JPH0546468A - メモリカード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、ＥＥＰＲＯＭを使用してデータの
書き込みスピード及び読み出しスピードを極力向上さ
せ、ＳＲＡＭカードライクに使用できるように改良を施
したメモリカード装置を提供することを目的としてい
る。 【構成】コネクタ１２を介して入力されバッファメモリ
１３に書き込まれたデジタルデータＤＡのうち、ヘッダ
データＨＤが、小記憶容量でバイト単位でのデータの書
き込み及び読み出しが可能なヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７
に書き込まれ、画像データＰＤが、大記憶容量でページ
単位のデータの書き込み及び読み出しが可能な画像用Ｅ
ＥＰＲＯＭ１８に書き込まれる。外部とのデータ転送及
び各ＥＥＰＲＯＭ１７，１８の書き込みベリファイは、
いずれもバッファメモリ１３を用いて行なわれる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。

【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。

【０００６】ここで、図２は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】そして、ランダムアクセスモードおいて、
ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピードが共
に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み出し
スピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯＭ
は、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデータ
を一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダム
アクセスモードに比してデータの書き込みスピード及び
読み出しスピードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＳＲＡ
Ｍに代えてＥＥＰＲＯＭをメモリカードに使用すること
を考えた場合、ＥＥＰＲＯＭカードをＳＲＡＭカードラ
イクに使用できるように改良を施すことが、実用化に際
して重要な問題となっている。

【００１５】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、ＥＥＰＲＯＭを使用してデータの書き込
みスピード及び読み出しスピードを極力向上させ、ＳＲ
ＡＭカードライクに使用できるように改良を施した極め
て良好なメモリカード装置を提供することを目的とす
る。

【００１６】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、全データ量が少なくバイト単位でのデータ
の書き込み及び読み出しが多く要求される性質を有する
第１のデータ群と、全データ量が多く全体的にシーケン
シャルな性質を有する第２のデータ群とを含むデータを
入力し記録するものを対象としている。そして、データ
の高速書き込み及び高速読み出しが可能で、外部とのデ
ータ転送を行なうためのバッファメモリと、このバッフ
ァメモリとの間でデータの入出力を行なうもので、第１
のデータ群を全て記録する記憶容量を有し、バイト単位
でのデータの書き込み及び読み出しが可能な第１のＥＥ
ＰＲＯＭと、バッファメモリとの間でデータの入出力を
行なうもので、第２のデータ群を記録する記憶容量を有
し、ページ単位のデータの書き込み及び読み出しが可能
な第２のＥＥＰＲＯＭと、バッファメモリに記録された
データが第１及び第２のデータ群のいずれに属するかを
判別して、第１及び第２のＥＥＰＲＯＭに選択的に振り
分けて記憶させる制御手段と、バッファメモリから第１
及び第２のＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ
状態で、該第１及び第２のＥＥＰＲＯＭに書き込まれた
データを読み出しバッファメモリのデータと比較して、
一致していない状態で再度バッファメモリから第１及び
第２のＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込ませる判
定手段とを備えるようにしたものである。

【００１７】

【作用】上記のような構成によれば、データ量が少なく
バイト単位で書き替えるものが多いという性質を有する
データを記録するのに、小記憶容量でバイト単位のデー
タの書き込み及び読み出しが可能な第１のＥＥＰＲＯＭ
を用い、データ量が非常に多く全体的にシーケンシャル
であるという性質を有するデータを記録するのに、大記
憶容量で一括消去やページ単位で一括してデータの書き
込み及び読み出しが可能な第２のＥＥＰＲＯＭを用いる
ことができるので、ＥＥＰＲＯＭを用いてもバイト単位
のデータ書き替えやページ単位のデータ書き替えをデー
タの種類に応じて自由に行なうことが可能となる。

【００１８】また、外部とのデータ転送は、必ずバッフ
ァメモリを介して行なわれるので、データの書き込みス
ピード及び読み出しスピードも向上し、ＳＲＡＭカード
ライクに使用することができるようになる。また、ＥＥ
ＰＲＯＭに特有の書き込みベリファイも、バッファメモ
リを用いて行なうようにしているので、取り扱いとして
は、全くＳＲＡＭカードライクに使用することができ
る。

【００１９】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデジタルデー
タＤＡと、その書き込み場所を示すアドレスデータＡＤ
とが供給される。

