JPH11338781A - 半導体メモリによるデータの記録方法 - Google Patents
半導体メモリによるデータの記録方法Info
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- JPH11338781A JPH11338781A JP14548898A JP14548898A JPH11338781A JP H11338781 A JPH11338781 A JP H11338781A JP 14548898 A JP14548898 A JP 14548898A JP 14548898 A JP14548898 A JP 14548898A JP H11338781 A JPH11338781 A JP H11338781A
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- Japan
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- data
- memory
- recorded
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
Landscapes
- Read Only Memory (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 大容量メモリであるフラッシュ・メモリの寿
命を長くすると共に、長時間分のデータを記録させる。 【解決手段】 半導体メモリ８を書き換え回数に制限の
ない小容量のバッテリーバックアップ・メモリ５と、書
き換え回数に制限のある大容量のフラッシュ・メモリ６
とによって構成し、バッテリーバックアップ・メモリ５
に先ず記録し、そのメモリ容量が一杯になった時に、フ
ラッシュ・メモリ６へコピーさせる。
命を長くすると共に、長時間分のデータを記録させる。 【解決手段】 半導体メモリ８を書き換え回数に制限の
ない小容量のバッテリーバックアップ・メモリ５と、書
き換え回数に制限のある大容量のフラッシュ・メモリ６
とによって構成し、バッテリーバックアップ・メモリ５
に先ず記録し、そのメモリ容量が一杯になった時に、フ
ラッシュ・メモリ６へコピーさせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、測定データや各種
ロギングデータより成る大量のデータを、一括して記録
蓄積するデータの記録方法に関する。
ロギングデータより成る大量のデータを、一括して記録
蓄積するデータの記録方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】計測データ等のディジタル化に伴って記
録しておくべきデータ量は急激に増大しており、これら
のデータを記録蓄積する大容量の記録装置の１つとして
フラッシュ・メモリが開発されている。フラッシュ・メ
モリは大容量の不揮発性メモリであって、その大容量化
に伴って各種の記録媒体としての用途が急速に拡大され
ている。図６はフラッシュ・メモリによるデータの記録
方法を示す説明図であって、データ１０１がフラッシュ
・メモリ１０２に入力し、データ１０１が次第にフラッ
シュ・メモリ１０２に蓄積されてゆく状態を図６（ａ）
〜図６（ｄ）によって示している。
録しておくべきデータ量は急激に増大しており、これら
のデータを記録蓄積する大容量の記録装置の１つとして
フラッシュ・メモリが開発されている。フラッシュ・メ
モリは大容量の不揮発性メモリであって、その大容量化
に伴って各種の記録媒体としての用途が急速に拡大され
ている。図６はフラッシュ・メモリによるデータの記録
方法を示す説明図であって、データ１０１がフラッシュ
・メモリ１０２に入力し、データ１０１が次第にフラッ
シュ・メモリ１０２に蓄積されてゆく状態を図６（ａ）
〜図６（ｄ）によって示している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】フラッシュ・メモリは
大容量のメモリであるが、書き換え寿命が短く１万回〜
１００万回である。従って、１秒間に１回書き換えるも
のとすると、数時間から１０日間位で寿命が尽きること
になる。一方、書き換え回数に制限のないバッテリーバ
ックアップＲＡＭのメモリ容量は余り大きくなく、デー
タの保存期間はバッテリーの寿命によって決まるので、
