JPS5958699A - 不揮発性ｒａｍのデ−タ保持方式 - Google Patents
不揮発性ｒａｍのデ−タ保持方式Info
- Publication number
- JPS5958699A JPS5958699A JP57169214A JP16921482A JPS5958699A JP S5958699 A JPS5958699 A JP S5958699A JP 57169214 A JP57169214 A JP 57169214A JP 16921482 A JP16921482 A JP 16921482A JP S5958699 A JPS5958699 A JP S5958699A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- data
- area
- flag
- volatile
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- Pending
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-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Static Random-Access Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は不揮発性ＲＡ 、Ｍのデータ保持方式に関する
。
。
第１図は一般的なマイクロコンピュータなどのシステム
構成図である。ｃｐｕｌｏは入力回路（ＤＩ）滓から各
種データを信号バス２０を介して読みをシ、所定の処理
を行なった後、出力回路（Ｄ Ｏ） ｌｔから処理結果
を信号バス２０を介して出力したり、メモリエリアに記
憶する。１８は各Ｃｐｕ１０．メモリ／２゜入力回路滓
、出力回路１６用の共通電源である。このメモリ／２は
最近はＩＣメモリが使用されることが多いがその種類に
は次のよう々ものがある。
構成図である。ｃｐｕｌｏは入力回路（ＤＩ）滓から各
種データを信号バス２０を介して読みをシ、所定の処理
を行なった後、出力回路（Ｄ Ｏ） ｌｔから処理結果
を信号バス２０を介して出力したり、メモリエリアに記
憶する。１８は各Ｃｐｕ１０．メモリ／２゜入力回路滓
、出力回路１６用の共通電源である。このメモリ／２は
最近はＩＣメモリが使用されることが多いがその種類に
は次のよう々ものがある。
ＥｐｎｏＭ （消去可能で電気的書き込み（プログラム
）可能なＲＯＭ） ｍｇｐＲｏｕ （電気的消去可能で書き込み（プログ
ラム）可能々ＲＯＭ ） ＲＡ’Ｍ （ランダム アクセス メモリ〕ｌＰＲＯ
Ｍ、 ＫＫＰＦＩＯＭ は殆んど書き変えを必要とし
ないプログラム固定データメモリ用として使用され、Ｒ
ＡＭは処理した結果を記憶させるメモリとして使用する
。こうしたメモリを使用中、電源がＯＦＦ した場合
、ＥＰＦＯＭ 、 ＦＩＥＰＦＩＯＭはそのまま記憶
値を保持するが、′ＲＡＭは記憶値を消失してしまう０
このため電源ＯＦＦの場合でも処理結果をそのまま残し
ておきたい場合にはＲＡＭにノ（ツテリを接続してバッ
クアップさせるなどの方式％式％ しかし最近不揮発ＲＡ Ｍ・・開発発売されＣｏ１が処
理した結果を電源がＯＦＦ ｌ、た場合でも比較的容易
に保持しておくことが可能になった。しかしこの場合で
もＱ ｐ’ｕが演算した結果をＲＡＭに転送している途
中で電源が０ＦＦＫなると途中データをそのまま保持し
てしまい、真のデータを保持することができなくなる。
）可能なＲＯＭ） ｍｇｐＲｏｕ （電気的消去可能で書き込み（プログ
ラム）可能々ＲＯＭ ） ＲＡ’Ｍ （ランダム アクセス メモリ〕ｌＰＲＯ
Ｍ、 ＫＫＰＦＩＯＭ は殆んど書き変えを必要とし
ないプログラム固定データメモリ用として使用され、Ｒ
ＡＭは処理した結果を記憶させるメモリとして使用する
。こうしたメモリを使用中、電源がＯＦＦ した場合
、ＥＰＦＯＭ 、 ＦＩＥＰＦＩＯＭはそのまま記憶
値を保持するが、′ＲＡＭは記憶値を消失してしまう０
このため電源ＯＦＦの場合でも処理結果をそのまま残し
ておきたい場合にはＲＡＭにノ（ツテリを接続してバッ
クアップさせるなどの方式％式％ しかし最近不揮発ＲＡ Ｍ・・開発発売されＣｏ１が処
理した結果を電源がＯＦＦ ｌ、た場合でも比較的容易
に保持しておくことが可能になった。しかしこの場合で
もＱ ｐ’ｕが演算した結果をＲＡＭに転送している途
中で電源が０ＦＦＫなると途中データをそのまま保持し
てしまい、真のデータを保持することができなくなる。
例えば、第２図は、従来の不揮発性ＲＡＭによるデータ
保持示す説明図で、第１□□□ｆｘトのマイクロコンピ
