JPH05314019A - メモリカード装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】この発明は、一部に書き込み不良が発生したＥ
ＥＰＲＯＭでも継続して使用することができるととも
に、そのＥＥＰＲＯＭの記憶領域の有効利用を図ること
ができ、経済的に有利で実用に供し得るメモリカード装
置を提供することを目的としている。 【構成】ＥＥＰＲＯＭのデータ領域のブロックに書き込
み不良が検出された状態で、該データ領域中から規定数
の空きブロックを検索して不良救済領域に割り当て、該
不良ブロックに書き込むデータを不良救済領域の空きブ
ロックに書き込む第１の救済手段と、この不良救済領域
が満杯で、かつ、データ領域のブロックに書き込み不良
が検出された状態で、該データ領域中から規定数の空き
ブロックを検索して新たな不良救済領域に割り当て、該
不良ブロックに書き込むデータを新たな不良救済領域の
空きブロックに書き込む第２の救済手段とを備えてい
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、半導体メモリとして
ＥＥＰＲＯＭ（エレクトリカリィ・イレーサブル・アン
ド・プログラマブル・リード・オンリー・メモリ）を使
用したメモリカード装置に係り、特に撮影した被写体の
光学像をデジタル画像データに変換して半導体メモリに
記録する電子スチルカメラ装置等に使用して好適するも
のに関する。

【０００２】

【従来の技術】周知のように、撮影した被写体の光学像
を固体撮像素子を用いて電気的な画像信号に変換し、こ
の画像信号をデジタル画像データに変換して半導体メモ
リに記録する電子スチルカメラ装置が開発されている。
そして、この種の電子スチルカメラ装置にあっては、半
導体メモリをカード状のケースに内蔵してなるメモリカ
ードを、カメラ本体に着脱自在となるように構成するこ
とによって、通常のカメラにおけるフィルムと等価な取
り扱いができるようになされている。

【０００３】ここで、電子スチルカメラ装置のメモリカ
ードは、現在、標準化が進められていて、内蔵される半
導体メモリとしては、複数枚のデジタル画像データを記
録するために大記憶容量のものが要求され、例えばＳＲ
ＡＭ（スタティック・ランダム・アクセス・メモリ），
マスクＲＯＭ及び電気的にデータの書き込みや消去が可
能なＥＥＰＲＯＭ等が考えられており、ＳＲＡＭを用い
たメモリカードは既に商品化されている。

【０００４】ところで、ＳＲＡＭを用いたメモリカード
は、どのようなフォーマットのデータ構成にも対応する
ことができるとともに、データの書き込みスピード及び
読み出しスピードも速いという利点がある反面、書き込
んだデータを保持するためのバックアップ電池をメモリ
カード内に収容する必要があるため、電池収容スペース
を設置する分だけ記憶容量が削減されるとともに、ＳＲ
ＡＭ自体のコストが高く経済的な不利を招くという問題
を持っている。

【０００５】そこで、現在では、ＳＲＡＭの持つ問題点
を解消するために、メモリカードに用いられる半導体メ
モリとしてＥＥＰＲＯＭが注目されている。このＥＥＰ
ＲＯＭは、磁気ディスクに代わる記録媒体として注目を
浴びているもので、データ保持のためのバックアップ電
池が不要であるとともに、チップ自体のコストを安くす
ることができる等、ＳＲＡＭの持たない特有な利点を有
することから、メモリカード用として使用するための開
発が盛んに行なわれている。

【０００６】ここで、図６は、ＳＲＡＭを用いたメモリ
カード（ＳＲＡＭカード）とＥＥＰＲＯＭを用いたメモ
リカード（ＥＥＰＲＯＭカード）との長短を比較して示
している。まず、比較項目１，２のバックアップ電池及
びコストについては、既に前述したように、ＳＲＡＭカ
ードはバックアップ電池が必要でありコストも高いとい
う問題があるのに対し、ＥＥＰＲＯＭカードはバックア
ップ電池が不要でコストも低くすることができるという
利点を有している。

