JP3122201B2

JP3122201B2 - メモリカード装置

Info

Publication number: JP3122201B2
Application number: JP31716991A
Authority: JP
Inventors: 心平吉岡; 和夫小西; 晃司丸山; 聡明佐藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-11-30
Filing date: 1991-11-30
Publication date: 2001-01-09
Anticipated expiration: 2016-01-09
Also published as: EP0615193A4; EP0615193A1; US5483491A; WO1993011491A1; JPH05151098A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。

【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。

【０００６】ここで、図８は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】そして、ランダムアクセスモードにおい
て、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み
出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデー
タを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダ
ムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及
び読み出しスピードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。

【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭは、データの書き替え回数が一定数を越えるとメ
モリセルが急激に劣化しデータの書き込み不良が発生し
易くなることである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、プロ
グラムデータの記録用として開発され、プログラムのバ
ージョンアップのときにデータの書き替えを行なえるよ
うにすることを意図したものであるから、多数回のデー
タ書き替えに対応できるように設計されていないからで
ある。

【００１５】ところが、上述したように、例えば電子ス
チルカメラ装置等に使用されるメモリカード用の半導体
メモリとして、従来より使用されていたＳＲＡＭに代え
てＥＥＰＲＯＭを用いるようにした場合、当然のことな
がら、ＥＥＰＲＯＭに対して頻繁にデータの書き替えが
行なわれるような使われ方をされることになるため、書
き込み不良の発生率が飛躍的に増大するであろうこと
は、どうしても避けられないこととなっている。

【００１６】そして、この書き込み不良について、従来
では、前述した書き込みベリファイ処理を所定回数繰り
返しても正しく書き込まれなかったとき書き込み不良で
あると判断している。しかるに、従来では、ＥＥＰＲＯ
Ｍの一部に書き込み不良が生じた場合でも、そのＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵するメモリカード全体を不良品として取り
扱うようにしているため、非常に効率が悪く経済的に不
利であるという問題が生じている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、書き込み不
良が発生したＥＥＰＲＯＭを内蔵するメモリカード全体
を不良品として処理するため、非常に効率が悪く経済的
に不利になるという問題を有している。

【００１８】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、一部に書き込み不良が発生したＥＥＰＲ
ＯＭでも継続して使用することができるとともに、その
ＥＥＰＲＯＭの記憶領域の有効利用を図ることができ、
経済的に有利で実用に供し得る極めて良好なメモリカー
ド装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、それぞれが一定容量の複数のブロックで構
成されるデータ領域及び救済領域を有するＥＥＰＲＯＭ
と、このＥＥＰＲＯＭのデータ領域のブロックに書き込
み不良が検出された状態で、該不良ブロックに書き込む
データを救済領域の空きブロックを検索して書き込む第
１の救済手段と、この第１の救済手段により救済領域が
満杯になり、かつ、データ領域のブロックに書き込み不
良が検出された状態で、該不良ブロックに書き込むデー
タをデータ領域の空きブロックを検索して書き込む第２
の救済手段と、この第２の救済手段によりデータ領域の
ブロックが救済用に使用されている状態で、データの消
去により救済領域に空きブロックができたことを検出
し、該空きブロックにデータ領域で救済用に使用されて
いるブロックのデータを移し変える制御手段とを備える
ようにしたものである。

【００２０】また、この発明に係るメモリカード装置
は、一定容量の複数のブロックで構成されるデータ領域
を有するＥＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭのデータ領
域のブロックに書き込み不良が検出された状態で、該不
良ブロックに書き込むデータをデータ領域の空きブロッ
クを検索して書き込む救済手段と、この救済手段によっ
てデータの書き込まれたブロックがデータ領域内に連続
して配置されるように制御する第１の制御手段と、この
第１の制御手段により、救済手段によってデータの書き
込まれたブロックがデータ領域内に連続的に形成されて
いる状態で、データ書き込み済みのブロックが不良ブロ
ックの代替として割り当てられたとき、該ブロックのデ
ータをデータ領域内の空きブロックに移し変えて、不良
ブロックの代替として割り当てられるブロックの連続性
を維持させる第２の制御手段とを備えるようにしたもの
である。