ュータシステムでｃｐｕｌｏが入力回路／４’からをり
込んだパルスデータを積算して（積算電力骨など）不揮
発性ＲＡＭにより構成されるメモリ／２に書き込み、電
源ＯＦＦ時にはその時点の積算値データをそのまま保持
させるような例について示したものである。この場合は
０〜９９９９まで積算する。例えばデータλの現在の積
算値が１（１０”）９（ｔｏ”）９（１０）９（ｔｏｏ
）三１９９９で、パルスが１パルス入力されると積算値
ば１９９９→２０００ とならなければならない。Ｃｐ
ｕｌＯはこの場合データコのデータ１９９９をｃｐｕｌ
ｏに読み込み１９９９＋１＝２０００にした上で、デー
タコのメモリエリアに２０００を書き込むが２０００を
１度に書き込むことはできない。例えば、最初に上位ビ
ットの２（１０”）、 ０（１０！１）を書き込み次に
下位ビットのＱ（１０”）、 ０ （１００）を書き込
むかもしくはその逆である。もし、２（１０９，０（１
０９）を書き込んだ直談、電源がＯＦＦとなりｃｐｕが
動作できなくなると、ＦＩＡＭ Ｋは２０９９のデータ
が残り処理内容に無関係なデータが保持されることにな
る。
保持示す説明図で、第１□□□ｆｘトのマイクロコンピ
ュータシステムでｃｐｕｌｏが入力回路／４’からをり
込んだパルスデータを積算して（積算電力骨など）不揮
発性ＲＡＭにより構成されるメモリ／２に書き込み、電
源ＯＦＦ時にはその時点の積算値データをそのまま保持
させるような例について示したものである。この場合は
０〜９９９９まで積算する。例えばデータλの現在の積
算値が１（１０”）９（ｔｏ”）９（１０）９（ｔｏｏ
）三１９９９で、パルスが１パルス入力されると積算値
ば１９９９→２０００ とならなければならない。Ｃｐ
ｕｌＯはこの場合データコのデータ１９９９をｃｐｕｌ
ｏに読み込み１９９９＋１＝２０００にした上で、デー
タコのメモリエリアに２０００を書き込むが２０００を
１度に書き込むことはできない。例えば、最初に上位ビ
ットの２（１０”）、 ０（１０！１）を書き込み次に
下位ビットのＱ（１０”）、 ０ （１００）を書き込
むかもしくはその逆である。もし、２（１０９，０（１
０９）を書き込んだ直談、電源がＯＦＦとなりｃｐｕが
動作できなくなると、ＦＩＡＭ Ｋは２０９９のデータ
が残り処理内容に無関係なデータが保持されることにな
る。
上記の問題をなくすためには、ｃｐｕの一連の処理が完
了するまで′電源をＯＦＦしないなどの処置が必要とな
るが現実的にはかなり困難である。
了するまで′電源をＯＦＦしないなどの処置が必要とな
るが現実的にはかなり困難である。
本発明は上記の点に鑑みてなされたもので、バッテリバ
ックアップなしであらゆる処理過程での電源断発生に対
し正確なデータの保持を可能とする不揮発性ＲＡＭのデ
ータ保持方式を提供することを目的とする。
ックアップなしであらゆる処理過程での電源断発生に対
し正確なデータの保持を可能とする不揮発性ＲＡＭのデ
ータ保持方式を提供することを目的とする。
本発明ではこの目的を達成するために、不揮発性ＲＡ
Ｍに処理エリアを設けて処理過程を処理フラグに記録し
、この処理フラグに記録された処理過程をデータと共に
保持するようにしたことを特徴とする。
Ｍに処理エリアを設けて処理過程を処理フラグに記録し
、この処理フラグに記録された処理過程をデータと共に
保持するようにしたことを特徴とする。
以下本発明の一実施例を添付された図面と共に説明する
。
。
第３ Ｆ’２＋ （Ａ）は本発明に係る不揮発性ＲＡＭ
のデータ保持方式を説明する説明図であり、第３図（Ｂ
）は第５ｌｖ（Ａ）Ｋ示される処理フラグの内容であり
、本発明では不揮発性ＲＡＭ上に処理エリアを設けて処
理している。
のデータ保持方式を説明する説明図であり、第３図（Ｂ
）は第５ｌｖ（Ａ）Ｋ示される処理フラグの内容であり
、本発明では不揮発性ＲＡＭ上に処理エリアを設けて処
理している。
ｃｐｕｌｏは入力回路／Ｉｉ４から例えばデータコのデ
ータを依り込むと次の手順で処理を行なう。
ータを依り込むと次の手順で処理を行なう。
（りデータ保持エリアからデータλのデータを処理エリ
アにデータアドレスとともに矢印ＴＥｌの如く転送する
。このとき同時に処理フラグエリアのビットＯ（て「読
出中」フラグをセットする。
アにデータアドレスとともに矢印ＴＥｌの如く転送する
。このとき同時に処理フラグエリアのビットＯ（て「読
出中」フラグをセットする。
（１１） 次にｃｐｕｌｏは不揮発性ＲＡＭ／コの処
理エリアからデータを読み出しｔ９９９＋１＝２０００
の処理をした後、処理エリアに書き込む。この時、処理
フラグエリアのビット／に「処理光」フラグをセットシ
、ビットＯをリセットする。