【０００７】次に、比較項目３，４の書き込みスピード
及び読み出しスピードについては、アドレスで任意に指
定したバイトまたはビットに対して、データの書き込み
及び読み出しを行なう、ＳＲＡＭとＥＥＰＲＯＭとに共
通のランダムアクセスモードと、複数の連続するバイト
（数百バイト）でなるページを指定することにより、ペ
ージ単位で一括してデータの書き込み及び読み出しを行
なう、ＥＥＰＲＯＭに特有のページモードとに分けて考
えられる。

【０００８】そして、ランダムアクセスモードにおい
て、ＳＲＡＭは書き込みスピード及び読み出しスピード
が共に速く、ＥＥＰＲＯＭは書き込みスピード及び読み
出しスピードが共に遅くなっている。また、ＥＥＰＲＯ
Ｍは、ページモードにおいて、１ページ分の大量のデー
タを一斉に書き込み及び読み出しすることから、ランダ
ムアクセスモードに比してデータの書き込みスピード及
び読み出しスピードは速くなっている。

【０００９】さらに、比較項目５のイレース（消去）モ
ードは、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭ
には存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭ
は、既にデータの書き込まれている領域に新たにデータ
を書き込む場合、先に書き込まれているデータを一旦イ
レースしないと新たなデータを書き込むことができない
ため、データの書き込みを行なうに際して、このイレー
スモードが実行されるようになっている。

【００１０】また、比較項目６の書き込みベリファイ
も、ＥＥＰＲＯＭに特有のモードであり、ＳＲＡＭには
存在しないモードである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、
データ書き込みを行なう場合、通常１回の書き込み動作
では完全な書き込みが行なわれない。このため、ＥＥＰ
ＲＯＭに対して１回の書き込み動作を行なう毎にＥＥＰ
ＲＯＭの書き込み内容を読み出し、正確に書き込まれて
いるか否かをチェックする必要があり、これが書き込み
ベリファイである。

【００１１】具体的には、ＥＥＰＲＯＭに書き込むべき
データをバッファメモリに記録しておき、バッファメモ
リからＥＥＰＲＯＭにデータを転送して書き込んだ後、
ＥＥＰＲＯＭの書き込み内容を読み出し、バッファメモ
リの内容と比較して一致しているか否かを判別してい
る。そして、書き込みベリファイの結果、不一致（エラ
ー）と判定された場合には、再度バッファメモリの内容
をＥＥＰＲＯＭに書き込む動作を繰り返すようにしてい
る。

【００１２】以上の比較結果から明らかなように、ＥＥ
ＰＲＯＭには、バックアップ電池が不要でありコストが
安く、しかもページ単位のデータ書き込み及び読み出し
が可能である等の、ＳＲＡＭに見られない特有な利点が
備えられている反面、ランダムアクセスモードにおける
データの書き込みスピード及び読み出しスピードが遅い
とともに、イレースモードや書き込みベリファイ等のよ
うなＳＲＡＭにはないモードを必要とするという不都合
もある。

【００１３】そこで、メモリカードに使用する半導体メ
モリとして、現在使用されているＳＲＡＭに代えてＥＥ
ＰＲＯＭを使用することを考えた場合、データの書き込
みスピード及び読み出しスピードの問題や、イレースモ
ード及び書き込みベリファイ等を必要とするという問題
を解消し、ＳＲＡＭを内蔵したメモリカードと等価な取
り扱い方ができるように、つまりＳＲＡＭカードライク
に使用できるように細部に渡って種々の改良を施すこと
が、肝要なこととなっている。

【００１４】この場合、特に問題となることは、ＥＥＰ
ＲＯＭは、データの書き替え回数が一定数を越えるとメ
モリセルが急激に劣化しデータの書き込み不良が発生し
易くなることである。すなわち、ＥＥＰＲＯＭは、プロ
グラムデータの記録用として開発され、プログラムのバ
ージョンアップのときにデータの書き替えを行なえるよ
うにすることを意図したものであるから、多数回のデー
タ書き替えに対応できるように設計されていないからで
ある。