不充分なこともある。従って、データを頻繁に記録させ
ることと、長時間に亘って大量のデータを記録保存させ
ることを同時に成立させることは困難であった。
大容量のメモリであるが、書き換え寿命が短く１万回〜
１００万回である。従って、１秒間に１回書き換えるも
のとすると、数時間から１０日間位で寿命が尽きること
になる。一方、書き換え回数に制限のないバッテリーバ
ックアップＲＡＭのメモリ容量は余り大きくなく、デー
タの保存期間はバッテリーの寿命によって決まるので、
不充分なこともある。従って、データを頻繁に記録させ
ることと、長時間に亘って大量のデータを記録保存させ
ることを同時に成立させることは困難であった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上述した従来技
術によるデータ記録方法の欠点を解消するためになされ
たものであって、特長の異なる２種類のメモリを組み合
わせて頻繁に発生するデータ記録に対応でき、かつ、大
量のデータを記録保存することが可能なデータの記録方
法を提案しようとするものである。即ち、書き換え制限
がなく比較的小容量のバッテリーバックアップＲＡＭに
先ずデータを記録させ、そのメモリ容量一杯までデータ
が蓄積されたときは、書き換え回数に制限のある大容量
メモリであるフラッシュ・メモリにバッテリーバックア
ップＲＡＭに蓄積してあるデータを転送してコピーさ
せ、引き続いて入力するデータは書き換えられたバッテ
リーバックアップＲＡＭに再び記録させるようにした。
術によるデータ記録方法の欠点を解消するためになされ
たものであって、特長の異なる２種類のメモリを組み合
わせて頻繁に発生するデータ記録に対応でき、かつ、大
量のデータを記録保存することが可能なデータの記録方
法を提案しようとするものである。即ち、書き換え制限
がなく比較的小容量のバッテリーバックアップＲＡＭに
先ずデータを記録させ、そのメモリ容量一杯までデータ
が蓄積されたときは、書き換え回数に制限のある大容量
メモリであるフラッシュ・メモリにバッテリーバックア
ップＲＡＭに蓄積してあるデータを転送してコピーさ
せ、引き続いて入力するデータは書き換えられたバッテ
リーバックアップＲＡＭに再び記録させるようにした。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。図１はデータ記録装置の構成を示
すブロック図である。入力データは入出力インターフェ
ース４を介して、バッテリー７を備えたバッテリーバッ
クアップＲＡＭ５とフラッシュ・メモリ６より成る半導
体メモリ８に入力し、記録される。ＣＰＵ１はＲＯＭ２
とＲＡＭ３を制御して、入力データを半導体メモリ８を
構成するバッテリーバックアップＲＡＭ５（以下の説明
においてはＮＶＲＡＭと言う）とフラッシュ・メモリ６
へ記録する手順を指令する。
照しながら説明する。図１はデータ記録装置の構成を示
すブロック図である。入力データは入出力インターフェ
ース４を介して、バッテリー７を備えたバッテリーバッ
クアップＲＡＭ５とフラッシュ・メモリ６より成る半導
体メモリ８に入力し、記録される。ＣＰＵ１はＲＯＭ２
とＲＡＭ３を制御して、入力データを半導体メモリ８を
構成するバッテリーバックアップＲＡＭ５（以下の説明
においてはＮＶＲＡＭと言う）とフラッシュ・メモリ６
へ記録する手順を指令する。
【０００６】本発明による第１のデータ記録方法を図２
と図３を参照しながら説明する。図２は、ＮＶＲＡＭ
（不揮発性のランダム・アクセスメモリ）とフラッシュ
・メモリとを組み合わせてデータを記録保存する方法を
示すフローチャートであり、図３はデータがＮＶＲＡＭ
とフラッシュ・メモリに記録され、蓄積されていく状況
を示す説明図である。
と図３を参照しながら説明する。図２は、ＮＶＲＡＭ
（不揮発性のランダム・アクセスメモリ）とフラッシュ
・メモリとを組み合わせてデータを記録保存する方法を
示すフローチャートであり、図３はデータがＮＶＲＡＭ
とフラッシュ・メモリに記録され、蓄積されていく状況
を示す説明図である。
【０００７】図２のフローチャートにおいて、先ずＮＶ
ＲＡＭの書き込みアドレスを０にし（Ｓ１）、記録する
データがあるか否か調べ（Ｓ２）、ＹＥＳであるとさら
にＮＶＲＡＭに空があるか否か調べる（Ｓ３）。ＮＶＲ
ＡＭに空きがなく（Ｓ３）がＮＯのときは、ＮＶＲＡＭ