【００２０】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ジタルデータＤＡは、一旦バッファメモリ１３に取り込
まれ記録される。このときのバッファメモリ１３のデジ
タルデータＤＡの取り込みタイミングは、アドレス発生
回路１４から出力されるアドレスデータによってコント
ロールされる。また、このアドレス発生回路１４は、セ
レクタ１５によって選択されたクロックＣＫをカウント
して、バッファメモリ１３へのアドレスデータを生成し
ている。

【００２１】このセレクタ１５には、アドレスデータＡ
Ｄに同期したバスクロックＢＣＫと、データ処理制御回
路１６から出力される読み出し用クロックＹＣＫとが供
給されるようになっている。そして、バッファメモリ１
３のデジタルデータＤＡの取り込み時には、セレクタ１
５が、データ処理制御回路１６から出力されるセレクト
信号ＳＥＬによってバスクロックＢＣＫを選択し、クロ
ックＣＫとしてアドレス発生回路１４に導出している。

【００２２】また、コネクタ１２に供給されたアドレス
データＡＤは、データ処理制御回路１６に供給されて、
ヘッダ用アドレスデータＨＡＤか画像用アドレスデータ
ＰＡＤかが判別される。すなわち、電子スチルカメラ本
体側から出力されるデジタルデータＤＡには、メモリカ
ードの属性情報，各画像データに特有な各種情報，日付
情報及び撮影可能枚数情報等のメモリ管理情報であるヘ
ッダデータＨＤと、被写体に対応する画像（音声を含
む）データＰＤとが含まれている。

【００２３】そして、データ処理制御回路１６は、入力
されたアドレスデータＡＤがヘッダ用アドレスデータＨ
ＡＤであると判断した場合、ヘッダ用ライトイネーブル
データＨＷＥをヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７に出力する。
このヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７は、ヘッダ用ライトイネ
ーブルデータＨＷＥがアクティブ状態（例えばＨレベ
ル）の期間にのみデータの書き込みが可能となり、それ
以外の期間には、書き込みが不能となるように制御され
る。

【００２４】また、データ処理制御回路１６は、入力さ
れたアドレスデータＡＤが画像用アドレスデータＰＡＤ
であると判断した場合、画像用ライトイネーブルデータ
ＰＷＥを画像用ＥＥＰＲＯＭ１８に出力する。この画像
用ＥＥＰＲＯＭ１８も、画像用ライトイネーブルデータ
ＰＷＥがアクティブ状態（例えばＨレベル）の期間にの
みデータの書き込みが可能となり、それ以外の期間に
は、書き込みが不能となるように制御される。

【００２５】ここで、一般に、ＥＥＰＲＯＭには、数１
０Ｋバイトの小記憶容量であるが、アドレスで任意に指
定したバイト単位でデータの書き込みや読み出しを比較
的高速で行なうことができる第１のタイプのものと、数
１０Ｍビットの大記憶容量を有しバイト単位での書き込
み及び読み出しはできないが、全ての記憶内容を一括し
て消去可能な一括消去機能や、ページ単位で一括してデ
ータの書き込み及び読み出しを行なう機能を有する第２
のタイプのものとがある。

【００２６】そして、上記デジタルデータＤＡのうちの
ヘッダデータＨＤは、その全データ量が１６Ｋバイト程
度と小容量であり、例えば日付情報や撮影可能枚数情報
等のようにバイト単位で書き替える必要のあるものが多
いという性質を有している。このため、ヘッダデータＨ
Ｄを記録するヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７としては、上記
した小記憶容量でバイト単位のデータの書き込み及び読
み出しが可能な第１のタイプのＥＥＰＲＯＭを用いるよ
うにしている。

【００２７】また、上記デジタルデータＤＡのうちの画
像データＰＤは、画像１枚分のデータ量が非常に多く、
しかも全体的にシーケンシャルであるという性質を有し
ている。このため、画像データＰＤを記録する画像用Ｅ
ＥＰＲＯＭ１８としては、大記憶容量を有し、一括消去
機能やページ単位で一括してデータの書き込み及び読み
出しを行なう機能を有する、第２のタイプのＥＥＰＲＯ
Ｍを用いるようにしている。

【００２８】ここで、コネクタ１２を介してバッファメ
モリ１３に書き込まれたデジタルデータＤＡがヘッダデ
ータＨＤであるとすると、データ処理制御回路１６は、
入力されたアドレスデータＡＤがヘッダ用アドレスデー
タＨＡＤであることからヘッダデータＨＤが入力された
と判断し、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、ヘッダ
用アドレスデータＨＡＤを出力するとともに、ヘッダ用
ライトイネーブルデータＨＷＥをアクティブ状態とす
る。

