JPH03220651A - 不揮発性メモリの書込み方式 - Google Patents
不揮発性メモリの書込み方式Info
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- JPH03220651A JPH03220651A JP2017396A JP1739690A JPH03220651A JP H03220651 A JPH03220651 A JP H03220651A JP 2017396 A JP2017396 A JP 2017396A JP 1739690 A JP1739690 A JP 1739690A JP H03220651 A JPH03220651 A JP H03220651A
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 15
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 claims description 4
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 19
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
Landscapes
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Hardware Redundancy (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、不揮発性メモリの書込み方式に関する。
（従来の技術）
近年、各秤情報をディジタルデータとして処理する電子
機器が普及しつつある。
機器が普及しつつある。
また、装置に記憶されているＩＤ番号や自局電話番号な
どのように、−度記憶されたならば電子機器の電源かオ
フとされた場合でもデータが消滅せず、しかも記憶され
ているデータを書換え可能であることが要求されるもの
かある。
どのように、−度記憶されたならば電子機器の電源かオ
フとされた場合でもデータが消滅せず、しかも記憶され
ているデータを書換え可能であることが要求されるもの
かある。
このような要求のある電子機器においては、ＥＥ−Ｆ
ＲＯＭ （Ｅｌｅｃｔｒｊｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌ
ｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ ＲＯＭ ：電気
的消去可能ＰＲＯＭ）のようなデータを任意に書換える
ことができかつ電子機器本体の電源がオフとされていて
もデータを保存可能ないわゆる不揮発性メモリにデータ
を記憶することが広く行われてきた。
ＲＯＭ （Ｅｌｅｃｔｒｊｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌ
ｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒａｍａｂｌｅ ＲＯＭ ：電気
的消去可能ＰＲＯＭ）のようなデータを任意に書換える
ことができかつ電子機器本体の電源がオフとされていて
もデータを保存可能ないわゆる不揮発性メモリにデータ
を記憶することが広く行われてきた。
ところで、このＥＥ−ＰＲＯＭに書込まれているデータ
の変更は以下のような手順で行われる。
の変更は以下のような手順で行われる。
まず、新たにＥＥ−ＰＲＯＭに書込むデータをＲＡＭ上
に用意する。
に用意する。
次いで、データを変更するＥＥ−ＰＲＯＭのアドレスの
内容を消去する。
内容を消去する。
この後、内容の消去されたアドレスにＲＡＭ上に用意し
たデータを書込む。
たデータを書込む。
従来はこのようにして、ＥＥ−ＰＲＯＭに記憶されてい
る任意のデータの書換えを行っていた。
る任意のデータの書換えを行っていた。
しかしながら、Ｅｌ−ＰＲＯＭの内容が消失されている
とき又、書込みデータの書込みが全て終了していないと
きに電子機器の電源かオフとされた場合、ＲＡＭに格納
されたデータか消失し、ＥＥ−ＰＲＯＭの内容が不備な
ままとなってしまうという問題があった。
とき又、書込みデータの書込みが全て終了していないと
きに電子機器の電源かオフとされた場合、ＲＡＭに格納
されたデータか消失し、ＥＥ−ＰＲＯＭの内容が不備な
ままとなってしまうという問題があった。
（発明が解決しようとする課題）
上述したように、征来の不揮発性メモリの書込み方式で
は、書込み中に電子機器の電源かオフとされた場合、書