の内容をフラッシュ・メモリに書き出し（Ｓ４）、書き
出しの完了に伴ってＮＶＲＡＭの書き込みアドレスを０
にする（Ｓ５）。ＮＶＲＡＭに空きがある（Ｓ３）がＹ
ＥＳのとき、および（Ｓ５）においてＮＶＲＡＭに書き
込みアドレスが０となったときは、ＮＶＲＡＭの書き込
みアドレスよりデータを書き込み（Ｓ６）、さらに、Ｎ
ＶＲＡＭの書き込みアドレスをデータサイズ分増やし
（Ｓ７）たうえで、再び（Ｓ２）へ戻る。
ＲＡＭの書き込みアドレスを０にし（Ｓ１）、記録する
データがあるか否か調べ（Ｓ２）、ＹＥＳであるとさら
にＮＶＲＡＭに空があるか否か調べる（Ｓ３）。ＮＶＲ
ＡＭに空きがなく（Ｓ３）がＮＯのときは、ＮＶＲＡＭ
の内容をフラッシュ・メモリに書き出し（Ｓ４）、書き
出しの完了に伴ってＮＶＲＡＭの書き込みアドレスを０
にする（Ｓ５）。ＮＶＲＡＭに空きがある（Ｓ３）がＹ
ＥＳのとき、および（Ｓ５）においてＮＶＲＡＭに書き
込みアドレスが０となったときは、ＮＶＲＡＭの書き込
みアドレスよりデータを書き込み（Ｓ６）、さらに、Ｎ
ＶＲＡＭの書き込みアドレスをデータサイズ分増やし
（Ｓ７）たうえで、再び（Ｓ２）へ戻る。
【０００８】図３（ａ）は、ＮＶＲＡＭとフラッシュ・
メモリにはデータが全く記録されていない状態を示して
いるが、次第にＮＶＲＡＭにデータが蓄積されて図３
（ｂ）になり、さらに、ＮＶＲＡＭのメモリ容量一杯ま
でデータが記録されて図３（ｃ）の状態になると、デー
タはフラッシュ・メモリへコピーされて図３（ｄ）とな
る。入力データは引き続いてＮＶＲＡＭにおいて記録さ
れ、図３（ｄ）→図３（ｅ）→図３（ｆ）となり、再び
フラッシュ・メモリへデータをコピーする図３（ｇ）。
以下、同様のステップを繰り返して、フラッシュ・メモ
リにデータが蓄積されていく。
メモリにはデータが全く記録されていない状態を示して
いるが、次第にＮＶＲＡＭにデータが蓄積されて図３
（ｂ）になり、さらに、ＮＶＲＡＭのメモリ容量一杯ま
でデータが記録されて図３（ｃ）の状態になると、デー
タはフラッシュ・メモリへコピーされて図３（ｄ）とな
る。入力データは引き続いてＮＶＲＡＭにおいて記録さ
れ、図３（ｄ）→図３（ｅ）→図３（ｆ）となり、再び
フラッシュ・メモリへデータをコピーする図３（ｇ）。
以下、同様のステップを繰り返して、フラッシュ・メモ
リにデータが蓄積されていく。
【０００９】本発明による第２のデータ記録方法を図４
と図５を参照しながら説明する。図４はダブルバッファ
使用の場合のデータ記録方法を示すフローチャートであ
り、図５はデータがＮＶＲＡＭとフラッシュ・メモリに
記録され、蓄積されていく状況を示す説明図である。
と図５を参照しながら説明する。図４はダブルバッファ
使用の場合のデータ記録方法を示すフローチャートであ
り、図５はデータがＮＶＲＡＭとフラッシュ・メモリに
記録され、蓄積されていく状況を示す説明図である。
【００１０】図４のフローチャートにおいて、ＮＶＲＡ
Ｍのバンク０の書き込みアドレスを０にし（Ｓ１１）、
記録するデータがあるか否かを調べ（Ｓ１２）、ＹＥＳ
であるとさらにＮＶＲＡＭのバンク０に空きがあるか否
かを調べる（Ｓ１３）。ＮＶＲＡＭのバンク０に空きが
なく（Ｓ１３）がＮＯのときは、ＮＶＲＡＭのバンク０
の内容をフラッシュ・メモリへの書き出しを開始する
（Ｓ１４）。ＮＶＲＡＭのバンク１の内容のフラッシュ
への書き出しが終了している（Ｓ１５）がＹＥＳのと
き、ＮＶＲＡＭのバンク１の書き込みアドレスを０にす
る（Ｓ１６）。（Ｓ１５）がＮＯのときデータオーバー
フローエラーとなる。ＮＶＲＡＭのバンク０に空きがあ
る（Ｓ１３）がＹＥＳであるとき、および（Ｓ１５）が
実行されたときは、ＮＶＲＡＭのバンク０の書き込みア
ドレスよりデータを書き込み（Ｓ１７）、ＮＶＲＡＭの
バンク０の書き込みアドレスをデータサイズ分増やし
（Ｓ１８）たうえで（Ｓ１２）へ戻る。一方（Ｓ１６）
が実行されたとき、およびＮＶＲＡＭのバンク１に空き
がある（Ｓ２２）がＹＥＳのときは、ＮＶＲＡＭのバン
ク１の書き込みアドレスよりデータを書き込み（Ｓ１
９）、ＮＶＲＡＭのバンク１の書き込みアドレスをデー
タサイズ分増やし（Ｓ２０）たうえで（Ｓ２１）に戻
り、記録するデータがあるか否かを調べ（Ｓ２１）、Ｙ
ＥＳであるとＮＶＲＡＭにバンク１の空きがあるか否か
を調べ（Ｓ２２）、ＮＯであると、ＮＶＲＡＭのバンク
１の内容のフラッシュへの書き出しを開始する（Ｓ２
３）。ＮＶＲＡＭのバンク０の内容のフラッシュへの書