【００１５】ところが、上述したように、例えば電子ス
チルカメラ装置等に使用されるメモリカード用の半導体
メモリとして、従来より使用されていたＳＲＡＭに代え
てＥＥＰＲＯＭを用いるようにした場合、当然のことな
がら、ＥＥＰＲＯＭに対して頻繁にデータの書き替えが
行なわれるような使われ方をされることになるため、書
き込み不良の発生率が飛躍的に増大するであろうこと
は、どうしても避けられないこととなっている。

【００１６】そして、この書き込み不良について、従来
では、前述した書き込みベリファイ処理を所定回数繰り
返しても正しく書き込まれなかったとき書き込み不良で
あると判断している。しかるに、従来では、ＥＥＰＲＯ
Ｍの一部に書き込み不良が生じた場合でも、そのＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵するメモリカード全体を不良品として取り
扱うようにしているため、非常に効率が悪く経済的に不
利であるという問題が生じている。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、ＥＥＰ
ＲＯＭを内蔵した従来のメモリカードでは、一部に書き
込み不良が発生したＥＥＰＲＯＭを内蔵するメモリカー
ド全体を不良品として処理するため、非常に効率が悪く
経済的に不利になるという問題を有している。

【００１８】そこで、この発明は上記事情を考慮してな
されたもので、一部に書き込み不良が発生したＥＥＰＲ
ＯＭでも継続して使用することができるとともに、その
ＥＥＰＲＯＭの記憶領域の有効利用を図ることができ、
経済的に有利で実用に供し得る極めて良好なメモリカー
ド装置を提供することを目的とする。

【００１９】

【課題を解決するための手段】この発明に係るメモリカ
ード装置は、一定容量の複数のブロックで構成されるデ
ータ領域を有するＥＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭの
データ領域のブロックに書き込み不良が検出された状態
で、該データ領域中から規定数の空きブロックを検索し
て第１の不良救済領域に割り当て、該不良ブロックに書
き込むデータを第１の不良救済領域の空きブロックに書
き込む第１の救済手段と、この第１の救済手段により第
１の不良救済領域が満杯になり、かつ、データ領域のブ
ロックに書き込み不良が検出された状態で、該データ領
域中から規定数の空きブロックを検索して第２の不良救
済領域に割り当て、該不良ブロックに書き込むデータを
第２の不良救済領域の空きブロックに書き込む第２の救
済手段とを備えるようにしたものである。

【００２０】

【作用】上記のような構成によれば、第１の救済手段に
より、データ領域の一部のブロックに書き込み不良が発
生したとき、データ領域中から規定数の空きブロックを
検索して第１の不良救済領域に割り当て、該不良ブロッ
クに書き込むデータを第１の不良救済領域の空きブロッ
クに書き込むようにしたので、一部に書き込み不良が発
生したＥＥＰＲＯＭでも継続して使用することができ、
経済的に有利で実用に適するものである。また、第１の
不良救済領域が満杯になった場合には、第２の救済手段
により、データ領域中から新たに規定数の空きブロック
を検索して第２の不良救済領域に割り当て、該不良ブロ
ックに書き込むデータを第２の不良救済領域の空きブロ
ックに書き込むようにしたので、ＥＥＰＲＯＭの記憶領
域の有効利用を図ることができる。

【００２１】

【実施例】以下、この発明を電子スチルカメラ装置に適
用した場合の一実施例について図面を参照して詳細に説
明する。図１において、１１はメモリカード本体で、そ
の一端部に設置されたコネクタ１２を介して、図示しな
い電子スチルカメラ本体に接続されるようになされてい
る。このコネクタ１２には、電子スチルカメラ本体側か
ら、メモリカード本体１１に書き込むべきデータや、そ
の書き込み場所を示すアドレスデータ等が供給される。

