、本発明は、複数のE
2PROMに記憶すべき情報を、前記複数のE2PRO
M毎に予め分割し、当該分割した各情報を一定容量単位
で前記複数のE2PROMにほぼ同時に送信すると共に
書込みの指示を行う書込み指示手段と、当該書込みの指
示された情報が前記複数の[実施例] 以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。
2PROMに記憶すべき情報を、前記複数のE2PRO
M毎に予め分割し、当該分割した各情報を一定容量単位
で前記複数のE2PROMにほぼ同時に送信すると共に
書込みの指示を行う書込み指示手段と、当該書込みの指
示された情報が前記複数の[実施例] 以下、図面を参照して本発明実施例を詳細に説明する。
第1図は本発明実施例の基本構成を示す。
第1図において、複数のE2PROM200に記憶すべ
き情報を、前記複数のE2PROM毎に予め分割しであ
る。100は、分割した各情報を一定容量単位で前記複
数のE2PROMにほぼ同時に送信すると共に書き込み
の指示を行う書込指示手段である。
き情報を、前記複数のE2PROM毎に予め分割しであ
る。100は、分割した各情報を一定容量単位で前記複
数のE2PROMにほぼ同時に送信すると共に書き込み
の指示を行う書込指示手段である。
300は当該書込みの指示された情報が上記複数のE2
PROMに記憶されたことを検出する書込終了検出手段
である。
PROMに記憶されたことを検出する書込終了検出手段
である。
400は上記書込終了検出手段の書込み終了の検出に応
じて次回の書込みを上記書込み指示手段に指令する制御
手段である。
じて次回の書込みを上記書込み指示手段に指令する制御
手段である。
第2図は本発明実施例における回路構成を示す。
第2図において、CPUl0 、第1 E2FROM2
0.第2E2PROM30およびデコーダ40が共通に
バス接続されている。CPUl0は第1および第2 E
2PROM20.30に対してアドレス信号線4−1に
よりアドレス指定を行い、アクセス(読み書き)対象の
データをデータ!!β−2に送出する。また、書き込み
および読出しの指示を表わすリード/ライト信号をリー
ド/ライト信号線β−3に送出する。
0.第2E2PROM30およびデコーダ40が共通に
バス接続されている。CPUl0は第1および第2 E
2PROM20.30に対してアドレス信号線4−1に
よりアドレス指定を行い、アクセス(読み書き)対象の
データをデータ!!β−2に送出する。また、書き込み
および読出しの指示を表わすリード/ライト信号をリー
ド/ライト信号線β−3に送出する。
本実施例ではCPUl0がE2PROM20.30に対
する情報書き込み装置として動作する。
する情報書き込み装置として動作する。
第1および第2 E2FROM20.30には従来周知
のものを使用することが可能であり、それぞれラッヂ回
路21.31を有し、lページ分のデータを保持記憶し
、最初に指定されたアドレスから順次にデータを対応ア
ドレスのメモリセルに書き込む。
のものを使用することが可能であり、それぞれラッヂ回
路21.31を有し、lページ分のデータを保持記憶し
、最初に指定されたアドレスから順次にデータを対応ア
ドレスのメモリセルに書き込む。
デコーダ40はCPUl0の発生したアドレス信号を信
号解読し、アドレスと対応のE2PROMにチップセレ
クト(C/S)信号を発生し、そのE2PROMを動作
可能状態に設定する。
号解読し、アドレスと対応のE2PROMにチップセレ
クト(C/S)信号を発生し、そのE2PROMを動作
可能状態に設定する。
このような回路におけるプログラム情報の書き換え処理
について第3図のフローヂャートを参照して説明する。
について第3図のフローヂャートを参照して説明する。
第3図は、第2図のCPUl0の実行する制御手順を示
す。
す。
なお、2つのE2PROM20.30にまたがって書き
込むべきプログラム情報が不図示のワークメモリに予め
記憶されているものとする。
込むべきプログラム情報が不図示のワークメモリに予め
記憶されているものとする。
CPUl0はプログラム情報の書き換えについて指示を
外部入力すると、第3図の制御手順を開始する。
外部入力すると、第3図の制御手順を開始する。
すなわち、CPUl0はプログラム情報のステップ数等
によりプログラム情報の容量がE2PROM20.30
の2つにまたがることを確認する(ステップSlの肯定
判定)。次にCPUl0はワークメモリから第1E2P
ROM20への書き込みの対象の1ペ一ジ分のプログラ
ム情報を読出して、第1 E2PROM20にバスを介
して送信する。また、ライト信号(書込み指示信号)を
も発生する。したがってこの時のCPUl0は書込み指
示手段として動作する。さらに、このとき、ページの最
終アドレスのプログラム情報がCPUl0内の内部第2
レジスタに一時保存される(ステップS2)。
によりプログラム情報の容量がE2PROM20.30
の2つにまたがることを確認する(ステップSlの肯定
判定)。次にCPUl0はワークメモリから第1E2P
ROM20への書き込みの対象の1ペ一ジ分のプログラ
ム情報を読出して、第1 E2PROM20にバスを介
して送信する。また、ライト信号(書込み指示信号)を
も発生する。したがってこの時のCPUl0は書込み指
示手段として動作する。さらに、このとき、ページの最
終アドレスのプログラム情報がCPUl0内の内部第2
レジスタに一時保存される(ステップS2)。
次に、CPUl0はワークメモリから第2 E2PRO
Mへ書き込むべき1ペ一ジ分のプログラム情報を読出し
て、第2 E2PROM30に送信し、ライト信号を発
生する。このとき、ページの最終アドレスのプログラム
情報がCPU内の内部第2レジスタに一時保存される(
ステップS3)。
Mへ書き込むべき1ペ一ジ分のプログラム情報を読出し
て、第2 E2PROM30に送信し、ライト信号を発
生する。このとき、ページの最終アドレスのプログラム
情報がCPU内の内部第2レジスタに一時保存される(
ステップS3)。
CPUl0側からの1ペ一ジ分のプログラム情報を第1
および第2 E2PROM20.30においてほぼ同時
に受信すると、この受信情報は内部ラッチ回路21゜3
1によりそれぞれ、−時記憶された後、メモリセルに書
き込まれる。第1および第2 E2PROM20.30
内において、それぞれプログラム情報が書き込まれてい
る間、CPUl0では、書き込みを行ったページの最終
アドレスの記憶情報の読出しを第1E2PROM20、
次に第2 E2PROM30に対して、繰り返し行う。
および第2 E2PROM20.30においてほぼ同時
に受信すると、この受信情報は内部ラッチ回路21゜3
1によりそれぞれ、−時記憶された後、メモリセルに書
き込まれる。第1および第2 E2PROM20.30
内において、それぞれプログラム情報が書き込まれてい
る間、CPUl0では、書き込みを行ったページの最終
アドレスの記憶情報の読出しを第1E2PROM20、
次に第2 E2PROM30に対して、繰り返し行う。
次に読出しの情報と、内部第1.第2レジスタにに記憶
しであるプログラム情報との一致比較をCPUl0で行
う。各E2PROM20.30内のメモリセルへのプロ
グラム情報の書き込みが終了していれば、読み出しの情
報とCPUl0内の書き込み時の情報が一致する。この
一致判定の結果に基き、第1および第2 E2PROM
20.30での書き込みの終了をCPUl0が検出する
