JPH02210693A - メモリ書込み方法 - Google Patents
メモリ書込み方法Info
- Publication number
- JPH02210693A JPH02210693A JP1029834A JP2983489A JPH02210693A JP H02210693 A JPH02210693 A JP H02210693A JP 1029834 A JP1029834 A JP 1029834A JP 2983489 A JP2983489 A JP 2983489A JP H02210693 A JPH02210693 A JP H02210693A
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Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000012795 verification Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 241000252185 Cobitidae Species 0.000 description 1
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、セルラー無線電話機などに用いられるｘｘｐ
ｘｏｘ （電気的に消去・書込み可能な半導体記憶素子
の読出し専用メモリ）のデータ書込み方法に関する。
ｘｏｘ （電気的に消去・書込み可能な半導体記憶素子
の読出し専用メモリ）のデータ書込み方法に関する。
■日立製作所発行のカタログ［ｒｒｔｒＡｃｒｒｚＰＯ
ＲＴＡＢＬＥ ＣＥＬＬＵＬＡＲＰＨ０ＮＥＳ ＣＲ−
２１１１Ｈ／ＣＲ１１１Ｈ」などに記載される従来のセ
ルラー無線電話機においては、基地局との交信などに用
いる内部データを保持するためのメモリが設けられてい
るが、このメモリとしては、データの書き換えが頻繁に
行なえる必要があることから、 ＸＯｔ （リードオン
リメモリ）が使用されており、また、電源切断時でもデ
ータが保持されるように、バッテリでバックアップする
ようにしている。
ＲＴＡＢＬＥ ＣＥＬＬＵＬＡＲＰＨ０ＮＥＳ ＣＲ−
２１１１Ｈ／ＣＲ１１１Ｈ」などに記載される従来のセ
ルラー無線電話機においては、基地局との交信などに用
いる内部データを保持するためのメモリが設けられてい
るが、このメモリとしては、データの書き換えが頻繁に
行なえる必要があることから、 ＸＯｔ （リードオン
リメモリ）が使用されており、また、電源切断時でもデ
ータが保持されるように、バッテリでバックアップする
ようにしている。
しかしながら、バックアップのためにバッテリを用いる
と、このバッテリのための大きなスペースが必要となり
、携帯して用いられるセルラー無線電話機が大盤となっ
て好ましくない。これを解消する１つの方法としては、
メモリとしてバックアップを必要としないＥＥＦＲＯＭ
を用いることが考えられる 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、 ＥＥＦＲＯＭでは、同一アドレスでの書き込
み可能回数に限りがあり、頻繁に書き換えを行なうと、
すぐに書込み不良となる。現在市販されているＥＥＦＲ
ＯＭでは、同一アドレスでの書込み回数は約１００００
同根度しか保証され℃おらず、たとえば１秒に１回ずつ
データの書き換えを行なうとすると、約２時間４７分で
書込み不能となる。
と、このバッテリのための大きなスペースが必要となり
、携帯して用いられるセルラー無線電話機が大盤となっ
て好ましくない。これを解消する１つの方法としては、
メモリとしてバックアップを必要としないＥＥＦＲＯＭ
を用いることが考えられる 〔発明が解決しようとする課題〕 しかし、 ＥＥＦＲＯＭでは、同一アドレスでの書き込
み可能回数に限りがあり、頻繁に書き換えを行なうと、
すぐに書込み不良となる。現在市販されているＥＥＦＲ
ＯＭでは、同一アドレスでの書込み回数は約１００００
同根度しか保証され℃おらず、たとえば１秒に１回ずつ
データの書き換えを行なうとすると、約２時間４７分で
書込み不能となる。
このようにデータの書き換えを頻繁に行なう必要がある
場合には、ＥＥＦＲＯＭの寿命は非常に短かいものとな
ってしまう。
場合には、ＥＥＦＲＯＭの寿命は非常に短かいものとな
ってしまう。
本発明の目的は、かかる問題点を解消し、ＥＥＦＲＯＭ
の寿命を伸ばしてデータの書き換え回数を増やすことが
できるようにしたメモリ書込み方法を提供することにあ
る。
の寿命を伸ばしてデータの書き換え回数を増やすことが
できるようにしたメモリ書込み方法を提供することにあ
る。
上記目的を達成するために、本発明は、アドレスで指定
される書込みエリアにデータを書き込んで該書込みエリ
アでのデータ書込みの可能、不能を判定し、書込みが不
能のときには、このデータに対する書込みエリアを他の
エリアに移すようにする。
される書込みエリアにデータを書き込んで該書込みエリ
アでのデータ書込みの可能、不能を判定し、書込みが不
能のときには、このデータに対する書込みエリアを他の
エリアに移すようにする。