【００２２】そして、このコネクタ１２に供給されたデ
ータは、バスライン１３を介してデータ入出力制御回路
１４に取り込まれる。このデータ入出力制御回路１４
は、データの高速書き込み及び高速読み出しが可能な図
示しないバッファメモリを内蔵しており、取り込んだデ
ータを一旦バッファメモリに記録する。その後、データ
入出力制御回路１４は、バッファメモリに記録したデー
タを、バスライン１５を介して複数（図示の場合は４
つ）のＥＥＰＲＯＭ１６の書き込みサイクルに対応した
タイミングで読み出し、ＥＥＰＲＯＭ１６に記録する。

【００２３】この場合、データ入出力制御回路１４は、
ＥＥＰＲＯＭ１６に例えばページ単位でデータが書き込
まれる毎に、ＥＥＰＲＯＭ１６から書き込んだページ単
位のデータを読み出し、バッファメモリに記録されてい
るデータと一致しているか否かを判別する書き込みベリ
ファイを実行する。そして、データ入出力制御回路１４
は、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータと、バッフ
ァメモリに記録されたデータとが一致していない場合、
再度、バッファメモリからＥＥＰＲＯＭ１６にデータを
転送して書き込みを行なわせ、この動作が所定回数繰り
返される間に、ＥＥＰＲＯＭ１６から読み出したデータ
とバッファメモリに記録されたデータとが完全に一致し
たとき、データの書き込みが完了される。

【００２４】次に、ＥＥＰＲＯＭ１６から、データをメ
モリカード本体１１の外部に読み出す場合には、電子ス
チルカメラ本体側からコネクタ１２を介して読み出すべ
きデータを指定するアドレスがデータ入出力制御回路１
４に供給される。すると、データ入出力制御回路１４
は、入力されたアドレスに基づいてＥＥＰＲＯＭ１６か
らデータを読み出し、一旦バッファメモリに記録する。
その後、データ入出力制御回路１４は、バッファメモリ
に記録したデータを読み出しコネクタ１２を介して外部
に導出し、ここにデータの読み出しが行なわれる。

【００２５】したがって、上記のような構成によれば、
電子スチルカメラ本体とメモリカード本体１１との間に
おけるデータ転送は、必ずバッファメモリを介して行な
われるので、電子スチルカメラ本体側から見たメモリカ
ード本体１１へのデータの書き込みスピード及び読み出
しスピードを向上させることができる。また、ＥＥＰＲ
ＯＭ１６に特有の書き込みベリファイも、バッファメモ
リを用いてメモリカード本体１１の内部で自動的に処理
されるので、メモリカード本体１１の取り扱いとして
は、全くＳＲＡＭカードライクに使用することができ
る。

【００２６】ここで、上記ＥＥＰＲＯＭ１６は、図２に
示すように、００００〜ＸＸＸＸ番地よりなる記憶領域
を有しており、この記憶領域は、データを扱う際の最小
単位である一定容量の複数のブロック１〜Ｎ（１ブロッ
クは通常数ｋバイト）に分割されている。このブロック
１〜Ｎの全てが、通常のデータを記録するデータ領域と
なっている。このデータ領域は、メモリカード本体１１
の外部から直接アクセスすることが可能であり、コネク
タ１２を介して直接アドレスを指定することによって、
数百バイトでなるページ単位のデータ書き込み及び読み
出しを繰り返すことにより、自由にブロック単位でのデ
ータ書き込み及び読み出しを行なうことができる。

【００２７】また、ＥＥＰＲＯＭ１６内には、図３
（ａ）に示すような、上記各ブロックの管理テーブル
と、２つのポインタＳ，Ｔとが設けられている。すなわ
ち、この管理テーブルは、図中左列がブロック番号１〜
Ｎを示し、図中右列がそのブロックの状態を示してい
る。すなわち、“Ｏ”はそのブロックが未使用であるこ
とを示し、“Ｚ（１〜Ｎ以外の数値）”はそのブロック
が使用中であることを示している。また、そのブロック
が書き込み不良であると判断された場合には、そのブロ
ックに書き込むべきデータを他のブロックに書き込んで
救済する処置がとられるが、そのときの救済先のブロッ
ク番号が書き込まれる。例えば管理テーブルのブロック
番号Ａに対応する位置に数値Ｂが書き込まれていれば、
そのブロックＡが書き込み不良で、そのブロックＡに書
き込むべきデータがブロックＢに書き込まれて救済され
ていることを意味している。