込むデータを消失し、不揮発性メモリの内容は不備なま
まになってしまうという問題かあった。
は、書込み中に電子機器の電源かオフとされた場合、書
込むデータを消失し、不揮発性メモリの内容は不備なま
まになってしまうという問題かあった。
本発明はこのような点に対処してなされたもので、書込
みデータを格納する揮発性メモリをバックアップするこ
とで、書込みの途中に電源がオフとされても、次に電源
が投入されたときにデータの書込みを達成することがで
きる不揮発性メモリの書込み方式を提供するものである
。
みデータを格納する揮発性メモリをバックアップするこ
とで、書込みの途中に電源がオフとされても、次に電源
が投入されたときにデータの書込みを達成することがで
きる不揮発性メモリの書込み方式を提供するものである
。
［発明の構成］
（課題をＨ決するための手段）
本発明は、電気的にデータを書込み可能な不揮発性メモ
リと、この不揮発性メモリに書込む書込みデータが格納
されている揮発性メモリと、この揮発性メモリに格納さ
れている前記書込みデータを前記不揮発性メモリに書込
む書込手段とを備える電子装置において、前記電子装置
の電源かオフとされている場合でも前記揮発性メモリに
格納されている書込みデータが保持されるよう前記揮発
性メモリにバックアップを施し、前記書込み手段により
前記不揮発性メモリに前記書込みデータの書込みが開始
されたときセラ！・状態とされ、該書込みデータの書込
みが終了されたときリセット状態とされる書込み中フラ
グを前記バックアップされた揮発性メモリ上に設定し、
該電子装置の電源がオンとされかつ前記揮発性メモリに
設定された書込み中フラグのセット状態が検出されたと
きは、該揮発性メモリに格納されている書込みデータを
該不揮発性メモリに書込むものである。
リと、この不揮発性メモリに書込む書込みデータが格納
されている揮発性メモリと、この揮発性メモリに格納さ
れている前記書込みデータを前記不揮発性メモリに書込
む書込手段とを備える電子装置において、前記電子装置
の電源かオフとされている場合でも前記揮発性メモリに
格納されている書込みデータが保持されるよう前記揮発
性メモリにバックアップを施し、前記書込み手段により
前記不揮発性メモリに前記書込みデータの書込みが開始
されたときセラ！・状態とされ、該書込みデータの書込
みが終了されたときリセット状態とされる書込み中フラ
グを前記バックアップされた揮発性メモリ上に設定し、
該電子装置の電源がオンとされかつ前記揮発性メモリに
設定された書込み中フラグのセット状態が検出されたと
きは、該揮発性メモリに格納されている書込みデータを
該不揮発性メモリに書込むものである。
（作 用）
本発明では、ＥＥ−ＲＯＭ等不揮発性メモリに書込むデ
ータが格納されるＲＡＭ等の揮発性メモリにバックアッ
プを施している。
ータが格納されるＲＡＭ等の揮発性メモリにバックアッ
プを施している。
さらに、この揮発性メモリに不揮発性メモリへのデータ
の書込み状況を示す書込み中フラグを設定している。
の書込み状況を示す書込み中フラグを設定している。
従って、不揮発性メモリにデータの書込みを行っている
途中で電子装置の電源がオフとされても、次に電源が投
入されたときに揮発性メモリに格納されているデータを
不揮発性メモリに書込むので、不揮発性メモリへのデー
タの書込みを達成することができる。
途中で電子装置の電源がオフとされても、次に電源が投
入されたときに揮発性メモリに格納されているデータを
不揮発性メモリに書込むので、不揮発性メモリへのデー
タの書込みを達成することができる。
（実施例）
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第１図は本発明の一実施例の不揮発性メモリの書込み方
式に係わるメモリシステムの構成を示す図である。
式に係わるメモリシステムの構成を示す図である。
同図においてコ−０は各種の処理を行うＣＰＵである。
ＣＰＵｌ０には不揮発性メモリであるＥＥ−ＰＲＯＭ２
０と揮発性メモリであるＲＡＭ３０が接続されている。
０と揮発性メモリであるＲＡＭ３０が接続されている。
ＥＥ−ＰＲＯＭ２０にはＣＰＵｌ０か処理を行うのに必
要なデータがデータ領域２］に記憶されている。
要なデータがデータ領域２］に記憶されている。
ＲＡＭ３０にはバックアップ電池４０が接続されており
、電源がオフとされた場合にも、揮発性メモリであるＲ
ＡＭ３０に記憶されている内容を保持できるように構成
されている。
、電源がオフとされた場合にも、揮発性メモリであるＲ
ＡＭ３０に記憶されている内容を保持できるように構成
されている。
ここで、ＥＥ−ＰＲＯＭ２０はデータを書込むのに時間