ＥＥＦＲＯＭのデータ書込み、読出しはマイクロプロセ
サによって制御される。マイクロプロセサはＥＥＦＲＯ
Ｍのアドレスで指定される書込みエリアにデータを書き
込み、これを読み出してその良否からこの書込みエリア
にデータを書き込むことができるか否かを判定する。書
き込みが不能のときには、他のエリアを書込みエリアと
してこれにこのデータを書き込むようにする。これによ
り、データの書込み回数は増えることになり、ＥＥＦＲ
ＯＭの寿命が伸びる。
サによって制御される。マイクロプロセサはＥＥＦＲＯ
Ｍのアドレスで指定される書込みエリアにデータを書き
込み、これを読み出してその良否からこの書込みエリア
にデータを書き込むことができるか否かを判定する。書
き込みが不能のときには、他のエリアを書込みエリアと
してこれにこのデータを書き込むようにする。これによ
り、データの書込み回数は増えることになり、ＥＥＦＲ
ＯＭの寿命が伸びる。
以下１本発明の一実施例を第１図〜第３図によって説明
する。
する。
第１図はこの実施例を示すブロック図でありて１はマイ
クロプロセサ、２はＥＥＦＲＯＭである。第２図は第１
図におけるＥＥＰＲＯＭ ２のアドレスマツプ図であっ
て、３は書込みエリアのアドレス記憶エリア、４，５．
６はデータの記録エリアである。
クロプロセサ、２はＥＥＦＲＯＭである。第２図は第１
図におけるＥＥＰＲＯＭ ２のアドレスマツプ図であっ
て、３は書込みエリアのアドレス記憶エリア、４，５．
６はデータの記録エリアである。
また、第３図はこの実施例の制御フローチャートである
。
。
第１図において、ＥＥＦＲＯＭ ２には１．＄２図に示
すように、書込みエリアを指定するアドレスの記憶エリ
ア６が設けられ【いる。マイクロプロセサ１は選択情報
によってＥＥＦＲＯＭ ２でのデータの書込みあるいは
読出し制御を行なう。データ書込みの場合には、マイク
ロプロセサ１はＥＥＦＲＯＭ ２のアドレス記憶エリア
３からアドレスを読み取り、これにより”ＣＥＥＦＲＯ
Ｍ ２のデータ書込みエリアを指定してデータを書き込
む。
すように、書込みエリアを指定するアドレスの記憶エリ
ア６が設けられ【いる。マイクロプロセサ１は選択情報
によってＥＥＦＲＯＭ ２でのデータの書込みあるいは
読出し制御を行なう。データ書込みの場合には、マイク
ロプロセサ１はＥＥＦＲＯＭ ２のアドレス記憶エリア
３からアドレスを読み取り、これにより”ＣＥＥＦＲＯ
Ｍ ２のデータ書込みエリアを指定してデータを書き込
む。
次に、この実施例の書込み制御動作を第３図を用いて説
明する。
明する。
まず、マイクロプロセサ１はＥＥＦＲＯＭ ２のアドレ
ス記憶エリア３からアドレスを読み取り、ＥＥＦＲＯＭ
２のこのアドレスで指定されるエリアを書込みエリア
としてデータの書込みを行なう（第３図ステップ１０）
、この書込みエリアを第２図でエリア４とする。そして
、この書込みエリア４からこのデータを読み出し、これ
と元のデータと比軸−Ｊ−＋ ／ ＋ｌｌ １１ ＋９
ｊ −”ｔ ！ 副Ｗ 卆ａｔプ１１）−ＷｆＡ岩
が一致したときには、ベリファイエラーがないとして指
定されたこの書込みエリア４でのこのデータの書き換え
が完了とするが、ベリファイエラーがあると（以上、第
３図ステップ１２）、再度同じデータを書込みエリア４
に書き込み、上記のようにベリファイを行なう（第３図
ステップ１３〜１５）。
ス記憶エリア３からアドレスを読み取り、ＥＥＦＲＯＭ
２のこのアドレスで指定されるエリアを書込みエリア
としてデータの書込みを行なう（第３図ステップ１０）
、この書込みエリアを第２図でエリア４とする。そして
、この書込みエリア４からこのデータを読み出し、これ
と元のデータと比軸−Ｊ−＋ ／ ＋ｌｌ １１ ＋９
ｊ −”ｔ ！ 副Ｗ 卆ａｔプ１１）−ＷｆＡ岩
が一致したときには、ベリファイエラーがないとして指
定されたこの書込みエリア４でのこのデータの書き換え
が完了とするが、ベリファイエラーがあると（以上、第
３図ステップ１２）、再度同じデータを書込みエリア４
に書き込み、上記のようにベリファイを行なう（第３図
ステップ１３〜１５）。
このとき、ベリファイエラーがないときには、書込みエ
リア４でのデータ書き換えが行なわれたものとする。
リア４でのデータ書き換えが行なわれたものとする。
このように、データ書込みとベリファイを２回行なって
もベリファイエラーがあると、この書込みエリア４はデ
ータの書込みが不能とし、書込みエリアを次のエリア５
に変更しく第３図ステップ１６）、ステップ１０に戻り
て再びこの書込みエリア５がデータ書込み可能かどうか
を判定する。
もベリファイエラーがあると、この書込みエリア４はデ
ータの書込みが不能とし、書込みエリアを次のエリア５
に変更しく第３図ステップ１６）、ステップ１０に戻り
て再びこの書込みエリア５がデータ書込み可能かどうか
を判定する。
以下、データ書込みが可能と判定されるまで順次書込み
エリアを変更していく。データ書込み可能なエリアが見
つかると、このエリアを書込みエリアとしてデータが記
憶され、記憶エリア３でのアドレスもこのデータが記憶
された書込みエリアのアドレスに変更される。
エリアを変更していく。データ書込み可能なエリアが見
つかると、このエリアを書込みエリアとしてデータが記