理エリアからデータを読み出しｔ９９９＋１＝２０００
の処理をした後、処理エリアに書き込む。この時、処理
フラグエリアのビット／に「処理光」フラグをセットシ
、ビットＯをリセットする。
（１１０次にｃｐｕｌｏは不揮発性ＲＡ Ｍ ／２の処
理エリアからデータコの保持エリアにデータを矢印ＴＦ
２の如く転送する。この時、「書込中」フラグを処理フ
ラグのビット２にセットしビット／をリセットする。
理エリアからデータコの保持エリアにデータを矢印ＴＦ
２の如く転送する。この時、「書込中」フラグを処理フ
ラグのビット２にセットしビット／をリセットする。
Ｇψ へき込み完了により「書込光」フラグをピッ）Ｊ
Ｋ上セツト、ビットλをリセットし、そして不揮発性Ｒ
ＡＭ／２の処理エリアのその他のデータをリセットする
。
Ｋ上セツト、ビットλをリセットし、そして不揮発性Ｒ
ＡＭ／２の処理エリアのその他のデータをリセットする
。
以上のように不揮発性ＦｔＡＭ上に処理エリアを設は処
理フラグに処理経過をセットしながら処理をしていけば
、どの時点で′電源がＯＦＦとなっても電源がＯＮＫな
った時点で処理フラグをチェックすることにより１■前
のデータを確実に認識できる。
理フラグに処理経過をセットしながら処理をしていけば
、どの時点で′電源がＯＦＦとなっても電源がＯＮＫな
った時点で処理フラグをチェックすることにより１■前
のデータを確実に認識できる。
例えば、電源ＯＦＦが（１）の時点で発生した場合には
、「読出中」フラグが処理フラグのビットＯにセットさ
れているので、不揮発性ＲＡＭ／２のデータ保持エリア
内のデータが正しいデータと判断される。また（１１）
の時点で電源ＯＦＦが発生した時には、「処理光」フラ
グが処理フラグのビット／にセットされているので不揮
発性ＲＡＭ／２の処理エリア内には２０００．同様にデ
ータ保持エリアは１９９９（２０００４−９１９９９）
が記録されていると判断される。また（ｍ）の時点で電
源ＯＦＦが発生した時には６理フラグのビットＪにセッ
トされた「書込中」フラグにより不揮発性ＲＡＭ／２の
処理エリア内データが正しいデータと判断される。（ｌ
ψの時点で電源ＯＦＦが発生した時には、処理フラグの
ピッ）ｊにセットされた「書込光」フラグにより不揮発
性ＲＡ Ｍ ／２のデータ保持エリア内データが正しい
データと判断される。
、「読出中」フラグが処理フラグのビットＯにセットさ
れているので、不揮発性ＲＡＭ／２のデータ保持エリア
内のデータが正しいデータと判断される。また（１１）
の時点で電源ＯＦＦが発生した時には、「処理光」フラ
グが処理フラグのビット／にセットされているので不揮
発性ＲＡＭ／２の処理エリア内には２０００．同様にデ
ータ保持エリアは１９９９（２０００４−９１９９９）
が記録されていると判断される。また（ｍ）の時点で電
源ＯＦＦが発生した時には６理フラグのビットＪにセッ
トされた「書込中」フラグにより不揮発性ＲＡＭ／２の
処理エリア内データが正しいデータと判断される。（ｌ
ψの時点で電源ＯＦＦが発生した時には、処理フラグの
ピッ）ｊにセットされた「書込光」フラグにより不揮発
性ＲＡ Ｍ ／２のデータ保持エリア内データが正しい
データと判断される。
本発明は以上の様であり、ｃｐｕに電源０７７時のバッ
クアップ回路を必要とせずＫあらゆる処理過程での電源
断発生に対し不揮発性メ阜す上での正確なデータの保持
が可能となる。
クアップ回路を必要とせずＫあらゆる処理過程での電源
断発生に対し不揮発性メ阜す上での正確なデータの保持
が可能となる。
第１図は本発明が適用されるマイクロコンピュータなど
のシステム構成図、第２図は不揮発性ＢＡＭを使用した
従来のデータ保持方式の説明図、第８図（Ａ）及び第３
図（Ｂ）は本発明に係る不揮発性ＲＡＭのデータ保持方
式の説明図である。 １０・・・ｃｐｕ、／２・・・メモリ、／＜４・・・入
力回路、／６・・・出力回路、７ｇ・・・電源。
のシステム構成図、第２図は不揮発性ＢＡＭを使用した
従来のデータ保持方式の説明図、第８図（Ａ）及び第３
図（Ｂ）は本発明に係る不揮発性ＲＡＭのデータ保持方
式の説明図である。 １０・・・ｃｐｕ、／２・・・メモリ、／＜４・・・入
力回路、／６・・・出力回路、７ｇ・・・電源。
Claims (1)
- （１） 中央処理装置ｕの監視下で外部入力データを
不揮発ＲＡＭの所定のメモリエリアに保持する際、不揮
発性ＲＡＭＫ処哩エリアを設は処理過程を処理フラグに
記録し、この処理フラグに記録された処理過程をデータ
と共に保持するようにしたことを特徴とする不揮発性Ｒ