【００２１】

【作用】上記のような構成によれば、第１の救済手段に
より、データ領域の一部のブロックに書き込み不良が発
生したとき、救済領域の空きのあるブロックを検索し
て、その不良ブロックに書き込めなかったデータを、救
済領域のブロックに書き込むようにしたので、一部に書
き込み不良が発生したＥＥＰＲＯＭをそのまま継続して
使用することができ、経済的に有利で実用に適するもの
である。また、救済領域が満杯になった場合には、第２
の救済手段により、データ領域の空きブロックを救済用
として利用するとともに、制御手段により、データの消
去によって救済領域のブロックに空きができたときは、
データ領域の救済用として使用されているブロックのデ
ータを、救済領域の空きブロックに自動的に転送するよ
うにしたので、データ領域に空きブロックをより多く確
保することができＥＥＰＲＯＭの記憶領域の有効利用を
図ることができる。

【００２２】さらに、救済領域を固定的に設けず、救済
手段によって、書き込み不良ブロックが発生する毎に、
その不良ブロックの代替となるブロックを増加させてい
くようにしたので、データ領域を有効に使用することが
できる。また、第１及び第２の制御手段によって、代替
となるブロックがデータ領域内に連続して配置されると
ともに、データ書き込み済みのブロックが代替用に割り
当てられたとき、該ブロックのデータをデータ領域内の
空きブロックに移し変えて、代替用ブロックの連続性を
維持させるようにしているので、代替用となった複数の
ブロックが記憶領域の中でばらばらに点在することがな
くなり、データ領域及び代替用となったブロックの両方
の管理を容易に行なうことができる。

【００２３】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデータや、そ
の書き込み場所を示すアドレスデータ等が供給される。

【００２４】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介してデータ入出力制御回路
１４に取り込まれる。このデータ入出力制御回路１４
は、データの高速書き込み及び高速読み出しが可能な図
示しないバッファメモリを内蔵しており、取り込んだデ
ータを一旦バッファメモリに記録する。その後、データ
入出力制御回路１４は、バッファメモリに記録したデー
タを、バスライン１５を介して複数（図示の場合は４
つ）のＥＥＰＲＯＭ１６の書き込みサイクルに対応した
タイミングで読み出し、ＥＥＰＲＯＭ１６に記録する。

【００２５】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ＥＥＰＲＯＭ１６に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１６から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリに記録されてい
るデータと一致しているか否かを判別する書き込みベリ
ファイを実行する。そして、データ入出力制御回路１４
は、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータと、バッフ
ァメモリに記録されたデータとが一致していない場合、
再度、バッファメモリからＥＥＰＲＯＭ１６にデータを
転送して書き込みを行なわせ、この動作が所定回数繰り
返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータ
とバッファメモリに記録されたデータとが完全に一致し
たとき、データの書き込みが完了される。

【００２６】次に、ＥＥＰＲＯＭ１６から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１６か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録する。
その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメモリ
に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介して外部
に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれる。

【００２７】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリを介して行な
われるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモリカ
ード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読み出
しスピードを向上させることができる。また、ＥＥＰＲ
ＯＭ１６に特有の書き込みベリファイも、バッファメモ
リを用いてメモリカード本体１１の内部で自動的に処理
されるので、メモリカード本体１１の取り扱いとして
は、全くＳＲＡＭカードライクに使用することができ
る。

【００２８】ここで、上記ＥＥＰＲＯＭ１６は、図２に
示すように、００００〜ＸＸＸＸ番地よりなる記憶領域
を有しており、この記憶領域は、データを扱う際の最小
単位である一定容量の複数のブロック１〜Ｍ（１ブロッ
クは通常数ｋバイト）に分割されている。このうち、ブ
ロック１〜Ｎまでが、通常のデータを記録するデータ領
域となっている。このデータ領域は、メモリカード本体
１１の外部から直接アクセスすることが可能であり、コ
ネクタ１２を介して直接アドレスを指定することによっ
て、数百バイトでなるページ単位のデータ書き込み及び
読み出しを繰り返すことにより、自由にブロック単位で
のデータ書き込み及び読み出しを行なうことができる。