【００２８】さらに、上記ポインタＳは、不良救済レベ
ルを示し、初期状態つまり書き込み不良の救済を１つも
行なっていない状態では“０”となっている。この不良
救済レベルの最大値は、あらかじめ設定されており、こ
の実施例では“Ｍ”とする。また、上記ポインタＴは、
電子スチルカメラ本体側からメモリカード本体１１の残
り記録容量を検知するためのもので、初期状態つまり書
き込み不良の救済を１つも行なっていない状態では、全
ブロック１〜Ｎがデータ領域であるため“Ｎ”となって
いる。各ブロック１〜Ｎに対するデータの書き込みは、
ブロック番号の若いブロックから極力前づめで行なわれ
るが、不要データを消去したりその後のデータ書き込み
等が行なわれることにより、一時的に連続する使用中ブ
ロックの間に未使用ブロックが発生する場合もある。

【００２９】ここで、ＥＥＰＲＯＭ１６へのデータ書き
込み時に、あるブロックＸに書き込み不良が発生した場
合、データ入出力制御回路１４は、まず、ポインタＳの
内容を見て不良救済レベルが最大値Ｍになっているか否
かを判別する。この判別は、発生した書き込み不良が、
書き込みの繰り返しによるメモリセルの劣化によって生
じたものか、例えば半田付け不良やチップ全体の不良等
によるものかを区別するために行なっている。また、メ
モリセル不良の累積であっても磨耗不良領域に入った場
合は、信頼性の点から使用を停止することが望ましい。

【００３０】そして、不良救済レベルが最大値Ｍになっ
ていなければ、データ入出力制御回路１４は、不良救済
レベルを１段階アップさせるために未使用のつまり空き
ブロックの検索を行なう。不良救済レベルの１レベル分
とは、Ｐ個の空きブロックを不良救済領域として確保す
ることを意味する。そして、１レベル分の空きブロック
がない場合には、データ入出力制御回路１４は、これ以
上の処理を中止し、そのメモリカード本体１１の使用を
禁止する。このため、このメモリカード本体１１を継続
して使用したい場合には、使用者は、不要データを消去
することにより１レベル分の空きブロックが確保できる
ようにする必要がある。

【００３１】ここで、１ブロック分の空きブロックが検
出されると、データ入出力制御回路１４は、この検出さ
れた空きブロックをデータ領域から不良救済領域に割り
当てる。この割り当てに際しては、電子スチルカメラ本
体側から見たアドレスの連続性を確保するために、図３
（ｂ）に示すように、最終ブロックＮから順次若いブロ
ック番号に向かって連続するＰ個のブロックＮ，Ｎ−
１，……，Ｎ−Ｐ＋１が、データ領域から不良救済領域
に割り当てを変更され、ここに、レベル１の不良救済領
域が確保される。このとき、データ入出力制御回路１４
は、この割り当ての変更を電子スチルカメラ本体側に知
らせるために、ポインタＴの内容を従来の“Ｎ”から
“Ｎ−Ｐ”に変更する。また、データ入出力制御回路１
４は、不良救済レベルが１段階アップしたことを示すた
めに、ポインタＳの内容を＋１する。