を要し、また書込むための手順も煩雑であるため、通常
のデータ処理に用いるには不適当なメモリである。
を要し、また書込むための手順も煩雑であるため、通常
のデータ処理に用いるには不適当なメモリである。
従って、このメモリシステムでは電源が投入された後、
データ記憶領域２１に記憶されているデータがＲＡＭ３
０のデータ格納領域３１にコピされ、以降の処理はデー
タ格納領域３１にコピされたコピーデータを用いて行わ
れている。
データ記憶領域２１に記憶されているデータがＲＡＭ３
０のデータ格納領域３１にコピされ、以降の処理はデー
タ格納領域３１にコピされたコピーデータを用いて行わ
れている。
なお、３２はデータ書込み中フラグ設定アドレスである
。
。
このように構成されたメモリーシステムにおいて、ＥＥ
−ＰＲＯＭ２０に記憶されているデータの嚢史は次のよ
うな手順で行われる。
−ＰＲＯＭ２０に記憶されているデータの嚢史は次のよ
うな手順で行われる。
まず、ＲＡＭ３０に格納されているコピーデータに対し
データの変更を行う。
データの変更を行う。
次に、ＥＥ、−ＰＲＯＭ２０のデータ記憶領域２１の内
容を全て消去した後、ＲＡＭ３０に格納されているデー
タの変更が行われたコピーデータをＥＥ−ＰＲＯＭ２０
のデータ記憶領域２１に書込む。
容を全て消去した後、ＲＡＭ３０に格納されているデー
タの変更が行われたコピーデータをＥＥ−ＰＲＯＭ２０
のデータ記憶領域２１に書込む。
このＥＥ−ＰＲＯＭ２０へのデータの書込みの動作を第
２図に示すフローチャートを用いてより詳細に説明する
。
２図に示すフローチャートを用いてより詳細に説明する
。
まず、書込み中フラグをセットする（ステップ２０１）
。これは、ＲＡＭ３０に設定された書込み中フラグ設定
アドレス３２に例えば“ＯＩＨ”を書込むことで行われ
る。
。これは、ＲＡＭ３０に設定された書込み中フラグ設定
アドレス３２に例えば“ＯＩＨ”を書込むことで行われ
る。
次いで、Ｅｌ−ＰＲＯＭ２０のデータ記憶領域２１の内
容か消去される（ステップ２０２）。
容か消去される（ステップ２０２）。
この後、ＲＡＭ３０のデータ格納領域３〕に格納されて
いるコピーデータがＹアドレスづつＥＥＰＲＯＭ２０の
データ記憶領域２］に書込まれる（ステップ２０３）。
いるコピーデータがＹアドレスづつＥＥＰＲＯＭ２０の
データ記憶領域２］に書込まれる（ステップ２０３）。
そして、データ記憶領域２１への全てのデータの書込み
を終了したとき、データ書込み中フラグをリセットする
（ステップ２０４）。これは、データ書込み中フラグ設
定アドレス３２へ例えば°′００Ｈ”を書込むことで行
イっれる。
を終了したとき、データ書込み中フラグをリセットする
（ステップ２０４）。これは、データ書込み中フラグ設
定アドレス３２へ例えば°′００Ｈ”を書込むことで行
イっれる。
ところで、上述のステップ２０２からステップ２０３に
おいて電源がオフとされた場合には、データ記憶領域２
１のうち書込みの終了していない領域は消去されたまま
の状態となってしまう。
おいて電源がオフとされた場合には、データ記憶領域２
１のうち書込みの終了していない領域は消去されたまま
の状態となってしまう。
しかしながら、ＲＡＭ３０はバックアップ電池４０によ
りバックアップが施されているので、データ格納領域３
１に格納されているコピーデータは電源がオフとされた
後も保持されている。
りバックアップが施されているので、データ格納領域３
１に格納されているコピーデータは電源がオフとされた
後も保持されている。
従って、次に電源が投入されたときにデータ格納領域３
１に格納されているコピーデータを再びＥＥ−ＰＲＯＭ
２０へ書込めば、ＥＥ−ＰＲＯＭ２０へのコピーデータ
の書込みを達成することができる。
１に格納されているコピーデータを再びＥＥ−ＰＲＯＭ
２０へ書込めば、ＥＥ−ＰＲＯＭ２０へのコピーデータ
の書込みを達成することができる。
次に、書込み中に電源がオフとされた後、電源が再投入
されたときの動作を第３図に示すフローチャートを用い
てより詳細に説明する。
されたときの動作を第３図に示すフローチャートを用い
てより詳細に説明する。
電源か再投入されたならば、まず、書込み中フラグがセ
ットされているか否かが調べられる（ステップ３０１）
。これは、データ書込み中フラグ設定アドレス３２の内
容を読出し、これが例えば”０１Ｈ″のとき、データ書
込み中フラグがセットされていると判断される。
ットされているか否かが調べられる（ステップ３０１）
。これは、データ書込み中フラグ設定アドレス３２の内
容を読出し、これが例えば”０１Ｈ″のとき、データ書