ＡＭのデータ保持方式。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169214A JPS5958699A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 不揮発性ｒａｍのデ−タ保持方式 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57169214A JPS5958699A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 不揮発性ｒａｍのデ−タ保持方式 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5958699A true JPS5958699A (ja) | 1984-04-04 |
Family
ID=15882317
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57169214A Pending JPS5958699A (ja) | 1982-09-27 | 1982-09-27 | 不揮発性ｒａｍのデ−タ保持方式 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5958699A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6354616A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロコンピユ−タシステム |
| JPS63116253A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Alps Electric Co Ltd | バツクアツプされたｒａｍの保護方式 |
| JPS63120391A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Hitachi Ltd | Ｉｃカ−ド |
| JPS63503250A (ja) * | 1986-05-20 | 1988-11-24 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | データの記憶法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50132828A (ja) * | 1974-04-06 | 1975-10-21 | ||
| JPS522144A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Memory protecting device |
| JPS5640927A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-17 | Toshiba Corp | Memory device |
-
1982
- 1982-09-27 JP JP57169214A patent/JPS5958699A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50132828A (ja) * | 1974-04-06 | 1975-10-21 | ||
| JPS522144A (en) * | 1975-06-24 | 1977-01-08 | Hitachi Ltd | Memory protecting device |
| JPS5640927A (en) * | 1979-09-12 | 1981-04-17 | Toshiba Corp | Memory device |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63503250A (ja) * | 1986-05-20 | 1988-11-24 | ローベルト ボツシユ ゲゼルシヤフト ミツト ベシユレンクテル ハフツング | データの記憶法 |
| JPS6354616A (ja) * | 1986-08-25 | 1988-03-09 | Mitsubishi Electric Corp | マイクロコンピユ−タシステム |
| JPS63116253A (ja) * | 1986-11-04 | 1988-05-20 | Alps Electric Co Ltd | バツクアツプされたｒａｍの保護方式 |
| JPS63120391A (ja) * | 1986-11-10 | 1988-05-24 | Hitachi Ltd | Ｉｃカ−ド |
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