【００３２】このようにしてＰ個の不良救済ブロックが
確保されると、データ入出力制御回路１４は、実際の不
良救済処理を実行する。実際に図３（ｂ）では、書き込
み不良の発生したブロックＸに書き込むべきデータを、
先に確保したＰ個の不良救済ブロックのうちのブロック
Ｎに書き込んで救済した例を示している。そして、不良
救済処理後、データ入出力制御回路１４は、図３（ｂ）
に示す管理テーブルのブロックＸに対応する図中右側
に、救済先のブロック番号“Ｎ”を書き込み、ブロック
Ｎに対応する図中右側に、使用中であることを示す数値
“Ｚ”を書き込んで、ここに、書き込み不良ブロックＸ
の救済処理が完了される。

【００３３】次に、上記のようにしてＥＥＰＲＯＭ１６
に書き込まれたデータを電子スチルカメラ本体側に読み
出す場合、まず、電子スチルカメラ本体は、ポインタＴ
の内容を見てメモリカード本体１１の残り記録容量、つ
まりデータ領域として利用できるブロックの数が“Ｎ−
Ｐ”であることを検知する。このため、救済領域として
利用されるＰ個のブロックＮ−Ｐ＋１〜Ｎは、電子スチ
ルカメラ本体側からは隠れた存在となる。そして、電子
スチルカメラ本体からブロックＸのデータ読み出しが要
求されると、データ入出力制御回路１４は、図３（ｂ）
に示す管理テーブルからブロックＸに書き込むべきデー
タがブロックＮに救済されていることを検知し、ブロッ
クＮに書き込まれたデータを読み出して電子スチルカメ
ラ本体に出力する。このため、電子スチルカメラ本体側
には、ＥＥＰＲＯＭ１６に書き込み不良が発生したこと
を何ら認識させることなく、メモリカード本体１１に対
するデータの書き込み及び読み出しを行なうことができ
る。

【００３４】ここで、図４（ａ）に示すように、レベル
１の不良救済領域の各ブロックＮ−Ｐ＋１〜Ｎが満杯つ
まり全て不良救済に使用された状態で、データ領域のブ
ロックＷに書き込み不良が発生した場合には、データ入
出力制御回路１４は、上記と同様にデータ領域の中の最
終ブロックＮ−Ｐから順次若いブロック番号に向かって
連続するＰ個のブロックＮ−Ｐ，Ｎ−Ｐ−１，……，
（Ｎ−Ｐ）−Ｐ＋１を、データ領域から不良救済領域に
割り当てを変更して、図４（ｂ）に示すようにレベル２
の不良救済領域を確保する。

【００３５】このとき、新たに不良救済領域に割り当て
られたＰ個のブロックＮ−Ｐ，Ｎ−Ｐ−１，……，（Ｎ
−Ｐ）−Ｐ＋１の中の、ブロックＹが使用中であった場
合、データ入出力制御回路１４は、ブロックＹに書き込
まれているデータを、データ領域の中で最も若い空きブ
ロックＬ＋１に移動し、管理テーブルのブロックＬ＋１
に対応する図中右側に、使用中であることを示す数値
“Ｚ”を書き込むとともに、ブロックＹに対応する図中
右側に、未使用であることを示す数値“Ｏ”を書き込
む。そして、データ入出力制御回路１４は、この新たな
不良救済領域が作成されたことによる割り当ての変更を
電子スチルカメラ本体側に知らせるために、ポインタＴ
の内容を従来の“Ｎ−Ｐ”から“（Ｎ−Ｐ）−Ｐ”に変
更する。また、データ入出力制御回路１４は、不良救済
レベルがさらに１段階アップしたことを示すために、ポ
インタＳの内容を＋１する。

【００３６】このようにしてレベル２の不良救済領域が
確保されると、データ入出力制御回路１４は、実際の不
良救済処理を実行する。実際に図４（ｂ）では、書き込
み不良の発生したブロックＷに書き込むべきデータを、
先に確保したＰ個の不良救済ブロックのうちのブロック
Ｎ−Ｐに書き込んで救済した例を示している。そして、
不良救済処理後、データ入出力制御回路１４は、図４
（ｂ）に示す管理テーブルのブロックＷに対応する図中
右側に、救済先のブロック番号“Ｎ−Ｐ”を書き込み、
ブロックＮ−Ｐに対応する図中右側に、使用中であるこ
とを示す数値“Ｚ”を書き込んで、ここに、書き込み不
良ブロックＷの救済処置が完了される。