込み中フラグがセットされていると判断される。
そして、データ書込み中フラグがセットされていると判
断された場合には、ＲＡＭ３０のデータ格納領域３１に
格納されているコピーデータが１アドレスづつＥＥ−Ｐ
ＲＯＭ２０のデータ記憶領域２１に書込まれる（ステッ
プ３０２）。なお、データ書込み中フラグがセットされ
ていないと判断された場合には、ＥＥ−ＰＲＯＭ２０の
データ記憶領域２１に記憶されているデータがＲＡＭ３
０のデータ格納領域３１にコピーされる（ステップ０ ３０３）。
断された場合には、ＲＡＭ３０のデータ格納領域３１に
格納されているコピーデータが１アドレスづつＥＥ−Ｐ
ＲＯＭ２０のデータ記憶領域２１に書込まれる（ステッ
プ３０２）。なお、データ書込み中フラグがセットされ
ていないと判断された場合には、ＥＥ−ＰＲＯＭ２０の
データ記憶領域２１に記憶されているデータがＲＡＭ３
０のデータ格納領域３１にコピーされる（ステップ０ ３０３）。
データ記憶領域２１への全てのデータの書込みを終了し
たとき、データ書込み中フラグをリセットする（ステッ
プ３０４）。これは、ステップ２０４と同様にデータ書
込み中フラグ設定アドレス３２へ例えば“ＯＯＨ”を書
込むことで行われる。
たとき、データ書込み中フラグをリセットする（ステッ
プ３０４）。これは、ステップ２０４と同様にデータ書
込み中フラグ設定アドレス３２へ例えば“ＯＯＨ”を書
込むことで行われる。
従って、ＥＥ−ＰＲＯＭ２０へデータの書込みを行って
いる途中で電源がオフとされた場合でも、ＲＡＭ３０に
格納されているデータはバックアップ電池４０により保
持されているので、次に電源が投入されたときＥＥ−Ｐ
ＲＯＭ２０へのデータの書込みを達成することができる
。
いる途中で電源がオフとされた場合でも、ＲＡＭ３０に
格納されているデータはバックアップ電池４０により保
持されているので、次に電源が投入されたときＥＥ−Ｐ
ＲＯＭ２０へのデータの書込みを達成することができる
。
なお、上述した実施例では変更のあったデータを含む領
域全体を書込む例について説明したが、変更のあったデ
ータのみを書込むようにしてもよい。この場合、書込み
中フラグは変更のあった全てのデータの書込みが終了し
たときリセットされるようにすればよい。
域全体を書込む例について説明したが、変更のあったデ
ータのみを書込むようにしてもよい。この場合、書込み
中フラグは変更のあった全てのデータの書込みが終了し
たときリセットされるようにすればよい。
また、不揮発性メモリのデータを書込む領域の内容の消
去を一度に行っているが、書込みが行わ１ れるアドレスごとに内容の消去を行うようにしてもよい
。
去を一度に行っているが、書込みが行わ１ れるアドレスごとに内容の消去を行うようにしてもよい
。
また、本実施例では通常の処理にも用いられる揮発性メ
モリにバックアップが施されているか、通常の処理に用
いられる揮発性メモリと不揮発性メモリに書込むデータ
が格納されるバックアップが施された揮発性メモリとが
別々に設けられてもよい。
モリにバックアップが施されているか、通常の処理に用
いられる揮発性メモリと不揮発性メモリに書込むデータ
が格納されるバックアップが施された揮発性メモリとが
別々に設けられてもよい。
［発明の効果コ
以上述べたように本発明では、不揮発性メモリに書込む
データが格納される揮発性メモリにバックアップを施し
ており、さらにこの揮発性メモリに不揮発性メモリへの
データの書込み状況を示す書込み中フラグを設定してい
る。
データが格納される揮発性メモリにバックアップを施し
ており、さらにこの揮発性メモリに不揮発性メモリへの
データの書込み状況を示す書込み中フラグを設定してい
る。
従って、不揮発性メモリにデータの書込みを行っている
途中で電源がオフとされても、次に電源が投入されたと
きに揮発性メモリに格納されているデータを不揮発性メ
モリに書込むので、不揮発性メモリへのデータの書込み
を達成することができる。
途中で電源がオフとされても、次に電源が投入されたと
きに揮発性メモリに格納されているデータを不揮発性メ
モリに書込むので、不揮発性メモリへのデータの書込み
を達成することができる。
２
第１図は本発明の一実施例に係わる不揮発性メモリの書
込み方式におけるメモリシステムの構成を示す図、第２
図は該実施例におけるデータの書込みを行う手順を示す
フローチャート、第３図は該実施例におけるデータの再
書込みを行う手順を示すフローチャートである。 １０−ＣＰＵ、２０−ＥＥ−ＰＲＯＭ、２１−・・デー
タ記憶領域、３ｏ・・・ＲＡＭ、３１・・・データ格納
領域、３２・・・データ書込み中フラグ設定アドレス、
４０・・・バックアップ電池。