憶され、記憶エリア３でのアドレスもこのデータが記憶
された書込みエリアのアドレスに変更される。
第２図においては、この書込みエリアをエリア６まで変
更可能としており、書込みエリアとして変更可能な数を
Ｎとすると、書き換え回数は従来のＮ倍に増大したこと
になり、したがって。
更可能としており、書込みエリアとして変更可能な数を
Ｎとすると、書き換え回数は従来のＮ倍に増大したこと
になり、したがって。
ＥＥＦＲＯＭの寿命が大幅に伸びることになる。また、
アドレス記憶エリア３では、同一アドレスで最大５回書
き換えられるが、この回数は保証回数よりも充分少ない
ために、書込み不能となることはな〜）。
アドレス記憶エリア３では、同一アドレスで最大５回書
き換えられるが、この回数は保証回数よりも充分少ない
ために、書込み不能となることはな〜）。
以上説明したように、本発明によれば、ＥＥＦＲＯＭで
の書込み回数を増大させることができ、該ＥＥＦＲＯＭ
の寿命を伸ばしてこれを使用する機器の信頼性が大幅に
向上する。
の書込み回数を増大させることができ、該ＥＥＦＲＯＭ
の寿命を伸ばしてこれを使用する機器の信頼性が大幅に
向上する。
第１図〜第３図は本発明によるメモリ書込み方法の一実
施例を示すものであって、第１図はこの実施例のブロッ
ク図、第２図は第１図におけるＥＥＦＲＯＭのアドレス
マツプ図、第３図はこの実施例のデータ書込み制御動作
を示すフ である。 １・・・・・・・・・・・・マイクロプロセサ２・・・
・・・・・−・・ＥＥＦＲＯＭ３・・・・・−・−・・
アドレス記憶エリア４〜６・・・・・・書込みエリア ローチャ 罰１図 閉′５図 閉２図
施例を示すものであって、第１図はこの実施例のブロッ
ク図、第２図は第１図におけるＥＥＦＲＯＭのアドレス
マツプ図、第３図はこの実施例のデータ書込み制御動作
を示すフ である。 １・・・・・・・・・・・・マイクロプロセサ２・・・
・・・・・−・・ＥＥＦＲＯＭ３・・・・・−・−・・
アドレス記憶エリア４〜６・・・・・・書込みエリア ローチャ 罰１図 閉′５図 閉２図
Claims (1)
- １、マイクロプロセサの制御により、半導体記憶素子で
ある電気的に消去・書込み可能な読出し専用のメモリの
アドレスで指定されるエリアでデータの書込み、読出し
を行なうようにした装置において、アドレスで指定され
る書込みエリアにデータを書き込んで該書込みエリアの
データ書込み可能、不能を判定し、書込み不能のとき該
データの書込みエリアを他のエリアに移し、データ書込
み回数を増やして該メモリの寿命を伸ばすことを特徴と
するメモリ書込み方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029834A JPH02210693A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | メモリ書込み方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1029834A JPH02210693A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | メモリ書込み方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02210693A true JPH02210693A (ja) | 1990-08-22 |
Family
ID=12287047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1029834A Pending JPH02210693A (ja) | 1989-02-10 | 1989-02-10 | メモリ書込み方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02210693A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0493338U (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-13 | ||
| JPH05233464A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｅｅｐｒｏｍのデータ書換方法およびｅｅｐｒｏｍカード |
-
1989
- 1989-02-10 JP JP1029834A patent/JPH02210693A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0493338U (ja) * | 1990-12-27 | 1992-08-13 | ||
| JPH05233464A (ja) * | 1992-02-25 | 1993-09-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Ｅｅｐｒｏｍのデータ書換方法およびｅｅｐｒｏｍカード |
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