ことができる。このときのCPUl0は書き込み終了検
出手段として動作する。
しであるプログラム情報との一致比較をCPUl0で行
う。各E2PROM20.30内のメモリセルへのプロ
グラム情報の書き込みが終了していれば、読み出しの情
報とCPUl0内の書き込み時の情報が一致する。この
一致判定の結果に基き、第1および第2 E2PROM
20.30での書き込みの終了をCPUl0が検出する
ことができる。このときのCPUl0は書き込み終了検
出手段として動作する。
次にCPUl0は書き込みの終了を検出した後、制御手
段として手順を進め、次のページのプログラム情報をワ
ークメモリから読出し、上述と同様の手順で第1および
第2 E2FROMに対して読出し情報の送信を行う(
ステップS4→55−36−32)。
段として手順を進め、次のページのプログラム情報をワ
ークメモリから読出し、上述と同様の手順で第1および
第2 E2FROMに対して読出し情報の送信を行う(
ステップS4→55−36−32)。
以下、CPUl0はページ単位のプログラム情報の書き
込みの指示およびプログラム情報の送信を行って、全て
のプログラム情報の書き込みの終了の後、本制御手順を
終了する(ステップ32〜S5→S6)。
込みの指示およびプログラム情報の送信を行って、全て
のプログラム情報の書き込みの終了の後、本制御手順を
終了する(ステップ32〜S5→S6)。
従来では1つのE2PROMの全ての記憶領域への書き
込みが終了してから次のE2FROMに対する書き込み
を行っていたのに対し、本実施例ではCPUl0により
2つのE2PROM20.30へほぼ同時に書き込み指
示を行うので、従来に比べて書き込みに要する時間は約
半分となる。
込みが終了してから次のE2FROMに対する書き込み
を行っていたのに対し、本実施例ではCPUl0により
2つのE2PROM20.30へほぼ同時に書き込み指
示を行うので、従来に比べて書き込みに要する時間は約
半分となる。
本実施例の他、次の例が挙げられる。
l)本実施例ではE2PROMに記憶する情報はプログ
ラム情報であるが、プログラム情報に限らずシーケンシ
ャル(連続アドレス順)に読出す情報であればよい。
ラム情報であるが、プログラム情報に限らずシーケンシ
ャル(連続アドレス順)に読出す情報であればよい。
2)本実施例では2個のE2FROMに対する書き込み
を例に取り説明したがE2PROMの個数は2個以上で
あればよい。
を例に取り説明したがE2PROMの個数は2個以上で
あればよい。
[発明の効果]
以上、説明したように、本発明によれば、複数のE2P
ROMに対して並列的に情報の書き込みを行うようにし
たので、従来の直列的な書き込み処理に比べて、E2P
ROMの個数に反比例した時間で書き込み処理を終了す
ることができる。
ROMに対して並列的に情報の書き込みを行うようにし
たので、従来の直列的な書き込み処理に比べて、E2P
ROMの個数に反比例した時間で書き込み処理を終了す
ることができる。
第1図は本発明実施例の基本構成を示すブロック図、
第2図は本発明実施例の回路構成を示すブロック図、
第3図は本発明実施例のCPUl0が実行する制御手順
を示すフローチャートである。 IO・・・cpu 。 20.30・・・E2FROM。
を示すフローチャートである。 IO・・・cpu 。 20.30・・・E2FROM。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)複数のE^2PROMに記憶すべき情報を、前記複
数のE^2PROM毎に予め分割し、 当該分割した各情報を一定容量単位で前記複数のE^2
PROMにほぼ同時に送信すると共に書込みの指示を行
う書込み指示手段と、 当該書込みの指示された情報が前記複数の E^2PROMに記憶されたことを検出する書込み終了
検出手段と、 該書込み終了検出手段の書込終了の検出に応じて次回の
書込みを前記書込み指示手段に指令する制御手段と を具えたことを特徴とするE^2PROMの情報書込み
装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2047166A JPH03252993A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | E↑2promの情報書込み装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2047166A JPH03252993A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | E↑2promの情報書込み装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03252993A true JPH03252993A (ja) | 1991-11-12 |
Family
ID=12767485
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2047166A Pending JPH03252993A (ja) | 1990-03-01 | 1990-03-01 | E↑2promの情報書込み装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH03252993A (ja) |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH064399A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH06309224A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-11-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | データ・ページの制御方法及びデータ処理システム |
JP2000148583A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2000163314A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2002236612A (ja) * | 2002-01-21 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US6549974B2 (en) | 1992-06-22 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage apparatus including a controller for sending first and second write commands to different nonvolatile memories in a parallel or time overlapped manner |
JP2004240993A (ja) * | 2004-04-12 | 2004-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2005100470A (ja) * | 2004-12-28 | 2005-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US6925012B2 (en) | 1991-11-26 | 2005-08-02 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