【００３７】なお、電子スチルカメラ本体側からブロッ
クＷのデータ読み出しが要求された場合の動作について
は、図３に示したレベル１の不良救済処理の説明に準じ
て、容易に窺い知れるところであるので、その説明を省
略する。

【００３８】ここで、図５は、以上の動作をまとめたフ
ローチャートを示している。まず、データ入出力制御回
路１４は、いずれかのブロックに書き込み不良が発生し
たことを検出すると（ステップＳ１）、ステップＳ２
で、不良救済領域が形成されているか否か、つまり、ポ
インタＳが“０”か否かを判別し、ある場合（ＹＥＳ）
には、ステップＳ３で、その救済領域に空きブロックが
あるか否かを判別する。そして、空きブロックがあれば
（ＹＥＳ）、データ入出力制御回路１４は、ステップＳ
４で、その空きブロックを利用して不良救済処理を行な
い、終了（ステップＳ５）される。

【００３９】また、ステップＳ２で不良救済領域が形成
されていない（ＮＯ）、またはステップＳ３で空きブロ
ックがない（ＮＯ）と判断された場合、データ入出力制
御回路１４は、ステップＳ６で、不良救済レベルが最大
値になっているか否か、つまり、ポインタＳの内容が
“Ｍ”か否かを判別し、最大値であれば（ＹＥＳ）、ス
テップＳ７で、このメモリカード本体１１はこれ以上使
用不可と判断して、終了（ステップＳ８）される。一
方、不良救済レベルが最大値になっていない（ＮＯ）と
判断された場合、データ入出力制御回路１４は、ステッ
プＳ９で、現在のデータ領域内に１レベル分の不良救済
領域を形成するためのＰ個の空きブロックがあるか否か
を判別し、ない（ＮＯ）場合、ステップＳ７で、このメ
モリカード本体１１はこれ以上使用不可と判断して、終
了（ステップＳ８）される。

【００４０】そして、１レベル分の空きブロックがある
（ＹＥＳ）と判断された場合、データ入出力制御回路１
４は、ステップＳ１０で、現在のデータ領域中の最終ブ
ロックから順次若いブロック番号に向かって連続してＰ
個の空きブロックを確保できるか否かを判別し、確保で
きない（ＮＯ）場合、ステップＳ１１で、確保すべき領
域内に書き込まれているデータを、その確保すべき領域
外のデータ領域に移動させた後、ステップＳ１２で、そ
の移動させたデータに関連する情報の書き替え等の処理
を実行する。

【００４１】ここで、ステップＳ１０でＰ個の空きブロ
ックを連続して確保できる（ＹＥＳ）と判断された場
合、またはステップＳ１２で関連情報の書き替えが行な
われた後、データ入出力制御回路１４は、ステップＳ１
３で、確保した領域をデータ領域から不良救済領域に割
り当て変更し、ステップＳ１４で、ポインタＳ，Ｔの内
容を更新させた後、ステップＳ４で、不良救済処理を行
ない、終了（ステップＳ５）される。

【００４２】したがって、上記実施例のような構成によ
れば、データ領域の一部のブロックに書き込み不良が発
生したとき、データ領域中からＰ個の空きブロックを検
索して不良救済領域に割り当て、この不良救済領域の空
きブロックに該不良ブロックに書き込むべきデータを書
き込むようにしたので、一部に書き込み不良が発生した
ＥＥＰＲＯＭ１６でも継続して使用することができ、経
済的に有利で実用に適するものである。また、不良救済
領域が満杯になった場合には、データ領域中から新たに
Ｐ個の空きブロックを検索して第２の不良救済領域に割
り当て、この第２の不良救済領域の空きブロックに該不
良ブロックに書き込むべきデータを書き込むようにして
いる、つまり、書き込み不良ブロックの発生量に応じて
不良救済領域をＰ個のブロック単位で増加させるように
しているので、ＥＥＰＲＯＭ１６の記憶領域の有効利用
を図ることができる。