【００２９】また、ブロックＮ＋１〜Ｍまでが、書き込
み不良によりデータ領域に書き込めなかったデータが書
き込まれる救済領域となっている。この救済領域は、メ
モリカード本体１１の外部から直接アクセスすることは
禁止されており、救済領域に対するデータの書き込み及
び読み出しは、データ入出力制御回路１４の指示により
行なわれる。

【００３０】図３は、上記ＥＥＰＲＯＭ１６内に設けら
れる救済領域の管理テーブルを示している。すなわち、
救済領域のブロック番号Ｎ＋１〜Ｍと、データ領域で書
き込み不良の発生したブロックの先頭アドレスとが１対
１で対応するように構成されており、先頭アドレスが書
き込まれる前は００００にセットされている。図３に示
す例では、ブロックＮ＋１〜Ｙ−１が既に書き込み不良
の救済に使用されている状態を示し、データ領域の書き
込み不良が発生したブロックの先頭アドレスＡＡＡＡ〜
ＤＤＤＤがそれぞれ記録されている。

【００３１】ここで、データ領域内のブロックＸにデー
タを書き込もうとしたところ書き込み不良が発生した場
合について説明する。すなわち、データ入出力制御回路
１４は、ブロックＸに対して書き込みベリファイ処理を
所定回数行なっても一致が得られなかった場合、ブロッ
クＸを書き込み不良と判定する。すると、データ入出力
制御回路１４は、図３に示した管理テーブルを検索し、
救済領域内の空きのあるブロックをサーチする。

【００３２】この場合、ブロック番号Ｙに空きがあるの
で、データ入出力制御回路１４は、救済領域のブロック
Ｙを選択し、そのブロックＹにブロックＸに書き込めな
かったデータを書き込み、書き込みベリファイ処理によ
り書き込みが成立した場合に管理テーブルのブロック番
号Ｙの部分にブロックＸの先頭アドレスＹＹＹＹを書き
込み、ここに救済処置が完了される。

【００３３】そして、ＥＥＰＲＯＭ１６からのデータの
読み出しについては、データ入出力制御回路１４は、外
部からアドレスによって読み出しが要求されたデータ領
域のブロックの先頭アドレスと、管理テーブルに書き込
まれた全ての先頭アドレスとを照合し、一致した場合
に、その一致した先頭アドレスに対応する救済領域のブ
ロックからデータを読み出すように制御する。

【００３４】また、ＥＥＰＲＯＭ１６のデータの消去に
ついても、データの読み出しと同様に、データ入出力制
御回路１４は、外部からアドレスによって読み出しが要
求されたデータ領域のブロックの先頭アドレスと、管理
テーブルに書き込まれた全ての先頭アドレスとを照合
し、一致した場合に、その一致した先頭アドレスに対応
する救済領域のブロックからデータを消去するように制
御する。

【００３５】ところで、上記救済領域も、ＥＥＰＲＯＭ
１６内に存在するため、ブロックＮ＋１〜Ｍにも書き込
み不良が発生する場合がある。このような場合、データ
入出力制御回路１４は、管理テーブルの書き込み不良が
発生したブロック番号の部分に、先頭アドレスに代えて
使用禁止フラグを記録する。この使用禁止フラグは、デ
ータ領域に存在しないアドレスとして例えば１１１１等
が選ばれる。そして、データ入出力制御回路１４は、検
索した救済領域の空きブロックＹが書き込み不良であれ
ば、次の空きブロックＹ＋１を管理テーブルより検索
し、データの書き込みを行なわせるように動作する。

【００３６】また、救済領域が満杯になっても、さらに
データ領域のブロックに書き込み不良が発生した場合に
は、データ領域の空きブロックを救済用として利用する
こともできる。この場合、管理テーブルは、図４に示す
ように、データ領域と救済領域とを合わせた全てのブロ
ック番号１〜Ｍと、データ領域で書き込み不良の発生し
たブロックの先頭アドレスとが１対１で対応するように
構成されており、データ領域で既に正規のデータ記録に
使用されているブロック番号の部分には、使用禁止フラ
グとして１１１１が記録され、データ領域でまだデータ
が記録されていないブロック番号の部分に００００が記
録されている。