き出しが終了している（Ｓ２４）がＹＥＳのとき、ＮＶ
ＲＡＭのバンク０の書き込みアドレスを０にする（Ｓ２
５）。（Ｓ２４）がＮＯであるとデータオーバフローエ
ラーとなる。
Ｍのバンク０の書き込みアドレスを０にし（Ｓ１１）、
記録するデータがあるか否かを調べ（Ｓ１２）、ＹＥＳ
であるとさらにＮＶＲＡＭのバンク０に空きがあるか否
かを調べる（Ｓ１３）。ＮＶＲＡＭのバンク０に空きが
なく（Ｓ１３）がＮＯのときは、ＮＶＲＡＭのバンク０
の内容をフラッシュ・メモリへの書き出しを開始する
（Ｓ１４）。ＮＶＲＡＭのバンク１の内容のフラッシュ
への書き出しが終了している（Ｓ１５）がＹＥＳのと
き、ＮＶＲＡＭのバンク１の書き込みアドレスを０にす
る（Ｓ１６）。（Ｓ１５）がＮＯのときデータオーバー
フローエラーとなる。ＮＶＲＡＭのバンク０に空きがあ
る（Ｓ１３）がＹＥＳであるとき、および（Ｓ１５）が
実行されたときは、ＮＶＲＡＭのバンク０の書き込みア
ドレスよりデータを書き込み（Ｓ１７）、ＮＶＲＡＭの
バンク０の書き込みアドレスをデータサイズ分増やし
（Ｓ１８）たうえで（Ｓ１２）へ戻る。一方（Ｓ１６）
が実行されたとき、およびＮＶＲＡＭのバンク１に空き
がある（Ｓ２２）がＹＥＳのときは、ＮＶＲＡＭのバン
ク１の書き込みアドレスよりデータを書き込み（Ｓ１
９）、ＮＶＲＡＭのバンク１の書き込みアドレスをデー
タサイズ分増やし（Ｓ２０）たうえで（Ｓ２１）に戻
り、記録するデータがあるか否かを調べ（Ｓ２１）、Ｙ
ＥＳであるとＮＶＲＡＭにバンク１の空きがあるか否か
を調べ（Ｓ２２）、ＮＯであると、ＮＶＲＡＭのバンク
１の内容のフラッシュへの書き出しを開始する（Ｓ２
３）。ＮＶＲＡＭのバンク０の内容のフラッシュへの書
き出しが終了している（Ｓ２４）がＹＥＳのとき、ＮＶ
ＲＡＭのバンク０の書き込みアドレスを０にする（Ｓ２
５）。（Ｓ２４）がＮＯであるとデータオーバフローエ
ラーとなる。
【００１１】図５（ａ）は、ＮＶＲＡＭとフラッシュ・
メモリにはデータが全く記録されていない状態を示して
いるが、図５（ｂ）ではＮＶＲＡＭのバンク０にデータ
が記録されていき、図５（ｃ）ではバンク０のメモリ容
量一杯にデータが記録された状態を示している。バンク
０のメモリ容量が一杯になったときは、バンク０のメモ
リをフラッシュ・メモリへコピーさせると共に、バンク
１へデータを記録させる状態を図５（ｄ）と図５（ｅ）
に示す。バンク１のメモリ容量一杯にデータが記録され
ると、そのデータをフラッシュ・メモリの余裕メモリへ
コピーさせると共に、バンク０にデータを記録させる状
態を図５（ｆ）を図５（ｇ）に示す。以下同様にして、
図５（ｈ）→図５（ｉ）→図５（ｊ）のステップを踏ん
で、フラッシュ・メモリにデータが蓄積されていく。
メモリにはデータが全く記録されていない状態を示して
いるが、図５（ｂ）ではＮＶＲＡＭのバンク０にデータ
が記録されていき、図５（ｃ）ではバンク０のメモリ容
量一杯にデータが記録された状態を示している。バンク
０のメモリ容量が一杯になったときは、バンク０のメモ
リをフラッシュ・メモリへコピーさせると共に、バンク
１へデータを記録させる状態を図５（ｄ）と図５（ｅ）
に示す。バンク１のメモリ容量一杯にデータが記録され
ると、そのデータをフラッシュ・メモリの余裕メモリへ
コピーさせると共に、バンク０にデータを記録させる状
態を図５（ｆ）を図５（ｇ）に示す。以下同様にして、
図５（ｈ）→図５（ｉ）→図５（ｊ）のステップを踏ん
で、フラッシュ・メモリにデータが蓄積されていく。
【００１２】以上の説明は、バッテリーバックアップＲ
ＡＭのメモリ容量を２分割した例を示している。３以上
の分割数とすることも容易に実現できるが、説明は省略
する。
ＡＭのメモリ容量を２分割した例を示している。３以上
の分割数とすることも容易に実現できるが、説明は省略
する。
【００１３】
【発明の効果】本発明による半導体メモリによるデータ
記録方法によると、書き換え回数に制限のない小容量の
半導体メモリ（例えば、バッテリーバックアップＲＡ
Ｍ）に先ずデータを記録し、その内容が一杯になったと
きに書き換え回数に制限がある大容量の半導体メモリ
（例えば、フラッシュ・メモリ）にまとめてコピーさせ
る。その際コピーが終了するまではコピー元のデータを
消去しないようにすると、コピー中に電源異常等があっ
てもデータが失われないようにすることができる。従っ
