JP3117244B2

JP3117244B2 - Ｅｅｐｒｏｍの制御装置

Info

Publication number: JP3117244B2
Application number: JP20031191A
Authority: JP
Inventors: 和夫小西; 高彰須山
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1991-08-09
Filing date: 1991-08-09
Publication date: 2000-12-11
Anticipated expiration: 2015-12-11
Also published as: JPH0546461A

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、ＥＥＰＲＯＭ（エレ
クトリカリィ・イレーサブル・アンド・プログラマブル
・リード・オンリー・メモリ）の制御装置に係り、特に
電子スチルカメラ装置のメモリカード等に使用して好適
するものに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。

【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。

【０００６】ここで、図３は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】そして、ランダムアクセスモードおいて、
ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピードが共
に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み出し
スピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯＭ
は、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデータ
を一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダム
アクセスモードに比してデータの書き込みスピード及び
読み出しスピードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。そして、この
イレースモードには、ＥＥＰＲＯＭの全ての記憶内容を
一括して消去するチップイレースと、複数のページでな
るブロック（数Ｋバイト）単位で記憶内容を消去するブ
ロックイレースとがある。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。

【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭに対してデータの書き替えを行なう場合には、必
ずイレースを行なう必要があるということと、ＥＥＰＲ
ＯＭのデータ書き込みの最小単位が数百バイトのページ
であり、イレースの最小単位がページよりも大きい数Ｋ
バイトのブロック単位であるということである。すなわ
ち、電子スチルカメラ装置のメモリカードに用いられる
ＥＥＰＲＯＭには、主としてデジタル画像（音声を含
む）データが記録されることになるが、このようなデー
タは、パケットデータと称され、図４に示すように、Ｅ
ＥＰＲＯＭの記憶領域中にブロック単位で書き込まれ
る。

【００１５】そして、各パケットデータには、そのパケ
ットデータ特有の管理情報（日付けやタイトル等）であ
る１ページのパケットヘッダデータが付加されるように
なっている。このため、例えばパケットのタイトルを変
えたい場合、パケットヘッダデータを一旦イレースして
新たなデータに書き替えることになるが、イレースの最
小単位がブロックであることから、パケットヘッダデー
タをイレースしようとすると、パケットヘッダデータだ
けでなく必要とするパケットデータまでもイレースされ
てしまうため、パケットヘッダデータのみの書き替えが
できないという問題が生じている。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、イレースの
最小単位がブロックであることから、ブロックよりも小
さいページ単位でのデータの書き替えを行なうことがで
きないという問題を有している。

【００１７】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、ブロック単位のイレースしかできなくて
も、ＥＥＰＲＯＭの記憶内容をページ単位で書き替える
ことができるようにした極めて良好なＥＥＰＲＯＭの制
御装置を提供することを目的とする。

【００１８】

【課題を解決するための手段】この発明に係るＥＥＰＲ
ＯＭの制御装置は、ページ単位でのデジタルデータの書
き込みと、複数のページで構成されるブロック単位での
デジタルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭを対象と
している。そして、ブロックを構成する所定のページに
対してデジタルデータの書き替えが要求された状態で、
そのページを含むブロック単位のデジタルデータを書き
込み可能な空き記憶領域を検索し、この空き記憶領域
に、所定のページに対して書き替えが要求された新たな
デジタルデータをページ単位で書き込むとともに、ブロ
ック内の書き替えないデジタルデータをページ単位で順
次書き移す制御手段を備えるようにしたものである。

【００１９】

【作用】上記のような構成によれば、ブロックを構成す
る所定のページに対してデジタルデータの書き替えが要
求された状態で、そのページを含むブロック単位のデジ
タルデータを書き込み可能な空き記憶領域を検索し、こ
の空き記憶領域に、所定のページに対して書き替えが要
求された新たなデジタルデータをページ単位で書き込む
とともに、ブロック内の書き替えないデジタルデータを
ページ単位で順次書き移すようにしたので、ＥＥＰＲＯ
Ｍがブロック単位のイレースしかできなくても、ページ
単位でデジタルデータを書き替えることが可能となる。
また、検索した空き記憶領域に、新たなデジタルデータ
をページ単位で書き込むとともに、ブロック内の書き替
えないデジタルデータをページ単位で順次書き移すよう
にしたので、例えば、新たなデジタルデータや元のブロ
ックから読み出した書き替えないデジタルデータを、一
旦バッファメモリに記憶させてから読み出して空き記憶
領域に書き込むような構成をとった場合でも、バッファ
メモリとしては、ブロックの大きさに拘わらず、ページ
単位のデジタルデータを記憶できる小容量のもので良い
という利点を有する。

【００２０】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタルデー
タＤＡと、その書き込み場所を示すアドレスデータＡＤ
とが供給される。これらデジタルデータＤＡ及びアドレ
スデータＡＤは、バスラインＤ０〜Ｄ７を介してデータ
入出力制御回路１３に供給されている。