込み方式におけるメモリシステムの構成を示す図、第２
図は該実施例におけるデータの書込みを行う手順を示す
フローチャート、第３図は該実施例におけるデータの再
書込みを行う手順を示すフローチャートである。 １０−ＣＰＵ、２０−ＥＥ−ＰＲＯＭ、２１−・・デー
タ記憶領域、３ｏ・・・ＲＡＭ、３１・・・データ格納
領域、３２・・・データ書込み中フラグ設定アドレス、
４０・・・バックアップ電池。
Claims (3)
- （１）電気的にデータを書込み可能な不揮発性メモリと
、 この不揮発性メモリに書込む書込みデータが格納されて
いる揮発性メモリと、 この揮発性メモリに格納されている前記書込みデータを
前記不揮発性メモリに書込む書込手段とを備える電子装
置において、 前記電子装置の電源がオフとされている場合でも前記揮
発性メモリに格納されている書込みデータが保持される
よう該揮発性メモリに電源を供給するバックアップ電源
を設け、前記書込み手段により前記不揮発性メモリに前
記書込みデータの書込みが開始されたときセット状態と
され、該書込みデータの書込みが終了されたときリセッ
ト状態とされる書込み中フラグを該揮発性メモリ上に設
定し、該電子装置の電源がオンとされかつ該揮発性メモ
リに設定された書込み中フラグのセット状態が検出され
たときは、該揮発性メモリに格納されている書込みデー
タを該不揮発性メモリに書込むことを特徴とする不揮発
性メモリの書込み方式。 - （２）不揮発性メモリはＥＥ−ＰＲＯＭ（Ｅｌｅｃｔｒ
ｉｃａｌｌｙ Ｅｒａｓａｂｌｅ ａｎｄ Ｐｒｏｇｒ
ａｍａｂｌｅ ＲＯＭ）であることを特徴とする請求項
１記載の不揮発性メモリの書込み方式。 - （３）電子装置は、無線電話装置であることを特徴とす
る請求項１記載の不揮発性メモリの書込み方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017396A JPH03220651A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 不揮発性メモリの書込み方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2017396A JPH03220651A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 不揮発性メモリの書込み方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03220651A true JPH03220651A (ja) | 1991-09-27 |
Family
ID=11942837
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2017396A Pending JPH03220651A (ja) | 1990-01-25 | 1990-01-25 | 不揮発性メモリの書込み方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH03220651A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0985969A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Eastman Kodak Company | Liquid crystalline filter dyes for imaging elements |
| JP2006221483A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Meidensha Corp | ディジタル形保護継電装置 |
-
1990
- 1990-01-25 JP JP2017396A patent/JPH03220651A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0985969A1 (en) * | 1998-09-11 | 2000-03-15 | Eastman Kodak Company | Liquid crystalline filter dyes for imaging elements |
| JP2006221483A (ja) * | 2005-02-14 | 2006-08-24 | Meidensha Corp | ディジタル形保護継電装置 |
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