て、データを確実に記録することができ、長時間分の大
量のデータを記録・保存することも可能である。また、
フラッシュ・メモリの書き込み頻度が減少するので、そ
の寿命が延びる効果がある。
記録方法によると、書き換え回数に制限のない小容量の
半導体メモリ（例えば、バッテリーバックアップＲＡ
Ｍ）に先ずデータを記録し、その内容が一杯になったと
きに書き換え回数に制限がある大容量の半導体メモリ
（例えば、フラッシュ・メモリ）にまとめてコピーさせ
る。その際コピーが終了するまではコピー元のデータを
消去しないようにすると、コピー中に電源異常等があっ
てもデータが失われないようにすることができる。従っ
て、データを確実に記録することができ、長時間分の大
量のデータを記録・保存することも可能である。また、
フラッシュ・メモリの書き込み頻度が減少するので、そ
の寿命が延びる効果がある。
【図１】本発明によるデータ記録装置の構成を示すブロ
ック図。
ック図。
【図２】本発明による第１のデータ記録方法のフローチ
ャート。
ャート。
【図３】データが記録される状況を示す説明図。
【図４】本発明による第２のデータ記録方法のフローチ
ャート。
ャート。
【図５】データが記録される状況を示す説明図。
【図６】従来技術によるデータ記録方法を示す説明図。
【符号の説明】 １ ＣＰＵ ２ ＲＯＭ ３ ＲＡＭ ４ Ｉ／Ｏ ５ バッテリーバックアップＲＡＭ ６ フラッシュ・メモリ ７ バッテリー ８ 半導体メモリ
Claims (2)
- 【請求項１】 バッテリーバックアップＲＡＭとフラッ
シュ・メモリより成る半導体メモリによるデータの記録
方法であって、 入力データを先ずバッテリーバックアップＲＡＭに入力
させて記録するステップと、 バッテリーバックアップＲＡＭのメモリ容量一杯までデ
ータが記録されたときは、これらのデータをフラッシュ
・メモリへコピーさせるステップと、 引き続いて入力するデータは、書き換えられたバッテリ
ーバックアップＲＡＭへ入力させて記録するステップ
と、 前記バッテリーバックアップＲＡＭのメモリ容量一杯ま
でデータが記録されたときは、これらのデータを前記フ
ラッシュ・メモリの余裕メモリへコピーさせるステップ
と、 以下同様なステップを繰り返して、入力データを半導体
メモリに記録させるようにしたことを特徴とする半導体
メモリによるデータの記録方法。 - 【請求項２】 バッテリーバックアップＲＡＭのメモリ
容量をバンク０とバンク１に２分割しておき、 入力データを先ずバッテリーバックアップＲＡＭのバン
ク０に入力させて記録するステップと、 前記バンク０のメモリ容量一杯までデータが記録された
ときは、これらのデータをフラッシュ・メモリへコピー
させると共に、引き続いて入力するデータをバッテリー
バックアップＲＡＭのバンク１に入力させて記録するス
テップと、 前記バンク１のメモリ容量一杯までデータが記録された
ときは、これらのデータを前記フラッシュ・メモリの余
裕メモリにコピーさせると共に、引き続いて入力するデ
ータをバッテリーバックアップＲＡＭのバンク０に入力
させて記録するステップと、 以下同様なステップを交互に繰り返して、入力データを
半導体メモリに記録させるようにしたことを特徴とする
請求項１に記載の半導体メモリによるデータの記録方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019900007629A KR900019014A (ko) | 1988-05-25 | 1990-05-25 | 반도체메모리의 데이터기록방법 및 그 장치 |
| JP14548898A JPH11338781A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体メモリによるデータの記録方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14548898A JPH11338781A (ja) | 1998-05-27 | 1998-05-27 | 半導体メモリによるデータの記録方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11338781A true JPH11338781A (ja) | 1999-12-10 |
Family
ID=15386431