【００２９】次に、データ処理制御回路１６は、セレク
ト信号ＳＥＬを制御して、自己の生成する読み出し用ク
ロックＹＣＫが、アドレス発生回路１４に導出されるよ
うにセレクタ１５を切り替える。このため、読み出し用
クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１４で生成
されるアドレスデータによって、バッファメモリ１３か
らヘッダデータＨＤが順次読み出され、ヘッダ用ＥＥＰ
ＲＯＭ１７に書き込まれることになる。

【００３０】その後、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７に全て
のヘッダデータＨＤが書き込まれた状態で、データ処理
制御回路１６は、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７に対して、
ヘッダ用アウトイネーブルデータＨＯＥをアクティブ状
態とするとともに、ヘッダ用アドレスデータＨＡＤを出
力して、書き込んだヘッダデータＨＤを読み出させ、バ
ッファメモリ１３に記録されたヘッダデータＨＤと一致
しているか否かを判別する、書き込みベリファイを実行
する。

【００３１】そして、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７から読
み出したヘッダデータＨＤと、バッファメモリ１３に記
録されたヘッダデータＨＤとが一致していないと、再
度、バッファメモリ１３からヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７
にヘッダデータＨＤを転送して書き込みを行ない、この
動作が、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７から読み出したヘッ
ダデータＨＤと、バッファメモリ１３に記録されたヘッ
ダデータＨＤとが完全に一致するまで繰り返され、ここ
にヘッダデータＨＤの書き込みが行なわれる。

【００３２】また、コネクタ１２を介してバッファメモ
リ１３に書き込まれたデジタルデータＤＡが画像データ
ＰＤであるとすると、データ処理制御回路１６は、入力
されたアドレスデータＡＤが画像用アドレスデータＰＡ
Ｄであることから画像データＰＤが入力されたと判断
し、画像用ＥＥＰＲＯＭ１８に対して、画像用アドレス
データＰＡＤを出力するとともに、画像用ライトイネー
ブルデータＰＷＥをアクティブ状態とする。

【００３３】次に、データ処理制御回路１６は、セレク
ト信号ＳＥＬを制御して、自己の生成する読み出し用ク
ロックＹＣＫが、アドレス発生回路１４に導出されるよ
うにセレクタ１５を切り替える。このため、読み出し用
クロックＹＣＫに基づいてアドレス発生回路１４で生成
されるアドレスデータによって、バッファメモリ１３か
ら画像データＰＤが順次読み出され、画像用ＥＥＰＲＯ
Ｍ１８に書き込まれることになる。

【００３４】その後、画像用ＥＥＰＲＯＭ１８に全ての
画像データＰＤが書き込まれた状態で、データ処理制御
回路１６は、画像用ＥＥＰＲＯＭ１８に対して、画像用
アウトイネーブルデータＰＯＥをアクティブ状態とする
とともに、画像用アドレスデータＰＡＤを出力して、書
き込んだ画像データＰＤを読み出させ、バッファメモリ
１３に記録された画像データＰＤと一致しているか否か
を判別する、書き込みベリファイを実行する。

【００３５】そして、画像用ＥＥＰＲＯＭ１８から読み
出した画像データＰＤと、バッファメモリ１３に記録さ
れた画像データＰＤとが一致していなければ、再度、バ
ッファメモリ１３から画像用ＥＥＰＲＯＭ１８に画像デ
ータＰＤを転送して書き込み動作を行ない、この動作
が、画像用ＥＥＰＲＯＭ１８から読み出した画像データ
ＰＤと、バッファメモリ１３に記録された画像データＰ
Ｄとが完全に一致するまで繰り返され、ここに画像デー
タＰＤの書き込みが行なわれる。

【００３６】次に、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７及び画像
用ＥＥＰＲＯＭ１８から、ヘッダデータＨＤ及び画像デ
ータＰＤをメモリカード本体１１の外部に読み出す動作
について説明する。まず、電子スチルカメラ本体側から
コネクタ１２を介して読み出すべきデータの記録された
アドレスが指定される。すると、指定されたアドレス
は、データ処理制御回路１６に供給されて、ヘッダ用ア
ドレスデータＨＡＤか画像用アドレスデータＰＡＤかが
判別される。

【００３７】その後、データ処理制御回路１６は、判別
結果に基づいて、ヘッダ用アウトイネーブルデータＨＯ
Ｅ及び画像用アウトイネーブルデータＰＯＥをアクティ
ブ状態とするとともに、自己の生成する読み出し用クロ
ックＹＣＫが、アドレス発生回路１４に導出されるよう
にセレクタ１５を切り替え、ヘッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７
及び画像用ＥＥＰＲＯＭ１８から、ヘッダデータＨＤ及
び画像データＰＤを読み出して、バッファメモリ１３に
書き込ませる。