【００３７】ここで、救済領域が満杯で、かつ、データ
領域内のブロックＸにデータを書き込もうとしたところ
書き込み不良が発生した場合について説明する。すなわ
ち、データ入出力制御回路１４は、ブロックＸが書き込
み不良と判定すると、管理テーブルを検索し救済領域内
の空きのあるブロックＮ＋１〜Ｍをサーチする。そし
て、救済領域に空きなしと判定すると、データ入出力制
御回路１４は、管理テーブルのデータ領域内の空きのあ
るブロック１〜Ｎを検索する。

【００３８】この場合、ブロックＮ−１に空きがあるの
で、データ入出力制御回路１４は、そのブロックＮ−１
にブロックＸに書き込めなかったデータを書き込み、書
き込みベリファイ処理により書き込みが成立した場合
に、管理テーブルのブロック番号Ｎ−１の部分にブロッ
クＸの先頭アドレスＹＹＹＹを書き込み、ここに救済処
置が完了される。

【００３９】ところで、上記のように、救済領域が満杯
でデータ領域の一部を救済に使用している状態で、ＥＥ
ＰＲＯＭ１６に記録されているあるデータが不要にな
り、これを消去したとする。このとき、消去したデータ
が複数のブロック１，２，３に分散されて記録されてお
り、そのブロックの１つ（例えばブロック２）が書き込
み不良で該ブロック２に書き込むべきデータ部分が救済
領域のブロックＮ＋２に書き込まれていたとする。する
と、このデータを消去した場合、当然、ブロック１，
３，Ｎ＋２が空きブロックとなる。つまり、満杯であっ
た救済領域のブロックＮ＋２に空きができることにな
る。

【００４０】一方、上述したように、このメモリカード
本体１１では、救済領域が満杯の場合データ領域の一部
を救済に使用しているが、データ領域はメモリカード本
体１１の外部から直接アクセス可能な領域、つまり、デ
ータ領域の容量がこのメモリカード本体１１を外部から
見たときの全データ記録容量となるため、データ領域が
救済用に使用されているということは、取りも直さず、
メモリカード本体１１を外部から見たときの全データ記
録容量が削減されたことになる。

【００４１】そこで、上記のようにデータを消去した結
果、救済領域のブロックに空きができた場合、上記デー
タ入出力制御回路１４は、データ領域の中で救済用とし
て使用されているブロック（図４ではブロックＮ−１）
のデータを、空きのできた救済領域のブロックＮ＋２に
自動的に転送し、データ領域のブロックＮ−１を空きブ
ロックとして、メモリカード本体１１を外部から見たと
きの全データ記録容量が不要に削減されることを防止し
ている。

【００４２】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、データ領域の一部のブロックに書き込み不良が発
生したとき、管理テーブルから救済領域の空きのあるブ
ロックを検索して、その不良ブロックに書き込めなかっ
たデータを、救済領域のブロックに書き込むようにした
ので、一部に書き込み不良が発生したＥＥＰＲＯＭ１６
をそのまま継続して使用することができ、経済的に有利
で実用に適するものである。

【００４３】また、救済領域が満杯になった場合には、
データ領域の空きブロックを救済用として利用し、デー
タの消去により救済領域のブロックに空きができたとき
は、データ領域の救済用として使用されているブロック
のデータを、救済領域の空きブロックに自動的に転送し
て、データ領域に空きブロックをより多く確保するよう
にしたので、ＥＥＰＲＯＭ１６の記憶領域の有効利用を
図ることができる。

【００４４】次に、図５は、この発明の他の実施例を示
している。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ１６は、図５に示す
ように、００００〜ＸＸＸＸ番地よりなる記憶領域を有
しており、この記憶領域は複数のブロック１〜Ｍに分割
されている。そして、初期状態では、各ブロック１〜Ｍ
は全て通常のデータを記録するデータ領域となってお
り、メモリカード本体１１の外部からアドレスを指定す
ることによって、自由にブロック単位でのデータの書き
込み及び読み出しを行なうことができる。