【００４３】さらに、上記実施例によれば、ＥＥＰＲＯ
Ｍ１６のデータ領域は、書き込み不良ブロックの発生量
に応じて自動的に削減されるため、見掛上残り記録容量
があるにもかかわらずデータを記録することができない
という問題は生じない。また、データ領域の削減は、例
えば初期状態で４ＭバイトのＥＥＰＲＯＭ１６であれ
ば、３Ｍバイト，２Ｍバイト，１Ｍバイト，５１２ｋバ
イト，２５６ｋバイトのように切りの良い値で順次行な
うようにしてもよい。これは、通常のメモリカードのラ
インナップ系列に合わせることができ、外部からの認識
を容易にすることができるとともに、残り記録容量を量
子化して出力（例えば２５６ｋバイトのＮ倍等）する際
にも好適である。

【００４４】ここで、上記実施例では、書き込み不良が
発生したとき、Ｐ個の空きブロックによる不良救済領域
を生成し、この不良救済領域が満杯になった場合、再度
Ｐ個の空きブロックによる不良救済領域を生成するよう
にしたが、不良救済領域を構成する空きブロックの数
は、常に同じＰ個に限らず、不良救済領域を構成する毎
に異ならせてもよいことはもちろんである。なお、この
発明は上記各実施例に限定されるものではなく、この外
その要旨を逸脱しない範囲で種々変形して実施すること
ができる。

【００４５】

【発明の効果】以上詳述したようにこの発明によれば、
一部に書き込み不良が発生したＥＥＰＲＯＭでも継続し
て使用することができるとともに、そのＥＥＰＲＯＭの
記憶領域の有効利用を図ることができ、経済的に有利で
実用に供し得る極めて良好なメモリカード装置を提供す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係るメモリカード装置の一実施例を
示すブロック構成図。

【図２】同実施例におけるＥＥＰＲＯＭの記憶領域を示
す図。

【図３】同実施例における管理テーブルの詳細を示す
図。

【図４】同実施例で救済領域が満杯になった場合の対策
を示す図。

【図５】同実施例の動作をまとめたフローチャート。

【図６】ＳＲＡＭカードとＥＥＰＲＯＭカードとの長短
を比較して示す図。

【符号の説明】

１１…メモリカード本体、１２…コネクタ、１３…バス
ライン、１４…データ入出力制御回路、１５…バスライ
ン、１６…ＥＥＰＲＯＭ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁵ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ１１Ｃ 5/00 ３０２ Ｚ 6741−5Ｌ 7/00 ３１５ 6741−5Ｌ 16/06 (72)発明者 丸山 晃司 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 前川 智之 神奈川県横浜市磯子区新杉田町８番地 株 式会社東芝映像メディア技術研究所内 (72)発明者 佐藤 聡明 東京都港区新橋３丁目３番９号 東芝エ ー・ブイ・イー株式会社内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 一定容量の複数のブロックで構成される
   データ領域を有するＥＥＰＲＯＭと、このＥＥＰＲＯＭ
   のデータ領域のブロックに書き込み不良が検出された状
   態で、該データ領域中から規定数の空きブロックを検索
   して第１の不良救済領域に割り当て、該不良ブロックに
   書き込むデータを前記第１の不良救済領域の空きブロッ
   クに書き込む第１の救済手段と、この第１の救済手段に
   より前記第１の不良救済領域が満杯になり、かつ、前記
   データ領域のブロックに書き込み不良が検出された状態
   で、該データ領域中から規定数の空きブロックを検索し
   て第２の不良救済領域に割り当て、該不良ブロックに書
   き込むデータを前記第２の不良救済領域の空きブロック
   に書き込む第２の救済手段とを具備してなることを特徴
   とするメモリカード装置。