【００３８】そして、データ処理制御回路１６は、コネ
クタ１２を介して電子スチルカメラ本体側から供給され
るバスクロックＢＣＫが、アドレス発生回路１４に導出
されるようにセレクタ１５を切り替え、バスクロックＢ
ＣＫに基づいてアドレス発生回路１４で発生されるアド
レスデータで、バッファメモリ１３からデータが読み出
され、コネクタ１２を介して電子スチルカメラ本体に導
出されて、ここにヘッダデータＨＤ及び画像データＰＤ
の読み出しが行なわれる。

【００３９】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、データ量が少なくバイト単位で書き替えるものが
多いという性質を有するヘッダデータＨＤを記録するヘ
ッダ用ＥＥＰＲＯＭ１７に、小記憶容量でバイト単位の
データの書き込み及び読み出しが比較的高速で可能な第
１のタイプのＥＥＰＲＯＭを用い、データ量が非常に多
く全体的にシーケンシャルであるという性質を有する画
像データＰＤを記録する画像用ＥＥＰＲＯＭ１８に、大
記憶容量で一括消去やページ単位で一括してデータの書
き込み及び読み出しが可能な第２のタイプのＥＥＰＲＯ
Ｍを用いるようにしたので、ＥＥＰＲＯＭを用いてもバ
イト単位のデータ書き替えやページ単位のデータ書き替
えをデータの種類に応じて自由に行なうことが可能とな
る。

【００４０】しかも、電子スチルカメラ本体とメモリカ
ード本体１１との間におけるデータ転送は、必ずバッフ
ァメモリ１３を介して行なわれるので、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードも向上し、ＳＲＡＭカ
ードライクに使用することができるようになる。また、
ＥＥＰＲＯＭに特有の書き込みベリファイも、メモリカ
ード本体１１の内部に設けられたバッファメモリ１３を
用いて行なうようにしているので、メモリカード本体１
１の取り扱いとしては、全くＳＲＡＭカードライクに使
用することができる。なお、この発明は上記実施例に限
定されるものではなく、この外その要旨を逸脱しない範
囲で種々変形して実施することができる。

【００４１】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
ＥＥＰＲＯＭを使用してデータの書き込みスピード及び
読み出しスピードを極力向上させ、ＳＲＡＭカードライ
クに使用できるように改良を施した極めて良好なメモリ
カード装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。

【図２】ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとの長短を比較して示
す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バッ
ファメモリ、１４…アドレス発生回路、１５…セレク
タ、１６…データ処理制御回路、１７…ヘッダ用ＥＥＰ
ＲＯＭ、１８…画像用ＥＥＰＲＯＭ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 寺崎 攝雄 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 松原 弘明 埼玉県深谷市幡羅町１丁目９番２号 株式 会社東芝深谷工場内 (72)発明者 丸山 晃司 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メデイア技術研究所内 (72)発明者 須山 高彰 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 全データ量が少なくバイト単位でのデー
   タの書き込み及び読み出しが多く要求される性質を有す
   る第１のデータ群と、全データ量が多く全体的にシーケ
   ンシャルな性質を有する第２のデータ群とを含むデータ
   を入力し記録するメモリカード装置において、前記デー
   タの高速書き込み及び高速読み出しが可能で、外部との
   データ転送を行なうためのバッファメモリと、このバッ
   ファメモリとの間でデータの入出力を行なうもので、前
   記第１のデータ群を全て記録する記憶容量を有し、バイ
   ト単位でのデータの書き込み及び読み出しが可能な第１
   のＥＥＰＲＯＭと、前記バッファメモリとの間でデータ
   の入出力を行なうもので、前記第２のデータ群を記録す
   る記憶容量を有し、ページ単位のデータの書き込み及び
   読み出しが可能な第２のＥＥＰＲＯＭと、前記バッファ
   メモリに記録されたデータが前記第１及び第２のデータ
   群のいずれに属するかを判別して、前記第１及び第２の
   ＥＥＰＲＯＭに選択的に振り分けて記憶させる制御手段
   と、前記バッファメモリから前記第１及び第２のＥＥＰ
   ＲＯＭにデータを転送して書き込んだ状態で、該第１及
   び第２のＥＥＰＲＯＭに書き込まれたデータを読み出し
   前記バッファメモリのデータと比較して、一致していな
   い状態で再度前記バッファメモリから前記第１及び第２
   のＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込ませる判定手
   段とを具備してなることを特徴とするメモリカード装
   置。