【００４５】図６は、ＥＥＰＲＯＭ１６内に設けられた
管理テーブルを示している。すなわち、この管理テーブ
ルは、図中左列がブロック番号１〜Ｍを示し、図中右列
がデータ領域か救済領域であるかを示しており、救済領
域に指定されたブロックに対しては、その救済ブロック
番号と、該救済ブロックで救済した書き込み不良ブロッ
クの先頭アドレスとが１対１で対応するように構成され
ている。図６では初期状態を示し、全てのブロックに未
使用ブロックであることを示す００００がセットされて
いる。

【００４６】ここで、ブロックＸにデータを書き込もう
としたところ書き込み不良が発生した場合について説明
する。すなわち、データ入出力制御回路１４は、ブロッ
クＸに対して書き込みベリファイ処理を所定回数行なっ
ても一致が得られなかった場合、ブロックＸを書き込み
不良と判定する。すると、データ入出力制御回路１４
は、図６に示した管理テーブルを検索し空きのあるブロ
ック（テーブル内容００００）を、エンドブロック番号
Ｍ側からサーチする。

【００４７】この場合、ブロック番号Ｍに空きがあるの
で、データ入出力制御回路１４は、ブロックＭを書き込
み不良の生じたブロックＸの代替（救済）ブロックとし
て選択し、そのブロックＭにブロックＸに書き込めなか
ったデータを書き込み、書き込みベリファイ処理により
書き込みが成立した場合に管理テーブルのブロック番号
Ｍの部分にブロックＸの先頭アドレスＭＭＭＭを書き込
み、ここに救済処置が完了される。

【００４８】また、他のブロックが書き込み不良と判定
されると、データ入出力制御回路１４は、ブロックＭ−
１を救済ブロックとして選択し、以下同様に、書き込み
不良ブロックが検出される毎に、ブロックＭ−２，Ｍ−
３，……というように順次若い番号のブロックが救済ブ
ロックとして選択される。この場合、データ入出力制御
回路１４は、書き込み不良ブロックを最後に救済したブ
ロックの位置、または次に書き込み不良ブロックを救済
する予定のブロックの位置を、ポインタとして持ってい
るようにすれば、空きブロックを検索する工程を省略す
ることができ効率的となる。

【００４９】図７は、上記のような書き込み不良ブロッ
クの救済処置を行なった結果、ブロックＮ＋１〜Ｍが救
済ブロックとなり、他のブロック１〜Ｎが通常のデータ
を記録するデータ領域となった状態を示している。ここ
で、ブロックＮに既にデータが記録されており、ブロッ
クＮ−１，Ｙに空きがある状態で、ブロックＸにデータ
を書き込もうとしたところ書き込み不良が発生したとす
る。すると、データ入出力制御回路１４は、ブロックＸ
を書き込み不良と判定した場合、ブロックＮを救済ブロ
ックに指定することになるが、ブロックＮには既にデー
タが記録されている。

【００５０】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ブロックＮのデータをデータ領域で空きのあるブロック
Ｙに転送し、ブロックＮを消去してそこにブロックＸに
書き込むべきデータを書き込むように制御する。また、
データの消去により複数の救済ブロックの中に空きブロ
ックができたときは、最後に救済したブロックのデータ
をそこに転送することにより、複数の救済ブロックの中
に空きブロックが生じないようにして、ＥＥＰＲＯＭ１
６の記憶領域の有効利用を図っている。

【００５１】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、救済領域を固定的に設けず、書き込み不良ブロッ
クが発生する毎に救済ブロックを増加させていくように
したので、データ領域を有効に使用することができる。
また、救済ブロックは、エンドブロックＭから順次若い
番号のブロックへと増加し、途中にデータの記録された
ブロックＮがあった場合には、そのブロックＮのデータ
をデータ領域の空きブロックＹに転送してブロックＮを
救済ブロックに変更するようにしているので、複数の救
済ブロックが記憶領域の中でばらばらに点在することが
なくなり、データ領域及び救済ブロックの両方の管理を
容易に行なうことができる。