【００２１】また、電子スチルカメラ本体からは、コネ
クタ１２に対して、メモリカード本体１１を選択したと
きＨ（ハイ）レベルとなるカードイネーブル信号ＣＥ
と、バスラインＤ０〜Ｄ７に供給されたデータがアドレ
スデータＡＤのときＬ（ロー）レベルとなりデジタルデ
ータＤＡのときＨレベルとなるアドレス／データ切替信
号Ａ／Ｄと、後述するＥＥＰＲＯＭに対するデータ書き
込み要求のときＬレベルとなりデータ読み出し要求のと
きＨレベルとなるリード／ライト切替信号Ｒ／Ｗと、ア
ドレスデータＡＤに同期したバスクロックＢＣＫとが、
供給されるようになっている。

【００２２】これらカードイネーブル信号ＣＥ，アドレ
ス／データ切替信号Ａ／Ｄ，リード／ライト切替信号Ｒ
／Ｗ及びバスクロックＢＣＫも、データ入出力制御回路
１３に供給されている。また、電子スチルカメラ本体か
らは、コネクタ１２を介してＥＥＰＲＯＭに対するデー
タのイレースを要求する命令も、データ入出力制御回路
１３に供給されるようになっている。また、このデータ
入出力制御回路１３からは、電子スチルカメラ本体から
のデジタルデータＤＡの入力許可時にＨレベルとなり、
入力拒否時にＬレベルとなるレディ／ビジィ切替信号Ｒ
ＤＹ／ＢＳＹが発生されるようになっている。

【００２３】ここで、概略的な動作について説明する
と、上記コネクタ１２に供給されたデジタルデータＤＡ
は、データ入出力制御回路１３の制御により、一旦バッ
ファメモリ１４に取り込まれ記録される。このときのバ
ッファメモリ１４のデジタルデータＤＡの取り込みタイ
ミングは、アドレス発生回路１５から出力されるアドレ
スデータによってコントロールされる。また、このアド
レス発生回路１５は、セレクタ１６によって選択された
クロックＣＫをカウントして、バッファメモリ１４への
アドレスデータを生成している。このセレクタ１６に
は、上記バスクロックＢＣＫとデータ入出力制御回路１
３から出力されるクロックＹＣＫとが供給されるように
なっている。

【００２４】そして、バッファメモリ１４のデジタルデ
ータＤＡの取り込み時には、セレクタ１６が、データ入
出力制御回路１３から出力されるセレクト信号ＳＥＬに
よってバスクロックＢＣＫを選択し、クロックＣＫとし
てアドレス発生回路１５に導出している。このため、電
子スチルカメラ本体からコネクタ１２に送出されたデジ
タルデータＤＡは、バスクロックＢＣＫに基づいて生成
されるアドレスデータにしたがって、バッファメモリ１
４に書き込まれることになる。

【００２５】その後、データ入出力制御回路１３は、バ
ッファメモリ１４に対するデジタルデータＤＡの書き込
みが終了すると、セレクト信号ＳＥＬを制御して、自己
の生成するクロックＹＣＫが、アドレス発生回路１５に
導出されるようにセレクタ１６を切り替える。このた
め、クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で
生成されるアドレスデータによって、バッファメモリ１
４からデジタルデータＤＡが読み出される。

【００２６】このとき、データ入出力制御回路１３は、
ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチップイネーブル信号ＣＥＮ
及びライトイネーブル信号ＷＥを出力するとともに、ア
ドレスデータＡＤを出力し、バッファメモリ１４から読
み出されたデジタルデータＤＡを、ＥＥＰＲＯＭ１７に
ページ単位で書き込むように制御する。そして、ＥＥＰ
ＲＯＭ１７にデジタルデータＤＡが書き込まれた状態
で、データ入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に
対して、アウトイネーブルデータＯＥ及び先にデータの
書き込みを指定したアドレスデータＡＤを出力して、Ｅ
ＥＰＲＯＭ１７から書き込んだデジタルデータＤＡを読
み出させ、バッファメモリ１４に記録されたデジタルデ
ータＤＡと一致しているか否かを判別する、書き込みベ
リファイを実行する。

【００２７】そして、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出した
デジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録され
たデジタルデータＤＡとが一致していないと、データ入
出力制御回路１３は、再度、バッファメモリ１４からＥ
ＥＰＲＯＭ１７にデジタルデータＤＡを転送して書き込
みを行ない、この動作が、ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出
したデジタルデータＤＡと、バッファメモリ１４に記録
されたデジタルデータＤＡとが完全に一致するまで繰り
返され、ここにデジタルデータＤＡのＥＥＰＲＯＭ１７
への書き込みが行なわれる。

【００２８】また、電子スチルカメラ本体からＥＥＰＲ
ＯＭ１７に記録されたデータをイレースする命令が発生
されると、データ入出力制御回路１３は、その消去命令
に基づいて消去回路１８を駆動する。この消去回路１８
は、データ入出力制御回路１３の制御に基づいて、ＥＥ
ＰＲＯＭ１７のアドレスライン及びデータラインに消去
用の信号を出力することにより、ＥＥＰＲＯＭ１７を電
気的にチップイレースまたはブロックイレースする。