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14548898A Pending JPH11338781A (ja) | 1988-05-25 | 1998-05-27 | 半導体メモリによるデータの記録方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11338781A (ja) |
| KR (1) | KR900019014A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101650972A (zh) * | 2009-06-12 | 2010-02-17 | 东信和平智能卡股份有限公司 | 智能卡的非易失性存储器数据更新方法 |
| US20150015911A1 (en) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Naoki Shimizu | Information processing device, image processing control method, and recording medium storing image processing control program |
| JP2016509734A (ja) * | 2013-12-02 | 2016-03-31 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | データ処理デバイス及びデータ処理方法 |
-
1990
- 1990-05-25 KR KR1019900007629A patent/KR900019014A/ko not_active IP Right Cessation
-
1998
- 1998-05-27 JP JP14548898A patent/JPH11338781A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101650972A (zh) * | 2009-06-12 | 2010-02-17 | 东信和平智能卡股份有限公司 | 智能卡的非易失性存储器数据更新方法 |
| US20150015911A1 (en) * | 2013-07-09 | 2015-01-15 | Naoki Shimizu | Information processing device, image processing control method, and recording medium storing image processing control program |
| JP2015018332A (ja) * | 2013-07-09 | 2015-01-29 | 株式会社リコー | 情報処理装置、画像処理システム及び制御プログラム |
| US9203991B2 (en) | 2013-07-09 | 2015-12-01 | Ricoh Company, Ltd. | Information processing device, image processing control method, and recording medium storing image processing control program |
| JP2016509734A (ja) * | 2013-12-02 | 2016-03-31 | 華為技術有限公司Ｈｕａｗｅｉ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｉｅｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． | データ処理デバイス及びデータ処理方法 |
| US9557927B2 (en) | 2013-12-02 | 2017-01-31 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Data processing device and data processing method |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR900019014A (ko) | 1990-12-22 |
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