【００５２】さらに、データの消去により複数の救済ブ
ロックの中に空きブロックができたときは、最後に救済
したブロックのデータをそこに転送することにより、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１６の記憶領域の有効利用を図ることができ
る。また、上記実施例では、書き込み不良が発生したと
きに始めてブロックＮの使用状態をチェックしている
が、ブロックＮの１つ前にブロックＮ−１が救済用とし
て使用されたときに、予め次に救済ブロックとなる予定
のブロックＮの使用状態をチェックしておき、使用中で
ある場合はブロックＮのデータを他の空きブロックに移
し変えておくようにすれば、より一層効率的となる。

【００５３】なお、この発明は上記各実施例に限定され
るものではなく、この外その要旨を逸脱しない範囲で種
々変形して実施することができる。

【００５４】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
一部に書き込み不良が発生したＥＥＰＲＯＭでも継続し
て使用することができるとともに、そのＥＥＰＲＯＭの
記憶領域の有効利用を図ることができ、経済的に有利で
実用に供し得る極めて良好なメモリカード装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。

【図２】同実施例におけるＥＥＰＲＯＭの記憶領域を示
す図。

【図３】同実施例における管理テーブルの詳細を示す
図。

【図４】同実施例で救済領域が満杯になった場合の対策
を示す図。

【図５】この発明の他の実施例におけるＥＥＰＲＯＭの
記憶領域を示す図。

【図６】同他の実施例における管理テーブルの詳細を示
す図。

【図７】同他の実施例におけるＥＥＰＲＯＭへの記録動
作を示す図。

【図８】ＳＲＡＭカードとＥＥＰＲＯＭカードとの長短
を比較して示す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…ＥＥＰＲＯＭ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者丸山晃司神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地株式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者佐藤聡明東京都港区新橋３丁目３番９号東芝エー・ブイ・イー株式会社内 (56)参考文献特開平１−286199（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−58063（ＪＰ，Ａ) 特開昭61−227300（ＪＰ，Ａ) 特開平２−118999（ＪＰ，Ａ) 特開平５−46489（ＪＰ，Ａ) 特開昭63−24340（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06F 12/16 G06F 3/08 G06K 19/07 G11C 16/02

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】それぞれが一定容量の複数のブロックで
構成されるデータ領域及び救済領域を有するＥＥＰＲＯ
Ｍと、このＥＥＰＲＯＭのデータ領域のブロックに書き
込み不良が検出された状態で、該不良ブロックに書き込
むデータを前記救済領域の空きブロックを検索して書き
込む第１の救済手段と、この第１の救済手段により前記
救済領域が満杯になり、かつ、前記データ領域のブロッ
クに書き込み不良が検出された状態で、該不良ブロック
に書き込むデータを前記データ領域の空きブロックを検
索して書き込む第２の救済手段と、この第２の救済手段
によりデータ領域のブロックが救済用に使用されている
状態で、データの消去により前記救済領域に空きブロッ
クができたことを検出し、該空きブロックにデータ領域
で救済用に使用されているブロックのデータを移し変え
る制御手段とを具備してなることを特徴とするメモリカ
ード装置。
【請求項２】一定容量の複数のブロックで構成される
データ領域を有するＥＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭ
のデータ領域のブロックに書き込み不良が検出された状
態で、該不良ブロックに書き込むデータを前記データ領
域の空きブロックを検索して書き込む救済手段と、この
救済手段によってデータの書き込まれたブロックが前記
データ領域内に連続して配置されるように制御する第１
の制御手段と、この第１の制御手段により、前記救済手
段によってデータの書き込まれたブロックが前記データ
領域内に連続的に形成されている状態で、データ書き込
み済みのブロックが不良ブロックの代替として割り当て
られたとき、該ブロックのデータをデータ領域内の空き
ブロックに移し変えて、不良ブロックの代替として割り
当てられるブロックの連続性を維持させる第２の制御手
段とを具備してなることを特徴とするメモリカード装
置。