【００２９】次に、ＥＥＰＲＯＭ１７から、デジタルデ
ータＤＡをメモリカード本体１１の外部に読み出す動作
について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側から
コネクタ１２を介して読み出し要求と読み出すべきデー
タの記録されたアドレスが指定される。すると、データ
入出力制御回路１３は、ＥＥＰＲＯＭ１７に対してチッ
プイネーブル信号ＣＥＮ，アウトイネーブルデータＯＥ
及びアドレスデータＡＤを出力し、ＥＥＰＲＯＭ１７か
らページ単位でデジタルデータＤＡを読み出すととも
に、自己の生成するクロックＹＣＫがアドレス発生回路
１５に導出されるようにセレクタ１６を切り替え、バッ
ファメモリ１３に書き込ませる。

【００３０】その後、データ入出力制御回路１３は、コ
ネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給さ
れるバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１５に導
出されるようにセレクタ１６を切り替え、バスクロック
ＢＣＫに基づいてアドレス発生回路１５で発生されるア
ドレスデータで、バッファメモリ１４からデータを読み
出し、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導
出させ、ここにデジタルデータＤＡの読み出しが行なわ
れる。

【００３１】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリ１４を介して
行なわれるので、データの書き込みスピード及び読み出
しスピードも向上し、ＳＲＡＭカードライクに使用する
ことができるようになる。また、ＥＥＰＲＯＭ１７に特
有の書き込みベリファイも、メモリカード本体１１の内
部に設けられたバッファメモリ１４を用いて行なうよう
にしているので、メモリカード本体１１の取り扱いとし
ては、全くＳＲＡＭカードライクに使用することができ
る。

【００３２】ここで、図２に示すように、ＥＥＰＲＯＭ
１７は、複数（図示の場合は２つ）のチップ１７ａ，１
７ｂから構成されており、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂに
パケットヘッダデータ書替用記憶領域が設定されてい
る。そして、今、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａの所定のパ
ケットに対してそのパケットヘッダデータの書き替えが
要求されると、まず、データ入出力制御回路１３は、Ｅ
ＥＰＲＯＭチップ１７ｂのパケットヘッダデータ書替用
記憶領域中から、１ブロック分の空き領域を検索する。

【００３３】そして、データ入出力制御回路１３は、Ｅ
ＥＰＲＯＭチップ１７ｂの検索した空き領域に、電子ス
チルカメラ本体から出力される新たなパケットヘッダデ
ータをページ単位で書き込み、この新パケットヘッダデ
ータの書き込み終了後、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａのパ
ケットデータをＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂに先に書き込
んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単位で書き
移すように動作する。その後、ＥＥＰＲＯＭチップ１７
ａの書き移されたパケットは、データ入出力制御回路１
３の制御によってブロックイレースされ、新たなパケッ
トヘッダデータ書替用記憶領域として保存される。

【００３４】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、パケットヘッダデータの書き替えが要求された状
態で、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂのパケットヘッダデー
タ書替用記憶領域中から１ブロック分の空き領域を検索
し、この空き領域に新たなパケットヘッダデータをペー
ジ単位で書き込んだ後、ＥＥＰＲＯＭチップ１７ａのパ
ケットデータをＥＥＰＲＯＭチップ１７ｂに先に書き込
んだ新パケットヘッダデータに続けてページ単位で書き
移すようにしたので、ＥＥＰＲＯＭ１７がブロック単位
のイレースしかできなくても、ページ単位のパケットヘ
ッダデータを書き替えるとが可能となる。なお、この発
明は上記実施例に限定されるものではなく、この外その
要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施することがで
きる。

【００３５】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
ブロック単位のイレースしかできなくても、ＥＥＰＲＯ
Ｍの記憶内容をページ単位で書き替えることができるよ
うにした極めて良好なＥＥＰＲＯＭの制御装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るＥＥＰＲＯＭの制御装置の一実
施例を示すブロック構成図。

【図２】同実施例の動作を説明するために示す図。

【図３】ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとの長短を比較して示
す図。

【図４】ＥＥＰＲＯＭ上における記録フォーマットを説
明するために示す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…デー
タ入出力制御回路、１４…バッファメモリ、１５…アド
レス発生回路、１６…セレクタ、１７…ＥＥＰＲＯＭ、
１８…消去回路。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献特開平４−137077（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) G06F 12/00 - 12/06 G11C 17/00

Claims

(57)【特許請求の範囲】

【請求項１】ページ単位でのデジタルデータの書き込
みと、複数のページで構成されるブロック単位でのデジ
タルデータの消去とが可能なＥＥＰＲＯＭにおいて、前
記ブロックを構成する所定のページに対してデジタルデ
ータの書き替えが要求された状態で、そのページを含む
ブロック単位のデジタルデータを書き込み可能な空き記
憶領域を検索し、この空き記憶領域に、前記所定のペー
ジに対して書き替えが要求された新たなデジタルデータ
をページ単位で書き込むとともに、前記ブロック内の書
き替えないデジタルデータをページ単位で順次書き移す
制御手段を具備してなることを特徴とするＥＥＰＲＯＭ
の制御装置。