JP2005339581A (ja) * | 2005-08-08 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2008108281A (ja) * | 2008-01-10 | 2008-05-08 | Renesas Technology Corp | 半導体ディスク装置 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62217496A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | Eeprom書き込み方式 |
-
1990
- 1990-03-01 JP JP2047166A patent/JPH03252993A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS62217496A (ja) * | 1986-03-18 | 1987-09-24 | Fujitsu Ltd | Eeprom書き込み方式 |
Cited By (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6925012B2 (en) | 1991-11-26 | 2005-08-02 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7184320B2 (en) | 1991-11-26 | 2007-02-27 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7154805B2 (en) | 1991-11-26 | 2006-12-26 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7123519B2 (en) | 1991-11-26 | 2006-10-17 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7082510B2 (en) | 1991-11-26 | 2006-07-25 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7064995B2 (en) | 1991-11-26 | 2006-06-20 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7006386B2 (en) | 1991-11-26 | 2006-02-28 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US7002851B2 (en) | 1991-11-26 | 2006-02-21 | Renesas Technology Corp. | Storage device employing a flash memory |
US6457092B1 (en) | 1992-06-22 | 2002-09-24 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor disk storage apparatus including a plurality of flash memories and a buffer memory to continuously write data responsive to first and second write commands |
JP2000148583A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US8001319B2 (en) | 1992-06-22 | 2011-08-16 | Solid State Storage Solutions, Inc. | Semiconductor storage device |
US6728826B2 (en) | 1992-06-22 | 2004-04-27 | Renesas Technology Corp. | Semiconductor storage device in which commands are sequentially fed to a plurality of flash memories to continuously write data |
JP2000163314A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
US6598115B2 (en) | 1992-06-22 | 2003-07-22 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage apparatus including a plurality of nonvolatile flash memories and utilizing logical to physical sector conversion |
US6549974B2 (en) | 1992-06-22 | 2003-04-15 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor storage apparatus including a controller for sending first and second write commands to different nonvolatile memories in a parallel or time overlapped manner |
JPH064399A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH06309224A (ja) * | 1993-04-14 | 1994-11-04 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | データ・ページの制御方法及びデータ処理システム |
JP2002236612A (ja) * | 2002-01-21 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2004240993A (ja) * | 2004-04-12 | 2004-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2005100470A (ja) * | 2004-12-28 | 2005-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2005339581A (ja) * | 2005-08-08 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2008108281A (ja) * | 2008-01-10 | 2008-05-08 | Renesas Technology Corp | 半導体ディスク装置 |
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